JP4498662B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造におけるドライエッチング方法に係り、特に、シリコン酸化膜層の上に形成されたシリコン含有導電膜層をエッチングするドライエッチング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体装置の製造分野においては、ゲート構造を形成する工程等において、絶縁層であるシリコン酸化膜層の上に、導体層を構成するシリコン含有導電膜層、例えば、ポリシリコン層、又はシリサイド層、又はポリシリコン層とその上のシリサイド層を形成し、この後、かかる導体層の上に形成したマスク層を介して、このシリコン含有導電膜層等を、下層のシリコン酸化膜層が露出するまで、所定形状にエッチングすることが行われている。
【0003】
このようなシリコン酸化膜層の上に形成されたシリコン含有導電膜層のエッチングを行う場合、従来から、プラズマエッチングが広く使用されている。
【0004】
また、かかるプラズマエッチングによって、シリコン含有導電膜層をエッチングする場合、半導体ウエハ等の全面の各部において、不所望なシリコン含有導電膜層が残ることなく、完全に除去できるようにするため、シリコン酸化膜層が露出した後も、さらにエッチングを行う所謂オーバーエッチングが行われている。
かかるオーバーエッチング工程では、露出したシリコン酸化膜層をできる限りエッチングすることなく、シリコン含有導電膜層のみをエッチングすることが必要とされるため、シリコン酸化膜に対するシリコン含有導電膜の選択比(シリコン含有導電膜のエッチングレート/シリコン酸化膜のエッチングレート)の高いエッチングガスを用いる必要があり、このため、従来からHBrガス、あるいは、HBrガスとO2 ガスの混合ガス等が、エッチングガスとして使用されている。
また、上記エッチング時の圧力としては、通常0.67〜6.7Pa程度の圧力が使用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年においては、半導体装置の回路パターンは、ますます微細化される傾向にある。例えば、上述したゲート構造においては、シリコン酸化膜層の膜厚も薄くされる傾向にある。
【0006】
このため、回路パターンの形成技術においては、更に加工精度を向上させることが望まれており、上述したエッチング工程においても、さらに、シリコン酸化膜に対するポリシリコンの選択比を向上させ、下地層であるシリコン酸化膜層をエッチングすることなく、また、シリコン含有導電膜層のエッチング形状を崩すことなく、確実に所望のシリコン含有導電膜層のみをエッチングして除去できるようにすることが望まれている。
【0007】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、従来に較べて、シリコン酸化膜に対するシリコン含有導電膜の選択比を向上させることができ、下地層であるシリコン酸化膜層をエッチングすることなく、また、シリコン含有導電膜層のエッチング形状を崩すことなく、確実に所望のシリコン含有導電膜層のみをエッチングして除去することのできるドライエッチング方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、シリコン酸化膜層の上に形成されたシリコン含有導電膜層を、当該シリコン含有導電膜層の上に形成された所定のパターン形状のマスク層を介して、少なくともHBrガスを含むエッチングガスにより、エッチングするドライエッチング方法であって、13Pa未満の第1の圧力でプラズマエッチングするメインエッチング工程と、前記メインエッチング工程の後、前記メインエッチング工程より高く、かつ、6.7Pa以上、27Pa未満の圧力で、かつ、HBrガスを含みCl 2 ガスを含まないエッチングガスにより、プラズマエッチングする第1のオーバーエッチング工程と、前記第1のオーバーエッチングの後、前記第1のオーバーエッチング工程より高く、かつ、13Pa以上、27Pa以下の圧力で、かつ、HBrガスを含みCl2ガスを含まないエッチングガスにより、プラズマエッチングする第2のオーバーエッチング工程とを具備したことを特徴とする。
【0009】
請求項2の発明は、請求項1記載のドライエッチング方法において、前記シリコン含有導電膜層が、ポリシリコン層であることを特徴とする。
【0010】
請求項3の発明は、請求項1記載のドライエッチング方法において、前記シリコン含有導電膜層が、シリサイド層であることを特徴とする。
