JP3123219B2 - ドライエッチング装置のクリーニング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置のクリーニング方法Info
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- JP3123219B2 JP3123219B2 JP04145361A JP14536192A JP3123219B2 JP 3123219 B2 JP3123219 B2 JP 3123219B2 JP 04145361 A JP04145361 A JP 04145361A JP 14536192 A JP14536192 A JP 14536192A JP 3123219 B2 JP3123219 B2 JP 3123219B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を形成するド
ライエッチング装置のクリーニング方法に関するもので
ある。
ライエッチング装置のクリーニング方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ドライエッチング装置は、図２
に示すように、真空チャンバー１１内にたとえば１５〜
１００ｍｍ程度の間隔をあけて下部電極１２と上部電極
１３を対向配置するとともにこれら電極１２，１３間に
高周波電源１４を設け、かつエッチングガス導入口１９
と、真空排気口２０とを設けた構成となっている。ま
た、対向配置される一対の電極１２，１３の間隔を狭く
することによって高いエッチングレートを確保するよう
にしたものが、例えば特開昭６２−６９６２０号公報等
によって知られている。しかし、いずれにおいてもドラ
イエッチング装置は処理を繰り返すうちに、真空チャン
バー１１内に反応生成物等が付着し、これは経時変化し
て、例えば被処理物５上に落下するなど悪影響があるた
め、処理時間に応じて真空チャンバー１１のクリーニン
グを行っている。
に示すように、真空チャンバー１１内にたとえば１５〜
１００ｍｍ程度の間隔をあけて下部電極１２と上部電極
１３を対向配置するとともにこれら電極１２，１３間に
高周波電源１４を設け、かつエッチングガス導入口１９
と、真空排気口２０とを設けた構成となっている。ま
た、対向配置される一対の電極１２，１３の間隔を狭く
することによって高いエッチングレートを確保するよう
にしたものが、例えば特開昭６２−６９６２０号公報等
によって知られている。しかし、いずれにおいてもドラ
イエッチング装置は処理を繰り返すうちに、真空チャン
バー１１内に反応生成物等が付着し、これは経時変化し
て、例えば被処理物５上に落下するなど悪影響があるた
め、処理時間に応じて真空チャンバー１１のクリーニン
グを行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に電極間隔を狭くしてエッチングレートを高める場合、
真空チャンバー内、特に電極に付着した反応生成物を、
Ｏ2プラズマ等によって除去しようとする際に、電極間
隔が狭いため、プラズマが電極の周辺部まで広がらず、
図３に示すように、電極１３の周辺部に灰化物（すす）
が残り十分にクリーニングができないという問題があっ
た。本発明は、電極間隔を狭くしてエッチングレートを
高める場合においても、Ｏ2プラズマによって効果的に
クリーニングすることを目的とする。
に電極間隔を狭くしてエッチングレートを高める場合、
真空チャンバー内、特に電極に付着した反応生成物を、
Ｏ2プラズマ等によって除去しようとする際に、電極間
隔が狭いため、プラズマが電極の周辺部まで広がらず、
図３に示すように、電極１３の周辺部に灰化物（すす）
が残り十分にクリーニングができないという問題があっ
た。本発明は、電極間隔を狭くしてエッチングレートを
高める場合においても、Ｏ2プラズマによって効果的に
クリーニングすることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の真空チャンバー
クリーニング法は、真空チャンバーと、真空チャンバー
の内部に８ｍｍ以下の間隔をあけて相対向して配置さ
れ、かつ一方の電極の対向面に被処理物が配置される一
対の電極と、一対の電極間に高周波電圧を印加する手段
と被処理物を設置しない他方の電極に設けられたエッチ
ングガスの導入手段とを備えたドライエッチング装置を
用いて、被処理物をエッチングする際の電極間隔よりも
クリーニングする際の電極間隔を広くすることを特徴と
する。
クリーニング法は、真空チャンバーと、真空チャンバー
の内部に８ｍｍ以下の間隔をあけて相対向して配置さ
れ、かつ一方の電極の対向面に被処理物が配置される一
対の電極と、一対の電極間に高周波電圧を印加する手段
と被処理物を設置しない他方の電極に設けられたエッチ
ングガスの導入手段とを備えたドライエッチング装置を
