JPH0621005A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0621005A JPH0621005A JP17462792A JP17462792A JPH0621005A JP H0621005 A JPH0621005 A JP H0621005A JP 17462792 A JP17462792 A JP 17462792A JP 17462792 A JP17462792 A JP 17462792A JP H0621005 A JPH0621005 A JP H0621005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dry etching
- etching method
- gas
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハをクランプにより機械的に固定する
方式のドライエッチング装置を使用するドライエッチン
グ方法に関し、ウェーハの部位によるエッチングレート
の不均一を改善することを目的とする。 【構成】 クランプの押圧子３がウェーハ１の表面周辺
部を押圧してウェーハ１をステージ２に固定し、この状
態でウェーハ１の表面をエッチングするドライエッチン
グ方法において、ステージ２に設けたガス導入路2aから
反応ガスの一部をウェーハ１の裏面側に供給してこれを
表面側の押圧子３近傍に回り込ませながらウェーハ１の
表面をエッチングする。
方式のドライエッチング装置を使用するドライエッチン
グ方法に関し、ウェーハの部位によるエッチングレート
の不均一を改善することを目的とする。 【構成】 クランプの押圧子３がウェーハ１の表面周辺
部を押圧してウェーハ１をステージ２に固定し、この状
態でウェーハ１の表面をエッチングするドライエッチン
グ方法において、ステージ２に設けたガス導入路2aから
反応ガスの一部をウェーハ１の裏面側に供給してこれを
表面側の押圧子３近傍に回り込ませながらウェーハ１の
表面をエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチングの方
法、特に半導体ウェーハ等の被処理物をクランプにより
機械的に固定する方式のドライエッチング装置を使用す
るドライエッチング方法に関する。
法、特に半導体ウェーハ等の被処理物をクランプにより
機械的に固定する方式のドライエッチング装置を使用す
るドライエッチング方法に関する。
【０００２】ドライエッチングは処理室を真空乃至減圧
して行われるから、被処理物のウェーハ等（以下、ウェ
ーハと記す）は静電チャック又はクランプを用いたメカ
ニカルチャックにより固定される。この内、クランプに
よる固定は、ウェーハの裏面にガスを流してこれを冷却
することが容易である等の理由で、しばしば採用されて
いる。
して行われるから、被処理物のウェーハ等（以下、ウェ
ーハと記す）は静電チャック又はクランプを用いたメカ
ニカルチャックにより固定される。この内、クランプに
よる固定は、ウェーハの裏面にガスを流してこれを冷却
することが容易である等の理由で、しばしば採用されて
いる。
【０００３】
【従来の技術】通常のドライエッチング方法は、ドライ
エッチング装置の真空排気した処理室内に所定の反応ガ
スを導入し、電極に高周波電力を印加して放電させてプ
ラズマを形成し、このプラズマ領域に置かれたウェーハ
をラジカル及びイオンによりエッチングするものであ
る。ウェーハをクランプにより固定する方式のドライエ
ッチング装置を使用する場合には、ステージ上に載置し
たウェーハの表面周辺部をクランプの押圧子（クランプ
リング又は爪）が押圧した状態で、ウェーハ表面をエッ
チングすることになる。
エッチング装置の真空排気した処理室内に所定の反応ガ
スを導入し、電極に高周波電力を印加して放電させてプ
ラズマを形成し、このプラズマ領域に置かれたウェーハ
をラジカル及びイオンによりエッチングするものであ
る。ウェーハをクランプにより固定する方式のドライエ
ッチング装置を使用する場合には、ステージ上に載置し
たウェーハの表面周辺部をクランプの押圧子（クランプ
リング又は爪）が押圧した状態で、ウェーハ表面をエッ
チングすることになる。
【０００４】尚、ウェーハをガス冷却する方式のドライ
エッチング装置（ステージにはそのウェーハ載置面に開
口する冷却ガス導入路が多数設けられている）を使用す
る場合、冷却ガス導入路からヘリウム等の不活性ガスを
ウェーハ裏面に供給してウェーハを冷却していた。
エッチング装置（ステージにはそのウェーハ載置面に開
口する冷却ガス導入路が多数設けられている）を使用す
る場合、冷却ガス導入路からヘリウム等の不活性ガスを
ウェーハ裏面に供給してウェーハを冷却していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
エッチング方法の場合、上記のようにクランプリング又
は爪がウェーハの表面周辺部に接触するからウェーハの
この部分はエッチングされず、従ってこの部分のチップ
は不良品となるが、更に、このクランプリング又は爪の
近傍においてはエッチングレートが他の部分と異なる
（一般的には低い）ために、この部分のチップも不良品
となることが多い、という問題があった。
エッチング方法の場合、上記のようにクランプリング又
は爪がウェーハの表面周辺部に接触するからウェーハの
この部分はエッチングされず、従ってこの部分のチップ
は不良品となるが、更に、このクランプリング又は爪の
近傍においてはエッチングレートが他の部分と異なる
（一般的には低い）ために、この部分のチップも不良品
となることが多い、という問題があった。
【０００６】本発明はこのような問題を解決して、ウェ
ーハをクランプにより固定してエッチングする場合のウ
ェーハ部位によるエッチングレートの不均一を改善する
ことが可能なドライエッチング方法を提供することを目
的とする。
ーハをクランプにより固定してエッチングする場合のウ
ェーハ部位によるエッチングレートの不均一を改善する
ことが可能なドライエッチング方法を提供することを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、押圧子が基板の表面周辺部を押圧して該基板を固
定台に固定し、この状態で該基板の表面をエッチングす
るドライエッチング方法において、反応ガスの一部を該
基板の裏面側に供給してこれを表面側の該押圧子近傍に
回り込ませながら該基板の表面をエッチングすることを
特徴とするドライエッチング方法とすることで、達成さ
れる。
れば、押圧子が基板の表面周辺部を押圧して該基板を固
定台に固定し、この状態で該基板の表面をエッチングす
るドライエッチング方法において、反応ガスの一部を該
基板の裏面側に供給してこれを表面側の該押圧子近傍に
回り込ませながら該基板の表面をエッチングすることを
特徴とするドライエッチング方法とすることで、達成さ
れる。
【０００８】
【作用】従来の方法の場合、クランプの押圧子には反応
生成物が付着し易い。これがこの近傍においてエッチン
グレートを乱す原因となっている。これに対して本発明
の場合、クランプの押圧子には反応生成物が付着しにく
くなる。これは、ウェーハの裏面側から表面側の押圧子
近傍に回り込んだ微量のガスがイオン化してこの部分の
スパッタリング作用を増強することによるものと考えら
れる。その結果、この近傍におけるエッチングレートは
他の部分におけるそれに近付き、ウェーハ一枚当たりの
良品チップ取得数が増加することになる。
生成物が付着し易い。これがこの近傍においてエッチン
グレートを乱す原因となっている。これに対して本発明
の場合、クランプの押圧子には反応生成物が付着しにく
くなる。これは、ウェーハの裏面側から表面側の押圧子
近傍に回り込んだ微量のガスがイオン化してこの部分の
スパッタリング作用を増強することによるものと考えら
れる。その結果、この近傍におけるエッチングレートは
他の部分におけるそれに近付き、ウェーハ一枚当たりの
良品チップ取得数が増加することになる。
【０００９】
【実施例】本発明に係るドライエッチング方法の実施例
を図１を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例
の説明図であり、ドライエッチング装置（反応性イオン
エッチング装置）の要部を断面図で示している。同図に
おいて、１は被処理物の基板（半導体ウェーハ等）、２
はステージ（下部電極を兼ねている場合がある）、３は
押圧子（クランプリング又は爪）である。
を図１を参照しながら説明する。図１は本発明の実施例
の説明図であり、ドライエッチング装置（反応性イオン
エッチング装置）の要部を断面図で示している。同図に
おいて、１は被処理物の基板（半導体ウェーハ等）、２
はステージ（下部電極を兼ねている場合がある）、３は
押圧子（クランプリング又は爪）である。
【００１０】ステージ２にはガス導入路2aが設けられて
いる。このガス導入路2aは一端がステージ２の上面（ウ
ェーハ１載置面）に開口し、他端は反応ガス供給源（図
示は省略）に連通している。このステージ２のウェーハ
１載置面と押圧子３のウェーハ１に接触する面は、共に
微細な凹凸又は溝を有しており、クランプ状態でも微量
のガスが流通する。
いる。このガス導入路2aは一端がステージ２の上面（ウ
ェーハ１載置面）に開口し、他端は反応ガス供給源（図
示は省略）に連通している。このステージ２のウェーハ
１載置面と押圧子３のウェーハ１に接触する面は、共に
微細な凹凸又は溝を有しており、クランプ状態でも微量
のガスが流通する。
【００１１】ステージ２の上にウェーハ１を載置し、押
圧子３によりクランプする。処理室（図示は省略）内を
真空排気したのち所定の反応ガスを導入し、放電させて
プラズマを形成させる。これとは別に、ガス導入路2aか
らウェーハ１の裏面に向けて反応ガスを供給すると、微
量の反応ガスがウェーハ１とステージ２、及びウェーハ
１と押圧子３の微小な空隙を経由してウェーハ１の表面
に回り込む。この際、処理室内に導入するメインの反応
ガスが混合ガスであれば、その内の一種類のガスだけを
ガス導入路2aからウェーハ１の裏面に向け供給すればよ
い。例えば、メインの反応ガスが CF4＋02ならば02、 C
F4＋CHF3＋ArならばAr、 SF6＋SiCl4 ＋N2ならばN2を供
給する。これにより、この反応ガスによりウェーハ１の
裏面や端面がエッチングされることが避けられる。
圧子３によりクランプする。処理室（図示は省略）内を
真空排気したのち所定の反応ガスを導入し、放電させて
プラズマを形成させる。これとは別に、ガス導入路2aか
らウェーハ１の裏面に向けて反応ガスを供給すると、微
量の反応ガスがウェーハ１とステージ２、及びウェーハ
１と押圧子３の微小な空隙を経由してウェーハ１の表面
に回り込む。この際、処理室内に導入するメインの反応
ガスが混合ガスであれば、その内の一種類のガスだけを
ガス導入路2aからウェーハ１の裏面に向け供給すればよ
い。例えば、メインの反応ガスが CF4＋02ならば02、 C
F4＋CHF3＋ArならばAr、 SF6＋SiCl4 ＋N2ならばN2を供
給する。これにより、この反応ガスによりウェーハ１の
裏面や端面がエッチングされることが避けられる。
【００１２】本発明者は上記の方法を採用した結果、押
圧子３の近傍におけるエッチングレートの不均一は殆ど
解消した。本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば、
ウェーハ１の裏面に冷却用のガスを流してウェーハ１を
冷却するためにステージ２に冷却ガス導入路が設けられ
ておれば、上記の反応ガス（02、Ar、N2等）をこの冷却
ガス導入路から供給しても良く、この場合にはこのガス
がウェーハ１の冷却と押圧子３の近傍におけるエッチン
グレートの不均一解消の双方の機能を果たす。
圧子３の近傍におけるエッチングレートの不均一は殆ど
解消した。本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば、
ウェーハ１の裏面に冷却用のガスを流してウェーハ１を
冷却するためにステージ２に冷却ガス導入路が設けられ
ておれば、上記の反応ガス（02、Ar、N2等）をこの冷却
ガス導入路から供給しても良く、この場合にはこのガス
がウェーハ１の冷却と押圧子３の近傍におけるエッチン
グレートの不均一解消の双方の機能を果たす。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハをクランプにより固定してエッチングする場合
のウェーハの部位によるエッチングレートの不均一を改
善することが可能なドライエッチング方法を提供するこ
とが出来、半導体デバイス等の製造歩留りの向上等に寄
与する。
ウェーハをクランプにより固定してエッチングする場合
のウェーハの部位によるエッチングレートの不均一を改
善することが可能なドライエッチング方法を提供するこ
とが出来、半導体デバイス等の製造歩留りの向上等に寄
与する。
【図１】 本発明の実施例の説明図である。
１ 基板 ２ ステージ（固定台） 2a ガス導入路 ３ 押圧子
Claims (1)
- 【請求項１】 押圧子(3) が基板(1) の表面周辺部を押
圧して該基板(1) を固定台(2) に固定し、この状態で該
基板(1) の表面をエッチングするドライエッチング方法
において、 反応ガスの一部を該基板(1) の裏面側に供給してこれを
表面側の該押圧子(3)近傍に回り込ませながら該基板(1)
の表面をエッチングすることを特徴とするドライエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17462792A JPH0621005A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17462792A JPH0621005A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621005A true JPH0621005A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15981904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17462792A Withdrawn JPH0621005A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621005A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000019096A (ko) * | 1998-09-08 | 2000-04-06 | 윤종용 | 반도체 플라즈마설비의 웨이퍼 가드링 |
| JP2013520833A (ja) * | 2010-02-24 | 2013-06-06 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 温度分配制御装置を用いる処理方法および処理装置 |
| US9273413B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with temperature distribution control |
| CN105529283A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-04-27 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 晶圆的双面气相刻蚀装置 |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP17462792A patent/JPH0621005A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000019096A (ko) * | 1998-09-08 | 2000-04-06 | 윤종용 | 반도체 플라즈마설비의 웨이퍼 가드링 |
| JP2013520833A (ja) * | 2010-02-24 | 2013-06-06 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 温度分配制御装置を用いる処理方法および処理装置 |
| US9324590B2 (en) | 2010-02-24 | 2016-04-26 | Veeco Instruments Inc. | Processing methods and apparatus with temperature distribution control |
| US10002805B2 (en) | 2010-02-24 | 2018-06-19 | Veeco Instruments Inc. | Processing methods and apparatus with temperature distribution control |
| US9273413B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with temperature distribution control |
| CN105529283A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-04-27 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 晶圆的双面气相刻蚀装置 |
| CN105529283B (zh) * | 2014-09-29 | 2020-06-30 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 晶圆的双面气相刻蚀装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |