JPH0769790A - 薄膜作製装置 - Google Patents
薄膜作製装置Info
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- JPH0769790A JPH0769790A JP23734193A JP23734193A JPH0769790A JP H0769790 A JPH0769790 A JP H0769790A JP 23734193 A JP23734193 A JP 23734193A JP 23734193 A JP23734193 A JP 23734193A JP H0769790 A JPH0769790 A JP H0769790A
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ 高周波電源を用いた容量結合型の薄膜作製装
置において高品質かつ大面積の薄膜を作製すること。 ［構成］ 真空槽１１内にカソード電極１５及びアノー
ド電極１６を平行に配設し、一方のカソード電極は１０
０ＭＨｚの高周波電源１４と導波管１６によりスタブチ
ューナー１７を介して接続される。他方のアノード電極
１６は接地され、アノード電極１６上には薄膜を作製さ
せる基板１８が載置される。
置において高品質かつ大面積の薄膜を作製すること。 ［構成］ 真空槽１１内にカソード電極１５及びアノー
ド電極１６を平行に配設し、一方のカソード電極は１０
０ＭＨｚの高周波電源１４と導波管１６によりスタブチ
ューナー１７を介して接続される。他方のアノード電極
１６は接地され、アノード電極１６上には薄膜を作製さ
せる基板１８が載置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、機械、工具、光学等で
使用する薄膜を、ＣＶＤ法により大面積に成膜する装置
に関する。
使用する薄膜を、ＣＶＤ法により大面積に成膜する装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】従来の高周波電源を用い
た容量結合型の薄膜作製装置は図４で示されるように、
真空槽１、真空槽１内を排気するための排気系２、原料
ガスを導入するためのマスフローコントローラー３及び
プラズマを発生させるためのＲＦ領域、例えば、１３．
５６ＭＨｚの高周波電源４とからなる。真空槽１内には
一対の電極であるカソード電極５とアノード電極６とが
平行に配設され、一方のカソード電極５はマッチングボ
ックス内に収容されているブロッキングコンデンサー７
を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源４に接続され、
他方のアノード電極６は接地されている。アノード電極
６の表面上には基板、例えば、シリコンウェハ基板８が
載置され、アノード電極６の裏面には基板８を加熱する
赤外線ランプ１０が配設されている。９は電極間に発生
したプラズマを示している。
た容量結合型の薄膜作製装置は図４で示されるように、
真空槽１、真空槽１内を排気するための排気系２、原料
ガスを導入するためのマスフローコントローラー３及び
プラズマを発生させるためのＲＦ領域、例えば、１３．
５６ＭＨｚの高周波電源４とからなる。真空槽１内には
一対の電極であるカソード電極５とアノード電極６とが
平行に配設され、一方のカソード電極５はマッチングボ
ックス内に収容されているブロッキングコンデンサー７
を介して１３．５６ＭＨｚの高周波電源４に接続され、
他方のアノード電極６は接地されている。アノード電極
６の表面上には基板、例えば、シリコンウェハ基板８が
載置され、アノード電極６の裏面には基板８を加熱する
赤外線ランプ１０が配設されている。９は電極間に発生
したプラズマを示している。
【０００３】以上のように構成される高周波電源を使用
した容量結合型の薄膜作製装置で、通常の薄膜、例え
ば、アモルファスシリコン薄膜を作製する場合について
説明すると、薄膜作製時の真空槽１内の圧力は１０-1Ｔ
ｏｒｒ程度である。このような低圧力下においてプラズ
マ放電を行うと、真空槽１内の圧力が低いためプラズマ
が真空槽１内全体に広がりカソード電極５及びアノード
電極６の両電極間の電極面積比、アノード電極面積／カ
ソード電極面積は１より大巾に大となり、電極間の平均
的電位分布は図５（Ａ）で示されるような電位分布とな
る。陰極であるカソード電極５側においては電圧降下が
生じて負のセルフバイアスＶDCが形成され、又、プラズ
マ電位ＶP0は１０〜１５Ｖ程度となる。従って、アノー
