KR100764248B1 - 드라이 에칭 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 처리 기판을 수용하고 플라즈마 처리를 실시하기 위한 진공 챔버와,상기 진공 챔버내에 마련된 전극과,상기 전극에 제 1 고주파 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원과,상기 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과,상기 전극에 상기 직류 전원으로부터 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 다음에, 상기 제 1 고주파 전원으로부터 상기 제 1 고주파 전력의 공급을 개시하도록 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전극은 진공 처리 챔버내의 상부에 마련된 상부 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 피처리 기판이 탑재되는 하부 전극과,상기 하부 전극에 제 2 고주파 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원을 구비하며,상기 제어수단은 상기 상부 전극에 상기 직류 전원으로부터 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 다음에, 상기 제 2 고주파 전원으로부터 상기 제 2 고주파 전력의 공급을 개시하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 하부 전극은 상기 피처리 기판을 정전 흡착하기 위한 정전척을 구비하며,상기 제어수단은 상기 제 1 고주파 전원으로부터 상기 제 1 고주파 전력의 공급을 개시한 후, 상기 정전척에 대한 직류 전압의 공급을 실행하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 피처리 기판을 수용하고 플라즈마 처리를 실시하기 위한 진공 챔버와,상기 진공 챔버내에 마련되어, 상기 피처리 기판이 탑재되는 하부 전극과,상기 진공 챔버내에 마련되어, 상기 하부 전극에 대향하는 상부 전극과,상기 상부 전극에 제 1 고주파 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원과,상기 하부 전극에 제 2 고주파 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원과,상기 상부 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과,상기 상부 전극에 상기 직류 전원으로부터 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 다음에, 상기 상부 전극에 상기 제 1 고주파 전원으로부터 상기 제 1 고주파 전력의 공급 및 상기 하부 전극에 상기 제 2 고주파 전원으로부터 상기 제 2 고주파 전력의 공급을 개시하도록 제어하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제어수단은 상기 제 1 고주파 전력의 공급을 개시한 후, 상기 제 2 고주파 전력의 공급을 개시하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 하부 전극은 상기 피처리 기판을 정전 흡착하기 위한 정전척을 구비하며,상기 제어수단은 상기 제 1 고주파 전력의 공급 및 상기 제 2 고주파 전력의 공급을 개시한 후, 상기 정전척에 대한 직류 전압의 공급을 실행하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
- 피처리 기판을 수용하고 플라즈마 처리를 실시하기 위한 진공 챔버와,상기 진공 챔버내에 마련된 전극과,상기 전극에 제 1 고주파 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원과,상기 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원을 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서의 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 전극에 상기 직류 전원으로부터 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 다음에, 상기 제 1 고주파 전원으로부터 상기 제 1 고주파 전력의 공급을 개시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치의 상기 전극은 진공 처리 챔버내의 상부에 마련된 상부 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치는 상기 피처리 기판이 탑재되는 하부 전극과, 상기 하부 전극에 제 2 고주파 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원을 구비하며,상기 상부 전극에 상기 직류 전원으로부터 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 다음에, 상기 제 2 고주파 전원으로부터 상기 제 2 고주파 전력의 공급을 개시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치의 상기 하부 전극은 상기 피처리 기판을 정전 흡착하기 위한 정전척을 구비하며,상기 제 1 고주파 전원으로부터 상기 제 1 고주파 전력의 공급을 개시한 후, 상기 정전척에 대한 직류 전압의 공급을 실행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 피처리 기판을 수용하고 플라즈마 처리를 실시하기 위한 진공 챔버와,상기 진공 챔버내에 마련되어, 상기 피처리 기판이 탑재되는 하부 전극과,상기 진공 챔버내에 마련되어, 상기 하부 전극에 대향하는 상부 전극과,상기 상부 전극에 제 1 고주파 전력을 공급하는 제 1 고주파 전원과,상기 하부 전극에 제 2 고주파 전력을 공급하는 제 2 고주파 전원과,상기 상부 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원을 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서의 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 상부 전극에 상기 직류 전원으로부터 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 다음에, 상기 상부 전극에 상기 제 1 고주파 전원으로부터 상기 제 1 고주파 전력의 공급 및 상기 하부 전극에 상기 제 2 고주파 전원으로부터 상기 제 2 고주파 전력의 공급을 개시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제 1 고주파 전력의 공급을 개시한 후, 상기 제 2 고주파 전력의 공급을 개시하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제 12 항에 기재된 플라즈마 처리 방법에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치의 상기 하부 전극은 상기 피처리 기판을 정전 흡착하기 위한 정전척을 구비하며,상기 제 1 고주파 전력의 공급 및 상기 제 2 고주파 전력의 공급을 개시한 후, 상기 정전척에 대한 직류 전압의 공급을 실행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
- 제 1 항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제어수단은 상기 전극에 고주파 전력을 공급하기에 앞서 상기 직류 전원으로부터 직류 전압을 먼저 인가함으로써 상기 진공 챔버 내의 압력이 0.67Pa 이하인 경우에도 플라즈마가 착화되도록 하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 장치.
- 제 8 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극에 고주파 전력을 공급하기에 앞서 상기 직류 전원으로부터 직류 전압을 먼저 인가함으로써 상기 진공 챔버 내의 압력이 0.67Pa 이하인 경우에도 플라즈마가 착화되도록 하는 것을 특징으로 하는플라즈마 처리 방법.
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