JP2000286243A - 真空処理装置の基板冷却台 - Google Patents
真空処理装置の基板冷却台Info
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- JP2000286243A JP2000286243A JP11091736A JP9173699A JP2000286243A JP 2000286243 A JP2000286243 A JP 2000286243A JP 11091736 A JP11091736 A JP 11091736A JP 9173699 A JP9173699 A JP 9173699A JP 2000286243 A JP2000286243 A JP 2000286243A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理後の高温の被処理基板を効果的に冷却す
ることができる真空処理装置の基板冷却台を提供する。 【解決手段】 減圧雰囲気下で処理された被処理基板Ｗ
を冷却するための真空処理装置の基板冷却台１である。
被処理基板Ｗを載置する載置面４を有する基板載置部２
と、この基板載置部２を冷却する冷却水流路５と、を備
える。載置面４は、冷却時に変形した被処理基板Ｗの凹
形の裏面形状に対応するように凸形に形成されている。
ることができる真空処理装置の基板冷却台を提供する。 【解決手段】 減圧雰囲気下で処理された被処理基板Ｗ
を冷却するための真空処理装置の基板冷却台１である。
被処理基板Ｗを載置する載置面４を有する基板載置部２
と、この基板載置部２を冷却する冷却水流路５と、を備
える。載置面４は、冷却時に変形した被処理基板Ｗの凹
形の裏面形状に対応するように凸形に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は真空処理装置の基板
冷却台に係わり、特に、半導体製造用ウエハのアッシン
グ、エッチング等に使用される真空処理装置の基板冷却
台に関する。
冷却台に係わり、特に、半導体製造用ウエハのアッシン
グ、エッチング等に使用される真空処理装置の基板冷却
台に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造用シリコンウエハ等の被処理
基板を減圧雰囲気下で処理するための真空処理装置とし
て、被処理基板の表面の薄膜をエッチング処理するエッ
チング装置、或いは被処理基板の表面のレジストを除去
するアッシング装置がある。
基板を減圧雰囲気下で処理するための真空処理装置とし
て、被処理基板の表面の薄膜をエッチング処理するエッ
チング装置、或いは被処理基板の表面のレジストを除去
するアッシング装置がある。
【０００３】また、エッチング／アッシング装置の一つ
に、処理室から離れた位置で生成したマイクロ波プラズ
マを利用して活性種を生成し、この活性種を被処理基板
の表面に供給してエッチング又はアッシングを行う放電
分離型のケミカルドライエッチング装置（ＣＤＥ装置）
がある。なお、このＣＤＥ装置を用いてエッチングを行
う場合にはプロセスガスとして酸素（Ｏ2）、酸素
（Ｏ2）にＣＦ4、ＮＦ3等のフッ素系ガスを添加した混
合ガス等が使用される。
に、処理室から離れた位置で生成したマイクロ波プラズ
マを利用して活性種を生成し、この活性種を被処理基板
の表面に供給してエッチング又はアッシングを行う放電
分離型のケミカルドライエッチング装置（ＣＤＥ装置）
がある。なお、このＣＤＥ装置を用いてエッチングを行
う場合にはプロセスガスとして酸素（Ｏ2）、酸素
（Ｏ2）にＣＦ4、ＮＦ3等のフッ素系ガスを添加した混
合ガス等が使用される。
【０００４】半導体製造用ウエハに対してアッシングや
エッチングの処理を行うための半導体製造装置（アッシ
ャー又はエッチャーとも呼ばれている。）においては、
減圧雰囲気下においてウエハを加熱しながら処理を行う
場合がある。処理後のウエハはカセットに戻されて処理
が終了するが、カセットは通常樹脂製であるために熱に
弱く、高温のウエハをそのままカセットに戻すとカセッ
トが変形し、或いは溶融してしまう。そこで、カセット
に戻す前にウエハを冷却しなければならない。
エッチングの処理を行うための半導体製造装置（アッシ
ャー又はエッチャーとも呼ばれている。）においては、
減圧雰囲気下においてウエハを加熱しながら処理を行う
場合がある。処理後のウエハはカセットに戻されて処理
が終了するが、カセットは通常樹脂製であるために熱に
弱く、高温のウエハをそのままカセットに戻すとカセッ
トが変形し、或いは溶融してしまう。そこで、カセット
に戻す前にウエハを冷却しなければならない。
【０００５】また、従来は多数枚のウエハをバッチ処理