ド電極６上の基板８には、プラズマ中で励起されたラジ
カルや適当なイオンの照射を受けて良質の薄膜が作製さ
れる。
した容量結合型の薄膜作製装置で、通常の薄膜、例え
ば、アモルファスシリコン薄膜を作製する場合について
説明すると、薄膜作製時の真空槽１内の圧力は１０-1Ｔ
ｏｒｒ程度である。このような低圧力下においてプラズ
マ放電を行うと、真空槽１内の圧力が低いためプラズマ
が真空槽１内全体に広がりカソード電極５及びアノード
電極６の両電極間の電極面積比、アノード電極面積／カ
ソード電極面積は１より大巾に大となり、電極間の平均
的電位分布は図５（Ａ）で示されるような電位分布とな
る。陰極であるカソード電極５側においては電圧降下が
生じて負のセルフバイアスＶDCが形成され、又、プラズ
マ電位ＶP0は１０〜１５Ｖ程度となる。従って、アノー
ド電極６上の基板８には、プラズマ中で励起されたラジ
カルや適当なイオンの照射を受けて良質の薄膜が作製さ
れる。
【０００４】ところで、ダイヤモンド薄膜を作製するに
は、従来、熱フィラメント法、ＤＣプラズマ法、マイク
ロ波プラズマ法、有磁場マイクロ波プラズマ法、ＤＣプ
ラズマトーチ法、又は燃焼炎法等多くの方法が考えられ
てきたが、上述したようなアモルファスシリコン薄膜の
作製に広く用いられている１３．５６ＭＨｚの高周波電
源を用いた容量結合型の薄膜作製装置でプラズマＣＶＤ
法によりダイヤモンド薄膜を作製する場合、良質のダイ
ヤモンド膜は合成できないといわれている。それは、ダ
イヤモンド薄膜作製時の真空槽１内の圧力が数１０Ｔｏ
ｒｒであり、このような圧力下においてプラズマ放電を
行うと、真空槽１内の圧力は通常のプラズマＣＶＤ法の
成膜圧力、例えば、上述したアモルファスシリコンの成
膜圧力である１０-1Ｔｏｒｒ程度に比べると高いため、
プラズマがカソード電極５とアノード電極６との両電極
間内に局在し、カソード電極面積とアノード電極面積は
見かけ上等しくなり、放電時の電極間における平均的電
位分布は図５の（Ｂ）で示されるような電位分布とな
る。従って、カソード電極５側には低圧力下のプラズマ
放電で形成するような負のセルフバイアスが形成され
ず、プラズマ電位ＶP1は図５の（Ａ）で示されている低
圧成膜時のプラズマ電位ＶP0に比べて高電位となり、ア
ノード電極６上の基板８にはダイヤモンド薄膜形成に必
要な活性種が入射するが、基板８上に堆積したダイヤモ
ンド薄膜はプラズマ電位ＶP1に相当する高エネルギーの
イオンの照射を受け、堆積しながらグラファイト化する
ので良質のダイヤモンド薄膜を作製することができな
い。
は、従来、熱フィラメント法、ＤＣプラズマ法、マイク
ロ波プラズマ法、有磁場マイクロ波プラズマ法、ＤＣプ
ラズマトーチ法、又は燃焼炎法等多くの方法が考えられ
てきたが、上述したようなアモルファスシリコン薄膜の
作製に広く用いられている１３．５６ＭＨｚの高周波電
源を用いた容量結合型の薄膜作製装置でプラズマＣＶＤ
法によりダイヤモンド薄膜を作製する場合、良質のダイ
ヤモンド膜は合成できないといわれている。それは、ダ
イヤモンド薄膜作製時の真空槽１内の圧力が数１０Ｔｏ
ｒｒであり、このような圧力下においてプラズマ放電を
行うと、真空槽１内の圧力は通常のプラズマＣＶＤ法の
成膜圧力、例えば、上述したアモルファスシリコンの成
膜圧力である１０-1Ｔｏｒｒ程度に比べると高いため、
プラズマがカソード電極５とアノード電極６との両電極
間内に局在し、カソード電極面積とアノード電極面積は
見かけ上等しくなり、放電時の電極間における平均的電
位分布は図５の（Ｂ）で示されるような電位分布とな
る。従って、カソード電極５側には低圧力下のプラズマ
放電で形成するような負のセルフバイアスが形成され
ず、プラズマ電位ＶP1は図５の（Ａ）で示されている低
圧成膜時のプラズマ電位ＶP0に比べて高電位となり、ア
ノード電極６上の基板８にはダイヤモンド薄膜形成に必
要な活性種が入射するが、基板８上に堆積したダイヤモ
ンド薄膜はプラズマ電位ＶP1に相当する高エネルギーの
イオンの照射を受け、堆積しながらグラファイト化する
ので良質のダイヤモンド薄膜を作製することができな
い。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】以上述べたように、
１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いた容量結合型の薄
膜作製装置では薄膜を作製するのに、その薄膜の真空槽
内の成膜圧力によってカソード電極とアノード電極間の
電位分布が大きく変化するので、高圧力下の成膜では良
