JPH0730355A - 圧電素子の周波数調整方法および装置 - Google Patents
圧電素子の周波数調整方法および装置Info
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- JPH0730355A JPH0730355A JP5171806A JP17180693A JPH0730355A JP H0730355 A JPH0730355 A JP H0730355A JP 5171806 A JP5171806 A JP 5171806A JP 17180693 A JP17180693 A JP 17180693A JP H0730355 A JPH0730355 A JP H0730355A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、圧電素子と放電電極との間に局所
的なプラズマを発生させ、前記圧電素子の表面をエッチ
ングすることにより、圧電素子の周波数特性を損なう事
なく、また、周波数調整装置の稼働率よく周波数調整す
ることを実現する。 【構成】 本発明は電気陰性度の大きなガス、または不
活性ガス雰囲気内で、放電電極に電力を供給して被処理
材をエッチングするドライエッチング方法を用いて、前
記放電電極と２０ｍｍ以下の距離に配置した圧電素子と
の間に局所的なプラズマを発生させ、前記プラズマの発
生した部分に主としてエッチングを行い、周波数を調整
することを特徴とする。
的なプラズマを発生させ、前記圧電素子の表面をエッチ
ングすることにより、圧電素子の周波数特性を損なう事
なく、また、周波数調整装置の稼働率よく周波数調整す
ることを実現する。 【構成】 本発明は電気陰性度の大きなガス、または不
活性ガス雰囲気内で、放電電極に電力を供給して被処理
材をエッチングするドライエッチング方法を用いて、前
記放電電極と２０ｍｍ以下の距離に配置した圧電素子と
の間に局所的なプラズマを発生させ、前記プラズマの発
生した部分に主としてエッチングを行い、周波数を調整
することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電素子の周波数調整
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電圧を印加し、目的の周波数にて振動さ
せる圧電素子の製造プロセスにおいて、個々の圧電素子
の周波数を目的値に合わせ込むためには、従来、成膜技
術が用いられていた。これは、予め目的の周波数より高
く調整された圧電素子の表面電極、または圧電素子表面
に周波数を測定しながら蒸着、あるいはスパッタリング
にて薄膜を成長させ、圧電素子に対する質量を増加させ
ることにより周波数を減少させて周波数調整を行うもの
である。
せる圧電素子の製造プロセスにおいて、個々の圧電素子
の周波数を目的値に合わせ込むためには、従来、成膜技
術が用いられていた。これは、予め目的の周波数より高
く調整された圧電素子の表面電極、または圧電素子表面
に周波数を測定しながら蒸着、あるいはスパッタリング
にて薄膜を成長させ、圧電素子に対する質量を増加させ
ることにより周波数を減少させて周波数調整を行うもの
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、良質な薄膜を形成できないため、圧電素子の周
波数特性に対して悪影響を及ぼす。これは、従来の圧電
素子の周波数調整装置が、スループット向上のため、十
分低い成膜圧力にて十分な加熱、適切な成膜レートとい
った良質な薄膜を形成するための条件を満足して成膜で
きないことによる。従って、周波数調整工程以前に管理
されてきた圧電素子の品質が前記周波数調整工程を通過
することにより損なわれるといった問題点を有する。
術では、良質な薄膜を形成できないため、圧電素子の周
波数特性に対して悪影響を及ぼす。これは、従来の圧電
素子の周波数調整装置が、スループット向上のため、十
分低い成膜圧力にて十分な加熱、適切な成膜レートとい
った良質な薄膜を形成するための条件を満足して成膜で
きないことによる。従って、周波数調整工程以前に管理
されてきた圧電素子の品質が前記周波数調整工程を通過
することにより損なわれるといった問題点を有する。
