JPH05343372A - ドライエッチング装置のクリーニング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH05343372A JPH05343372A JP14536192A JP14536192A JPH05343372A JP H05343372 A JPH05343372 A JP H05343372A JP 14536192 A JP14536192 A JP 14536192A JP 14536192 A JP14536192 A JP 14536192A JP H05343372 A JPH05343372 A JP H05343372A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- electrode
- cleaning
- vacuum chamber
- dry etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子を形成するドライエッチング装置
のプラズマクリーニングにおいて、電極間隔を狭くして
エッチングレートを高める場合においても、クリーニン
グ時には電極間隔を変化させて、効果的なプラズマクリ
ーニングを行うことを目的とする。 【構成】 電極昇降機構９により上部電極７の位置を可
変とし、エッチング時に比べ、クリーニング時の下部，
上部電極２，３の間隔を広げ、プラズマを広範囲に広が
るようにして、真空チャンバー１，下部，上部電極２，
３等に付着した反応生成物等を十分に除去できるように
した。
のプラズマクリーニングにおいて、電極間隔を狭くして
エッチングレートを高める場合においても、クリーニン
グ時には電極間隔を変化させて、効果的なプラズマクリ
ーニングを行うことを目的とする。 【構成】 電極昇降機構９により上部電極７の位置を可
変とし、エッチング時に比べ、クリーニング時の下部，
上部電極２，３の間隔を広げ、プラズマを広範囲に広が
るようにして、真空チャンバー１，下部，上部電極２，
３等に付着した反応生成物等を十分に除去できるように
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子を形成するド
ライエッチング装置のクリーニング方法に関するもので
ある。
ライエッチング装置のクリーニング方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ドライエッチング装置は、図２
に示すように、真空チャンバー１１内にたとえば１５〜
１００mm程度の間隔をあけて下部電極１２と上部電極１
３を対向配置するとともにこれら電極１２，１３間に高
周波電源１４を設け、かつエッチングガス導入口１９
と、真空排気口２０とを設けた構成となっている。ま
た、対向配置される一対の電極１２，１３の間隔を狭く
することによって高いエッチングレートを確保するよう
にしたものが、例えば特開昭６２−６９６２０号公報等
によって知られている。しかし、いずれにおいてもドラ
イエッチング装置は処理を繰り返すうちに、真空チャン
バー１１内に反応生成物等が付着し、これは経時変化し
て、例えば被処理物５上に落下するなど悪影響があるた
め、処理時間に応じて真空チャンバー１１のクリーニン
グを行っている。
に示すように、真空チャンバー１１内にたとえば１５〜
１００mm程度の間隔をあけて下部電極１２と上部電極１
３を対向配置するとともにこれら電極１２，１３間に高
周波電源１４を設け、かつエッチングガス導入口１９
と、真空排気口２０とを設けた構成となっている。ま
た、対向配置される一対の電極１２，１３の間隔を狭く
することによって高いエッチングレートを確保するよう
にしたものが、例えば特開昭６２−６９６２０号公報等
によって知られている。しかし、いずれにおいてもドラ
イエッチング装置は処理を繰り返すうちに、真空チャン
バー１１内に反応生成物等が付着し、これは経時変化し
て、例えば被処理物５上に落下するなど悪影響があるた
め、処理時間に応じて真空チャンバー１１のクリーニン
グを行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に電極間隔を狭くしてエッチングレートを高める場合、
真空チャンバー内、特に電極に付着した反応生成物を、
Ｏ2プラズマ等によ って除去しようとする際に、電極間
隔が狭いため、プラズマが電極の周辺部まで広がらず、
図３に示すように、電極１３の周辺部に灰化物（すす）
が残り十分にクリーニングができないという問題があっ
た。本発明は、電極間隔を狭くしてエッチングレートを
高める場合においても、Ｏ2プラズマによって効果的に
クリーニングすることを目的とする。
に電極間隔を狭くしてエッチングレートを高める場合、
真空チャンバー内、特に電極に付着した反応生成物を、
Ｏ2プラズマ等によ って除去しようとする際に、電極間
隔が狭いため、プラズマが電極の周辺部まで広がらず、
図３に示すように、電極１３の周辺部に灰化物（すす）
が残り十分にクリーニングができないという問題があっ
た。本発明は、電極間隔を狭くしてエッチングレートを
高める場合においても、Ｏ2プラズマによって効果的に
クリーニングすることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の真空チャンバー
クリーニング法は、真空チャンバーと、真空チャンバー
の内部に所定の間隔をあけて相対向して配置され、かつ
一方の電極の対向面に被処理物が配置される一対の電極
と、一対の電極間に高周波電圧を印加する手段と被処理
物を設置しない他方の電極に設けられたエッチングガス
の導入手段とを備えたドライエッチング装置を用いて、
被処理物をエッチングする際の電極間隔よりもクリーニ
ングする際の電極間隔を広くすることを特徴とする。
