JP2626339B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JP2626339B2 JP2626339B2 JP3240561A JP24056191A JP2626339B2 JP 2626339 B2 JP2626339 B2 JP 2626339B2 JP 3240561 A JP3240561 A JP 3240561A JP 24056191 A JP24056191 A JP 24056191A JP 2626339 B2 JP2626339 B2 JP 2626339B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン膜の原料ガス
の高励起プラズマを生成し、このプラズマにより原料ガ
スを分解，励起して基材表面にシリコン（以下Ｓｉとい
う）の薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を応用した薄膜
形成装置に関する。
の高励起プラズマを生成し、このプラズマにより原料ガ
スを分解，励起して基材表面にシリコン（以下Ｓｉとい
う）の薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を応用した薄膜
形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｓｉ膜等の薄膜の形成方法として
は、プラズマＣＶＤ法，熱ＣＶＤ法などの各種ＣＶＤ法
及びイオンプレーティング法がある。
は、プラズマＣＶＤ法，熱ＣＶＤ法などの各種ＣＶＤ法
及びイオンプレーティング法がある。
【０００３】そして、とくにプラズマＣＶＤ法の場合
は、プラズマ中で原料ガスを分解して基材に薄膜を形成
するため、基材温度を比較的低くできる利点がある。
は、プラズマ中で原料ガスを分解して基材に薄膜を形成
するため、基材温度を比較的低くできる利点がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のプ
ラズマＣＶＤ法においても、常温程度の低温で結晶を成
長させることはできず、基材を少なくとも５００℃程度
以上に加熱する必要があり、基材の種類が限定され、良
質のＳｉの薄膜が得られないという問題点がある。
ラズマＣＶＤ法においても、常温程度の低温で結晶を成
長させることはできず、基材を少なくとも５００℃程度
以上に加熱する必要があり、基材の種類が限定され、良
質のＳｉの薄膜が得られないという問題点がある。
【０００５】なお、Ｓｉ膜の薄膜形成装置においても、
一般的な薄膜形成装置と同様、生産性の向上等のため、
成膜面積の大面積化を図るとともに、メンテナンスが容
易に行えるように構成することが重要である。
一般的な薄膜形成装置と同様、生産性の向上等のため、
成膜面積の大面積化を図るとともに、メンテナンスが容
易に行えるように構成することが重要である。
【０００６】本発明は前記の点に留意し、従来のプラズ
マＣＶＤ法より低い基材温度で結晶成長が行え、良質の
Ｓｉ膜を形成することができるとともにその大面積化が
図れ、しかも、メンテナンスが容易な薄膜形成装置を提
供することを課題とする。
マＣＶＤ法より低い基材温度で結晶成長が行え、良質の
Ｓｉ膜を形成することができるとともにその大面積化が
図れ、しかも、メンテナンスが容易な薄膜形成装置を提
供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の薄膜形成装置においては、真空チャンバー
が、イオンビームの引出電極により、導入されたイオン
種用のガスをプラズマ化してイオンビームを形成するイ
オン源室と，基材が設けられた成膜室とに仕切られ、成
膜室に、導入されたＳｉ膜の原料ガスをマイクロ波放電
又は、高周波放電によりプラズマ化して分解，励起し，
成膜室全体に原料ガスの高励起プラズマを生成する手段
が設けられ、引出電極により成膜室の基材の表面方向に
引出されたイオンビームを高励起プラズマ，基材に照射
して分解，励起を促進し、高励起プラズマ中の高励起種
の基材の表面上でのマイグレーション効果により基材の
表面にＳｉ膜を形成する。
