JPH0374844A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法Info
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- JPH0374844A JPH0374844A JP21094289A JP21094289A JPH0374844A JP H0374844 A JPH0374844 A JP H0374844A JP 21094289 A JP21094289 A JP 21094289A JP 21094289 A JP21094289 A JP 21094289A JP H0374844 A JPH0374844 A JP H0374844A
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- Japan
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- etching
- silicon dioxide
- dioxide film
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- Pending
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、二酸化珪素膜のエツチングに、高周波及び低
周波の２種類の電力源を有する平行平板型のプラズマエ
ツチング装置を用い、２段階にエツチングを行なうプラ
ズマエツチング方法に関するものである。
周波の２種類の電力源を有する平行平板型のプラズマエ
ツチング装置を用い、２段階にエツチングを行なうプラ
ズマエツチング方法に関するものである。
従来の技術
近年、ＭＯ８ＬＳＩの大容量化、高集珪化に伴い集積さ
れる素子の微細化が進んでいる。
れる素子の微細化が進んでいる。
また、パターン形成技術は、ウェットエツチングからド
ライエツチングへと移行した。二酸化珪素膜のドライエ
ツチングは、従来高周波あるいは低周波のいずれか一方
の電力源を有する平行平板型のプラズマエツチング装置
を用いて行われていた。
ライエツチングへと移行した。二酸化珪素膜のドライエ
ツチングは、従来高周波あるいは低周波のいずれか一方
の電力源を有する平行平板型のプラズマエツチング装置
を用いて行われていた。
発明が解決しようとする課題
高周波電源を有するプラズマエツチング装置を用いた二
酸化珪素膜のエツチングにおいては、エツチングによる
反応生成物の発生が著るしく、試料へのダスト付着量の
増大、プラズマ雰囲気の不安定化が問題であった。また
、平行平板の電極間を狭くしてプラズマを狭い領域に封
じ込め、プラズマ処理室周囲への反応生成物の付着を抑
制する方法を用いた場合には、接地電極でのプラズマポ
テンシャルが高くなり、その結果、接地電極の消耗が激
しく、安定したプラズマ状態の維持が困難であるばかり
でなく、エツチングの均一性も不安定となる。
酸化珪素膜のエツチングにおいては、エツチングによる
反応生成物の発生が著るしく、試料へのダスト付着量の
増大、プラズマ雰囲気の不安定化が問題であった。また
、平行平板の電極間を狭くしてプラズマを狭い領域に封
じ込め、プラズマ処理室周囲への反応生成物の付着を抑
制する方法を用いた場合には、接地電極でのプラズマポ
テンシャルが高くなり、その結果、接地電極の消耗が激
しく、安定したプラズマ状態の維持が困難であるばかり
でなく、エツチングの均一性も不安定となる。
また、低周波電源を有するプラズマエツチング装置によ
る二酸化珪素膜のエツチングにおいては、高周波電源を
用いる場合に比べて、プラズマにより発生するイオンの
運動エネルギーが大きくなる。そのためエツチングによ
り露出する半導体装置の基板表面において、イオン入射
による損傷が発生し、前記基板表面に配線用のコンタク
トを設けた場合、高い接触抵抗のコンタクトホールが形
成されるといった問題があった。
る二酸化珪素膜のエツチングにおいては、高周波電源を
用いる場合に比べて、プラズマにより発生するイオンの
運動エネルギーが大きくなる。そのためエツチングによ
り露出する半導体装置の基板表面において、イオン入射
による損傷が発生し、前記基板表面に配線用のコンタク
トを設けた場合、高い接触抵抗のコンタクトホールが形
成されるといった問題があった。
本発明は、このような問題を解決するもので、二酸化珪
素膜のエツチングに高周波及び低周波の２種類の電力源
を有する平行平板型のプラズマエツチング装置に用い、
２段階にエツチングを行なうプラズマエツチング方法で
ある。
素膜のエツチングに高周波及び低周波の２種類の電力源
を有する平行平板型のプラズマエツチング装置に用い、
２段階にエツチングを行なうプラズマエツチング方法で
ある。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明のプラズマエツチ
ング方法では、高周波及び低周波の２種類の電力源を有
する平行平板型のプラズマエツチング装置を用い、エツ
チングを２段階に分け、第１段階では、反応生成物の発
生の少ない低周波電力源を用いてエツチングを行い、第
２段階で、半導体装置の基板表面への損傷が少ない高周
波電力源を用いてエツチングを行なうことによって二酸
化珪素膜をエツチングする。
ング方法では、高周波及び低周波の２種類の電力源を有
する平行平板型のプラズマエツチング装置を用い、エツ
チングを２段階に分け、第１段階では、反応生成物の発
生の少ない低周波電力源を用いてエツチングを行い、第
２段階で、半導体装置の基板表面への損傷が少ない高周
波電力源を用いてエツチングを行なうことによって二酸
化珪素膜をエツチングする。
作用
本発明によれば、半導体基板上に形成された二酸化珪素
膜のエツチングに使用されるプラズマエツチング装置の
プラズマ状態を長期にわたって安定化することができる
ため、信頼性の高い半導体装置の製造が可能となる。
膜のエツチングに使用されるプラズマエツチング装置の
プラズマ状態を長期にわたって安定化することができる
ため、信頼性の高い半導体装置の製造が可能となる。
実施例
一実施例として、二酸化珪素膜をエツチングしてコンタ
クトホールを形成する場合について以下に説明する。
クトホールを形成する場合について以下に説明する。
第１図は、コンタクシホール形成のための平行平板型の
