JP4749683B2 - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4749683B2 JP4749683B2 JP2004170361A JP2004170361A JP4749683B2 JP 4749683 B2 JP4749683 B2 JP 4749683B2 JP 2004170361 A JP2004170361 A JP 2004170361A JP 2004170361 A JP2004170361 A JP 2004170361A JP 4749683 B2 JP4749683 B2 JP 4749683B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- film
- plasma
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
さらに、前記クリーニング処理は、被処理基板にバイアス電力を印加せずに行なうことが好ましい。
またさらに、前記クリーニングガスとして、O2含有ガスを用いることが好ましい。O2含有ガスとしては、O2ガスとN2ガスとの混合ガスを用いることが好ましい。この場合、クリーニング処理は、処理容器内圧力50〜200mTorr、O2流量5〜15mL/min、およびN2流量100〜400mL/minの条件で行なうことが好ましい。
図1は本発明の実施に適したプラズマ処理装置を模式的に示す断面図である。このプラズマ処理装置1は、電極板が上下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接続された容量結合型平行平板プラズマ処理装置として構成されている。
クリーニング処理は、下部電極であるサセプタ5に対して第2の高周波電源50から高周波を供給せず、ウエハWにバイアス電力を印加しないゼロバイアス条件で行なう。ゼロバイアス条件でクリーニングを行なうことによって、マスク膜や下層膜に対する影響を最小限に抑え、ウエハWにほとんど影響を与えずにクリーニングを実施できる。
図2(a)〜(c)は、エッチング処理過程におけるチャンバー2と被処理基板の断面構造を模式的に示す図面である。図2は、被エッチング膜が無機系材料からなる絶縁膜である場合の例であり、ウエハWを構成する基板61上に、表層からマスク膜としての感光性レジスト膜64、エッチング対象である「第1の膜」としてのシリコン酸化膜63、「第2の膜」としてのシリコン窒化膜62が積層されている。このように、被エッチング層の絶縁膜としては、例えばSiO2などのシリコン酸化膜や、SiN等のシリコン窒化膜を対象にすることができる。なお、本実施形態では、マスク膜が有機系材料からなる感光性レジスト膜64であるが、無機系材料からなるハードマスクであってもよい。
このシリコン窒化膜62のエッチングでは、クリーニングによって、シリコン酸化膜63のエッチングにより生じたチャンバー内堆積物70が除去されているため、その影響を受けずに安定した条件でエッチングを実施できる。
すなわち、ウエハWを構成する基板61上に、表層から感光性レジスト膜67、エッチング対象である「第1の膜」としてのシリコン酸化膜66、「第2の膜」としての有機系膜65が積層されている。被エッチング層としてのシリコン酸化膜としては、前記と同様のSiO2などの絶縁膜を対象とすることができる。有機系膜としては、例えばSiLK(商品名;ダウ・ケミカル社製)、SOD−SiOCHのMSQ(メチルシルセスキシロキサン)、CVD−SiOCHのCORAL[商品名;ノーベラス・システムズ(Novellus Systems)社製]やBlack Diamond[商品名;アプライド・マテリアルズ(Applied Materials)社製]などの低誘電率層間絶縁膜(Low−k膜)などを対象にすることができる。
第1のエッチング処理の後、チャンバー2の内壁面には、図3(b)に示すように堆積物70が付着した状態になる。この堆積物70を除去する目的でクリーニングを実施する。
(実施例1)
本発明エッチング処理:
シリコン基板上に、表層から、マスク膜(感光性レジスト膜)、エッチング対象の第1の膜としてSiO2膜(熱酸化膜;300nm)、第2の膜としてSiN膜(プラズマSi3N4膜;50nm)が形成されたウエハWについて、本発明によるエッチング処理を実施した。
第1のエッチング処理では、上部電極21に1500W、サセプタ5に1700Wの高周波電力を印加し、チャンバー内の圧力30mTorr、サセプタ5と上部電極21とのギャップを30mmに調整し、エッチングガスとしてC5F8とArとO2との混合ガスを用い、流量(mL/min)をC5F8:Ar:O2=15:800:17に設定してエッチングを行なった。なお、使用したチャンバー容積は80リットルである。
また、参考例として、第2のエッチング処理を、第1のエッチング処理とは別のチャンバーで実施した場合のウエハWの状態を図5に示す。
クリーニングを実施しない点以外は、実施例1と同様にしてエッチング処理を実施した。エッチング処理後のウエハWの状態を図6に示す。
クリーニング条件(圧力)の検討:
クリーニング処理における圧力条件を10〜200mTorrの範囲で変動させた以外は、実施例1と同様の条件でクリーニング処理を実施した。その結果を図7に示す。50〜200mTorrの範囲では、チャンバークリーニングの所要時間が短く、レジストエッチングレートも小さいので、クリーニング中にエッチングされるレジスト量(膜減り)が小さく良好であることが示された。この傾向は、100〜200mTorrの範囲で特に安定的に実現されており、この範囲が特に好ましいことが判明した。
クリーニング条件(N2流量)の検討:
クリーニング処理におけるO2流量を10mL/minに固定するとともにN2流量を50〜400mL/minの範囲で変動させた以外は、実施例1と同様の条件でクリーニング処理を実施した。その結果を図8に示す。
クリーニング条件(O2流量)の検討:
クリーニング処理におけるN2流量を100mL/minに固定するとともにO2流量を5〜15mL/minの範囲で変動させた以外は、実施例1と同様の条件でクリーニング処理を実施した。その結果を図9に示す。
逆に、O2流量が増加すると(例えば10mL/minでは、O2/(N2+O2)=9%、15mL/minではO2/(N2+O2)=13%)、チャンバークリーニング時間の短縮効果が大きいため、レジストのエッチングレートは増加するが最終的にその間にエッチングされるレジストの量は減少することが判る。
2;チャンバー
5;サセプタ
21;上部電極
40;第1の高周波電源
50;第2の高周波電源
61;基板
62;シリコン窒化膜
63;シリコン酸化膜
64;感光性レジスト膜
65;有機系膜
66;シリコン酸化膜
67;感光性レジスト膜
70;堆積物
W;半導体ウエハ
Claims (11)
- 処理容器内に上部電極および下部電極を配置し、これら電極間に高周波電界を生じさせて処理ガスのプラズマによりプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用いて、被処理基板上に形成された複数の膜からなる積層膜をエッチングするエッチング方法であって、
前記処理容器内の前記下部電極上に前記積層膜が形成された被処理基板を載置し、前記被処理基板を搬出することなく各膜について順次エッチング処理を実施し、
各膜のエッチング処理の間に、O 2 ガスとN 2 ガスからなり、O 2 ガスおよびN 2 ガスの合計に対するO 2 ガスの比率が5〜15%であるクリーニングガスのプラズマにより処理容器内の堆積物を除去するクリーニング処理を実施し、
前記上部電極と前記下部電極との間隔を、前記エッチング処理の場合よりも前記クリーニング処理の場合のほうが広くなるようにすることを特徴とする、エッチング方法。 - 処理容器内に上部電極および下部電極を配置し、これら電極間に高周波電界を生じさせて処理ガスのプラズマによりプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用いて、被処理基板上にエッチング対象として上から第1の膜、第2の膜の順で形成されてなる積層膜をエッチングするエッチング方法であって、