に、本発明の薄膜形成装置においては、真空チャンバー
が、イオンビームの引出電極により、導入されたイオン
種用のガスをプラズマ化してイオンビームを形成するイ
オン源室と，基材が設けられた成膜室とに仕切られ、成
膜室に、導入されたＳｉ膜の原料ガスをマイクロ波放電
又は、高周波放電によりプラズマ化して分解，励起し，
成膜室全体に原料ガスの高励起プラズマを生成する手段
が設けられ、引出電極により成膜室の基材の表面方向に
引出されたイオンビームを高励起プラズマ，基材に照射
して分解，励起を促進し、高励起プラズマ中の高励起種
の基材の表面上でのマイグレーション効果により基材の
表面にＳｉ膜を形成する。
【０００８】
【作用】前記のように構成された本発明の薄膜形成装置
においては、イオン源室で形成されたイオンビームが引
出電極により成膜室の基材の表面方向に引出される。
においては、イオン源室で形成されたイオンビームが引
出電極により成膜室の基材の表面方向に引出される。
【０００９】また、成膜室において、マイクロ波放電又
は高周波放電により、導入されたＳｉ膜の原料ガスの高
励起プラズマが生成され、このプラズマ中で原料ガスが
分解，励起される。
は高周波放電により、導入されたＳｉ膜の原料ガスの高
励起プラズマが生成され、このプラズマ中で原料ガスが
分解，励起される。
【００１０】そして、引出されたイオンビームが高励起
プラズマ及び基材に照射され、このとき、引出電極から
基材の表面に至るイオンビームの進行経路全体に高励起
プラズマが存在するため、高励起プラズマ中の原料ガス
の励起種とイオンビームとの衝突確率が増大して気担中
での反応（分解，励起）が促進される。
プラズマ及び基材に照射され、このとき、引出電極から
基材の表面に至るイオンビームの進行経路全体に高励起
プラズマが存在するため、高励起プラズマ中の原料ガス
の励起種とイオンビームとの衝突確率が増大して気担中
での反応（分解，励起）が促進される。
【００１１】この反応促進により、十分な運動エネルギ
が与えられた高励起種が基材上でのマイグレーション効
果により直接基材に堆積し、従来のプラズマＣＶＤ法の
ように基材温度を上げることなく、室温程度の低温でＳ
ｉの結晶成長が行われて基材に良質のＳｉ膜（薄膜）が
堆積して形成される。
が与えられた高励起種が基材上でのマイグレーション効
果により直接基材に堆積し、従来のプラズマＣＶＤ法の
ように基材温度を上げることなく、室温程度の低温でＳ
ｉの結晶成長が行われて基材に良質のＳｉ膜（薄膜）が
堆積して形成される。
【００１２】このとき、マイクロ波放電又は高周波放電
のプラズマ化により、成膜室全体に原料ガスの高励起プ
ラズマが形成され、イオンビームの進行経路全体に高励
起プラズマが存在、しかも、このプラズマが基材の面で
正，負に偏ることもないため、イオンビームとの衝突確
率が増大し、メタンガス等に比してイオン化されにくい
原料ガスとしてのシランガス等が効率よくイオン化され
てその分解，励起が促進される。
のプラズマ化により、成膜室全体に原料ガスの高励起プ
ラズマが形成され、イオンビームの進行経路全体に高励
起プラズマが存在、しかも、このプラズマが基材の面で
正，負に偏ることもないため、イオンビームとの衝突確
率が増大し、メタンガス等に比してイオン化されにくい
原料ガスとしてのシランガス等が効率よくイオン化され
てその分解，励起が促進される。
【００１３】しかも、引出電極によりイオン源室から成
膜室にイオンビームは引出されるが、成膜室のプラズマ
化等の妨げとなるイオン源室のプラズマ中の電子，中性
子等は引出されない。
膜室にイオンビームは引出されるが、成膜室のプラズマ
化等の妨げとなるイオン源室のプラズマ中の電子，中性
子等は引出されない。
【００１４】さらに、真空チャンバーが引出電極でイオ
ン源室と成膜室とに仕切られ、イオン源室が成膜室の外
にあるため、成膜室内に設けた場合に生じる成膜室のガ
ス放電やプラズマの流入等の影響がなく、イオン源室の
電位が不安定にならず、イオンビームが安定に引出され
る。
ン源室と成膜室とに仕切られ、イオン源室が成膜室の外
にあるため、成膜室内に設けた場合に生じる成膜室のガ
ス放電やプラズマの流入等の影響がなく、イオン源室の