質な薄膜を作製することができなかった。
１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いた容量結合型の薄
膜作製装置では薄膜を作製するのに、その薄膜の真空槽
内の成膜圧力によってカソード電極とアノード電極間の
電位分布が大きく変化するので、高圧力下の成膜では良
質な薄膜を作製することができなかった。
【０００６】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、高圧
力下の成膜でも高品質な薄膜を大面積に作製することが
できる高周波電源を用いた容量結合型の薄膜作製装置を
提供することを目的としている。
力下の成膜でも高品質な薄膜を大面積に作製することが
できる高周波電源を用いた容量結合型の薄膜作製装置を
提供することを目的としている。
【０００７】
【問題点を解決するための手段】以上の目的は、真空容
器内にカソード電極とアノード電極を対向して設置し、
電極間に高周波電圧を印加する容量結合型の薄膜作製装
置において、前記カソード電極に３０〜３００ＭＨｚの
ＶＨＦ領域の高周波電圧を印加して成膜することを特徴
とする薄膜作製装置によって達成される。
器内にカソード電極とアノード電極を対向して設置し、
電極間に高周波電圧を印加する容量結合型の薄膜作製装
置において、前記カソード電極に３０〜３００ＭＨｚの
ＶＨＦ領域の高周波電圧を印加して成膜することを特徴
とする薄膜作製装置によって達成される。
【０００８】
【作用】カソード電極に３０〜３００ＭＨｚのＶＨＦ領
域の高周波電圧を印加してプラズマ放電を行うことによ
り、プラズマ密度の増加及びカソード電極とアノード電
極間の電位分布が改善され、高品質な薄膜を作製するこ
とができる。更に、カソード電極に負の直流電圧を重畳
して印加させて、３０〜３００ＭＨｚのＶＨＦ領域の高
周波放電と直流放電を同時に行うことにより、より高品
質な薄膜を作製することができる。
域の高周波電圧を印加してプラズマ放電を行うことによ
り、プラズマ密度の増加及びカソード電極とアノード電
極間の電位分布が改善され、高品質な薄膜を作製するこ
とができる。更に、カソード電極に負の直流電圧を重畳
して印加させて、３０〜３００ＭＨｚのＶＨＦ領域の高
周波放電と直流放電を同時に行うことにより、より高品
質な薄膜を作製することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例による薄膜作製装置に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
【００１０】本実施例による薄膜作製装置は図１で示さ
れるように主として、真空槽１１、排気系１２、原料ガ
スを導入するためのマスフローコントローラー１３、及
びプラズマを発生させるための３０〜３００ＭＨｚのＶ
ＨＦ領域の高周波電源１４（本実施例では１００ＭＨｚ
高周波電源）とからなる。真空槽１１内には、平板形の
一対の電極であるカソード電極１５とアノード電極１６
が平行に配設されている。一方のカソード電極１５は高
周波電源、本実施例では１００ＭＨｚの高周波電源１４
に導波管１６により接続され、途中、スタブチューナー
１７が取り付けられている。又、カソード電極１５は、
スタブチューナー１７に到達する前に分岐した導波管１
６によりローパスフィルター（Ｌ．Ｐ．Ｆ）を介して直
流電源２０に接続されている。直流電源２０はカソード
電極１５に負の直流電圧を重畳し印加する場合に使用
し、ローパスフィルター２１は高周波電源１４から直流
電源２０への電流の流入を防止するために取り付けられ
ている。又、他方のアノード電極１６は接地されてお
り、アノード電極１６の表面上にはダイヤモンド薄膜を
作製させる基板１８が載置され、アノード電極１６の裏
面には基板１８を加熱するための赤外線ランプ１９が配
設されている。排気系１２は、真空槽１１内の排気を行
い、マスフローコントローラー１３は真空槽１１内の圧
力を一定に保持するように原料ガスの導入、停止、及び
その流量の調節を行う。２２は電極間に発生したプラズ
マの様子を示している。
れるように主として、真空槽１１、排気系１２、原料ガ
スを導入するためのマスフローコントローラー１３、及
びプラズマを発生させるための３０〜３００ＭＨｚのＶ
ＨＦ領域の高周波電源１４（本実施例では１００ＭＨｚ
高周波電源）とからなる。真空槽１１内には、平板形の
一対の電極であるカソード電極１５とアノード電極１６
が平行に配設されている。一方のカソード電極１５は高
周波電源、本実施例では１００ＭＨｚの高周波電源１４
に導波管１６により接続され、途中、スタブチューナー
１７が取り付けられている。又、カソード電極１５は、
スタブチューナー１７に到達する前に分岐した導波管１
６によりローパスフィルター（Ｌ．Ｐ．Ｆ）を介して直
流電源２０に接続されている。直流電源２０はカソード
電極１５に負の直流電圧を重畳し印加する場合に使用
し、ローパスフィルター２１は高周波電源１４から直流
電源２０への電流の流入を防止するために取り付けられ
ている。又、他方のアノード電極１６は接地されてお
り、アノード電極１６の表面上にはダイヤモンド薄膜を
作製させる基板１８が載置され、アノード電極１６の裏
面には基板１８を加熱するための赤外線ランプ１９が配
設されている。排気系１２は、真空槽１１内の排気を行
い、マスフローコントローラー１３は真空槽１１内の圧
力を一定に保持するように原料ガスの導入、停止、及び
その流量の調節を行う。２２は電極間に発生したプラズ
マの様子を示している。
【００１１】以上、本発明の実施例による薄膜作製装置
の構成について説明したが、次にその作用について説明
する。
の構成について説明したが、次にその作用について説明
する。
【００１２】ダイヤモンド薄膜の成膜前に、成膜初期段
階におけるダイヤモンド核発生密度数を向上させるた
め、基板１８はダイヤモンド砥粒で傷付け処理する。こ
の基板１８を真空槽１１内のアノード電極１６上に載置
した後、真空槽１１内を排気系１２により１０-2Ｔｏｒ
ｒまで真空排気し、基板１８を赤外線ランプ１９により
加熱して基板温度を８００℃に保持する。更に真空槽１
１内には、マスフローコントローラー１３により原料ガ
ス、例えば、濃度１％の水素希釈のメタンガス（ＣＨ4
＋Ｈ2 ）を導入して、１００ＭＨｚ高周波電源１４によ
りカソード電極１５に電力を投入し、プラズマ点火を行
う。マスフローコントローラー１３からは原料ガスの導
入流量を増大させ、真空槽１１内の圧力を数１０Ｔｏｒ
ｒまで増加させる。その後、原料ガスの流量をマスフロ
ーコントローラー１３により一定量に制御し、真空槽１
１内の圧力を数１０Ｔｏｒｒに保持する。このときのプ
ラズマ発生の様子は図１の２２で示される。
階におけるダイヤモンド核発生密度数を向上させるた
め、基板１８はダイヤモンド砥粒で傷付け処理する。こ
の基板１８を真空槽１１内のアノード電極１６上に載置
した後、真空槽１１内を排気系１２により１０-2Ｔｏｒ
ｒまで真空排気し、基板１８を赤外線ランプ１９により
加熱して基板温度を８００℃に保持する。更に真空槽１
１内には、マスフローコントローラー１３により原料ガ
ス、例えば、濃度１％の水素希釈のメタンガス（ＣＨ4
＋Ｈ2 ）を導入して、１００ＭＨｚ高周波電源１４によ
りカソード電極１５に電力を投入し、プラズマ点火を行
う。マスフローコントローラー１３からは原料ガスの導
入流量を増大させ、真空槽１１内の圧力を数１０Ｔｏｒ
ｒまで増加させる。その後、原料ガスの流量をマスフロ
ーコントローラー１３により一定量に制御し、真空槽１
１内の圧力を数１０Ｔｏｒｒに保持する。このときのプ
ラズマ発生の様子は図１の２２で示される。
【００１３】以上のように高周波放電を行うことにより
薄膜を作製するが、従来技術で記載したように、低圧力
下で成膜されるアモルファスシリコン薄膜及び高圧力下
で成膜されるダイヤモンド薄膜（このときの高周波電源
は１３．５６ＭＨｚ）の電極間の平均的電位分布はそれ
ぞれ図５の（Ａ）、（Ｂ）に示されており、更に、図２
にはこれらと本実施例による１００ＭＨｚ高周波電源を
使用したダイヤモンド薄膜成膜時の電極間の平均的電位
分布が各々、相対的に示されている。これによれば、１
３．５６ＭＨｚの高周波放電の場合と、本実施例での１
００ＭＨｚの高周波放電の場合とでは、周波数を１３．
５６ＭＨｚから１００ＭＨｚに増加させることにより、
電極間のプラズマ密度が増加するので、１３．５６ＭＨ
ｚのプラズマ電位ＶP1より１００ＭＨｚのプラズマ電位
ＶP2は下降し、成膜時のアノード電極１６上の基板１８
へのイオン照射を低減させることができる。従って、基
板１８上には高品質なダイヤモンド薄膜が作製され、こ
の状態を２〜３時間保持すると、高品質なダイヤモンド
薄膜が１μｍ程度の厚さで成長する。
薄膜を作製するが、従来技術で記載したように、低圧力
下で成膜されるアモルファスシリコン薄膜及び高圧力下
で成膜されるダイヤモンド薄膜（このときの高周波電源
は１３．５６ＭＨｚ）の電極間の平均的電位分布はそれ
ぞれ図５の（Ａ）、（Ｂ）に示されており、更に、図２
にはこれらと本実施例による１００ＭＨｚ高周波電源を
使用したダイヤモンド薄膜成膜時の電極間の平均的電位
分布が各々、相対的に示されている。これによれば、１
３．５６ＭＨｚの高周波放電の場合と、本実施例での１
００ＭＨｚの高周波放電の場合とでは、周波数を１３．
５６ＭＨｚから１００ＭＨｚに増加させることにより、
電極間のプラズマ密度が増加するので、１３．５６ＭＨ
ｚのプラズマ電位ＶP1より１００ＭＨｚのプラズマ電位
ＶP2は下降し、成膜時のアノード電極１６上の基板１８
へのイオン照射を低減させることができる。従って、基
板１８上には高品質なダイヤモンド薄膜が作製され、こ
の状態を２〜３時間保持すると、高品質なダイヤモンド
薄膜が１μｍ程度の厚さで成長する。
【００１４】更に、図１に示されている直流電源２０に
より、負の直流電圧を重畳し印加してダイヤモンド薄膜
を作製した場合の電極間の平均的電位分布は図３に示さ
れており、先に述べた１００ＭＨｚの高周波電源のみを
印加した場合との電極間の平均的電位分布が各々、相対
的に示されている。これによれば、１００ＭＨｚの高周
波放電のみの場合のプラズマ電位ＶP2より高周波放電と
直流放電を同時に行った場合のプラズマ電位ＶP3はさら
に下降し、アノード電極１６上の基板１８へのイオンの
照射をさらに低減させることができる。従って、より高
品質なダイヤモンド薄膜を作製することができる。
より、負の直流電圧を重畳し印加してダイヤモンド薄膜
を作製した場合の電極間の平均的電位分布は図３に示さ
れており、先に述べた１００ＭＨｚの高周波電源のみを
印加した場合との電極間の平均的電位分布が各々、相対
的に示されている。これによれば、１００ＭＨｚの高周
波放電のみの場合のプラズマ電位ＶP2より高周波放電と
直流放電を同時に行った場合のプラズマ電位ＶP3はさら
に下降し、アノード電極１６上の基板１８へのイオンの
照射をさらに低減させることができる。従って、より高
品質なダイヤモンド薄膜を作製することができる。
【００１５】又、例えば、本実施例では３０〜３００Ｍ
ＨｚのＶＨＦ領域内である１００ＭＨｚの高周波電源を
用いたが、これより周波数がさらに高いマイクロ波放電
法によりダイヤモンド薄膜を作製した場合、本実施例と
同じ圧力領域下で純粋なダイヤモンド薄膜が合成されて
いる。しかしながら、本実施例では、周波数を１００Ｍ
Ｈｚとしたことにより、高品質なダイヤモンド薄膜を作
製することができるばかりでなく、その波長が１〜３ｍ
と長いので、マイクロ波放電法に比べて大面積に薄膜を
作製することができる。
ＨｚのＶＨＦ領域内である１００ＭＨｚの高周波電源を
用いたが、これより周波数がさらに高いマイクロ波放電
法によりダイヤモンド薄膜を作製した場合、本実施例と
同じ圧力領域下で純粋なダイヤモンド薄膜が合成されて
いる。しかしながら、本実施例では、周波数を１００Ｍ
Ｈｚとしたことにより、高品質なダイヤモンド薄膜を作
製することができるばかりでなく、その波長が１〜３ｍ
と長いので、マイクロ波放電法に比べて大面積に薄膜を
作製することができる。
【００１６】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく本発明の
技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく本発明の
技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００１７】例えば、本実施例においては、ダイヤモン
ド薄膜を作製する場合について述べたが、その他の４Ｂ
族元素、例えば、アモルファスシリコンに対しても同様
に良質な膜を作製することができる。
ド薄膜を作製する場合について述べたが、その他の４Ｂ
族元素、例えば、アモルファスシリコンに対しても同様
に良質な膜を作製することができる。
【００１８】又、以上の実施例では、電極の形状を一対
の平行な平板形としたが、カソード電極の形状を立体型
（例えば、コイル形、円筒形）としてもよい。
の平行な平板形としたが、カソード電極の形状を立体型
（例えば、コイル形、円筒形）としてもよい。
【００１９】
【発明の効果】本発明の薄膜作製装置によれば、高周波
電源を用いた容量結合型で、基本周波数を３０〜３００
ＭＨｚのＶＨＦ領域としてプラズマ放電を行うことによ
り、プラズマ密度を増加させ、又、電極間の平均的電位
分布の改善をすることができるので、より高品質でかつ
大面積の薄膜を作製することができる。
電源を用いた容量結合型で、基本周波数を３０〜３００
ＭＨｚのＶＨＦ領域としてプラズマ放電を行うことによ
り、プラズマ密度を増加させ、又、電極間の平均的電位
分布の改善をすることができるので、より高品質でかつ
大面積の薄膜を作製することができる。
【図１】本発明の実施例による高周波電源を用いた容量
結合型の薄膜作製装置である。
結合型の薄膜作製装置である。
【図２】本装置において１３．５６ＭＨｚの高周波電源
を用いた場合と、１００ＭＨｚの高周波電源を用いた場
合の電極間の平均的電位分布を示す図である。
を用いた場合と、１００ＭＨｚの高周波電源を用いた場
合の電極間の平均的電位分布を示す図である。
【図３】本装置において１００ＭＨｚの高周波電源のみ
を用いた場合と、負の直流電源を重畳印加した場合の電
極間の平均的電位分布を示す図である。
を用いた場合と、負の直流電源を重畳印加した場合の電
極間の平均的電位分布を示す図である。
【図４】従来の高周波電源を用いた容量結合型の薄膜作
製装置の側面図である。
製装置の側面図である。
【図５】Ａは従来の薄膜作製装置においてアモルファス
シリコン成膜時の電極間の平均的電位分布を示す図であ
り、Ｂは従来の同装置においてダイヤモンド薄膜成膜時
の電極間の平均的電位分布を示す図である。
シリコン成膜時の電極間の平均的電位分布を示す図であ
り、Ｂは従来の同装置においてダイヤモンド薄膜成膜時
の電極間の平均的電位分布を示す図である。
１４ 高周波電源 １５ カソード電極 ２０ 直流電源
Claims (2)
- 【請求項１】 真空容器内にカソード電極とアノード電
極を対向して設置し、電極間に高周波電圧を印加する容
量結合型の薄膜作製装置において、前記カソード電極に
３０〜３００ＭＨｚのＶＨＦ領域の高周波電圧を印加し
て成膜することを特徴とする薄膜作製装置。 - 【請求項２】 前記カソード電極に負の直流電圧を重畳
して印加させ、３０〜３００ＭＨｚのＶＨＦ領域での高
周波放電と直流放電とを同時に行い、成膜することを特
徴とする請求項１に記載の薄膜作製装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23734193A JPH0769790A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 薄膜作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23734193A JPH0769790A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 薄膜作製装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0769790A true JPH0769790A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=17013953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23734193A Pending JPH0769790A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 薄膜作製装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769790A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132816A (en) * | 1997-11-21 | 2000-10-17 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade And Industry | Method for producing homoepitaxial diamond thin films |
| WO2006073017A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Dialight Japan Co., Ltd. | プラズマｃｖｄを用いて炭素膜を製造する装置およびその製造方法ならびに炭素膜 |
| JP2006290691A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Dialight Japan Co Ltd | カーボン金属ナノツリーおよびその製造方法 |
| WO2010100702A1 (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-10 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US20130025789A1 (en) * | 2001-06-15 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Limited | Dry-etching method |
| US20130213572A1 (en) * | 2006-09-25 | 2013-08-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US8808856B2 (en) | 2005-01-05 | 2014-08-19 | Pureron Japan Co., Ltd. | Apparatus and method for producing carbon film using plasma CVD and carbon film |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP23734193A patent/JPH0769790A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132816A (en) * | 1997-11-21 | 2000-10-17 | Agency Of Industrial Science & Technology, Ministry Of International Trade And Industry | Method for producing homoepitaxial diamond thin films |
| US20130025789A1 (en) * | 2001-06-15 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Limited | Dry-etching method |
| WO2006073017A1 (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-13 | Dialight Japan Co., Ltd. | プラズマｃｖｄを用いて炭素膜を製造する装置およびその製造方法ならびに炭素膜 |
| KR101313919B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2013-10-01 | 가부시키가이샤 퓨아론 쟈판 | 플라스마 ｃｖｄ를 이용한 탄소 막 생성 장치 및 방법과,탄소 막 |
| TWI429781B (ja) * | 2005-01-05 | 2014-03-11 | Pureron Japan Co Ltd | |
| US8808856B2 (en) | 2005-01-05 | 2014-08-19 | Pureron Japan Co., Ltd. | Apparatus and method for producing carbon film using plasma CVD and carbon film |
| JP2006290691A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Dialight Japan Co Ltd | カーボン金属ナノツリーおよびその製造方法 |
| US20130213572A1 (en) * | 2006-09-25 | 2013-08-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| WO2010100702A1 (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-10 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US8586484B2 (en) | 2009-03-04 | 2013-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Film forming method and film forming apparatus |
| JP5397464B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2014-01-22 | 富士電機株式会社 | 成膜方法 |
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