JP2002319569A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JP2002319569A JP2002319569A JP2001121794A JP2001121794A JP2002319569A JP 2002319569 A JP2002319569 A JP 2002319569A JP 2001121794 A JP2001121794 A JP 2001121794A JP 2001121794 A JP2001121794 A JP 2001121794A JP 2002319569 A JP2002319569 A JP 2002319569A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリシリコン層の上に形成されたタングステ
ンシリサイドをエッチングする際に、従来に較べてポリ
シリコン層の残膜量を均一化することができ、良質な半
導体装置を安定して製造することのできるドライエッチ
ング方法を提供する。 【解決手段】 エッチングガスとしてＣｌ2 ＋Ｏ2 のガ
スを使用し、プラズマエッチングにより、タングステン
シリサイド層１０４をエッチングする。タングステンシ
リサイド層１０４のエッチングがほぼ終了した時点で、
エッチングガスをＣｌ2 ＋Ｏ2 ＋ＮＦ3 に変更して、プ
ラズマエッチングによるオーバーエッチングを行い、タ
ングステンシリサイド層１０４の下側に形成されたポリ
シリコン層１０３をわずかに均一にエッチングした状態
で、エッチング工程を終了する。
ンシリサイドをエッチングする際に、従来に較べてポリ
シリコン層の残膜量を均一化することができ、良質な半
導体装置を安定して製造することのできるドライエッチ
ング方法を提供する。 【解決手段】 エッチングガスとしてＣｌ2 ＋Ｏ2 のガ
スを使用し、プラズマエッチングにより、タングステン
シリサイド層１０４をエッチングする。タングステンシ
リサイド層１０４のエッチングがほぼ終了した時点で、
エッチングガスをＣｌ2 ＋Ｏ2 ＋ＮＦ3 に変更して、プ
ラズマエッチングによるオーバーエッチングを行い、タ
ングステンシリサイド層１０４の下側に形成されたポリ
シリコン層１０３をわずかに均一にエッチングした状態
で、エッチング工程を終了する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
におけるドライエッチング方法に係り、特に、ポリシリ
コン層の上に形成されたタングステンシリサイド層を、
マスク層を介してエッチングするドライエッチング方法
に関する。
におけるドライエッチング方法に係り、特に、ポリシリ
コン層の上に形成されたタングステンシリサイド層を、
マスク層を介してエッチングするドライエッチング方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の電極材料等として、
タングステンシリサイドが多く使用されている。また、
半導体装置におけるＭＯＳトランジスタのゲート電極で
は、ポリシリコン層（多結晶シリコン）の上にタングス
テンシリサイド等の金属シリサイドを積層させたポリサ
イド構造のものが多く使用されている。
タングステンシリサイドが多く使用されている。また、
半導体装置におけるＭＯＳトランジスタのゲート電極で
は、ポリシリコン層（多結晶シリコン）の上にタングス
テンシリサイド等の金属シリサイドを積層させたポリサ
イド構造のものが多く使用されている。
【０００３】かかるポリサイド構造のゲート電極等を製
造する場合、図５（ａ）に示すように、シリコン基板２
０１上に、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2 ）２０２、ポリシリ
コン層２０３、タングステンシリサイド層２０４をこの
順で順次形成し、タングステンシリサイド層２０４の上
に、シリコン窒化膜やフォトレジスト等からなるパター
ニングされたマスク層２０５を形成する。
造する場合、図５（ａ）に示すように、シリコン基板２
０１上に、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2 ）２０２、ポリシリ
コン層２０３、タングステンシリサイド層２０４をこの
順で順次形成し、タングステンシリサイド層２０４の上
に、シリコン窒化膜やフォトレジスト等からなるパター
ニングされたマスク層２０５を形成する。
【０００４】そして、このマスク層２０５を介して、エ
ッチングを行うことにより、まず、タングステンシリサ
イド層２０４をパターニングする。
ッチングを行うことにより、まず、タングステンシリサ
イド層２０４をパターニングする。
【０００５】かかるタングステンシリサイド層２０４の
エッチング工程では、従来、Ｃｌ2＋Ｏ2 等からなるエ
ッチングガスを使用したプラズマエッチングが一般的に
用いられている。
エッチング工程では、従来、Ｃｌ2＋Ｏ2 等からなるエ
ッチングガスを使用したプラズマエッチングが一般的に
用いられている。
【０００６】また、上記のタングステンシリサイド層２
０４のエッチングの際、一般に、段差部の除去等のため
に、ある程度所謂オーバーエッチングを行われており、
このオーバーエッチングによって、図５（ｂ）に示すよ
うに、ポリシリコン層２０３の表面も、ある程度エッチ
ングされることになる。
０４のエッチングの際、一般に、段差部の除去等のため
に、ある程度所謂オーバーエッチングを行われており、
このオーバーエッチングによって、図５（ｂ）に示すよ
うに、ポリシリコン層２０３の表面も、ある程度エッチ
ングされることになる。
【０００７】なお、上記タングステンシリサイド層２０
４のエッチングの後、ポリシリコン層２０３のエッチン
グを行うことにより、所定パターンのポリサイド構造が
得られる。
４のエッチングの後、ポリシリコン層２０３のエッチン
グを行うことにより、所定パターンのポリサイド構造が
得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したとおり、従来
のタングステンシリサイド層のエッチング工程において
は、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 等からなるエッチングガスを使用した
１ステップのプラズマエッチングが一般的に用いられて
いる。
のタングステンシリサイド層のエッチング工程において
は、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 等からなるエッチングガスを使用した
１ステップのプラズマエッチングが一般的に用いられて
いる。
【０００９】しかしながら、かかる従来の方法では、タ
ングステンシリサイドとポリシリコンとの選択比を高め
ようとすると、パターン形状の悪化や、残渣が生じると