【０００４】さらに、従来の周波数調整技術では成膜技
術を用いているため、目的の箇所にだけ成膜できないこ
とによる成膜チャンバーの汚染、成膜材料の交換等の理
由により圧電素子の周波数調整装置の稼働率を向上でき
ないという量産上の問題点も有していた。
術を用いているため、目的の箇所にだけ成膜できないこ
とによる成膜チャンバーの汚染、成膜材料の交換等の理
由により圧電素子の周波数調整装置の稼働率を向上でき
ないという量産上の問題点も有していた。
【０００５】また、ドライエッチング技術を用いた周波
数調整では、ウェハー単位での周波数調整しかできず、
個々の圧電素子に対して周波数を目的値に合わせ込むこ
とは不可能であった。
数調整では、ウェハー単位での周波数調整しかできず、
個々の圧電素子に対して周波数を目的値に合わせ込むこ
とは不可能であった。
【０００６】そこで、本発明はこのような問題点を解決
するもので、その目的とするところは個々の圧電素子に
対して周波数調整を行う際に、前記圧電素子の周波数特
性を損なわず、高スループットにて、更には高い装置稼
働率にて圧電素子の周波数調整を行う方法、及び装置を
提供するところにある。
するもので、その目的とするところは個々の圧電素子に
対して周波数調整を行う際に、前記圧電素子の周波数特
性を損なわず、高スループットにて、更には高い装置稼
働率にて圧電素子の周波数調整を行う方法、及び装置を
提供するところにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電素子の周波
数調整方法は、真空排気されたチャンバー内にハロゲン
等電気陰性度の高いガスを導入し、前記チャンバー内に
設けた放電電極に高周波を印加しながら圧力、ガス流
量、高周波電力、前記放電電極と被処理材の距離等を制
御し局所的なプラズマを発生させ、主としてプラズマの
発生した部分にエッチングを行う技術を用いて、前期放
電電極と２０ｍｍ以下の距離に配置した、ウェハーから
ダイシングされた圧電素子との間にプラズマを発生させ
エッチングする事によりチップごと個別に周波数を調整
することを特徴とする。
数調整方法は、真空排気されたチャンバー内にハロゲン
等電気陰性度の高いガスを導入し、前記チャンバー内に
設けた放電電極に高周波を印加しながら圧力、ガス流
量、高周波電力、前記放電電極と被処理材の距離等を制
御し局所的なプラズマを発生させ、主としてプラズマの
発生した部分にエッチングを行う技術を用いて、前期放
電電極と２０ｍｍ以下の距離に配置した、ウェハーから
ダイシングされた圧電素子との間にプラズマを発生させ
エッチングする事によりチップごと個別に周波数を調整
することを特徴とする。
【０００８】真空排気されたチャンバー内にアルゴン等
十分なスパッタ率を確保できるガスを導入し、前記チャ
ンバー内に設けた放電電極に高周波を印加しながら圧
力、ガス流量、高周波電力、前記放電電極と被処理材の
距離等を制御し局所的なプラズマを発生させ、主として
プラズマの発生した部分にエッチングを行う技術を用い
て、前期放電電極と２０ｍｍ以下の距離に配置した、ウ
ェハーからダイシングされた圧電素子との間にプラズマ
を発生させエッチングする事によりチップごと個別に周
波数を調整することを特徴とする。
十分なスパッタ率を確保できるガスを導入し、前記チャ
ンバー内に設けた放電電極に高周波を印加しながら圧
力、ガス流量、高周波電力、前記放電電極と被処理材の
距離等を制御し局所的なプラズマを発生させ、主として
プラズマの発生した部分にエッチングを行う技術を用い
て、前期放電電極と２０ｍｍ以下の距離に配置した、ウ
ェハーからダイシングされた圧電素子との間にプラズマ
を発生させエッチングする事によりチップごと個別に周
波数を調整することを特徴とする。
【０００９】前記圧電素子の周波数を調整しながら周波
数をモニタする機能を持ち、前記圧電素子の周波数が目
的値に達したときに周波数調整を終了させること、及び
少なくとも前記圧電素子とリード端子の接合部、周波数
測定器と前記圧電素子の接続部がプラズマに晒されない
ことを特徴とする。
数をモニタする機能を持ち、前記圧電素子の周波数が目
的値に達したときに周波数調整を終了させること、及び
少なくとも前記圧電素子とリード端子の接合部、周波数
測定器と前記圧電素子の接続部がプラズマに晒されない
ことを特徴とする。