【0011】
請求項4の発明は、請求項1記載のドライエッチング方法において、前記シリコン含有導電膜層が、ポリシリコン層とその上のシリサイド層であることを特徴とする。
【0012】
請求項5の発明は、請求項1〜4いずれか1項記載のドライエッチング方法において、前記第1及び第2のオーバーエッチング工程のエッチングガスは、HBrとO2 の混合ガス、又はHBrガスからなることを特徴とする。
【0013】
請求項6の発明は、請求項1〜5いずれか1項記載のドライエッチング方法において、前記メインエッチング工程のエッチングガスは、HBrとCl2又はHBrとCl2とO2 、又はHBrとO2の混合ガス、又はHBrガスからなることを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施の形態について説明する。
【0020】
図1は、本発明の一実施形態を説明するため、半導体ウエハ(シリコン基板)の縦断面の一部を拡大して模式的に示すものである。
【0021】
同図(a)に示すとおり、半導体ウエハ(シリコン基板)101上には、絶縁層を構成するシリコン酸化膜層102、導体層を構成するシリコン含有導電膜層103(例えば、ポリシリコン層、又はシリサイド層、又はポリシリコン層とその上のシリサイド層)が形成されている。
【0022】
また、上記シリコン含有導電膜層103の上には、フォトレジスト、あるいは所謂ハードマスク(窒化シリコン等)からなり、所定のパターンに形成されたマスク層104が設けられている。
【0023】
本実施形態においては、上記マスク層104を介して、シリコン含有導電膜層103をエッチングし、シリコン含有導電膜層103を所定のパターンに形成する。
【0024】
ここで、図2のグラフは、横軸を圧力、縦軸を、シリコン酸化膜に対するポリシリコンの選択比(ポリシリコンのエッチングレート/シリコン酸化膜のエッチングレート)及びポリシリコンのエッチングレートとして、エッチングガスとしてHBrを使用した場合の圧力と選択比(実線A)及び、圧力とポリシリコンのエッチングレート(点線B)の関係を調べた結果を示すものである。
【0025】
この図2のグラフに点線Bで示されるとおり、エッチングガスとしてHBrを使用した場合、圧力の上昇に伴って略直線的にポリシリコンのエッチングレートが減少する。
【0026】
一方、選択比は、実線Aで示されるとおり、圧力の上昇に伴って増大し、圧力が約13Pa(100mTorr)で略無限大となる。なお、選択比が略無限大とは、シリコン酸化膜に対するエッチングが実質的に行われないことを示している。
【0027】
すなわち、エッチングガスとしてHBr(HBr+O2 でも略同様)を使用した場合、圧力を略13Pa(100mTorr)以上とすることによって、シリコン酸化膜に対するポリシリコンの選択比を略無限大程度まで高めることができる。ここで、上記の通り選択比が向上するのは、SiO2 、SiBr等の堆積が生じ、また、分子密度が高くなりラジカルに対するイオンの数が相対的に小さくなってスパッタ力が低下するからと考えられる。
【0028】
一方、上記の13Paより低い圧力とすると、選択比は低下するものの、ポリシリコンのエッチングレートは高めることができる。
【0029】
そこで、本実施の形態においては、シリコン酸化膜に対するシリコン含有導電膜の選択比を可能な限り高める必要がある所謂オーバーエッチング工程では、エッチングガスの圧力を高めてエッチングを行い、選択比をそれほど必要とせず、エッチングレートを高める必要のある所謂メインエッチング工程では、上記オーバーエッチング工程より低い圧力下(選択比は低いがエッチングレートが高い条件下)でエッチングを行う。
【0030】
また、前述した図2のグラフに点線Bで示されるとおり、エッチングガスとしてHBrを使用した場合、圧力の上昇に伴って略直線的にポリシリコンのエッチングレートが減少する。これは、圧力が高くなると、デポジションにより、エッチングが抑制されるからである。
【0031】
また、ポリシリコン等からなるシリコン含有導電膜層103の膜厚は通常100〜150nm(1000〜1500オングストローム)であり、オーバーエッチング工程は、100%(100〜150nmエッチング相当)程度行われる。このため、メインエッチングを1分程度で行った後、オーバーエッチングを2分以内程度で行うためには、約90nm/分(900オングストローム/分)以上のエッチングレートが得られる27Pa(200mTorr)以下でオーバーエッチング工程を行うことが好ましい。