クリーニング法は、真空チャンバーと、真空チャンバー
の内部に所定の間隔をあけて相対向して配置され、かつ
一方の電極の対向面に被処理物が配置される一対の電極
と、一対の電極間に高周波電圧を印加する手段と被処理
物を設置しない他方の電極に設けられたエッチングガス
の導入手段とを備えたドライエッチング装置を用いて、
被処理物をエッチングする際の電極間隔よりもクリーニ
ングする際の電極間隔を広くすることを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明によると、被処理物をエッチングする
際、電極間隔を狭くしてエッチングレートを高める場合
においても、Ｏ2プラズマ等によって真空チャンバー 内
をクリーニングする際は、電極間隔を広くさせているの
で、電極間隔が狭いままでクリーニングする場合に比
べ、電極周辺部まで十分にクリーニングすることができ
る。
際、電極間隔を狭くしてエッチングレートを高める場合
においても、Ｏ2プラズマ等によって真空チャンバー 内
をクリーニングする際は、電極間隔を広くさせているの
で、電極間隔が狭いままでクリーニングする場合に比
べ、電極周辺部まで十分にクリーニングすることができ
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に基づいて説
明する。１は真空チャンバーで図示しない圧力制御バル
ブを介して真空ポンプに接続され、所定の真空圧に保持
されるように構成されている。真空チャンバー１の内部
には互いに平行に平板上の下部電極２と上部電極３が適
当間隔あけて対向して配設されている。これら下部，上
部電極２，３間のギャップは、この実施例では６mmに設
定されている。４は周波数が１３．５６ＭHzの高周波電
源で下部電極２に接続され、上部電極３は接地され、か
つ電極昇降機構８を介して、所定の真空圧を保持したま
ま、上下出来るような構成となっている。下部電極２上
には被処理物５が配置される。上部電極３から真空チャ
ンバー１を貫通して上方に延出された支持軸３ａの上端
部にはエッチングガスを供給するガス供給管６が接続さ
れかつこの支持軸３ａの上端部から上部電極３内全面に
わたってガス通路７が形成されている。上部電極３の下
部電極２との対向面には適当ピッチでガス噴出口が形成
されている。
明する。１は真空チャンバーで図示しない圧力制御バル
ブを介して真空ポンプに接続され、所定の真空圧に保持
されるように構成されている。真空チャンバー１の内部
には互いに平行に平板上の下部電極２と上部電極３が適
当間隔あけて対向して配設されている。これら下部，上
部電極２，３間のギャップは、この実施例では６mmに設
定されている。４は周波数が１３．５６ＭHzの高周波電
源で下部電極２に接続され、上部電極３は接地され、か
つ電極昇降機構８を介して、所定の真空圧を保持したま
ま、上下出来るような構成となっている。下部電極２上
には被処理物５が配置される。上部電極３から真空チャ
ンバー１を貫通して上方に延出された支持軸３ａの上端
部にはエッチングガスを供給するガス供給管６が接続さ
れかつこの支持軸３ａの上端部から上部電極３内全面に
わたってガス通路７が形成されている。上部電極３の下
部電極２との対向面には適当ピッチでガス噴出口が形成
されている。
【０００７】次に、動作を説明する。エッチング時は下
部電極２上に被処理物５設置し真空チャンバー１内を真
空排気しガス供給管６から所定のエッチングガスを供給
し、高周波電源４にて下部，上部電極２，３間に高周波
電圧を印加すると、下部，上部電極２，３間のナロー放
電により、エッチングガスのプラズマが発生し、被処理
物５の表面がエッチングされる。一方、クリーニング時
には下部，上部電極２，３間のギャップを８mmに変更し
ガス供給管６よりＯ2を主とするガスを供 給し、同時に
プラズマを発生させて真空チャンバーをクリーニングす
る。
部電極２上に被処理物５設置し真空チャンバー１内を真
空排気しガス供給管６から所定のエッチングガスを供給
し、高周波電源４にて下部，上部電極２，３間に高周波
電圧を印加すると、下部，上部電極２，３間のナロー放
電により、エッチングガスのプラズマが発生し、被処理
物５の表面がエッチングされる。一方、クリーニング時
には下部，上部電極２，３間のギャップを８mmに変更し
ガス供給管６よりＯ2を主とするガスを供 給し、同時に
プラズマを発生させて真空チャンバーをクリーニングす
る。
【０００８】具体例を説明すると、下部電極２上に基板
を設置し、真空チャンバー内を１０００mTorrに保持
し、ガス供給管６よりＯ2ガスを５０sccmの流量で供給
し下部，上部電極２，３間の間隔をエッチング時と同様
６mmとして、高周波電源４を３００Ｗの出力で、下部，
上部電極間に印加してＯ2クリーニングを行うと 、図３
のように上部電極周辺部に灰化物（すす）が残ったのに
対し、下部，上部電極２，３間の間隔を８mmに広げて、
その他同様な条件でＯ2クリーニング を行うと、図４の
ようには灰化物は残らず効果的なクリーニングが行え
た。
を設置し、真空チャンバー内を１０００mTorrに保持
し、ガス供給管６よりＯ2ガスを５０sccmの流量で供給
し下部，上部電極２，３間の間隔をエッチング時と同様
６mmとして、高周波電源４を３００Ｗの出力で、下部，
上部電極間に印加してＯ2クリーニングを行うと 、図３
のように上部電極周辺部に灰化物（すす）が残ったのに
対し、下部，上部電極２，３間の間隔を８mmに広げて、
その他同様な条件でＯ2クリーニング を行うと、図４の
ようには灰化物は残らず効果的なクリーニングが行え
た。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、エッチング時よりもＯ
2クリーニング時の電極間隔を広 めることによって、エ
ッチング時にチャレンバー内に付着した反応生成物を効
果的に除去することができる。