【００１０】中空のアースシールドの内部に前記放電電
極を配置し、かつ前記アースシールドの一部に開口部を
設け、前記高周波電極と前記アースシールドとの間に、
電気陰性度の高いガスもしくは十分なスパッタ率を確保
できるガスにより発生させたプラズマを前記開口部を通
して前記圧電素子に照射し、主としてプラズマが照射さ
れた部分をエッチングする事により周波数を調整するこ
とを特徴とする。
極を配置し、かつ前記アースシールドの一部に開口部を
設け、前記高周波電極と前記アースシールドとの間に、
電気陰性度の高いガスもしくは十分なスパッタ率を確保
できるガスにより発生させたプラズマを前記開口部を通
して前記圧電素子に照射し、主としてプラズマが照射さ
れた部分をエッチングする事により周波数を調整するこ
とを特徴とする。
【００１１】
【実施例】以下、本発明について、図面に基いて説明す
る。
る。
【００１２】実施例１ 第一図は本発明の一つの実施例を示す模式図である。
【００１３】被処理材の圧電素子として石英を用い、８
ｍｍ離して前記石英７と対面した位置に放電電極５を配
置する。前記放電電極５からの外周部をアースシールド
４で覆う。前記放電電極５、アースシールド４共にステ
ンレス製で、放電電極５には、マッチング回路８を介し
て高周波電源９が接続され、またアースシールド４は接
地されている。このような構成を真空容器３の内部に納
め、前記真空容器３をメカニカルブースタポンプ１０を
介してロータリポンプ１１で真空排気する。その後、真
空容器内に電気陰性度の高いガスを流しつつ真空排気を
行い所定の圧力に保つ。本実施例では、フレオンガスを
用い、圧力は３０Ｐａとした。放電電極５に高周波電源
９より高周波電力を印加し、マッチング回路８にてイン
ピーダンス整合を行うと、前記放電電極とアースシール
ド４に挟まれた空間にプラズマが発生する。真空容器内
の圧力が低いとプラズマは石英７の近傍に広がるが、圧
力が高くなるにつれて広がりは小さくなる。この時、プ
ラズマの発生と共に生成されるラジカルの横方向への拡
散も、圧力が高くなり平均自由行程が短くなるにつれて
小さくなる。この様にして活性なラジカルを放電電極５
と石英７に囲まれた空間６内に閉じ込めることができ、
そのラジカルに晒される前記石英７表面と化学反応を起
こす。その際に発生する反応成生物は飽和蒸気圧が高い
ことから気化し、メカニカルブースタポンプ１０及びロ
ータリポンプ１１によって真空容器外へ放出される。こ
の様にして、被処理材としての石英７に局所的なドライ
エッチングが成立し、前記石英の質量が変化することか
ら前記石英の周波数を変化させ、調整することが可能と
なる。
ｍｍ離して前記石英７と対面した位置に放電電極５を配
置する。前記放電電極５からの外周部をアースシールド
４で覆う。前記放電電極５、アースシールド４共にステ
ンレス製で、放電電極５には、マッチング回路８を介し
て高周波電源９が接続され、またアースシールド４は接
地されている。このような構成を真空容器３の内部に納
め、前記真空容器３をメカニカルブースタポンプ１０を
介してロータリポンプ１１で真空排気する。その後、真
空容器内に電気陰性度の高いガスを流しつつ真空排気を
行い所定の圧力に保つ。本実施例では、フレオンガスを
用い、圧力は３０Ｐａとした。放電電極５に高周波電源
９より高周波電力を印加し、マッチング回路８にてイン
ピーダンス整合を行うと、前記放電電極とアースシール
ド４に挟まれた空間にプラズマが発生する。真空容器内
の圧力が低いとプラズマは石英７の近傍に広がるが、圧
力が高くなるにつれて広がりは小さくなる。この時、プ
ラズマの発生と共に生成されるラジカルの横方向への拡
散も、圧力が高くなり平均自由行程が短くなるにつれて
小さくなる。この様にして活性なラジカルを放電電極５
と石英７に囲まれた空間６内に閉じ込めることができ、
そのラジカルに晒される前記石英７表面と化学反応を起
こす。その際に発生する反応成生物は飽和蒸気圧が高い
ことから気化し、メカニカルブースタポンプ１０及びロ
ータリポンプ１１によって真空容器外へ放出される。こ
の様にして、被処理材としての石英７に局所的なドライ
エッチングが成立し、前記石英の質量が変化することか
ら前記石英の周波数を変化させ、調整することが可能と
なる。
【００１４】ここで、本実施例の実験結果の一部を図