する方法が一般的であったが、近年、その加工の安定性
と制御性の観点から、ウエハを１枚ずつ処理する枚葉処
理タイプの真空処理装置が普及している。
する方法が一般的であったが、近年、その加工の安定性
と制御性の観点から、ウエハを１枚ずつ処理する枚葉処
理タイプの真空処理装置が普及している。
【０００６】図３は、処理後のウエハＷを減圧チャンバ
ー７の内部で冷却するための従来の水冷式の基板冷却台
１０を示した縦断面図であり、この基板冷却台１０はウ
エハＷを載置する部分である円盤状の基板載置部１１
と、この基板載置部１１の裏面中央部から下方に向けて
突設された支軸部材１２とを備えている。
ー７の内部で冷却するための従来の水冷式の基板冷却台
１０を示した縦断面図であり、この基板冷却台１０はウ
エハＷを載置する部分である円盤状の基板載置部１１
と、この基板載置部１１の裏面中央部から下方に向けて
突設された支軸部材１２とを備えている。
【０００７】基板載置部１１の上面は、ウエハＷを載置
するための、全面にわたって平坦な載置面１３を形成し
ている。基板載置部１１及び支軸部材１２の内部には冷
却水流路１４が形成されており、この冷却水流路１４内
に冷却水を流通させることによって基板載置部１１を冷
却し、これによって載置面１３上のウエハＷを冷却する
ようになっている。
するための、全面にわたって平坦な載置面１３を形成し
ている。基板載置部１１及び支軸部材１２の内部には冷
却水流路１４が形成されており、この冷却水流路１４内
に冷却水を流通させることによって基板載置部１１を冷
却し、これによって載置面１３上のウエハＷを冷却する
ようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図３に示し
た基板冷却台１０を用いて高温のウエハＷを減圧雰囲気
下において冷却する場合、次のような問題がある。
た基板冷却台１０を用いて高温のウエハＷを減圧雰囲気
下において冷却する場合、次のような問題がある。
【０００９】すなわち、ウエハＷの裏面（下面）が急激
に冷却されると瞬時に、ウエハＷの裏面と表面（上面）
との間に温度差が生じ、両面間の熱膨張の差から、図３
に示したようにウエハＷは上に凸状に反り返ってしま
う。
に冷却されると瞬時に、ウエハＷの裏面と表面（上面）
との間に温度差が生じ、両面間の熱膨張の差から、図３
に示したようにウエハＷは上に凸状に反り返ってしま
う。
【００１０】その結果、基板冷却台１０の載置面１３と
ウエハＷの裏面との接触は周縁部のみとなり、接触面積
の減少から冷却効率が落ちてしまう。また、ウエハＷの
周縁部と中央部とで温度差が生じてしまう。このため、
ウエハＷの冷却に要する時間が長期化してしまう。ま
た、ウエハ内部の温度差が応力となり、ウエハＷを破損
させてしまう恐れがある。
ウエハＷの裏面との接触は周縁部のみとなり、接触面積
の減少から冷却効率が落ちてしまう。また、ウエハＷの
周縁部と中央部とで温度差が生じてしまう。このため、
ウエハＷの冷却に要する時間が長期化してしまう。ま
た、ウエハ内部の温度差が応力となり、ウエハＷを破損
させてしまう恐れがある。
【００１１】処理後のウエハＷの冷却に長時間を要する
とスループットの低下がもたらされるので、冷却時間の
短縮が望まれており、特に、枚葉処理タイプの真空処理
装置においては１枚ずつ冷却する必要があるため、冷却
時間の短縮が強く望まれている。
とスループットの低下がもたらされるので、冷却時間の
短縮が望まれており、特に、枚葉処理タイプの真空処理
装置においては１枚ずつ冷却する必要があるため、冷却
時間の短縮が強く望まれている。
【００１２】また、前記の如く冷却時に生じたウエハ内
部の温度差によって応力が発生し、この応力によってウ
エハＷの破損がもたらされることを確実に防止しなけれ
ばならない。
部の温度差によって応力が発生し、この応力によってウ
エハＷの破損がもたらされることを確実に防止しなけれ
ばならない。
【００１３】本発明は、上述した種々の問題点を考慮し
てなされたものであって、処理後の高温の被処理基板を
効果的に冷却することができる真空処理装置の基板冷却
台を提供することを目的とする。
てなされたものであって、処理後の高温の被処理基板を
効果的に冷却することができる真空処理装置の基板冷却
台を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、減圧雰囲気下
で処理された被処理基板を冷却するための真空処理装置
の基板冷却台において、前記被処理基板を載置する載置
面を有する基板載置部と、この基板載置部を冷却する冷
却機構と、を備え、前記載置面は、冷却時に変形した前
記被処理基板の凹形の裏面形状に対応するように凸形に