いう問題が発生するため、タングステンシリサイドとポ
リシリコンとの選択比を高めることが困難であり、この
ため、前述したオーバーエッチングの際に、下層である
ポリシリコン層が多くエッチングされ、ウエハ面内にお
いて、エッチング終了時のポリシリコン層の残膜量（図
５（ｂ）に示すＲ）に大きなばらつきが生じるという問
題があった。
ングステンシリサイドとポリシリコンとの選択比を高め
ようとすると、パターン形状の悪化や、残渣が生じると
いう問題が発生するため、タングステンシリサイドとポ
リシリコンとの選択比を高めることが困難であり、この
ため、前述したオーバーエッチングの際に、下層である
ポリシリコン層が多くエッチングされ、ウエハ面内にお
いて、エッチング終了時のポリシリコン層の残膜量（図
５（ｂ）に示すＲ）に大きなばらつきが生じるという問
題があった。
【００１０】上記の問題は、特に、形成されるパターン
の形状が、隣接するパターン同士が近接して密に配置さ
れた部分と、隣接するパターン同士が離間して疎に配置
された部分を有する場合に大きな問題となる。
の形状が、隣接するパターン同士が近接して密に配置さ
れた部分と、隣接するパターン同士が離間して疎に配置
された部分を有する場合に大きな問題となる。
【００１１】すなわち、パターンが、密に配置された部
分と、疎に配置された部分とによって、タングステンシ
リサイドのエッチングレート（エッチング速度）に相違
が生じるため、結果として、下地のポリシリコン層が露
出するタイミングにずれが生じ、ポリシリコン層が早く
露出した部分では、ポリシリコン層のエッチング量が多
くなって残膜量が減少し、逆にポリシリコン層が遅く露
出した部分では、ポリシリコン層のエッチング量が少な
くなって残膜量が多くなるため、ポリシリコン層の残膜
量に大きなばらつきが生じるためである。
分と、疎に配置された部分とによって、タングステンシ
リサイドのエッチングレート（エッチング速度）に相違
が生じるため、結果として、下地のポリシリコン層が露
出するタイミングにずれが生じ、ポリシリコン層が早く
露出した部分では、ポリシリコン層のエッチング量が多
くなって残膜量が減少し、逆にポリシリコン層が遅く露
出した部分では、ポリシリコン層のエッチング量が少な
くなって残膜量が多くなるため、ポリシリコン層の残膜
量に大きなばらつきが生じるためである。
【００１２】そして、上記のようにポリシリコン層の残
膜量に大きなばらつきが生じると、次の工程であるポリ
シリコン層のエッチング工程において、ポリシリコン層
の残膜量が少ない部分では、残膜量の多い部分に較べて
早く下層のゲート酸化膜が露出し、ゲート酸化膜が露出
するタイミングにずれが生じるため、早く露出したゲー
ト酸化膜がダメージを受けて、ゲート酸化膜としてブレ
イクし易くなってしまい、歩留まりの低下や品質の低下
を招くという問題があった。
膜量に大きなばらつきが生じると、次の工程であるポリ
シリコン層のエッチング工程において、ポリシリコン層
の残膜量が少ない部分では、残膜量の多い部分に較べて
早く下層のゲート酸化膜が露出し、ゲート酸化膜が露出
するタイミングにずれが生じるため、早く露出したゲー
ト酸化膜がダメージを受けて、ゲート酸化膜としてブレ
イクし易くなってしまい、歩留まりの低下や品質の低下
を招くという問題があった。
【００１３】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べてポリシリコン層の残膜量を
均一化することができ、良質な半導体装置を安定して製
造することのできるドライエッチング方法を提供しよう
とするものである。
されたもので、従来に較べてポリシリコン層の残膜量を
均一化することができ、良質な半導体装置を安定して製
造することのできるドライエッチング方法を提供しよう
とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ポリ
シリコン層の上に形成されたタングステンシリサイド層
を、マスク層を介してエッチングし、当該タングステン
シリサイド層を所定のパターンにパターニングするドラ
イエッチング方法であって、第１のエッチングガスを用
いたプラズマエッチングを行う第１の工程と、前記第１
の工程の後、Ｃｌ2 ガスとＯ2 ガスとＮＦ3 ガスを含む
第２のエッチングガスを用いたプラズマエッチングを行
う第２の工程とを具備し、前記第１のエッチングガス
は、前記第２のエッチングガスと異なるガスであること
を特徴とする。
シリコン層の上に形成されたタングステンシリサイド層
を、マスク層を介してエッチングし、当該タングステン
シリサイド層を所定のパターンにパターニングするドラ
イエッチング方法であって、第１のエッチングガスを用
いたプラズマエッチングを行う第１の工程と、前記第１
の工程の後、Ｃｌ2 ガスとＯ2 ガスとＮＦ3 ガスを含む
第２のエッチングガスを用いたプラズマエッチングを行
う第２の工程とを具備し、前記第１のエッチングガス
は、前記第２のエッチングガスと異なるガスであること
を特徴とする。
【００１５】請求項２の発明は、ポリシリコン層の上に
形成されたタングステンシリサイド層を、マスク層を介
してエッチングし、当該タングステンシリサイド層を所
定のパターンにパターニングするドライエッチング方法
であって、Ｃｌ2 ガスとＯ2 ガスとを含み、ＮＦ3 ガス
を含まない第１のエッチングガスを用いたプラズマエッ
チングを行う第１の工程と、前記第１の工程の後、Ｃｌ
2 ガスとＯ2 ガスとＮＦ3 ガスを含む第２のエッチング
ガスを用いたプラズマエッチングを行う第２の工程とを
具備したことを特徴とする。
形成されたタングステンシリサイド層を、マスク層を介
してエッチングし、当該タングステンシリサイド層を所
定のパターンにパターニングするドライエッチング方法
であって、Ｃｌ2 ガスとＯ2 ガスとを含み、ＮＦ3 ガス
を含まない第１のエッチングガスを用いたプラズマエッ
チングを行う第１の工程と、前記第１の工程の後、Ｃｌ
2 ガスとＯ2 ガスとＮＦ3 ガスを含む第２のエッチング
ガスを用いたプラズマエッチングを行う第２の工程とを
具備したことを特徴とする。
【００１６】請求項３の発明は、請求項２記載のドライ
エッチング方法において、前記第２のエッチングガスの
Ｏ2 ガスの流量が前記第１のエッチングガスのＯ 2 ガス
の流量より多く、前記第２のエッチングガスのＣｌ2 ガ
スの流量が、前記第１のエッチングガスのＣｌ2 ガスの
流量より少ないことを特徴とする。
エッチング方法において、前記第２のエッチングガスの
Ｏ2 ガスの流量が前記第１のエッチングガスのＯ 2 ガス
の流量より多く、前記第２のエッチングガスのＣｌ2 ガ
スの流量が、前記第１のエッチングガスのＣｌ2 ガスの
流量より少ないことを特徴とする。
【００１７】請求項４の発明は、請求項２又は３記載の
ドライエッチング方法において、前記第２のエッチング