２、図３、図４に示す。
２、図３、図４に示す。
【００１５】図２に示すようにフレオンガスの流量を変
化させると周波数調整レートは２００ＳＣＣＭで最大と
なるピークを持つ。また、圧力を変化させた場合の周波
数調整レートは図３に示すように３０Ｐａ付近に最大と
なるピークを持つ。放電電極５と石英７の距離に対する
周波数調整レートの変化は、図４に示すように８ｍｍ付
近に最大となるピークを持つ。さらに、放電電極５と石
英７の距離を変化させた時が周波数の変化幅が最も大き
いことが分かる。従って、本実施例ではフレオンガス流
量、圧力を固定にし、放電電極５と石英７の距離を変化
させる事によって周波数調整レートを幅広く変化させら
れるようにした。
化させると周波数調整レートは２００ＳＣＣＭで最大と
なるピークを持つ。また、圧力を変化させた場合の周波
数調整レートは図３に示すように３０Ｐａ付近に最大と
なるピークを持つ。放電電極５と石英７の距離に対する
周波数調整レートの変化は、図４に示すように８ｍｍ付
近に最大となるピークを持つ。さらに、放電電極５と石
英７の距離を変化させた時が周波数の変化幅が最も大き
いことが分かる。従って、本実施例ではフレオンガス流
量、圧力を固定にし、放電電極５と石英７の距離を変化
させる事によって周波数調整レートを幅広く変化させら
れるようにした。
【００１６】また、本実施例では、石英７にプローブ１
５を介してネットワークアナライザ１２を接続し、前記
石英７の周波数をモニタしながら周波数調整を行い、所
望の周波数になった瞬間に処理を停止する機構も設け
た。
５を介してネットワークアナライザ１２を接続し、前記
石英７の周波数をモニタしながら周波数調整を行い、所
望の周波数になった瞬間に処理を停止する機構も設け
た。
【００１７】実施例２ 図５は二つめの実施例を示す模式図である。本実施例で
はアースシールドを用いておらず放電電極５がむき出し
であり、ホルダーにセットされた石英７と放電電極５と
の距離を５ｍｍに設定した他は、実施例１と同様の装置
構成である。真空容器３内にフレオンガスを流しなが
ら、放電電極５に高周波電力を印加し、インピーダンス
整合を行うと、真空容器３内の圧力が１５Ｐａ程度では
図５（ａ）に示した通り、プラズマは放電電極５からホ
ルダーに向かって広がって発生する。
はアースシールドを用いておらず放電電極５がむき出し
であり、ホルダーにセットされた石英７と放電電極５と
の距離を５ｍｍに設定した他は、実施例１と同様の装置
構成である。真空容器３内にフレオンガスを流しなが
ら、放電電極５に高周波電力を印加し、インピーダンス
整合を行うと、真空容器３内の圧力が１５Ｐａ程度では
図５（ａ）に示した通り、プラズマは放電電極５からホ
ルダーに向かって広がって発生する。
【００１８】この時、主たるエッチング領域はプラズマ
発生領域全体であり、従って石英７表面全体がエッチン
グ領域となる。しかし、本実施例では、石英上の電極膜
としてアルミニウムを用いているので、石英自体はエッ
チングされるが、アルミニウムはエッチングされない。
この為、石英とアルミニウムとの質量比が大きくとれ、
質量効果により周波数を調整することが可能となる。
発生領域全体であり、従って石英７表面全体がエッチン
グ領域となる。しかし、本実施例では、石英上の電極膜
としてアルミニウムを用いているので、石英自体はエッ
チングされるが、アルミニウムはエッチングされない。
この為、石英とアルミニウムとの質量比が大きくとれ、
質量効果により周波数を調整することが可能となる。
【００１９】また、真空容器３内の圧力を高くしていく
につれ、プラズマ発生領域は徐々に狭くなっていき、４
００Ｐａ程度になると図５（ｂ）に示したように石英と
ほぼ同面積の放電電極を用いた場合には、石英とほぼ同
面積のプラズマを発生させることが可能となる。
につれ、プラズマ発生領域は徐々に狭くなっていき、４
００Ｐａ程度になると図５（ｂ）に示したように石英と
ほぼ同面積の放電電極を用いた場合には、石英とほぼ同
面積のプラズマを発生させることが可能となる。
【００２０】さらに圧力を高くしていくと１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電源ではプラズマに発生が困難となる。従
って、本実施例では４００ＭＨｚの周波数を持つ電源を