用いて、被処理物をエッチングする際の電極間隔よりも
クリーニングする際の電極間隔を広くすることを特徴と
する。
【０００５】
【作用】本発明によると、被処理物をエッチングする
際、電極間隔を狭くしてエッチングレートを高める場合
においても、Ｏ2プラズマ等によって真空チャンバー内
をクリーニングする際は、電極間隔を広くさせているの
で、電極間隔が狭いままでクリーニングする場合に比
べ、電極周辺部まで十分にクリーニングすることができ
る。
際、電極間隔を狭くしてエッチングレートを高める場合
においても、Ｏ2プラズマ等によって真空チャンバー内
をクリーニングする際は、電極間隔を広くさせているの
で、電極間隔が狭いままでクリーニングする場合に比
べ、電極周辺部まで十分にクリーニングすることができ
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に基づいて説
明する。１は真空チャンバーで図示しない圧力制御バル
ブを介して真空ポンプに接続され、所定の真空圧に保持
されるように構成されている。真空チャンバー１の内部
には互いに平行に平板上の下部電極２と上部電極３が適
当間隔あけて対向して配設されている。これら下部，上
部電極２，３間のギャップは、この実施例では６ｍｍに
設定されている。４は周波数が１３．５６ＭＨｚの高周
波電源で下部電極２に接続され、上部電極３は接地さ
れ、かつ電極昇降機構８を介して、所定の真空圧を保持
したまま、上下出来るような構成となっている。下部電
極２上には被処理物５が配置される。上部電極３から真
空チャンバー１を貫通して上方に延出された支持軸３ａ
の上端部にはエッチングガスを供給するガス供給管６が
接続されかつこの支持軸３ａの上端部から上部電極３内
全面にわたってガス通路７が形成されている。上部電極
３の下部電極２との対向面には適当ピッチでガス噴出口
が形成されている。
明する。１は真空チャンバーで図示しない圧力制御バル
ブを介して真空ポンプに接続され、所定の真空圧に保持
されるように構成されている。真空チャンバー１の内部
には互いに平行に平板上の下部電極２と上部電極３が適
当間隔あけて対向して配設されている。これら下部，上
部電極２，３間のギャップは、この実施例では６ｍｍに
設定されている。４は周波数が１３．５６ＭＨｚの高周
波電源で下部電極２に接続され、上部電極３は接地さ
れ、かつ電極昇降機構８を介して、所定の真空圧を保持
したまま、上下出来るような構成となっている。下部電
極２上には被処理物５が配置される。上部電極３から真
空チャンバー１を貫通して上方に延出された支持軸３ａ
の上端部にはエッチングガスを供給するガス供給管６が
接続されかつこの支持軸３ａの上端部から上部電極３内
全面にわたってガス通路７が形成されている。上部電極
３の下部電極２との対向面には適当ピッチでガス噴出口
が形成されている。
【０００７】次に、動作を説明する。エッチング時は下
部電極２上に被処理物５を設置し真空チャンバー１内を
真空排気しガス供給管６から所定のエッチングガスを供
給し、高周波電源４にて下部，上部電極２，３間に高周
波電圧を印加すると、下部，上部電極２，３間のナロー
放電により、エッチングガスのプラズマが発生し、被処
理物５の表面がエッチングされる。一方、クリーニング
時には下部，上部電極２，３間のギャップを８ｍｍに変
更しガス供給管６よりＯ2を主とするガスを供給し、同
時にプラズマを発生させて真空チャンバーをクリーニン
グする。
部電極２上に被処理物５を設置し真空チャンバー１内を
真空排気しガス供給管６から所定のエッチングガスを供
給し、高周波電源４にて下部，上部電極２，３間に高周
波電圧を印加すると、下部，上部電極２，３間のナロー
放電により、エッチングガスのプラズマが発生し、被処
理物５の表面がエッチングされる。一方、クリーニング
時には下部，上部電極２，３間のギャップを８ｍｍに変
更しガス供給管６よりＯ2を主とするガスを供給し、同
時にプラズマを発生させて真空チャンバーをクリーニン
グする。
【０００８】具体例を説明すると、下部電極２上に基板
を設置し、真空チャンバー内を１０００ｍＴｏｒｒに保
持し、ガス供給管６よりＯ2ガスを５０ｓｃｃｍの流量
で供給し下部、上部電極２，３間の間隔をエッチング時
と同様６ｍｍとして、高周波電源４を３００Ｗの出力
で、下部、上部電極間に印加してＯ2クリーニングを行
うと 、図３のように上部電極周辺部に灰化物（すす）
が残ったのに対し、下部，上部電極２，３間の間隔を８
ｍｍに広げて、その他同様な条件でＯ2クリーニングを
行うと、図４のようには灰化物は残らず効果的なクリー
ニングが行えた。
を設置し、真空チャンバー内を１０００ｍＴｏｒｒに保
持し、ガス供給管６よりＯ2ガスを５０ｓｃｃｍの流量
で供給し下部、上部電極２，３間の間隔をエッチング時
と同様６ｍｍとして、高周波電源４を３００Ｗの出力
で、下部、上部電極間に印加してＯ2クリーニングを行
うと 、図３のように上部電極周辺部に灰化物（すす）
が残ったのに対し、下部，上部電極２，３間の間隔を８
ｍｍに広げて、その他同様な条件でＯ2クリーニングを
行うと、図４のようには灰化物は残らず効果的なクリー
ニングが行えた。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、エッチング時よりもＯ
2クリーニング時の電極間隔を広めることによって、エ
ッチング時にチャンバー内に付着した反応生成物を効果
的に除去することができる。
2クリーニング時の電極間隔を広めることによって、エ
ッチング時にチャンバー内に付着した反応生成物を効果
的に除去することができる。
【図１】本発明のプラズマクリーニング方法の一実施例
の概略図
の概略図
【図２】従来のドライエッチング装置の概略構成図
【図３】従来のクリーニング方法を用いた時の上部電極
の状態図
の状態図
【図４】本発明のプラズマクリーニング方法を用いた時
の上部電極の状態図
の上部電極の状態図
１ 真空チャンバー ２ 下部電極 ３ 上部電極 ４ 高周波電源 ５ 被処理物 ９ ガス噴出口 １０ 真空排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−114210（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−100925（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−50427（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01J 37/32
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバーと、この真空チャンバー
の内部に８ｍｍ以下の間隔をあけて相対向して配置さ
れ、かつ一方の電極の対向面に被処理物が配置される一
対の電極と、前記の一対の電極間に高周波電圧を印加す
る手段を備えたドライエッチング装置の真空チャンバー
をエッチング終了後クリーニングする方法において、被
処理物をエッチングする際の電極間隔に対し、前記真空
チャンバーをＯ2クリーニングする際の電極間隔が広い
ことを特徴とするドライエッチング装置のクリーニング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04145361A JP3123219B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04145361A JP3123219B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343372A JPH05343372A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3123219B2 true JP3123219B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=15383429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04145361A Expired - Fee Related JP3123219B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123219B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2885150B2 (ja) * | 1995-10-13 | 1999-04-19 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法 |
| JP4749683B2 (ja) * | 2004-06-08 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP4758159B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2011-08-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
| JP4473344B2 (ja) | 2008-07-15 | 2010-06-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP04145361A patent/JP3123219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05343372A (ja) | 1993-12-24 |
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