ガスのＣｌ2 ガスとＯ2 ガスとＮＦ3 ガスとの比率が、
Ｃｌ2 が１０〜７０％、Ｏ2 が２０〜５０％、ＮＦ3 が
１０〜７０％の流量比で供給されることを特徴とする。
ドライエッチング方法において、前記第２のエッチング
ガスのＣｌ2 ガスとＯ2 ガスとＮＦ3 ガスとの比率が、
Ｃｌ2 が１０〜７０％、Ｏ2 が２０〜５０％、ＮＦ3 が
１０〜７０％の流量比で供給されることを特徴とする。
【００１８】請求項５の発明は、請求項１〜４いずれか
１項記載のドライエッチング方法において、前記第１及
び第２の工程が、平行平板型のプラズマエッチング装置
によって行われることを特徴とする。
１項記載のドライエッチング方法において、前記第１及
び第２の工程が、平行平板型のプラズマエッチング装置
によって行われることを特徴とする。
【００１９】請求項６の発明は、請求項１〜５いずれか
１項記載のドライエッチング方法において、前記所定の
パターンは、隣接するパターン同士が近接して密に配置
された部分と、隣接するパターン同士が離間して疎に配
置された部分を有することを特徴とする。
１項記載のドライエッチング方法において、前記所定の
パターンは、隣接するパターン同士が近接して密に配置
された部分と、隣接するパターン同士が離間して疎に配
置された部分を有することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を、図面を参
照して実施の形態について説明する。
照して実施の形態について説明する。
【００２１】図１は、本発明の一実施形態を説明するた
め、半導体ウエハ（シリコン基板）の縦断面の一部を拡
大して模式的に示すものである。同図（ａ）に示すとお
り、シリコン基板１０１の上には、ゲート酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）１０２、ポリシリコン層１０３、タングステンシ
リサイド層１０４が、下側からこの順で形成されてお
り、タングステンシリサイド層１０４上には、所定のパ
ターンにパターニングされたマスク層１０５が形成され
ている。
め、半導体ウエハ（シリコン基板）の縦断面の一部を拡
大して模式的に示すものである。同図（ａ）に示すとお
り、シリコン基板１０１の上には、ゲート酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 ）１０２、ポリシリコン層１０３、タングステンシ
リサイド層１０４が、下側からこの順で形成されてお
り、タングステンシリサイド層１０４上には、所定のパ
ターンにパターニングされたマスク層１０５が形成され
ている。
【００２２】上記マスク層１０５は、シリコン窒化膜や
フォトレジスト等から構成されており、図中左側部分に
示すように、隣接するパターン同士が近接して密に配置
された部分と、図中右側部分に示すように、隣接するパ
ターン同士が離間して疎に配置された部分を有する形状
のパターンとされている。
フォトレジスト等から構成されており、図中左側部分に
示すように、隣接するパターン同士が近接して密に配置
された部分と、図中右側部分に示すように、隣接するパ
ターン同士が離間して疎に配置された部分を有する形状
のパターンとされている。
【００２３】本実施形態においては、まず、図１（ａ）
に示す状態から、エッチングガスとしてＣｌ2 ＋Ｏ2 の
ガスを使用し、プラズマエッチングにより、タングステ
ンシリサイド層１０４をエッチングする。
に示す状態から、エッチングガスとしてＣｌ2 ＋Ｏ2 の
ガスを使用し、プラズマエッチングにより、タングステ
ンシリサイド層１０４をエッチングする。
【００２４】そして、図１（ｂ）に示す状態のように、
タングステンシリサイド層１０４の下側に形成されたポ
リシリコン層１０３が露出した時点（タングステンシリ
サイド層１０４の裾部が残っている状態）で、エッチン
グガスを上記ガスから、Ｃｌ 2 ＋Ｏ2 ＋ＮＦ3 に変更し
て、プラズマエッチングによるオーバーエッチングを行
い、図１（ｃ）に示す状態のように、タングステンシリ
サイド層１０４を完全にエッチングする。この際タング
ステンシリサイド層１０４の下側に形成されたポリシリ
コン層１０３をわずかに均一にエッチングした状態で、
エッチング工程を終了する。
タングステンシリサイド層１０４の下側に形成されたポ
リシリコン層１０３が露出した時点（タングステンシリ
サイド層１０４の裾部が残っている状態）で、エッチン
グガスを上記ガスから、Ｃｌ 2 ＋Ｏ2 ＋ＮＦ3 に変更し
て、プラズマエッチングによるオーバーエッチングを行
い、図１（ｃ）に示す状態のように、タングステンシリ
サイド層１０４を完全にエッチングする。この際タング
ステンシリサイド層１０４の下側に形成されたポリシリ
コン層１０３をわずかに均一にエッチングした状態で、
エッチング工程を終了する。
【００２５】これによって、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 のエッチング
ガスを使用した従来の１ステップによるエッチングと同
様に、パターン形状が良好で、残渣が生じることもな
く、エッチングを行うことができ、これに加えて、オー
バーエッチング時のタングステンシリサイドとポリシリ
コンとの選択比（タングステンシリサイドのエッチング
レート／ポリシリコンのエッチングレート）を高めるこ
とができるので、タングステンシリサイド層１０４のエ
ッチング工程終了時におけるポリシリコン層１０３の残
膜量を、シリコン基板１０１の面内において、より均一
化することができる。
ガスを使用した従来の１ステップによるエッチングと同
様に、パターン形状が良好で、残渣が生じることもな
く、エッチングを行うことができ、これに加えて、オー
バーエッチング時のタングステンシリサイドとポリシリ
コンとの選択比（タングステンシリサイドのエッチング
レート／ポリシリコンのエッチングレート）を高めるこ
とができるので、タングステンシリサイド層１０４のエ
ッチング工程終了時におけるポリシリコン層１０３の残
膜量を、シリコン基板１０１の面内において、より均一
化することができる。
【００２６】図２は、本発明の実施形態に使用するプラ
ズマ処理装置の構成の一例を模式的に示すものである。
同図に示すように、プラズマ処理装置１は、電極板が上
下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続され
た容量結合型平行平板エッチング装置として構成されて
いる。
ズマ処理装置の構成の一例を模式的に示すものである。
同図に示すように、プラズマ処理装置１は、電極板が上
下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続され
た容量結合型平行平板エッチング装置として構成されて
いる。
【００２７】このエッチング処理装置１は、例えば表面
がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム
からなる円筒形状に成形されたチャンバー２を有してお
り、このチャンバー２は接地されている。チャンバー２
内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、ウエ
ハＷ（シリコン基板１０１）を載置するための略円柱状
のサセプタ支持台４が設けられており、さらにこのサセ
プタ支持台４の上には、下部電極を構成するサセプタ５
が設けられている。このサセプタ５にはハイパスフィル
ター（ＨＰＦ）６が接続されている。
がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム
からなる円筒形状に成形されたチャンバー２を有してお
り、このチャンバー２は接地されている。チャンバー２
内の底部にはセラミックなどの絶縁板３を介して、ウエ
ハＷ（シリコン基板１０１）を載置するための略円柱状
のサセプタ支持台４が設けられており、さらにこのサセ
プタ支持台４の上には、下部電極を構成するサセプタ５
が設けられている。このサセプタ５にはハイパスフィル
ター（ＨＰＦ）６が接続されている。
【００２８】サセプタ支持台４の内部には、温度調節媒
体室７が設けられており、導入管８を介して温度調節媒
体室７に温度調節媒体が導入、循環され、サセプタ５を
所望の温度に制御できるようになっている。
体室７が設けられており、導入管８を介して温度調節媒
体室７に温度調節媒体が導入、循環され、サセプタ５を
所望の温度に制御できるようになっている。
【００２９】サセプタ５は、その上中央部が凸状の円板
状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャッ
ク１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材
の間に電極１２が介在された構成となっており、電極１
２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直
流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウ
エハＷを静電吸着する。
状に成形され、その上にウエハＷと略同形の静電チャッ
ク１１が設けられている。静電チャック１１は、絶縁材
の間に電極１２が介在された構成となっており、電極１
２に接続された直流電源１３から例えば１．５ｋＶの直
流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウ
エハＷを静電吸着する。
【００３０】そして、絶縁板３、サセプタ支持台４、サ
セプタ５、さらには静電チャック１１には、被処理体で
あるウエハＷの裏面に、伝熱媒体、例えばＨｅガスなど
を供給するためのガス通路１４が形成されており、この
伝熱媒体を介してサセプタ５とウエハＷとの間の熱伝達
がなされ、ウエハＷが所定の温度に維持されるようにな
っている。
セプタ５、さらには静電チャック１１には、被処理体で
あるウエハＷの裏面に、伝熱媒体、例えばＨｅガスなど
を供給するためのガス通路１４が形成されており、この
伝熱媒体を介してサセプタ５とウエハＷとの間の熱伝達
がなされ、ウエハＷが所定の温度に維持されるようにな
っている。
【００３１】サセプタ５の上端周縁部には、静電チャッ
ク１１上に載置されたウエハＷを囲むように、環状のフ
ォーカスリング１５が配置されている。このフォーカス
リング１５はセラミックス或いは石英などの絶縁性材料
からなり、エッチングの均一性を向上させるようになっ
ている。
ク１１上に載置されたウエハＷを囲むように、環状のフ
ォーカスリング１５が配置されている。このフォーカス
リング１５はセラミックス或いは石英などの絶縁性材料
からなり、エッチングの均一性を向上させるようになっ
ている。
【００３２】また、サセプタ５の上方には、このサセプ
タ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。
この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、チャンバー
２の上部に支持されており、サセプタ５との対向面を構
成し、多数の吐出孔２３を有する例えばシリコン、石英
からなる電極板２４と、この電極２４を支持する導電性
材料例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムか
らなる電極支持体２５とによって構成されている。な
お、サセプタ５と上部電極２１との間隔は、調節可能と
されている。
タ５と平行に対向して上部電極２１が設けられている。
この上部電極２１は、絶縁材２２を介して、チャンバー
２の上部に支持されており、サセプタ５との対向面を構
成し、多数の吐出孔２３を有する例えばシリコン、石英
からなる電極板２４と、この電極２４を支持する導電性
材料例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムか
らなる電極支持体２５とによって構成されている。な
お、サセプタ５と上部電極２１との間隔は、調節可能と
されている。
【００３３】上部電極２１における電極支持体２５の中
央にはガス導入口２６が設けられ、さらにこのガス導入
口２６には、ガス供給管２７が接続されており、さらに
このガス供給管２７には、バルブ２８、並びにマスフロ
ーコントローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接
続され、この処理ガス供給源３０から、プラズマエッチ
ングのためのエッチングガスが供給されるようになって
いる。なお、図２には、上記の処理ガス供給源３０等か
らなる処理ガス供給系を１つのみ図示しているが、これ
らの処理ガス供給系は複数設けられており、例えば、Ｃ
ｌ2 、Ｏ2 、ＮＦ3 等のガスを夫々独立に流量制御し
て、チャンバー２内に供給できるよう構成されている。
央にはガス導入口２６が設けられ、さらにこのガス導入
口２６には、ガス供給管２７が接続されており、さらに
このガス供給管２７には、バルブ２８、並びにマスフロ
ーコントローラ２９を介して、処理ガス供給源３０が接
続され、この処理ガス供給源３０から、プラズマエッチ
ングのためのエッチングガスが供給されるようになって
いる。なお、図２には、上記の処理ガス供給源３０等か
らなる処理ガス供給系を１つのみ図示しているが、これ
らの処理ガス供給系は複数設けられており、例えば、Ｃ
ｌ2 、Ｏ2 、ＮＦ3 等のガスを夫々独立に流量制御し
て、チャンバー２内に供給できるよう構成されている。
【００３４】一方、チャンバー２の底部には排気管３１
が接続されており、この排気管３１には排気装置３５が
接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなど
の真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内
を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力ま
で真空引き可能なように構成されている。また、チャン
バー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、
このゲートバルブ３２を開にした状態でウエハＷが隣接
するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるよ
うになっている。
が接続されており、この排気管３１には排気装置３５が
接続されている。排気装置３５はターボ分子ポンプなど
の真空ポンプを備えており、これによりチャンバー２内
を所定の減圧雰囲気、例えば１Ｐａ以下の所定の圧力ま
で真空引き可能なように構成されている。また、チャン
バー２の側壁にはゲートバルブ３２が設けられており、
このゲートバルブ３２を開にした状態でウエハＷが隣接
するロードロック室（図示せず）との間で搬送されるよ
うになっている。
【００３５】上部電極２１には、第１の高周波電源４０
が接続されており、その給電線には整合器４１が介挿さ
れている。また、上部電極２１にはローパスフィルター
（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波電
源４０は、５０〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有して
おり、このように高い周波数を印加することによりチャ
ンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマ
を形成することができ、従来より低圧条件下のプラズマ
処理が可能となる。この第１の高周波電源４０の周波数
は、５０〜８０ＭＨｚが好ましく、典型的には図示した
６０ＭＨｚまたはその近傍の条件が採用される。
が接続されており、その給電線には整合器４１が介挿さ
れている。また、上部電極２１にはローパスフィルター
（ＬＰＦ）４２が接続されている。この第１の高周波電
源４０は、５０〜１５０ＭＨｚの範囲の周波数を有して
おり、このように高い周波数を印加することによりチャ
ンバー２内に好ましい解離状態でかつ高密度のプラズマ
を形成することができ、従来より低圧条件下のプラズマ
処理が可能となる。この第１の高周波電源４０の周波数
は、５０〜８０ＭＨｚが好ましく、典型的には図示した
６０ＭＨｚまたはその近傍の条件が採用される。
【００３６】下部電極としてのサセプタ５には、第２の
高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合
器５１が介挿されている。この第２の高周波電源５０は
数百〜十数ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このよ
うな範囲の周波数を印加することにより、被処理体であ
るウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイ
オン作用を与えることができる。第２の高周波電源５０
の周波数は、典型的には図示した１３．５６ＭＨｚまた
はその近傍の条件が採用される。
高周波電源５０が接続されており、その給電線には整合
器５１が介挿されている。この第２の高周波電源５０は
数百〜十数ＭＨｚの範囲の周波数を有しており、このよ
うな範囲の周波数を印加することにより、被処理体であ
るウエハＷに対してダメージを与えることなく適切なイ
オン作用を与えることができる。第２の高周波電源５０
の周波数は、典型的には図示した１３．５６ＭＨｚまた
はその近傍の条件が採用される。
【００３７】次に、上記構成のプラズマ処理装置１によ
って、ウエハＷ（シリコン基板１０１）に形成されたタ
ングステンシリサイド層１０４をエッチングする工程に
ついて説明する。
って、ウエハＷ（シリコン基板１０１）に形成されたタ
ングステンシリサイド層１０４をエッチングする工程に
ついて説明する。
【００３８】まず、前述した図１（ａ）の状態とされた
ウエハＷ（シリコン基板１０１）を、ゲートバルブ３２
を開放して、図示しないロードロック室からチャンバー
２内へ搬入し、静電チャック１１上に載置する。そし
て、高圧直流電源１３から直流電圧を印加することによ
って、ウエハＷを静電チャック１１上に静電吸着する。
ウエハＷ（シリコン基板１０１）を、ゲートバルブ３２
を開放して、図示しないロードロック室からチャンバー
２内へ搬入し、静電チャック１１上に載置する。そし
て、高圧直流電源１３から直流電圧を印加することによ
って、ウエハＷを静電チャック１１上に静電吸着する。
【００３９】次いで、ゲートバルブ３２を閉じ、排気機
構３５によって、チャンバー２内を所定の真空度まで真
空引した後、バルブ２８を開放し、処理ガス供給源３０
からＣｌ2 ＋Ｏ2 のエッチングガス（第１のエッチング
ガス）を、マスフローコントローラ２９によってその流
量を調整しつつ、処理ガス供給管２７、ガス導入口２
６、上部電極２１の中空部、電極板２４の吐出孔２３を
通じて、図１の矢印に示すように、ウエハＷに対して均
一に吐出させる。これとともに、チャンバー２内の圧力
が、所定の圧力に維持され、第１の高周波電源４０及び
第２の高周波電源５０から、上部電極２１及び下部電極
としてのサセプタ５に高周波電圧を印加し、エッチング
ガスをプラズマ化して、ウエハＷのタングステンシリサ
イド層１０４のエッチング（メインエッチング）を行
う。
構３５によって、チャンバー２内を所定の真空度まで真
空引した後、バルブ２８を開放し、処理ガス供給源３０
からＣｌ2 ＋Ｏ2 のエッチングガス（第１のエッチング
ガス）を、マスフローコントローラ２９によってその流
量を調整しつつ、処理ガス供給管２７、ガス導入口２
６、上部電極２１の中空部、電極板２４の吐出孔２３を
通じて、図１の矢印に示すように、ウエハＷに対して均
一に吐出させる。これとともに、チャンバー２内の圧力
が、所定の圧力に維持され、第１の高周波電源４０及び
第２の高周波電源５０から、上部電極２１及び下部電極
としてのサセプタ５に高周波電圧を印加し、エッチング
ガスをプラズマ化して、ウエハＷのタングステンシリサ
イド層１０４のエッチング（メインエッチング）を行
う。
【００４０】そして、図示しない終点検出器により、タ
ングステンシリサイド層１０４のエッチングの終点が検
出され、前述した図１（ｂ）の状態となった時点で、一
旦エッチングを停止してエッチングガスを切り替える
か、若しくは、エッチングを続行しつつエッチングガス
のみを切り替えることによって、エッチングガスをＣｌ
2 ＋Ｏ2＋ＮＦ3 （第２のエッチングガス）とし、オー
バーエッチングを行う。このオーバーエッチングを所定