2クリーニング時の電極間隔を広 めることによって、エ
ッチング時にチャレンバー内に付着した反応生成物を効
果的に除去することができる。
【図１】本発明のプラズマクリーニング方法の一実施例
の概略図
の概略図
【図２】従来のドライエッチング装置の概略構成図
【図３】従来のクリーニング方法を用いた時の上部電極
の状態図
の状態図
【図４】本発明のプラズマクリーニング方法を用いた時
の上部電極の状態図
の上部電極の状態図
１ 真空チャンバー ２ 下部電極 ３ 上部電極 ４ 高周波電源 ５ 被処理物 ９ ガス噴出口 １０ 真空排気口
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバーと、この真空チャンバー
の内部に所定の間隔をあけて相対向して配置され、かつ
一方の電極の対向面に被処理物が配置される一対の電極
と、前記の一対の電極間に高周波電圧を印加する手段を
備えたドライエッチング装置の真空チャンバーをエッチ
ング終了後クリーニングする方法において、被処理物を
エッチングする際の電極間隔に対し、前記真空チャンバ
ーをＯ2クリーニングする際の電極間隔が広いことを特
徴とするドライエッチング装 置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 相対向して配置されている電極の間隔が
８mm以下である請求項１記載のドライエッチング装置の
クリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04145361A JP3123219B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04145361A JP3123219B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343372A true JPH05343372A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3123219B2 JP3123219B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=15383429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04145361A Expired - Fee Related JP3123219B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123219B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115879A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nec Corp | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法及びその 装置 |
| JP2005353698A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
| JP2007027496A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
| US8298627B2 (en) | 2008-07-15 | 2012-10-30 | Canon Anelva Corporation | Method and apparatus of plasma treatment |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP04145361A patent/JP3123219B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115879A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nec Corp | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法及びその 装置 |
| JP2005353698A (ja) * | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
| JP2007027496A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
| JP4758159B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2011-08-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
| US8298627B2 (en) | 2008-07-15 | 2012-10-30 | Canon Anelva Corporation | Method and apparatus of plasma treatment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3123219B2 (ja) | 2001-01-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081027 Year of fee payment: 8 |
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Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027 |
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