形成されていることを特徴とする。
で処理された被処理基板を冷却するための真空処理装置
の基板冷却台において、前記被処理基板を載置する載置
面を有する基板載置部と、この基板載置部を冷却する冷
却機構と、を備え、前記載置面は、冷却時に変形した前
記被処理基板の凹形の裏面形状に対応するように凸形に
形成されていることを特徴とする。
【００１５】また、前記載置面は球面状又は円錐面状に
形成することができる。
形成することができる。
【００１６】また、冷却後に平坦となった前記被処理基
板を安定して支持するために前記載置面の中央領域に平
坦部を形成することが望ましい。
板を安定して支持するために前記載置面の中央領域に平
坦部を形成することが望ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
真空処理装置の基板冷却台について図面を参照して説明
する。
真空処理装置の基板冷却台について図面を参照して説明
する。
【００１８】図１は本実施形態による基板冷却台１の概
略構成を示した縦断面図であり、この基板冷却台１は、
減圧雰囲気下で加熱しながらエッチング処理又はアッシ
ング処理された円形の被処理基板Ｗを、真空処理装置の
減圧チャンバー７の内部において冷却するために使用さ
れる。被処理基板Ｗは、具体的には半導体製造用シリコ
ンウエハである。
略構成を示した縦断面図であり、この基板冷却台１は、
減圧雰囲気下で加熱しながらエッチング処理又はアッシ
ング処理された円形の被処理基板Ｗを、真空処理装置の
減圧チャンバー７の内部において冷却するために使用さ
れる。被処理基板Ｗは、具体的には半導体製造用シリコ
ンウエハである。
【００１９】なお、冷却後のウエハＷは真空処理装置の
内部に配置されたカセット（図示せず）に収納される。
このようにウエハ（被処理基板）Ｗのエッチング／アッ
シング処理、処理後の冷却、及びカセットへの収納は、
外界から隔離された真空処理装置の内部（真空領域）に
て行われる。
内部に配置されたカセット（図示せず）に収納される。
このようにウエハ（被処理基板）Ｗのエッチング／アッ
シング処理、処理後の冷却、及びカセットへの収納は、
外界から隔離された真空処理装置の内部（真空領域）に
て行われる。
【００２０】図１に示したようにこの基板冷却台１は、
ウエハＷを載置する部分である円盤状の基板載置部２
と、この基板載置部２の裏面中央部から下方に向けて突
設された支軸部材３を備えている。基板載置部２は、ウ
エハＷの外径と略同一又はこれよりも大きな外径を備え
ている。
ウエハＷを載置する部分である円盤状の基板載置部２
と、この基板載置部２の裏面中央部から下方に向けて突
設された支軸部材３を備えている。基板載置部２は、ウ
エハＷの外径と略同一又はこれよりも大きな外径を備え
ている。
【００２１】基板載置部２の上面は、ウエハＷを載置す
るための載置面４を形成しており、この載置面４は、図
１に示したように冷却時に変形したウエハＷの凹形の裏
面形状に対応するように凸形に形成されている。より具
体的には、載置面４は球面状に加工されている。また、
載置面４を円錐面形状に加工することもできる。円弧が
大きいために円錐に近似しており、また加工が簡易であ
るため工業的に有利な場合もあるためである。
るための載置面４を形成しており、この載置面４は、図
１に示したように冷却時に変形したウエハＷの凹形の裏
面形状に対応するように凸形に形成されている。より具
体的には、載置面４は球面状に加工されている。また、
載置面４を円錐面形状に加工することもできる。円弧が
大きいために円錐に近似しており、また加工が簡易であ
るため工業的に有利な場合もあるためである。
【００２２】基板載置部２及び支軸部材３の内部には、
基板載置部２を冷却する冷却機構を構成する冷却水流路
５が形成されており、この冷却水流路５内に冷却水を流
通させることによって基板載置部２を冷却し、これによ
って載置面４上のウエハＷを冷却するようになってい
る。
基板載置部２を冷却する冷却機構を構成する冷却水流路
５が形成されており、この冷却水流路５内に冷却水を流
通させることによって基板載置部２を冷却し、これによ
って載置面４上のウエハＷを冷却するようになってい
る。
【００２３】また、載置面４の形状を単に上に凸の形状
としただけでは、冷却完了後に反りがなくなって平坦と
なったウエハＷは、載置面４の中心部の小さな面積で支
持される格好となり、ウエハＷの支持が不安定な状態に
なる恐れがある。
としただけでは、冷却完了後に反りがなくなって平坦と
なったウエハＷは、載置面４の中心部の小さな面積で支
持される格好となり、ウエハＷの支持が不安定な状態に
なる恐れがある。
【００２４】そこで、本実施形態の一変形例としては、
冷却後に平坦となったウエハＷを安定して支持するため
に、図２に示したように載置面４の中央領域に平坦部６
を形成することが望ましい。
冷却後に平坦となったウエハＷを安定して支持するため
に、図２に示したように載置面４の中央領域に平坦部６
を形成することが望ましい。
【００２５】以上述べたように本実施形態による真空処
理装置の基板冷却台１によれば、ウエハＷを載置する載
置面４の形状を、冷却時に変形したウエハＷの凹形の裏
面形状に対応するように凸形に形成したので、冷却時に
ウエハＷの裏面と載置面４とが全面で接触し、これによ
り冷却効率を大幅に高めることができる。
理装置の基板冷却台１によれば、ウエハＷを載置する載
置面４の形状を、冷却時に変形したウエハＷの凹形の裏
面形状に対応するように凸形に形成したので、冷却時に
ウエハＷの裏面と載置面４とが全面で接触し、これによ
り冷却効率を大幅に高めることができる。
【００２６】また、前記の如く冷却時にウエハＷの裏面
と載置面４とが全面で接触するので、ウエハＷの周辺部
と中心部との間に大きな温度差が生じることがなく、こ
のため、ウエハ内部の温度差により応力が発生してウエ
ハＷを破損するようなことがない。
と載置面４とが全面で接触するので、ウエハＷの周辺部
と中心部との間に大きな温度差が生じることがなく、こ
のため、ウエハ内部の温度差により応力が発生してウエ
ハＷを破損するようなことがない。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように本発明による真空処理
装置の基板冷却台によれば、被処理基板を載置する載置
面の形状を、冷却時に変形した被処理基板の凹形の裏面
形状に対応するように凸形に形成したので、冷却時にお
いて被処理基板の裏面と載置面との間で十分な接触面積
が確保され、これにより冷却効率を大幅に高めることが
できる。
装置の基板冷却台によれば、被処理基板を載置する載置
面の形状を、冷却時に変形した被処理基板の凹形の裏面
形状に対応するように凸形に形成したので、冷却時にお
いて被処理基板の裏面と載置面との間で十分な接触面積
が確保され、これにより冷却効率を大幅に高めることが
できる。
【００２８】また、前記の如く冷却時において被処理基
板の裏面と載置面との間で十分な接触面積が確保される
ので、被処理基板の周辺部と中心部との間に大きな温度
差が生じることがなく、このため、被処理基板内部の温
度差により応力が発生して被処理基板を破損するような
ことがない。
板の裏面と載置面との間で十分な接触面積が確保される
ので、被処理基板の周辺部と中心部との間に大きな温度
差が生じることがなく、このため、被処理基板内部の温
度差により応力が発生して被処理基板を破損するような
ことがない。
【図１】本発明の一実施形態による真空処理装置の基板
冷却台の概略構成を示した縦断面図。
冷却台の概略構成を示した縦断面図。
【図２】図１に示した実施形態の一変形例による真空処
理装置の基板冷却台の概略構成を示した縦断面図。
理装置の基板冷却台の概略構成を示した縦断面図。
【図３】従来の真空処理装置の基板冷却台の概略構成を
示した縦断面図。
示した縦断面図。
１ 基板冷却台 ２ 基板載置部 ３ 支軸部材 ４ 載置面 ５ 冷却水流路 ６ 平坦部 Ｗ ウエハ（被処理基板）
Claims (3)
- 【請求項１】減圧雰囲気下で処理された被処理基板を冷
却するための真空処理装置の基板冷却台において、 前記被処理基板を載置する載置面を有する基板載置部
と、この基板載置部を冷却する冷却機構と、を備え、前
記載置面は、冷却時に変形した前記被処理基板の凹形の
裏面形状に対応するように凸形に形成されていることを
特徴とする真空処理装置の基板冷却台。 - 【請求項２】前記載置面は球面状又は円錐面状に形成さ
れていることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置
の基板冷却台。 - 【請求項３】冷却後に平坦となった前記被処理基板を安
定して支持するために前記載置面の中央領域に平坦部を
形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
の真空処理装置の基板冷却台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09173699A JP4111625B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 真空処理装置の基板冷却台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09173699A JP4111625B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 真空処理装置の基板冷却台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286243A true JP2000286243A (ja) | 2000-10-13 |
| JP4111625B2 JP4111625B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=14034817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09173699A Expired - Lifetime JP4111625B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 真空処理装置の基板冷却台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4111625B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100270004A1 (en) * | 2005-05-12 | 2010-10-28 | Landess James D | Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates |
| US8273670B1 (en) | 2006-12-07 | 2012-09-25 | Novellus Systems, Inc. | Load lock design for rapid wafer heating |
| US8371567B2 (en) | 2011-04-13 | 2013-02-12 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
| US8454294B2 (en) | 2008-12-11 | 2013-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling |
| US8920162B1 (en) | 2007-11-08 | 2014-12-30 | Novellus Systems, Inc. | Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation |
| US9835388B2 (en) | 2012-01-06 | 2017-12-05 | Novellus Systems, Inc. | Systems for uniform heat transfer including adaptive portions |
| US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6012995B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-10-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP09173699A patent/JP4111625B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100270004A1 (en) * | 2005-05-12 | 2010-10-28 | Landess James D | Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates |
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| US8851463B2 (en) | 2011-04-13 | 2014-10-07 | Novellus Systems, Inc. | Pedestal covers |
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| US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
| US11075127B2 (en) | 2016-08-09 | 2021-07-27 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4111625B2 (ja) | 2008-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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