電位が不安定にならず、イオンビームが安定に引出され
る。
【００１５】その上、イオン源室が成膜室の外にあるた
め、それぞれのメンテナンスが容易に行えるとともに、
イオン源室，成膜室を大きくして大型化することも容易
である。
め、それぞれのメンテナンスが容易に行えるとともに、
イオン源室，成膜室を大きくして大型化することも容易
である。
【００１６】
【実施例】１実施例について図１を参照して説明する。
真空チャンバー１はイオンビーム９の引出電極１０によ
り、下部の成膜室２と上部のイオン源室３とに仕切ら
れ、成膜室２の下部の排気口４から常時真空排気され
る。
真空チャンバー１はイオンビーム９の引出電極１０によ
り、下部の成膜室２と上部のイオン源室３とに仕切ら
れ、成膜室２の下部の排気口４から常時真空排気され
る。
【００１７】また、成膜室２のホルダ５に支持された基
材６にＳｉ膜を生成するため、成膜室２に導入される原
料ガスにはシランガス等が用いられ、イオン源室３に導
入されるイオン種用のガスには膜組成等に影響しないよ
うに、原料ガスと同一又は同系列の同種のガス或いはＡ
ｒ，Ｎｅ等の不活性ガス，Ｈ2 ガスが用いられる。
材６にＳｉ膜を生成するため、成膜室２に導入される原
料ガスにはシランガス等が用いられ、イオン源室３に導
入されるイオン種用のガスには膜組成等に影響しないよ
うに、原料ガスと同一又は同系列の同種のガス或いはＡ
ｒ，Ｎｅ等の不活性ガス，Ｈ2 ガスが用いられる。
【００１８】なお、原料ガスはガス導入口７，８のいず
れか一方又は両方から導入され、イオン種用のガスはガ
ス導入口８から導入される。
れか一方又は両方から導入され、イオン種用のガスはガ
ス導入口８から導入される。
【００１９】そして、原料ガス，イオン種用のガスとし
てシランガスが用いられ、ガス導入口８からイオン源室
３にシランガスが導入されると、イオン源室３におい
て、マイクロ波，高周波の放電，ＥＣＲプラズマ生成等
によりシランガスがプラズマ化されてイオンビーム９が
形成され、このビーム９が引出電極１０により成膜室２
に導入されて基材６の表面方向に引出される。
てシランガスが用いられ、ガス導入口８からイオン源室
３にシランガスが導入されると、イオン源室３におい
て、マイクロ波，高周波の放電，ＥＣＲプラズマ生成等
によりシランガスがプラズマ化されてイオンビーム９が
形成され、このビーム９が引出電極１０により成膜室２
に導入されて基材６の表面方向に引出される。
【００２０】このとき、引出電極１０によりイオン源室
３から成膜室２に正電位のインオビーム９は引出される
が、成膜室２のプラズマ化等の妨げとなるイオン源室３
のプラズマ中の電子，中性子等は引出されない。
３から成膜室２に正電位のインオビーム９は引出される
が、成膜室２のプラズマ化等の妨げとなるイオン源室３
のプラズマ中の電子，中性子等は引出されない。
【００２１】また、プラズマ生成に関与するシランガス
の量は少なく、大部分のシランガスは排気に基づき引出
電極１０を介してそのまま成膜室２に導入される。
の量は少なく、大部分のシランガスは排気に基づき引出
電極１０を介してそのまま成膜室２に導入される。
【００２２】そして、成膜室２において、引出電極１０
を介して導入されたシランガス又はこのガスと導入口７
から導入されたシランガスとの混合ガスの原料ガスは、
マイクロ波放電，高周波放電によりプラズマ化される。
を介して導入されたシランガス又はこのガスと導入口７
から導入されたシランガスとの混合ガスの原料ガスは、
マイクロ波放電，高周波放電によりプラズマ化される。
【００２３】このプラズマ化により従来のプラズマＣＶ
Ｄ法の場合と同様、原料ガスの高励起プラズマ１１が生
成され、このプラズマ１１により原料ガスが分解，励起
される。
Ｄ法の場合と同様、原料ガスの高励起プラズマ１１が生
成され、このプラズマ１１により原料ガスが分解，励起
される。
【００２４】そして、引出されたイオンビーム９が高励
起プラズマ１１及び基材６に照射され、このとき、引出
電極１０から基材６の表面に至るイオンビーム９の進行
経路全体に高励起プラズマ１１が存在するとともに、こ
のプラズマ１１がマイクロ波放電又は高周波放電により
いわゆる無電極放電で形成されて基材６の表面上で正，
