JP4522888B2 - プラズマ処理装置におけるf密度測定方法とプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
ゲートバルブ67の開閉,静電チャック25によるウェハWの静電吸着,ガス通路30を通じた伝熱媒体の供給によるウェハWの温度調整,温度調節媒体室20への温度調節媒体の循環によるサセプタ13の温度調整等は,いずれも制御手段61によって制御されている。
Diamond(登録商標)またはCoral(登録商標)をLow−k膜101の構成材料として採用している。なお,ここでのLow−k膜208の膜厚は例えば1000nm程度である。
ここで,A:アクチノ係数
N:アボガドロ数
P:チャンバ10内の圧力
QAr:チャンバ10内に供給するArの流量
Q:チャンバ10内に供給する処理ガスの全流量
W ウェハ
1 プラズマ処理装置
10 チャンバ
13 サセプタ
25 静電チャック
35 上部電極
45 ガス導入口
49 処理ガス供給源
55,58 透過窓
56 集光レンズ
57 プリズム
59 光導出路
60 ポリクロメータ
61 制御手段
100 エッチングストップ膜
101 低誘電率膜
102 反射防止膜
102 フォトレジスト膜
Claims (11)
- 処理容器内に収納した被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置におけるプラズマ中のF密度を測定する方法であって,
前記処理容器内には,被処理体を載置するためのサセプタが設けられ,
前記サセプタの上方には上部電極が設けられ,
前記上部電極の中央にはガス導入口と,前記ガス導入口の真下に配置された透過窓が設けられ,
前記ガス導入口の内部には,前記透過窓を通ってガス導入口内に入光した発光スペクトルを,処理容器外に導出させる光学系としての集光レンズとプリズムが配置され,
少なくともO2ガスと不活性ガスとを含む処理ガスを用い,被処理体の中央の上方に位置している前記透過窓を通して処理容器外に発光スペクトルを導出させて発光強度を測定し,被処理体の中央表面におけるFラジカルの発光強度[F*]と不活性ガスの発光強度[不活性ガス*]との比[F*]/[不活性ガス*]に基いて,プラズマ処理中のF密度を測定することを特徴とする,プラズマ処理装置におけるF密度測定方法。 - 前記不活性ガスは,Heガス,Neガス,Arガス,Krガス,Xeガス,Rnガスのいずれか,もしくはそれらの任意の組合せであることを特徴とする,請求項1に記載のプラズマ処理装置におけるF密度測定方法。
- 前記不活性ガスは,Arガスであり,前記Fラジカルの発光強度[F*]を波長703.7nmで測定し,前記不活性ガスの発光強度[不活性ガス*]を波長703.0nmで測定することを特徴とする,請求項1に記載のプラズマ処理装置におけるF密度測定方法。
- 前記比[F*]/[不活性ガス*]から,アクチメトリー法によってプラズマ処理中のF密度を測定することを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置におけるF密度測定方法。
- 処理容器内に収納した被処理体をプラズマ処理する方法であって,
パターニングされたレジスト膜をマスクとして用いて,CF系の処理ガスで被処理基板をエッチングする工程と,
少なくともO2ガスと不活性ガスとを含む処理ガスで前記処理容器の内壁の堆積物を除去する工程と,
少なくともO2ガスを含む処理ガスで前記レジスト膜をアッシングする工程とを有し,
前記処理容器の内壁の堆積物を除去する工程において,請求項1〜4のいずれかに記載の測定方法によって,プラズマ中のF密度を測定し,その測定結果に基いて,前記処理容器の内壁の堆積物を除去する工程の終点を判定することを特徴とする,プラズマ処理方法。 - プラズマ中のF密度が所定の閾値以下となった場合に,前記終点を判定することを特徴とする,請求項5に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理容器の内壁の堆積物を除去する工程において,前記被処理体には電力が印加されないことを特徴とする,請求項5または6に記載のプラズマ処理方法。
- 前記レジスト膜をアッシングする工程において,前記被処理体には0.19W/cm2以上の電力が印加されることを特徴とする,請求項5〜7のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 処理容器内に収納した被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって,
前記処理容器内に,CF系の処理ガスと,少なくともO2ガスと不活性ガスとを含む処理ガスと,少なくともO2を含む処理ガスとを選択的に供給する処理ガス供給源と,
前記被処理体表面における発光スペクトルを前記処理容器外に導出させる光学系と,
前記光学系によって導出された被処理体表面における発光スペクトルの強度を前記処理容器外において測定する発光強度測定手段と,
前記発光強度測定手段において測定された被処理体表面におけるFラジカルの発光強度[F*]と不活性ガスの発光強度[不活性ガス*]との比[F*]/[不活性ガス*]に基いて,プラズマ処理中のF密度を測定し,F密度に基いてプラズマ処理装置を制御する制御手段を備え,
前記処理容器内には,被処理体を載置するためのサセプタが設けられ,
前記サセプタの上方には上部電極が設けられ,
前記上部電極の中央にはガス導入口と,前記ガス導入口の真下に配置された透過窓が設けられ,
前記ガス導入口の内部には,前記透過窓を通ってガス導入口内に入光した発光スペクトルを,処理容器外に導出させる前記光学系としての集光レンズとプリズムが配置され,
前記発光強度測定手段は,前記透過窓を通して処理容器外に導出された被処理体の中央表面における発光スペクトルの強度を測定することを特徴とする,プラズマ処理装置。 - 前記発光強度測定手段がポリクロメータであることを特徴とする,請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御手段は,前記比[F*]/[不活性ガス*]から,アクチメトリー法によってプラズマ処理中のF密度を測定することを特徴とする,請求項9または10に記載のプラズマ処理装置。
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