【0032】
なお、上記オーバーエッチング工程において、Cl2 を含むガスを使用すると、十分な選択比を得ることが困難になる。このため、シリコン酸化膜層102の厚さが薄く、選択比を高める必要がある場合は、Cl2 を含むガスを使用せずに、エッチングガスとしてHBrガス、又は、HBr+O2 ガスを使用することが好ましい。
【0033】
次に、具体的なエッチング工程を説明する。まず、図1(a)に示す状態から、エッチングガスとして、少なくともHBrを含むガス、例えば、HBr+Cl2+O2の混合ガス、又は、HBr+Cl2の混合ガス、又は、HBr+O2の混合ガス、又は、HBrガスを用い、圧力6.7Pa(50mTorr)程度としてまずメインエッチング工程を行う。
【0034】
この後、図1(b)に示すように、シリコン含有導電膜層103の大部分がエッチングされ、かつ、下層のシリコン酸化膜層102が露出する前に、上記メインエッチング工程を終了し、オーバーエッチング工程を行う。
【0035】
また、本実施の形態においていは、かかるオーバーエッチング工程をさらに、第1のオーバーエッチング工程と、この第1のオーバーエッチング工程よりさらに選択比を高めた条件下でエッチングする第2のオーバーエッチング工程とに別けて行う。
【0036】
すなわち、一般に、オーバーエッチング工程では、図1(c)に示すウエハ面内の一部の領域の下層のシリコン酸化膜層102がほぼ露出した状態となってから、さらに、所定時間オーバーエッチング工程を続けて行う。これは、エッチングレートが、ウエハ面内の位置やパターン形状の相違によって、異なり、ウエハ面内の全ての部分において、不所望なシリコン含有導電膜層103が残ることなく、全て除去するためである。
【0037】
しかしながら、かかるオーバーエッチング工程においては、下層のシリコン酸化膜層102がほぼ露出した状態となっているため、さらに、選択比を高める必要がある。
【0038】
このため、本実施の形態においていは、オーバーエッチング工程を、選択比がある程度高くかつエッチングレートもある程度高い第1のオーバーエッチング工程と、この第1のオーバーエッチング工程よりさらに選択比を高めた第2のオーバーエッチング工程とに別けて行う。
【0039】
上記第1のオーバーエッチング工程と、第2のオーバーエッチング工程は、第1のオーバーエッチング工程より第2のオーバーエッチング工程の圧力を上昇させること、又は、エッチングガス種を変更すること、又は、ウエハに印加するバイアス電力を変更すること、又は、電極間の距離を変更すること、或いは、これらを組合わせて行うこと等によって、切り替えることができる。
【0040】
次に、上述したメインエッチング工程と、オーバーエッチング工程の切り替えるタイミングを検出する方法について説明する。
【0041】
通常のエッチング終点検出方法では、プラズマ中の所定波長の光の強度変化を測定することによって、エッチングされている物質によって経時的に変化する光の強度変化からエッチングの終点を検出している。
【0042】
すなわち、図3のグラフに曲線Aで示すように、ポリシリコンのエッチングによって、発生する特定波長(例えば405nm)の光の強度変化を測定すると、ポリシリコン層のエッチングが行われている間は、略一定の強度であり、ポリシリコン層が除去されて部分的に下地層の露出が始まると、この光の強度変化が減少を初め、略下地層が露出し終わると、減少した光の強度が略一定となる。かかる光の強度変化から、エッチングの終点を検出することができる。
【0043】
しかしながら、上記のエッチング終点検出方法では、下地層の露出が始まった時点で光の強度変化が生じるため、下地層の露出が始まる前に、メインエッチングを終了させることができない。このため、本実施の形態では、図4に示すように構成された装置によって、シリコン含有導電膜層103の膜厚の減少を検出し、前述した図1(b)に示すように、シリコン含有導電膜層103の膜厚が薄くなり、下地層の露出が始まる前にこれを検出する。
【0044】
すなわち、図4に示す装置では、エッチング装置1のチャンバー2内に設けられたウエハWの表面に対して、光源201からの光(波長が例えば400〜800nm)を光ファイバー202、レンズ203を介して照射する。そして、その反射光を、ポリクロメータ204及び光検出器205によって検出し、この光検出器205の出力信号を、演算処理部206によって処理するようになっている。
【0045】