時間行い、前述した図１（ｃ）の状態となった時点でオ
ーバーエッチングを停止し、タングステンシリサイド層
１０４のエッチング工程を終了する。
ングステンシリサイド層１０４のエッチングの終点が検
出され、前述した図１（ｂ）の状態となった時点で、一
旦エッチングを停止してエッチングガスを切り替える
か、若しくは、エッチングを続行しつつエッチングガス
のみを切り替えることによって、エッチングガスをＣｌ
2 ＋Ｏ2＋ＮＦ3 （第２のエッチングガス）とし、オー
バーエッチングを行う。このオーバーエッチングを所定
時間行い、前述した図１（ｃ）の状態となった時点でオ
ーバーエッチングを停止し、タングステンシリサイド層
１０４のエッチング工程を終了する。
【００４１】上述の工程により、まず、以下の条件、 第１のエッチングガス：Ｃｌ2 （流量３３SCCM）＋Ｏ2
（流量２SCCM） 圧力：０．６７Ｐａ 上部電極印加高周波電力：４７５Ｗ 下部電極印加高周波電力：５０Ｗ 電極間距離：１５０ｍｍ により第１のエッチング工程（メインエッチング）を行
い、次に、以下の条件、 第２のエッチングガス：Ｃｌ2 （流量１０SCCM）＋Ｏ2
（流量２０SCCM）＋ＮＦ3 （流量２０SCCM） 圧力：１．３Ｐａ 上部電極印加高周波電力：５００Ｗ 下部電極印加高周波電力：１００Ｗ 電極間距離：１５０ｍｍ により第２のエッチング工程（オーバーエッチング）を
行った。
（流量２SCCM） 圧力：０．６７Ｐａ 上部電極印加高周波電力：４７５Ｗ 下部電極印加高周波電力：５０Ｗ 電極間距離：１５０ｍｍ により第１のエッチング工程（メインエッチング）を行
い、次に、以下の条件、 第２のエッチングガス：Ｃｌ2 （流量１０SCCM）＋Ｏ2
（流量２０SCCM）＋ＮＦ3 （流量２０SCCM） 圧力：１．３Ｐａ 上部電極印加高周波電力：５００Ｗ 下部電極印加高周波電力：１００Ｗ 電極間距離：１５０ｍｍ により第２のエッチング工程（オーバーエッチング）を
行った。
【００４２】なお、上記のエッチング工程の切り替え
は、図３に示すように、プラズマ中の波長７０４ｎｍの
光が減少することによって、検出されるタングステンシ
リサイド層１０４のエッチングの終点（図３に示される
曲線のスロープの終点Ｅ）を、終点検出装置によって検
出することによって行った。また、第２のエッチング工
程（オーバーエッチング）は、第１のエッチング工程
（メインエッチング）を行った時間に対して、４０％に
相当する時間行った。
は、図３に示すように、プラズマ中の波長７０４ｎｍの
光が減少することによって、検出されるタングステンシ
リサイド層１０４のエッチングの終点（図３に示される
曲線のスロープの終点Ｅ）を、終点検出装置によって検
出することによって行った。また、第２のエッチング工
程（オーバーエッチング）は、第１のエッチング工程
（メインエッチング）を行った時間に対して、４０％に
相当する時間行った。
【００４３】第１のエッチング工程の終点としては、下
地のポリシリコン層１０３が露出し始めたＥ´からタン
グステンシリサイド層１０４のエッチングが完了する直
前のＥの間の所定のタイミングで検出することが好まし
い。ポリシリコン層１０３のオーバーエッチングを最も
抑制する上では、Ｅ´を第１エッチング工程の終点とす
ることが好ましい。
地のポリシリコン層１０３が露出し始めたＥ´からタン
グステンシリサイド層１０４のエッチングが完了する直
前のＥの間の所定のタイミングで検出することが好まし
い。ポリシリコン層１０３のオーバーエッチングを最も
抑制する上では、Ｅ´を第１エッチング工程の終点とす
ることが好ましい。
【００４４】上記工程によるエッチングを行ったウエハ
の、ポリシリコン層１０３の残膜量を測定したところ、
ウエハ面内における残膜量の最大値と最小値との差（ト
ータルローディング）は、７．４ｎｍであった。オーバ
ーエッチングを８０％にしてもトータルローディングは
ほとんど増加しなかった。
の、ポリシリコン層１０３の残膜量を測定したところ、
ウエハ面内における残膜量の最大値と最小値との差（ト
ータルローディング）は、７．４ｎｍであった。オーバ
ーエッチングを８０％にしてもトータルローディングは
ほとんど増加しなかった。
【００４５】一方、比較のため、上記の第１のエッチン
グ工程（メインエッチング）のエッチング条件のまま、
オーバーエッチングを、メインエッチングの４０％に相
当する時間行ったところ、ウエハ面内における残膜量の
最大値と最小値との差（トータルローディング）は、１
８．８ｎｍであった。
グ工程（メインエッチング）のエッチング条件のまま、
オーバーエッチングを、メインエッチングの４０％に相
当する時間行ったところ、ウエハ面内における残膜量の
最大値と最小値との差（トータルローディング）は、１
８．８ｎｍであった。
【００４６】したがって、上述した２ステップのエッチ
ングを行うことにより、従来に較べて、トータルローデ
ィングが１／２以下に改善された。
ングを行うことにより、従来に較べて、トータルローデ
ィングが１／２以下に改善された。
【００４７】また、エッチング後のウエハを、走査電子
顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、パターニングされ
たタングステンシリサイド層１０４の形状も良好で残渣
もみられなかった。さらに、上記工程に引き続き、ポリ
シリコン層１０３のエッチングを行ったところ、パター
ニングされたポリシリコン層１０３及びタングステンシ
リサイド層１０４の形状も良好で残渣もみられなかっ
た。
顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、パターニングされ
たタングステンシリサイド層１０４の形状も良好で残渣
もみられなかった。さらに、上記工程に引き続き、ポリ
シリコン層１０３のエッチングを行ったところ、パター
ニングされたポリシリコン層１０３及びタングステンシ
リサイド層１０４の形状も良好で残渣もみられなかっ
た。
【００４８】また、上記第２のエッチング工程における
タングステンシリサイドとポリシリコンとの選択比（タ
ングステンシリサイドのエッチングレート／ポリシリコ
ンのエッチングレート）を測定したところ、ブランケッ
ト（パターンのない）ウエハに対しては２．１、パター
ンのあるウエハに対しては４．４であった。一方、第１
のエッチング工程における上記の選択比は、夫々１．１
と、１．５であり、第２のエッチング工程において、第
１のエッチング工程に較べて選択比が向上していること
が確認された。
タングステンシリサイドとポリシリコンとの選択比（タ
ングステンシリサイドのエッチングレート／ポリシリコ
ンのエッチングレート）を測定したところ、ブランケッ
ト（パターンのない）ウエハに対しては２．１、パター
ンのあるウエハに対しては４．４であった。一方、第１
のエッチング工程における上記の選択比は、夫々１．１
と、１．５であり、第２のエッチング工程において、第
１のエッチング工程に較べて選択比が向上していること
が確認された。
【００４９】上記の例では、第２のエッチング工程にお
いて、Ｃｌ2 とＯ2 とＮＦ3 の流量比を、２０％，４０
％，４０％としているが、かかる流量比では、第１のエ
ッチング工程と較べて、ＮＦ3 を添加している点と、Ｃ
ｌ2 の流量比を低下させてＯ 2 の流量比を増加させてい
る点が相違している。これらの理由は、Ｃｌ2 の流量比
を低下させ、かつＯ2 の流量比を増加させることによっ
て、ポリシリコンのエッチングを抑制し選択性を向上す
る点、及び、Ｏ2 の流量比を増加させると残渣が増える
ため、ＮＦ3 を添加することによってかかる残渣を抑制
する点にある。
いて、Ｃｌ2 とＯ2 とＮＦ3 の流量比を、２０％，４０
％，４０％としているが、かかる流量比では、第１のエ
ッチング工程と較べて、ＮＦ3 を添加している点と、Ｃ
ｌ2 の流量比を低下させてＯ 2 の流量比を増加させてい
る点が相違している。これらの理由は、Ｃｌ2 の流量比
を低下させ、かつＯ2 の流量比を増加させることによっ
て、ポリシリコンのエッチングを抑制し選択性を向上す
る点、及び、Ｏ2 の流量比を増加させると残渣が増える
ため、ＮＦ3 を添加することによってかかる残渣を抑制
する点にある。
【００５０】これらのガスの流量比を変更した際のブラ
ンケット（パターンのない）ウエハでの選択比（タング
ステンシリサイドのエッチングレート／ポリシリコンの
エッチングレート）の変化を調べた結果を示すのが図４
である。
ンケット（パターンのない）ウエハでの選択比（タング
ステンシリサイドのエッチングレート／ポリシリコンの
エッチングレート）の変化を調べた結果を示すのが図４
である。
【００５１】同図において、三角形の各頂点は、夫々Ｃ
ｌ2 ，Ｏ2 ，ＮＦ3 の流量が１００％、これらの頂点に
対向する辺上が０％の場合を示しており、各頂点から対
向する辺に向かって次第に流量比が減少することを示し
ている。そして、この三角形の各部に記載された円が、
その大きさによって選択比の数値を示しており、図中斜
線を付した円は、エッチングよりでポジションが多く生
じたため、膜厚が増加したものを示している。
ｌ2 ，Ｏ2 ，ＮＦ3 の流量が１００％、これらの頂点に
対向する辺上が０％の場合を示しており、各頂点から対
向する辺に向かって次第に流量比が減少することを示し
ている。そして、この三角形の各部に記載された円が、
その大きさによって選択比の数値を示しており、図中斜
線を付した円は、エッチングよりでポジションが多く生
じたため、膜厚が増加したものを示している。
【００５２】この図４に示されるとおり、Ｏ2 について
は、あまり流量比を多くすると、エッチングが進行せ
ず、デポジションが生じてしまう。このため、図４に太
線で囲んだ範囲、つまり、Ｏ2 の流量比を２０〜５０％
の流量比の範囲とすることが好ましく、また、Ｃｌ2 ，
ＮＦ3 については、どちらも１０〜７０％の流量比の範
囲とすることが好ましい。これらのガスをかかる流量比
の範囲とすることによって、ブランケット（パターンの
ない）ウエハに対して選択比約１．５以上が得られた。
は、あまり流量比を多くすると、エッチングが進行せ
ず、デポジションが生じてしまう。このため、図４に太
線で囲んだ範囲、つまり、Ｏ2 の流量比を２０〜５０％
の流量比の範囲とすることが好ましく、また、Ｃｌ2 ，
ＮＦ3 については、どちらも１０〜７０％の流量比の範
囲とすることが好ましい。これらのガスをかかる流量比
の範囲とすることによって、ブランケット（パターンの
ない）ウエハに対して選択比約１．５以上が得られた。
【００５３】以上説明したとおり、本発明のドライエッ
チング方法によれば、従来に較べてポリシリコン層の残
膜量を均一化することができる。したがって、ポリシリ
コン層をエッチングする際に、下層の酸化膜層がダメー
ジを受けることを抑制することができ、これによってゲ
ート酸化膜がブレイクすることを抑制することができ
る。
チング方法によれば、従来に較べてポリシリコン層の残
膜量を均一化することができる。したがって、ポリシリ
コン層をエッチングする際に、下層の酸化膜層がダメー
ジを受けることを抑制することができ、これによってゲ
ート酸化膜がブレイクすることを抑制することができ
る。
【００５４】なお、上記の例では、第１のエッチングガ
スとして、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 を使用した場合について説明し
たが、第１のエッチングガスは、タングステンシリサイ
ド層をパターン形状が良く残渣を生じないでエッチング
できるガスであればよく、例えば、Ｃｌ2 ＋ＳＦ6 など
のＣｌ2 を含む他のガス等でもよい。また、第１及び第
２のエッチングガスにはＡｒなどの不活性ガスを添加し
てもよい。
スとして、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 を使用した場合について説明し
たが、第１のエッチングガスは、タングステンシリサイ
ド層をパターン形状が良く残渣を生じないでエッチング
できるガスであればよく、例えば、Ｃｌ2 ＋ＳＦ6 など
のＣｌ2 を含む他のガス等でもよい。また、第１及び第
２のエッチングガスにはＡｒなどの不活性ガスを添加し
てもよい。
【００５５】また、上記の例では、平行平板型のエッチ
ング装置を使用した実施形態について説明したが、本発
明はかかる実施形態に限定されるものではなく、あらゆ
るプラズマエッチング装置を使用できることは、勿論で
ある。
ング装置を使用した実施形態について説明したが、本発
明はかかる実施形態に限定されるものではなく、あらゆ
るプラズマエッチング装置を使用できることは、勿論で
ある。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のドライエ
ッチング方法によれば、従来に較べてポリシリコン層の
残膜量を均一化することができ、良質な半導体装置を安
定して製造することができる。
ッチング方法によれば、従来に較べてポリシリコン層の
残膜量を均一化することができ、良質な半導体装置を安
定して製造することができる。
【図１】本発明の一実施形態を説明するためのウエハ断
面の構成を模式的に示す図。
面の構成を模式的に示す図。
【図２】本発明の一実施形態に使用する装置の構成の例
を示す図。
を示す図。
【図３】本発明の一実施形態における終点検出の例を説
明するための図。
明するための図。
【図４】ガスの流量比と選択比との関係を示す図。
【図５】従来の技術を説明するためのウエハ断面の構成
を模式的に示す図。
を模式的に示す図。
１０１……シリコン基板、１０２……ゲート酸化膜、１
０３……ポリシリコン層、１０４……タングステンシリ
サイド層、１０５……マスク層。
０３……ポリシリコン層、１０４……タングステンシリ
サイド層、１０５……マスク層。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA01 BB01 CC05 DD67 FF14 HH14 5F004 AA01 BA09 BB11 BB18 BB22 BB25 BB26 BB28 BB29 CA01 CA02 CA03 CA06 DA04 DA17 DA18 DA26 DB17 EB02 5F033 HH04 HH28 MM07 QQ08 QQ10 QQ12 QQ15 QQ21 QQ35 VV06 WW06 XX03
Claims (6)
- 【請求項１】 ポリシリコン層の上に形成されたタング
ステンシリサイド層を、マスク層を介してエッチング
し、当該タングステンシリサイド層を所定のパターンに
パターニングするドライエッチング方法であって、 第１のエッチングガスを用いたプラズマエッチングを行
う第１の工程と、 前記第１の工程の後、Ｃｌ2 ガスとＯ2 ガスとＮＦ3 ガ
スを含む第２のエッチングガスを用いたプラズマエッチ
ングを行う第２の工程とを具備し、 前記第１のエッチングガスは、前記第２のエッチングガ
スと異なるガスであることを特徴とするドライエッチン
グ方法。 - 【請求項２】 ポリシリコン層の上に形成されたタング
ステンシリサイド層を、マスク層を介してエッチング
し、当該タングステンシリサイド層を所定のパターンに
パターニングするドライエッチング方法であって、 Ｃｌ2 ガスとＯ2 ガスとを含み、ＮＦ3 ガスを含まない
第１のエッチングガスを用いたプラズマエッチングを行
う第１の工程と、 前記第１の工程の後、Ｃｌ2 ガスとＯ2 ガスとＮＦ3 ガ
スを含む第２のエッチングガスを用いたプラズマエッチ
ングを行う第２の工程とを具備したことを特徴とするド
ライエッチング方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のドライエッチング方法に
おいて、 前記第２のエッチングガスのＯ2 ガスの流量が前記第１
のエッチングガスのＯ 2 ガスの流量より多く、前記第２
のエッチングガスのＣｌ2 ガスの流量が、前記第１のエ
ッチングガスのＣｌ2 ガスの流量より少ないことを特徴
とするドライエッチング方法。 - 【請求項４】 請求項２又は３記載のドライエッチング
方法において、 前記第２のエッチングガスのＣｌ2 ガスとＯ2 ガスとＮ
Ｆ3 ガスとの比率が、Ｃｌ2 が１０〜７０％、Ｏ2 が２
０〜５０％、ＮＦ3 が１０〜７０％の流量比で供給され
ることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項５】 請求項１〜４いずれか１項記載のドライ
エッチング方法において、 前記第１及び第２の工程が、平行平板型のプラズマエッ
チング装置によって行われることを特徴とするドライエ
ッチング方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５いずれか１項記載のドライ
エッチング方法において、 前記所定のパターンは、隣接するパターン同士が近接し
て密に配置された部分と、隣接するパターン同士が離間
して疎に配置された部分を有することを特徴とするドラ
イエッチング方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001121794A JP2002319569A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | ドライエッチング方法 |
| CNB028083849A CN1310293C (zh) | 2001-04-19 | 2002-02-27 | 干蚀刻方法 |
| PCT/JP2002/001785 WO2002086957A1 (fr) | 2001-04-19 | 2002-02-27 | Procede de gravure a sec |
| US10/475,268 US7192532B2 (en) | 2001-04-19 | 2002-02-27 | Dry etching method |
| KR1020037013572A KR100593826B1 (ko) | 2001-04-19 | 2002-02-27 | 드라이 에칭 방법 |
| TW091105199A TWI293092B (ja) | 2001-04-19 | 2002-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001121794A JP2002319569A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002319569A true JP2002319569A (ja) | 2002-10-31 |
Family
ID=18971596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001121794A Withdrawn JP2002319569A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002319569A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6972264B2 (en) * | 2002-09-06 | 2005-12-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for etching Si |
| JP2007013104A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
| JP2007311431A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nec Corp | 積層膜パターン形成方法及びゲート電極形成方法 |
| US8728882B2 (en) | 2012-03-30 | 2014-05-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Manufacturing method for thin film transistor array panel |
| JP2016111284A (ja) * | 2014-12-10 | 2016-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
2001
- 2001-04-19 JP JP2001121794A patent/JP2002319569A/ja not_active Withdrawn
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