前記処理容器内の前記下部電極上に前記積層膜が形成された被処理基板を載置し、前記第1の膜をエッチングガスのプラズマによりエッチングする第1のエッチング処理と、
前記第1のエッチング処理後、前記被処理基板を前記処理容器から搬出することなく、O 2 ガスとN 2 ガスからなり、O 2 ガスおよびN 2 ガスの合計に対するO 2 ガスの比率が5〜15%であるクリーニングガスのプラズマにより処理容器内の堆積物を除去するクリーニング処理と、
前記クリーニング処理後、前記被処理基板を前記処理容器から搬出することなく、前記第2の膜をエッチングガスのプラズマによりエッチングする第2のエッチング処理と、
を含み、
前記上部電極と前記下部電極との間隔を、前記第1および第2のエッチング処理の場合よりも前記クリーニング処理の場合のほうが広くなるようにすることを特徴とする、エッチング方法。 - 前記第1のエッチング処理では、CF系ガスを含むエッチングガスのプラズマにより前記第1の膜としてのシリコン酸化膜をエッチングし、
前記第2のエッチング処理では、CHF系ガスを含むエッチングガスのプラズマにより前記第2の膜としてのシリコン窒化膜をエッチングすることを特徴とする、請求項2に記載のエッチング方法。 - 前記第1のエッチング処理では、CF系ガスを含むエッチングガスのプラズマにより前記第1の膜としてのシリコン酸化膜をエッチングし、
前記第2のエッチング処理では、N2ガスまたはNH3ガスを含むエッチングガスのプラズマにより前記第2の膜としての有機系膜をエッチングすることを特徴とする、請求項2に記載のエッチング方法。 - 前記第2のエッチング処理では、前記第1の膜をマスク膜として作用させることを特徴とする、請求項2ないし請求項4のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記クリーニング処理は、被処理基板にバイアス電力を印加せずに行なうことを特徴とする、請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 前記クリーニング処理を、処理容器内圧力50〜200mTorr、O2流量5〜15mL/min、およびN2流量100〜400mL/minの条件で行なうことを特徴とする、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 処理容器内に上部電極および下部電極を配置し、これら電極間に高周波電界を生じさせて処理ガスのプラズマによりプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置を用いて、被処理基板上にエッチング対象として上から第1の絶縁膜、第2の絶縁膜の順で形成されてなる積層膜をパターニングされたマスク膜をマスクにしてエッチングするエッチング方法であって、
前記処理容器内の前記下部電極上に前記積層膜が形成された被処理基板を載置し、前記第1の絶縁膜をエッチングガスのプラズマによりエッチングする第1のエッチング処理と、
前記第1のエッチング処理後、前記被処理基板を前記処理容器から搬出することなく、O 2 ガスとN 2 ガスからなり、O 2 ガスおよびN 2 ガスの合計に対するO 2 ガスの比率が5〜15%であるクリーニングガスのプラズマにより処理容器内の堆積物を除去するクリーニング処理と、
前記クリーニング処理後、前記被処理基板を前記処理容器から搬出することなく、前記第2の膜をエッチングガスのプラズマによりエッチングする第2のエッチング処理と、
を含み、
前記第1のエッチング処理および前記第2のエッチング処理では、被処理基板にバイアス電力を印加するとともに、前記クリーニング処理では、被処理基板にバイアス電力を印加せず、
前記上部電極と前記下部電極との間隔を、前記第1および第2のエッチング処理の場合よりも前記クリーニング処理の場合のほうが広くなるようにすることを特徴とする、エッチング方法。 - 前記第1のエッチング処理では、CF系ガスを含むエッチングガスのプラズマにより前記第1の絶縁膜としてのシリコン酸化膜をエッチングし、
前記第2のエッチング処理では、CHF系ガスを含むエッチングガスのプラズマにより前記第2の絶縁膜としてのシリコン窒化膜をエッチングすることを特徴とする、請求項8に記載のエッチング方法。 - 前記第1のエッチング処理では、CF系ガスを含むエッチングガスのプラズマにより前記第1の絶縁膜としてのシリコン酸化膜をエッチングし、
前記第2のエッチング処理では、N2ガスまたはNH3ガスを含むエッチングガスのプラズマにより前記第2の絶縁膜としての有機系膜をエッチングすることを特徴とする、請求項8に記載のエッチング方法。 - 前記クリーニング処理を、処理容器内圧力50〜200mTorr、O2流量5〜15mL/min、およびN2流量100〜400mL/minの条件で行なうことを特徴とする、請求項8から請求項10のいずれか1項に記載のエッチング方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004170361A JP4749683B2 (ja) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | エッチング方法 |
CNB2005100752220A CN100352014C (zh) | 2004-06-08 | 2005-06-07 | 蚀刻方法 |
US11/147,197 US20050269294A1 (en) | 2004-06-08 | 2005-06-08 | Etching method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004170361A JP4749683B2 (ja) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | エッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005353698A JP2005353698A (ja) | 2005-12-22 |
JP4749683B2 true JP4749683B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=35581536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004170361A Expired - Fee Related JP4749683B2 (ja) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | エッチング方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4749683B2 (ja) |
CN (1) | CN100352014C (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5103006B2 (ja) | 2006-11-16 | 2012-12-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN101620981B (zh) * | 2008-06-30 | 2011-07-06 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体制程中无机膜层刻蚀方法及浅沟槽隔离区形成方法 |
JP2010199475A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体 |
JP5442403B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びそのクリーニング方法並びにプログラムを記録した記録媒体 |
US9218983B2 (en) | 2011-07-13 | 2015-12-22 | Tokyo Electron Limited | Etching method and device |