プラズマエツチング装置の断面構造図である。チャンバ
ー１内には、電極２，３が対向配置され、電極２には高
周波電源４が、電極３には低周波電源５が接続されてい
る。二酸化珪素膜で被覆された半導体ウェハ６はＣＨＦ
３とＣＦ４の混合ガスがＩＴｏｒｒの圧力でコン訃ロー
ルされているチャンバー１内の電極２の上に載置されて
いる。
プラズマエツチング装置の断面構造図である。チャンバ
ー１内には、電極２，３が対向配置され、電極２には高
周波電源４が、電極３には低周波電源５が接続されてい
る。二酸化珪素膜で被覆された半導体ウェハ６はＣＨＦ
３とＣＦ４の混合ガスがＩＴｏｒｒの圧力でコン訃ロー
ルされているチャンバー１内の電極２の上に載置されて
いる。
第１段階のエツチングで、低周波電源（４００ＫＨｚ）
５により電極２，３間に５００Ｗの低周波電力を印加
して二酸化珪素膜のコンタクトホール形成部をその膜厚
の９割程度までエツチングする。
５により電極２，３間に５００Ｗの低周波電力を印加
して二酸化珪素膜のコンタクトホール形成部をその膜厚
の９割程度までエツチングする。
次に、電力源を高周波電源（１３，５６ＭＨｚ）４に切
り替え、電極２，３間に４００Ｗの高周波電力を印加し
、残りの二酸化珪素膜をエツチング処理してコンタクト
ホールを形成する。
り替え、電極２，３間に４００Ｗの高周波電力を印加し
、残りの二酸化珪素膜をエツチング処理してコンタクト
ホールを形成する。
第２図は、本発明の方法と従来の方法を採用して形成し
たコンタクトの抵抗値を比較して示した図であり、本発
明の方法を採用して形成したコンタクトの抵抗値は、コ
ンタクトサイズに関係なく、一定で、しかも、小さい値
となっていることが確認された。
たコンタクトの抵抗値を比較して示した図であり、本発
明の方法を採用して形成したコンタクトの抵抗値は、コ
ンタクトサイズに関係なく、一定で、しかも、小さい値
となっていることが確認された。
発明の効果
以上のように本発明によれば、二酸化珪素膜に加工を施
すためのエツチング装置の反応生成物の付着を抑えダク
トの低減を計り、プラズマ雰囲気の安定化が可能であり
、また、本発明方法を用いコンタクトと形成した場合、
低抵抗のコンタクトを実現できるコンタクトホールの形
成が可能となる。
すためのエツチング装置の反応生成物の付着を抑えダク
トの低減を計り、プラズマ雰囲気の安定化が可能であり
、また、本発明方法を用いコンタクトと形成した場合、
低抵抗のコンタクトを実現できるコンタクトホールの形
成が可能となる。
第１図はコンタクトホール形成のためのプラズマエツチ
ング装置の一部断面構造図、第２図は従来方法と本発明
の方法によるコンタクト抵抗値の図である。 ■・・・・・・チャンバー ２，３・・・・・・電極、
４・・・・・・高周波電源、５・・・・・・低周波電源
、６・・・・・・半導体ウェノ＼。
ング装置の一部断面構造図、第２図は従来方法と本発明
の方法によるコンタクト抵抗値の図である。 ■・・・・・・チャンバー ２，３・・・・・・電極、
４・・・・・・高周波電源、５・・・・・・低周波電源
、６・・・・・・半導体ウェノ＼。
Claims (1)
- 高周波及び低周波の２種類の電力源を有する平行平板型
のプラズマエッチング装置を用い、前記２種類の電力源
でエッチングを２段階に分けて行い二酸化珪素膜をエッ
チングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21094289A JPH0374844A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21094289A JPH0374844A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | プラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0374844A true JPH0374844A (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=16597643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21094289A Pending JPH0374844A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0374844A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700737A (en) * | 1996-02-26 | 1997-12-23 | Taiwan Semiconductor Manufactured Company Ltd. | PECVD silicon nitride for etch stop mask and ozone TEOS pattern sensitivity elimination |
| US8752899B2 (en) | 2011-10-24 | 2014-06-17 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Backrest for a motor vehicle |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP21094289A patent/JPH0374844A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700737A (en) * | 1996-02-26 | 1997-12-23 | Taiwan Semiconductor Manufactured Company Ltd. | PECVD silicon nitride for etch stop mask and ozone TEOS pattern sensitivity elimination |
| US8752899B2 (en) | 2011-10-24 | 2014-06-17 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Backrest for a motor vehicle |
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