用い、真空容器内の圧力を３００００Ｐａに設定した。
この時プラズマは放電電極５の近傍１ｍｍ位の領域にし
か発生しない。この時、プラズマにより生成されたラジ
カルは圧力が高いことから、拡散する可能性は極めて低
く、放電電極５の表面が主たるエッチング領域となる。
この為、エッチングの際には常に問題となる真空容器内
の構成部品のエッチングによる消耗を極端に低減しなが
ら石英表面のみをエッチングし、周波数調整することが
可能となる。
Ｈｚの高周波電源ではプラズマに発生が困難となる。従
って、本実施例では４００ＭＨｚの周波数を持つ電源を
用い、真空容器内の圧力を３００００Ｐａに設定した。
この時プラズマは放電電極５の近傍１ｍｍ位の領域にし
か発生しない。この時、プラズマにより生成されたラジ
カルは圧力が高いことから、拡散する可能性は極めて低
く、放電電極５の表面が主たるエッチング領域となる。
この為、エッチングの際には常に問題となる真空容器内
の構成部品のエッチングによる消耗を極端に低減しなが
ら石英表面のみをエッチングし、周波数調整することが
可能となる。
【００２１】この様に、処理圧力を変えることにより、
被処理材である石英７のエッチング領域をフォト工程な
しに変化させ、前記石英の周波数を変化させることが可
能であることが確認された。
被処理材である石英７のエッチング領域をフォト工程な
しに変化させ、前記石英の周波数を変化させることが可
能であることが確認された。
【００２２】上記実施例では、石英７と放電電極５との
間隔、放電電極５に印加する高周波電力を一定にして、
フレオンガス、すなわち処理ガスの圧力を変化させた
が、圧力と高周波電力が一定の条件では石英７と放電電
極５の間隔を、また圧力と、前記石英７及び前記放電電
極５とが一定の条件下では印加する高周波電力の大小を
制御することにより、前述のエッチング領域のコントロ
ールによる圧電素子の周波数調整が可能である。例え
ば、高周波印加電力を大きくすれば放電領域を広く、す
なわち圧力を低くしたときに類似し、逆に小さくすれば
圧力を高くしたときに似たエッチングパターンを示し、
前記周波数調整が可能である。
間隔、放電電極５に印加する高周波電力を一定にして、
フレオンガス、すなわち処理ガスの圧力を変化させた
が、圧力と高周波電力が一定の条件では石英７と放電電
極５の間隔を、また圧力と、前記石英７及び前記放電電
極５とが一定の条件下では印加する高周波電力の大小を
制御することにより、前述のエッチング領域のコントロ
ールによる圧電素子の周波数調整が可能である。例え
ば、高周波印加電力を大きくすれば放電領域を広く、す
なわち圧力を低くしたときに類似し、逆に小さくすれば
圧力を高くしたときに似たエッチングパターンを示し、
前記周波数調整が可能である。
【００２３】実施例３ 図６に三つめの実施例の模式図を示す。実施例１、２と
同様に被処理材７は石英、エッチングガスはフレオン、
放電電極５はステンレス製である。また、本実施例も実
施例１と同様に前記放電電極と前記石英との距離は８ｍ
ｍであるが、異なる点は前記放電電極と前記石英の間に
厚さ１ｍｍのマスクスぺーサ１４を設けたことである。
前記マスクスペーサ１４はステンレス製で、前記石英に
転写したいエッチングパターンと同様の開口部を持ち、
アース電位となっている。真空容器３にフレオンガスを
導入し、圧力を７０Ｐａ程度に保ちマッチング回路８を
介して高周波電源９より高周波電力を印加しインピーダ
ンスマッチング調整をすると、図５（ａ）に示したよう
にプラズマは放電電極５からマスクスペーサに向かって
発生する。この時、マスクスペーサの開口部を通して、
しかも前記開口部とはぼ同面積でプラズマが石英７の表
面に広がる。従って、エッチングに寄与するラジカルも
プラズマの発生した領域６に生成され、石英７にマスク
スペーサの開口部形状と等しいエッチング領域を得るこ
とができる。
同様に被処理材７は石英、エッチングガスはフレオン、
放電電極５はステンレス製である。また、本実施例も実
施例１と同様に前記放電電極と前記石英との距離は８ｍ
ｍであるが、異なる点は前記放電電極と前記石英の間に
厚さ１ｍｍのマスクスぺーサ１４を設けたことである。
前記マスクスペーサ１４はステンレス製で、前記石英に
転写したいエッチングパターンと同様の開口部を持ち、
アース電位となっている。真空容器３にフレオンガスを
導入し、圧力を７０Ｐａ程度に保ちマッチング回路８を
介して高周波電源９より高周波電力を印加しインピーダ
ンスマッチング調整をすると、図５（ａ）に示したよう
にプラズマは放電電極５からマスクスペーサに向かって
発生する。この時、マスクスペーサの開口部を通して、
しかも前記開口部とはぼ同面積でプラズマが石英７の表
面に広がる。従って、エッチングに寄与するラジカルも
プラズマの発生した領域６に生成され、石英７にマスク
スペーサの開口部形状と等しいエッチング領域を得るこ
とができる。
【００２４】図５（ａ）ではマスクスペーサの位置を前
記放電電極５と前記石英７の中間付近としたが、前記マ
スクスペーサ１４の位置を石英７に極めて近づけるか、
あるいは接触させると、図５（ｂ）に示したようにプラ
ズマは前記放電電極５とマスクスペーサ１４及びマスク
スペーサ１４から覗く前記石英７とに囲まれた空間に発
生する。マスクスペーサの材質としてステンレス、アル
ミニウム等エッチングガスと反応しにくいものを選択す
ることで、マスク蒸着、マスクスパッタと同様の効果を
ドライエッチングによる圧電素子の周波数調整に応用す
ることができる。
記放電電極５と前記石英７の中間付近としたが、前記マ
スクスペーサ１４の位置を石英７に極めて近づけるか、
あるいは接触させると、図５（ｂ）に示したようにプラ
ズマは前記放電電極５とマスクスペーサ１４及びマスク
スペーサ１４から覗く前記石英７とに囲まれた空間に発
生する。マスクスペーサの材質としてステンレス、アル
ミニウム等エッチングガスと反応しにくいものを選択す
ることで、マスク蒸着、マスクスパッタと同様の効果を
ドライエッチングによる圧電素子の周波数調整に応用す
ることができる。
【００２５】また、前述した実施例では、エッチングガ
スにフレオン、供給電力に高周波を用いてプラズマエッ
チングによる周波数調整を行ったが、エッチングガスに
アルゴン、供給電力にプラスの直流電圧を用いれば同一
の装置構成でスパッタエッチングによる周波数調整が可
能である事も確認した。
スにフレオン、供給電力に高周波を用いてプラズマエッ
チングによる周波数調整を行ったが、エッチングガスに
アルゴン、供給電力にプラスの直流電圧を用いれば同一
の装置構成でスパッタエッチングによる周波数調整が可
能である事も確認した。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、放電
電極と圧電素子の距離を２０ｍｍ以下の距離に保ち、真
空容器内の圧力、エッチングガスの流量、及び放電電極
に印加する高周波電力、または直流電圧を制御する事で
局所的なプラズマを発生させドライエッチングする事に
より、圧電素子の周波数特性を損なわず、しかも高スル
ープットで稼働率良く行えるという効果を有する。
電極と圧電素子の距離を２０ｍｍ以下の距離に保ち、真
空容器内の圧力、エッチングガスの流量、及び放電電極
に印加する高周波電力、または直流電圧を制御する事で
局所的なプラズマを発生させドライエッチングする事に
より、圧電素子の周波数特性を損なわず、しかも高スル
ープットで稼働率良く行えるという効果を有する。
【００２７】また、放電電極と圧電素子の間にマスクス
ペーサを設け、前記マスクスペーサの開口部を通して発
生させた局所的なプラズマにより上述した効果と同様の
効果を得る事ができる。
ペーサを設け、前記マスクスペーサの開口部を通して発
生させた局所的なプラズマにより上述した効果と同様の
効果を得る事ができる。
【００２８】さらに、前記マスクスペーサを圧電素子に
接触させることにより、プラズマは局所的ではないがエ
ッチングパターンは局所的にできるため、前述した通り
前記圧電素子の周波数特性を損なわずに高スループット
で、しかも高い稼働率にて前記圧電素子の周波数調整が
行えるという効果を有する。
接触させることにより、プラズマは局所的ではないがエ
ッチングパターンは局所的にできるため、前述した通り
前記圧電素子の周波数特性を損なわずに高スループット
で、しかも高い稼働率にて前記圧電素子の周波数調整が
行えるという効果を有する。
【００２９】前記放電電極を中空のアースシールドの中
に設け、前記アースシールド内部で発生させたプラズマ
を前記アースシールドに設けた開口部を通して前記圧電