負に偏ることもないため、イオンビームとの衝突確率が
増大し、メタンガス等に比してイオン化されにくい原料
ガスとしてのシランガス等が効率よくイオン化されてそ
の反応（分解，励起）が促進される。
起プラズマ１１及び基材６に照射され、このとき、引出
電極１０から基材６の表面に至るイオンビーム９の進行
経路全体に高励起プラズマ１１が存在するとともに、こ
のプラズマ１１がマイクロ波放電又は高周波放電により
いわゆる無電極放電で形成されて基材６の表面上で正，
負に偏ることもないため、イオンビームとの衝突確率が
増大し、メタンガス等に比してイオン化されにくい原料
ガスとしてのシランガス等が効率よくイオン化されてそ
の反応（分解，励起）が促進される。
【００２５】この反応促進により、高励起種（原子）に
十分な運動エネルギが与えられ、このエネルギの付与に
基づき、高励起種が基材６上でのマイグレーション効果
により直接基材６に堆積し、従来のプラズマＣＶＤ法の
ように基材温度を上げることなく、常温程度の低温で基
材６上でのマイグレーション効果が促進されてＳｉの結
晶成長が行われ、基材６に良質のＳｉの薄膜が堆積して
形成される。
十分な運動エネルギが与えられ、このエネルギの付与に
基づき、高励起種が基材６上でのマイグレーション効果
により直接基材６に堆積し、従来のプラズマＣＶＤ法の
ように基材温度を上げることなく、常温程度の低温で基
材６上でのマイグレーション効果が促進されてＳｉの結
晶成長が行われ、基材６に良質のＳｉの薄膜が堆積して
形成される。
【００２６】そして、イオンビーム９のエネルギ及び照
射量は特に限定されるものではないが、エネルギが１０
ｅＶ〜４０ＫｅＶ、照射量が原料ガスの０．０１％以上
のときに好ましい結果が得られた。
射量は特に限定されるものではないが、エネルギが１０
ｅＶ〜４０ＫｅＶ、照射量が原料ガスの０．０１％以上
のときに好ましい結果が得られた。
【００２７】図中の１２はマイクロ波の導入口、１３は
磁場発生用のコイル又はマグネットである。
磁場発生用のコイル又はマグネットである。
【００２８】そして、イオンビーム９により高励起種に
運動エネルギを与えてその基材６上でのマイグレーショ
ン効果を促進する構成であるため、イオンビーム９が前
記不活性ガス，Ｈ2 ガス等から生成されたときにも、前
記と同様の効果が得られる。
運動エネルギを与えてその基材６上でのマイグレーショ
ン効果を促進する構成であるため、イオンビーム９が前
記不活性ガス，Ｈ2 ガス等から生成されたときにも、前
記と同様の効果が得られる。
【００２９】ところで、真空チャンバー１が引出電極１
０でイオン源室３と成膜室２とに仕切られ、イオン源室
３が成膜室２の外にあたるため、成膜室２内に設けられ
た場合に生じる成膜室２とイオン源室３との間のガスに
よる放電や基材６周辺部等のプラズマのイオン源室３へ
の流入に基づくイオン源室３の電位状態への影響がな
く、引出電極９を含むイオン源室３の電位状態が不安定
にならず、イオンビーム９が安定に引出される。
０でイオン源室３と成膜室２とに仕切られ、イオン源室
３が成膜室２の外にあたるため、成膜室２内に設けられ
た場合に生じる成膜室２とイオン源室３との間のガスに
よる放電や基材６周辺部等のプラズマのイオン源室３へ
の流入に基づくイオン源室３の電位状態への影響がな
く、引出電極９を含むイオン源室３の電位状態が不安定
にならず、イオンビーム９が安定に引出される。
【００３０】その上、イオン源室が成膜室の外にあるた
め、それぞれのメンテナンスが容易に行えるとともに、
イオン源室，成膜室を大きくして大型化することも容易
である。
め、それぞれのメンテナンスが容易に行えるとともに、
イオン源室，成膜室を大きくして大型化することも容易
である。
【００３１】したがって、従来のプラズマＣＶＤ法より
低い基材温度で結晶成長が行え、良質のＳｉ膜を形成す
ることができるとともにその大面積化が図れ、しかも、
メンテナンスが容易な薄膜形成装置を提供することがで
きる。
低い基材温度で結晶成長が行え、良質のＳｉ膜を形成す
ることができるとともにその大面積化が図れ、しかも、
メンテナンスが容易な薄膜形成装置を提供することがで
きる。
【００３２】なお、イオン源室３をバケット型等の大面
積イオン源に形成すると、一度に大量の薄膜生成が可能
になる。また、イオンビーム９の照射は連続的のほか間
欠的であってもよい。
積イオン源に形成すると、一度に大量の薄膜生成が可能
になる。また、イオンビーム９の照射は連続的のほか間
欠的であってもよい。
【００３３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に記載する効果を奏する。イオン源室
３で形成したイオンビーム９を引出電極１０により成膜
室２の基材６の表面方向に引出し、成膜室２において、
マイクロ波放電又は高周波放電により、導入されたＳｉ
膜の原料ガスの高励起プラズマ１１を生成し、このプラ
ズマ１１中で原料ガスを分解，励起したため、引出され
たイオンビーム９が高励起プラズマ１１及び基材６に照
射される。
ているので、以下に記載する効果を奏する。イオン源室
３で形成したイオンビーム９を引出電極１０により成膜
室２の基材６の表面方向に引出し、成膜室２において、
マイクロ波放電又は高周波放電により、導入されたＳｉ
膜の原料ガスの高励起プラズマ１１を生成し、このプラ
ズマ１１中で原料ガスを分解，励起したため、引出され
たイオンビーム９が高励起プラズマ１１及び基材６に照
射される。
【００３４】このとき、引出電極１０から基材６の表面
に至るイオンビーム９の進行経路全体に高励起プラズマ
１１が存在するため、高励起プラズマ１１中の原料ガス
の励起種とイオンビーム９との衝突確率が増大して気相
中での反応（分解，励起）を促進することができる。
に至るイオンビーム９の進行経路全体に高励起プラズマ
１１が存在するため、高励起プラズマ１１中の原料ガス
の励起種とイオンビーム９との衝突確率が増大して気相
中での反応（分解，励起）を促進することができる。
【００３５】さらに、この反応促進により、十分な運動
エネルギが与えられた高励起種を基材６上でのマイグレ
ーション効果により直接基材に堆積し、従来のプラズマ
ＣＶＤ法のように基材温度を上げることなく、室温程度
の低温でＳｉの結晶成長を行って基材６の表面に良質の
Ｓｉ膜（薄膜）を堆積して形成することができ、薄膜形
成可能な基材の範囲を大幅に拡大することができる。
エネルギが与えられた高励起種を基材６上でのマイグレ
ーション効果により直接基材に堆積し、従来のプラズマ
ＣＶＤ法のように基材温度を上げることなく、室温程度
の低温でＳｉの結晶成長を行って基材６の表面に良質の
Ｓｉ膜（薄膜）を堆積して形成することができ、薄膜形
成可能な基材の範囲を大幅に拡大することができる。
【００３６】このとき、マイクロ波放電又は高周波放電
のプラズマ化により、成膜室２全体に原料ガスの高励起
プラズマ１１が形成され、イオンビーム９の進行経路全
体に高励起プラズマ１１が存在、しかも、このプラズマ
１１が基材６の表面で正，負に偏ることもないため、イ
オンビーム９との衝突確率が増大し、メタンガス等に比
してイオン化されにくい原料ガスとしてのシランガス等
を効率よくイオン化してその分解，励起を促進すること
ができる。
のプラズマ化により、成膜室２全体に原料ガスの高励起
プラズマ１１が形成され、イオンビーム９の進行経路全
体に高励起プラズマ１１が存在、しかも、このプラズマ
１１が基材６の表面で正，負に偏ることもないため、イ
オンビーム９との衝突確率が増大し、メタンガス等に比
してイオン化されにくい原料ガスとしてのシランガス等
を効率よくイオン化してその分解，励起を促進すること
ができる。
【００３７】しかも、引出電極１０によりイオン源室３
から成膜室２にイオンビーム９は引出されるが、成膜室
２のプラズマ化等の妨げとなるイオン源室３のプラズマ
中の電子，中性子等は引出されることがない。
から成膜室２にイオンビーム９は引出されるが、成膜室
２のプラズマ化等の妨げとなるイオン源室３のプラズマ
中の電子，中性子等は引出されることがない。
【００３８】さらに、真空チャンバー１が引出電極１０
でイオン源室３と成膜室２とに仕切られ、イオン源室３
が成膜室２の外にあるため、成膜室２内に設けた場合に
生じる成膜室２のガス放電やプラズマの流入等の影響が
なく、イオン源室３の電位が不安定にならず、イオンビ
ーム９を安定に引出すことができる。
でイオン源室３と成膜室２とに仕切られ、イオン源室３
が成膜室２の外にあるため、成膜室２内に設けた場合に
生じる成膜室２のガス放電やプラズマの流入等の影響が
なく、イオン源室３の電位が不安定にならず、イオンビ
ーム９を安定に引出すことができる。
【００３９】その上、イオン源室３が成膜室２の外にあ
るため、それぞれのメンテナンスが容易に行えるととも
に、イオン源室，成膜室を大きくして大型化することも
容易である。
るため、それぞれのメンテナンスが容易に行えるととも
に、イオン源室，成膜室を大きくして大型化することも
容易である。
【００４０】したがって、従来のプラズマＣＶＤ法より
低い基材温度で結晶成長が行え、良質のＳｉ膜を形成す
ることができるとともにその大面積化が図れ、しかも、
メンテナンスが容易な薄膜形成装置を提供することがで
き、大面積のＳｉ膜を種々の基材表面に形成することが
可能になる。
低い基材温度で結晶成長が行え、良質のＳｉ膜を形成す
ることができるとともにその大面積化が図れ、しかも、
メンテナンスが容易な薄膜形成装置を提供することがで
き、大面積のＳｉ膜を種々の基材表面に形成することが
可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１実施例の構成図である。
１ 真空チャンバー ２ 成膜室 ３ イオン源室 ６ 基材 ９ イオンビーム １０ 引出電極 １１ 高励起プラズマ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/00 Ｈ０５Ｈ 1/00 Ｚ
Claims (1)
- 【請求項１】 基材の表面にシリコン膜を形成する薄膜
形成装置において、 真空チャンバーが、イオンビームの
引出電極により、導入されたイオン種用のガスをプラズ
マ化して前記イオンビームを形成するイオン源室と，前
記基材が設けられた成膜室とに仕切られ、 前記成膜室に、導入された前記シリコン膜の原料ガスを
マイクロ波放電又は、高周波放電によりプラズマ化して
分解，励起し，前記成膜室全体に前記原料ガスの高励起
プラズマを生成する手段が設けられ、 前記引出電極により前記成膜室の前記基材の表面方向に
引出された前記イオンビームを前記高励起プラズマ，前
記基材に照射して前記分解，励起を促進し、前記高励起
プラズマ中の高励起種の前記基材の表面上でのマイグレ
ーション効果により前記基材の表面に前記シリコン膜を
形成するようにした ことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240561A JP2626339B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240561A JP2626339B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555194A JPH0555194A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2626339B2 true JP2626339B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=17061361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240561A Expired - Fee Related JP2626339B2 (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2626339B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5934252A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-24 | 有限会社友信開発 | 低摩擦人工関節 |
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-
1991
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