上記光検出器205で検出される光の強度は、例えば、図3のグラフの曲線B(波長400.25nm)、C(波長450.08nm)、D(波長499.73nm)、E(波長549.95nm)、に示されるように変化する。すなわち、シリコン含有導電膜層の表面で反射された反射光と、シリコン含有導電膜層と下層のシリコン酸化膜層との界面において反射された反射光とが干渉を起こし、この干渉した光の強度が、シリコン含有導電膜層のエッチングによる膜厚の減少に伴って、周期的に変化する。
【0046】
そこで、上記干渉光に基づく曲線B〜Eの如き変化と、曲線Aの変化との相関を予め調べておき、例えば、曲線B〜Eのうちのいずれか、あるいは、これらの出力を加算した信号、あるいはこれらの微分信号等に基づいて、ピークの数や位置、光強度等により、シリコン含有導電膜層の残膜量が減少したことを検知して、下層のシリコン酸化膜層が露出を始める前にメインエッチングを終了させることができる。例えば、図3に示す例では、曲線Cの最後のピーク等を検出することによって、曲線Aが減少を始める前、つまり、シリコン酸化膜層が露出し始める前に、メインエッチング工程を終了させるとができる。
【0047】
このようにして、シリコン酸化膜層が露出し始める前に、メインエッチング工程を終了し、オーバーエッチング工程に切り換えることによって、シリコン酸化膜層に損傷を与えることなく、シリコン含有導電膜層のみをエッチングすることができる。
【0048】
図5は、本発明の実施形態に使用するプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示すものである。同図に示すように、プラズマ処理装置1は、電極板が上下平行に対向し、両方に高周波電源が接続された容量結合型平行平板エッチング装置として構成されている。
【0049】
このエッチング処理装置1は、例えば表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなる円筒形状に成形されたチャンバー2を有しており、このチャンバー2は接地されている。チャンバー2内の底部にはセラミックなどの絶縁板3を介して、ウエハWを載置するための略円柱状のサセプタ支持台4が設けられており、さらにこのサセプタ支持台4の上には、下部電極を構成するサセプタ5が設けられている。このサセプタ5にはハイパスフィルター(HPF)6が接続されている。
【0050】
サセプタ支持台4の内部には、温度調節媒体室7が設けられている。この温度調節媒体室7には、導入管8を介して温度調節媒体が導入、循環され、サセプタ5を所望の温度に制御できるようになっている。
【0051】
サセプタ5は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハWと略同形の静電チャック11が設けられている。静電チャック11は、絶縁材の間に電極12が介在された構成となっており、電極12に接続された直流電源13から例えば1.5kVの直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハWを静電吸着する。
【0052】
そして、絶縁板3、サセプタ支持台4、サセプタ5、さらには静電チャック11には、被処理体であるウエハWの裏面に、伝熱媒体、例えばHeガスなどを供給するためのガス通路14が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ5とウエハWとの間の熱伝達がなされ、ウエハWが所定の温度に維持されるようになっている。
【0053】
サセプタ5の上端周縁部には、静電チャック11上に載置されたウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング15が配置されている。このフォーカスリング15はセラミックス或いは石英などの絶縁性材料或いは導電性材料からなり、エッチングの均一性を向上させるようになっている。
【0054】
また、サセプタ5の上方には、このサセプタ5と平行に対向して上部電極21が設けられている。この上部電極21は、絶縁材22を介して、チャンバー2の上部に支持されており、サセプタ5との対向面を構成し、多数の吐出孔23を有する例えば石英からなる電極板24と、この電極24を支持する導電性材料例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体25とによって構成されている。なお、サセプタ5と上部電極21との間隔は、調節可能とされている。
【0055】
上部電極21における電極支持体25の中央にはガス導入口26が設けられ、さらにこのガス導入口26には、ガス供給管27が接続されており、さらにこのガス供給管27には、バルブ28、並びにマスフローコントローラ29を介して、処理ガス供給源30が接続され、この処理ガス供給源30から、プラズマエッチングのためのエッチングガスが供給されるようになっている。なお、図5には、上記の処理ガス供給源30等からなる処理ガス供給系を1つのみ図示しているが、これらの処理ガス供給系は複数設けられており、例えば、HBr、Cl2 、O2 等のガスを夫々独立に流量制御して、チャンバー2内に供給できるよう構成されている。
【0056】
一方、チャンバー2の底部には排気管31が接続されており、この排気管31には排気装置35が接続されている。排気装置35はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー2内を所定の減圧雰囲気、例えば1Pa以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバー2の側壁にはゲートバルブ32が設けられており、このゲートバルブ32を開にした状態でウエハWが隣接するロードロック室(図示せず)との間で搬送されるようになっている。
【0057】
上部電極21には、第1の高周波電源40が接続されており、その給電線には整合器41が介挿されている。また、上部電極21にはローパスフィルター(LPF)42が接続されている。この第1の高周波電源40は、50〜150MHzの範囲の周波数を有しており、このように高い周波数を印加することによりチャンバー2内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマを形成することができ、従来より低圧条件下のプラズマ処理が可能となる。この第1の高周波電源40の周波数は、50〜80MHzが好ましく、典型的には図示した60MHzまたはその近傍の周波数が採用される。
【0058】
下部電極としてのサセプタ5には、第2の高周波電源50が接続されており、その給電線には整合器51が介挿されている。この第2の高周波電源50は数百〜十数MHzの範囲の周波数を有している。このような範囲の周波数を印加することにより、被処理体であるウエハWに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第2の高周波電源50の周波数は、典型的には図示した13.56MHzまたは800KHz等の周波数が採用される。
【0059】
次に、上記構成のプラズマ処理装置1によって、ウエハWに形成されたシリコン含有導電膜層103を、マスク層104を介して所定のパターンにエッチングする工程について説明する。
【0060】
まず、前述したように、シリコン酸化膜層102、シリコン含有導電膜層103、及び、所定パターンにパターニングされたマスク層104が形成されたウエハWを、ゲートバルブ32を開放して、図示しない搬送アーム等によって、図示しないロードロック室からチャンバー2内へ搬入し、静電チャック11上に載置する。そして、高圧直流電源13から直流電圧を印加することによって、ウエハWを静電チャック11上に静電吸着する。
【0061】
次いで、搬送アームをチャンバー2から退避させた後、ゲートバルブ32を閉じ、排気機構35によって、チャンバー2内を所定の真空度まで真空引する。この後、バルブ28を開放し、処理ガス供給源30からメインエッチング用のガス、例えば、HBrとCl2、又はHBrとCl2とO2 、又はHBrとO2、又はHBrを、マスフローコントローラ29によってその流量を調整しつつ、処理ガス供給管27、ガス導入口26、上部電極21の中空分、電極板24の吐出孔23を通じて、図5の矢印に示すように、ウエハWに対して均一に吐出させる。
【0062】
これとともに、チャンバー2内の圧力が、所定の圧力、例えば、0.67〜6.7Pa程度の圧力に維持され、第1の高周波電源40及び第2の高周波電源50から、上部電極21及び下部電極としてのサセプタ5に高周波電圧を印加し、エッチングガスをプラズマ化して、まず、ウエハWのシリコン含有導電膜層103のメインエッチングを行い、前述した図1(b)の状態となった時点でこのメインエッチング工程を終了する。なお、かかるメインエッチング工程の終了タイミングは、前述した図4に示されるような構成の装置によって検出する。
【0063】
次に、エッチング条件を変更して、オーバーエッチングを行う。かかるオーバーエッチング工程は、オーバーエッチング工程用のエッチングガス、例えば、HBrとO2 の混合ガス、又はHBr単ガス等のCl2 を含まないガスによって行われ、少なくとも、前記したメインエッチング工程より高い圧力で行われる。
【0064】
また、必要に応じて、第1のオーバーエッチング工程と、第2のオーバーエッチング工程とに別けて行われる。
【0065】
このうち、後に行われる第2のオーバーエッチング工程は、前述した選択比が無限大となるように高選択比の条件で行われることが好ましく、この場合は、圧力を13Pa以上27Pa以下とすることが好ましい。
【0066】
また、第2のオーバーエッチング工程の前に行われる第1のオーバーエッチング工程は、メインエッチング工程と第2のオーバーエッチング工程との中間の圧力、例えば、6.7以上27Pa未満程度の圧力で行うことが好ましい。
【0067】
また、オーバーエッチング工程が1つの工程によって行われる場合は、オーバーエッチング工程を別けて行う場合の後のオーバーエッチング工程、つまり上述した第2のオーバーエッチング工程と同様なエッチング条件でエッチングを行うことが好ましい。
【0068】
上記の方法により、実施例として、以下の条件、
(メインエッチング工程)
エッチングガス:Cl2 (流量50SCCM)+HBr(流量350SCCM)
チャンバ圧力:6.7Pa
上部電極印加高周波電力:700W
下部電極印加高周波電力:150W
電極間距離:170mm
バックHe圧力:399Pa
【0069】
(第1のオーバーエッチング工程)
エッチングガス:HBr(流量150SCCM)
チャンバ圧力:8Pa
上部電極印加高周波電力:150W
下部電極印加高周波電力:20W
電極間距離:90mm
バックHe圧力:1330Pa
【0070】
(第2のオーバーエッチング工程)
エッチングガス:HBr(流量200SCCM)
チャンバ圧力:27Pa
上部電極印加高周波電力:700W
下部電極印加高周波電力:40W
電極間距離:150mm
バックHe圧力:1330Pa
でエッチングを行った。
【0071】
上記の各エッチング工程におけるエッチングレート、エッチングレートの面内均一性、選択比は、以下のとおりであった。
メインエッチング工程
エッチングレート:217.7nm/min
面内均一性:±5%
選択比:17.5
第1のオーバーエッチング工程
エッチングレート:88.3nm/min
面内均一性:±7.3%
選択比:452
第2のオーバーエッチング工程
エッチングレート:75.7nm/min
面内均一性:±10.5%、
選択比:∞
【0072】
なお、メインエッチング工程と、第1のオーバーエッチング工程との切り替えは、十分安全を見込んで、下地層であるシリコン酸化膜層が露出する前に行い、第1のオーバーエッチング工程と第2のオーバーエッチング工程との切り替えは、下地層であるシリコン酸化膜層が露出する直前(図3に示した曲線Aのスロープスタート直前)に行った。
【0073】
第1のオーバーエッチング工程と第2のオーバーエッチング工程との切り替えにおいて、選択比を上げるために、チャンバー圧力を高くするとエッチングレートの面内均一性が低下する。その際、上下部電極印加高周波電力を大きくし、更に電極間距離を広くすることでエッチングレートの面内均一性を向上できる。
【0074】
上記実施例により、下地層であるシリコン酸化膜層にほとんど損傷を与えることなく、また、シリコン含有導電膜層のエッチング形状を崩すことなく、良好にシリコン含有導電膜層のみをエッチングして除去することができた。
【0075】
なお、上記の例では、オーバーエッチング工程を、第1及び第2のオーバーエッチング工程に別けて行った場合について説明したが、前述したとおり、これらのオーバーエッチング工程を、単一のオーバーエッチング工程としても良い。
【0076】
次に、前述した装置により、以下の条件でエッチングを行い、エッチングガスにおける酸素の流量を1,3,5SCCMとして夫々エッチングを行った。
エッチングガス:HBr(流量100SCCM)+O2 (流量1,3,5SCCM)
チャンバ圧力:40Pa
上部電極印加高周波電力:250W
下部電極印加高周波電力:100W
電極間距離:80mm
バックHe圧力:1330Pa
【0077】
上記のエッチング結果は以下のとおりとなった。
(酸素流量1SCCM)
エッチングレート:159.8nm/min
面内均一性:±5.4%
選択比:10
(酸素流量3SCCM)
エッチングレート:165.3nm/min
面内均一性:±5.4%
選択比:104
(酸素流量5SCCM)
エッチングレート:167.2nm/min
面内均一性:±5.7%
選択比:139