JP6320248B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
US10504720B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Etching using chamber with top plate formed of non-oxygen containing material |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3123219B2 (ja) * | 1992-06-05 | 2001-01-09 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
US6103632A (en) * | 1997-10-22 | 2000-08-15 | Applied Material Inc. | In situ Etching of inorganic dielectric anti-reflective coating from a substrate |
JP3408409B2 (ja) * | 1997-10-29 | 2003-05-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置の反応室環境制御方法 |
US6235213B1 (en) * | 1998-05-18 | 2001-05-22 | Micron Technology, Inc. | Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers |
US6242350B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Post gate etch cleaning process for self-aligned gate mosfets |
JP2000353688A (ja) * | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6527968B1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-03-04 | Applied Materials Inc. | Two-stage self-cleaning silicon etch process |
JP2001308175A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4326746B2 (ja) * | 2002-01-07 | 2009-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
US6849559B2 (en) * | 2002-04-16 | 2005-02-01 | Tokyo Electron Limited | Method for removing photoresist and etch residues |
-
2004
- 2004-06-08 JP JP2004170361A patent/JP4749683B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-06-07 CN CNB2005100752220A patent/CN100352014C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005353698A (ja) | 2005-12-22 |
CN1707761A (zh) | 2005-12-14 |
CN100352014C (zh) | 2007-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4230029B2 (ja) | プラズマ処理装置およびエッチング方法 | |
JP4831853B2 (ja) | 容量結合型平行平板プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法 | |
JP2006203035A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
TWI436419B (zh) | A plasma etch method and a computer readable memory medium | |
JP4312630B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
US9218983B2 (en) | Etching method and device | |
US20050269294A1 (en) | Etching method | |
WO2006057236A1 (ja) | 基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2007234770A (ja) | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
TW202004902A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2010199475A (ja) | プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体 | |
KR20200062031A (ko) | 에칭 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP4749683B2 (ja) | エッチング方法 | |
JP4775834B2 (ja) | エッチング方法 | |
WO2002086957A1 (fr) | Procede de gravure a sec | |
JP2003282539A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
KR100867174B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 장치, 제어프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP4684924B2 (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
US7569478B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, control program and computer storage medium | |
JP5089871B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US7456111B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
JP4615290B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
JP3986808B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP2003007679A (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP4546667B2 (ja) | ドライエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100608 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110131 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110517 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |