JP2008071951A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 先ず、半導体基板上にシリコン酸化膜及び多結晶シリコン膜を順次に形成する。次に、多結晶シリコン膜に不純物を注入した後、熱処理を行うことにより、多結晶シリコン膜を低抵抗化する。次に、低抵抗多結晶シリコン膜上にゲート電極が形成される領域部分を覆い、他の領域部分を露出するレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンを用い、かつバイアス電力を100W以上としたドライエッチングを行うことにより、露出した低抵抗多結晶シリコン膜の部分を除去してゲート電極を形成する。
【選択図】図3
Description
図1(A)及び(B)と図2(A)及び(B)を参照して、第1実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1(A)及び(B)と図2(A)及び(B)は、第1実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための工程図であって、半導体基板上へのゲート電極の形成方法を示している。図1(A)及び(B)と図2(A)及び(B)は、各製造工程段階で得られた構造体の主要部の切断端面をそれぞれ示している。
図5(A)及び(B)を参照して、第2実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図5(A)及び(B)は、第2実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための工程図であって、各製造工程段階で得られた構造体の主要部の切断端面をそれぞれ示している。なお、以下の説明では、第1実施形態と重複する説明は省略することもある。
次に、第3実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。第3実施形態の半導体装置の製造方法は、多結晶シリコン膜を低抵抗化するためにイオン注入される不純物と、低抵抗多結晶シリコンエッチングのバイアス電力が第1実施形態と異なっており、それ以外は第1実施形態と同様なので重複する説明を省略する。
16 ゲート電極形成領域
18 ゲート電極非形成領域
20 シリコン酸化膜
24、26 不純物拡散領域
30 多結晶シリコン膜
30a 低抵抗多結晶シリコン膜
31 アモルファスシリコン膜
32 ゲート電極
33 単結晶粒
34 結晶粒界
35 側面
36 パターンエッジ
38 平均基準線
40 反射防止膜
50 レジストパターン
60 第1層間絶縁膜
62 導電プラグ
70 第2層間絶縁膜
72 第1メタル配線
82 第2メタル配線
Claims (6)
- 半導体基板上にシリコン酸化膜及び多結晶シリコン膜を順次に形成する工程と、
前記多結晶シリコン膜に不純物を注入した後、熱処理を行うことにより、前記多結晶シリコン膜を低抵抗化して低抵抗多結晶シリコン膜に変える工程と、
前記低抵抗多結晶シリコン膜上に、ゲート電極が形成される領域部分を覆い、かつ他の領域部分を露出するレジストパターンを形成する工程と、
該レジストパターンを用いた、バイアス電力を最小でも100Wとしたドライエッチングを行うことにより、前記低抵抗多結晶シリコン膜の露出した領域部分を除去してゲート電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にシリコン酸化膜及びアモルファスシリコン膜を順次に形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜に不純物を注入した後、熱処理を行うことにより、前記アモルファスシリコン膜を低抵抗多結晶シリコン膜に改質する工程と、
前記低抵抗多結晶シリコン膜上に、ゲート電極が形成される領域部分を覆い、かつ他の領域部分を露出するレジストパターンを形成する工程と、
該レジストパターンを用いたドライエッチングを行うことにより、前記低抵抗多結晶シリコン膜の露出した領域部分を除去してゲート電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記不純物としてリン(P)又はホウ素(B)を注入する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載に半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上にシリコン酸化膜及び多結晶シリコン膜を順次に形成する工程と、
前記多結晶シリコン膜に不純物としてヒ素(As)を注入した後、熱処理を行うことにより、前記多結晶シリコン膜を低抵抗化して低抵抗多結晶シリコン膜に変える工程と、
前記低抵抗多結晶シリコン膜上にゲート電極が形成される領域部分を覆い、及び他の領域部分を露出するレジストパターンを形成する工程と、
該レジストパターンを用いたドライエッチングを行うことにより、前記低抵抗多結晶シリコン膜の露出した領域部分を除去してゲート電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - ゲート電極を形成する工程の後、層間絶縁膜及び多層のメタル配線を形成する工程が行われ、
最下層のメタル配線の最小ハーフピッチが最大でも90nmである
ことを特徴とする請求項4に記載に半導体装置の製造方法。 - 前記ドライエッチングでは、エッチングガスとして臭化水素(HBr)、塩素(Cl2)及び酸素(O2)の混合ガスを用いる
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2006249461A JP2008071951A (ja) | 2006-09-14 | 2006-09-14 | 半導体装置の製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015211139A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびドライエッチング方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH03280578A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPH0737992A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003068709A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-07 | Tokyo Electron Ltd | ドライエッチング方法 |
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2006
- 2006-09-14 JP JP2006249461A patent/JP2008071951A/ja active Pending
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