【0078】
上記の結果に示されるとおり、チャンバ圧力が低圧であっても、酸素添加量を増やすことによって、エッチングレート、面内均一性を維持しつつ、選択比を増加させることができる。かかる酸素の添加量が15%を超えると、堆積を生じやすくなるので、かかる酸素の添加量は1〜5%程度とすることが好ましく、更には3〜5%とすることが好ましい。
【0079】
上記のように、酸素の添加量を調整することによっても、選択比を増加させることができる。
【0080】
なお、上記の例では、平行平板型であって、上部電極と下部電極の双方に高周波電力を供給してエッチングを行うエッチング装置を使用した実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、あらゆるプラズマエッチング装置を使用できること、例えば、上部電極、下部電極の一方の電極のみに高周波電力を供給する方式のエッチング装置、磁場を用いてプラズマを制御するエッチング装置等を使用できることは、勿論である。
【0081】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明のドライエッチング方法によれば、従来に較べて、シリコン酸化膜に対するシリコン含有導電膜の選択比を向上させることができ、下地層であるシリコン酸化膜層をエッチングすることなく、また、シリコン含有導電膜層のエッチング形状を崩すことなく、確実に所望のシリコン含有導電膜層のみをエッチングして除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を説明するためのウエハ断面の構成を模式的に示す図。
【図2】圧力とエッチングレート及び選択比との関係を示すグラフ。
【図3】本発明の一実施形態に使用する終点検出方法を説明するめのグラフ。
【図4】本発明の一実施形態に使用する終点検出のための装置の構成の例を示す図。
【図5】本発明の一実施形態に使用する装置の構成の例を示す図。
【符号の説明】
101……半導体ウエハ、102……シリコン酸化膜層、103……シリコン含有導電膜層、104……マスク層。
Claims (6)
- シリコン酸化膜層の上に形成されたシリコン含有導電膜層を、当該シリコン含有導電膜層の上に形成された所定のパターン形状のマスク層を介して、少なくともHBrガスを含むエッチングガスにより、エッチングするドライエッチング方法であって、
13Pa未満の第1の圧力でプラズマエッチングするメインエッチング工程と、
前記メインエッチング工程の後、前記メインエッチング工程より高く、かつ、6.7Pa以上、27Pa未満の圧力で、かつ、HBrガスを含みCl 2 ガスを含まないエッチングガスにより、プラズマエッチングする第1のオーバーエッチング工程と、
前記第1のオーバーエッチングの後、前記第1のオーバーエッチング工程より高く、かつ、13Pa以上、27Pa以下の圧力で、かつ、HBrガスを含みCl2ガスを含まないエッチングガスにより、プラズマエッチングする第2のオーバーエッチング工程と
を具備したことを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1記載のドライエッチング方法において、
前記シリコン含有導電膜層が、ポリシリコン層であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1記載のドライエッチング方法において、
前記シリコン含有導電膜層が、シリサイド層であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1記載のドライエッチング方法において、
前記シリコン含有導電膜層が、ポリシリコン層とその上のシリサイド層であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1〜4いずれか1項記載のドライエッチング方法において、
前記第1及び第2のオーバーエッチング工程のエッチングガスは、HBrとO2 の混合ガス、又はHBrガスからなることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1〜5いずれか1項記載のドライエッチング方法において、
前記メインエッチング工程のエッチングガスは、HBrとCl2又はHBrとCl2とO2 、又はHBrとO2の混合ガス、又はHBrガスからなることを特徴とするドライエッチング方法。
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