素子に照射することにより、上述した放電電極とマスク
スペーサを用いた場合の圧電素子の周波数調整と同様の
効果を得ることができる。
に設け、前記アースシールド内部で発生させたプラズマ
を前記アースシールドに設けた開口部を通して前記圧電
素子に照射することにより、上述した放電電極とマスク
スペーサを用いた場合の圧電素子の周波数調整と同様の
効果を得ることができる。
【００３０】圧電素子の周波数調整レートをガス流量、
圧力を固定し、放電電極と圧電素子の距離を変化させる
だけで幅広くコントロールできるため、同一真空チャン
バー内に複数の放電電極を配置し、前記放電電極と圧電
素子の距離をそれぞれ独立に設定することにより粗調
整、微調整や複数ラインによる並列処理が可能となり、
高スループット、イニシャルコストの低減が実現できる
という効果を有する。
圧力を固定し、放電電極と圧電素子の距離を変化させる
だけで幅広くコントロールできるため、同一真空チャン
バー内に複数の放電電極を配置し、前記放電電極と圧電
素子の距離をそれぞれ独立に設定することにより粗調
整、微調整や複数ラインによる並列処理が可能となり、
高スループット、イニシャルコストの低減が実現できる
という効果を有する。
【図１】本発明の局所的にプラズマを発生させ圧電素子
の周波数調整を行う一実施例を示す模式図。
の周波数調整を行う一実施例を示す模式図。
【図２】本発明の局所的にプラズマを発生させ圧電素子
の周波数調整を行う一実施例の結果を示すグラフ。
の周波数調整を行う一実施例の結果を示すグラフ。
【図３】本発明の局所的にプラズマを発生させ圧電素子
の周波数調整を行う実施例の結果を示すグラフ。
の周波数調整を行う実施例の結果を示すグラフ。
【図４】本発明の局所的にプラズマを発生させ圧電素子
の周波数調整を行う一実施例の結果を示すグラフ。
の周波数調整を行う一実施例の結果を示すグラフ。
【図５】本発明の局所的にプラズマを発生させ圧電素子
の周波数調整を行う一実施例を示す模式図。
の周波数調整を行う一実施例を示す模式図。
【図６】本発明の局所的にプラズマを発生させ圧電素子
の周波数調整を行う一実施例を示す模式図。
の周波数調整を行う一実施例を示す模式図。
１ フレオンガスボンベ ２ マスフローコントローラ ３ 真空容器 ４ アースシールド ５ 高周波電極 ６ プラズマ発生領域 ７ 圧電素子（石英） ８ マッチング回路 ９ 高周波電源 １０ メカニカルブースタポンプ １１ ロータリポンプ １２ ネットワークアナライザ １３ エッチング領域 １４ マスクスペーサ １５ プローブ
Claims (13)
- 【請求項１】 真空排気されたチャンバー内にハロゲン
等電気陰性度の高いガスを導入し、前記チャンバー内に
設けた放電電極に高周波を印加しながら圧力、ガス流
量、高周波電力、前記放電電極と被処理材の距離等を制
御し局所的なプラズマを発生させ、主としてプラズマの
発生した部分にエッチングを行う技術を用いて、前記放
電電極と２０ｍｍ以下の距離に配置したウェハーからダ
イシングされた圧電素子との間にプラズマを発生させエ
ッチングする事によりチップごと個別に周波数を調整す
ることを特徴とする圧電素子の周波数調整方法。 - 【請求項２】 前記圧電素子の周波数を調整しながら周
波数をモニターする機能を持ち、前記圧電素子の周波数
が目的値に達したときに周波数調整を終了させることを
特徴とする請求項１記載の圧電素子の周波数調整方法。 - 【請求項３】 少なくとも前記圧電素子とリード端子と
の接合部、及び周波数測定器と前記圧電素子との接続部
がプラズマに晒されないことを特徴とする請求項２記載
の圧電素子の周波数調整方法。 - 【請求項４】 中空のアースシールドの内部に前記放電
電極を配置し、かつ前記アースシールドの一部に開口部
を設け、前記高周波電極と前記アースシールドとの間に
発生させたプラズマを前記開口部を通して前記圧電素子
に照射し、主としてプラズマが照射された部分をエッチ
ングする事により周波数を調整することを特徴とした請
求項２記載の圧電素子の周波数調整方法。 - 【請求項５】 真空排気されたチャンバー内にアルゴン
等十分なスパッタ率を確保できるガスを導入し、前記チ
ャンバー内に設けた放電電極に高周波もしくは直流電圧
を印加しながら圧力、ガス流量、高周波電力、前記放電
電極と被処理材の距離等を制御し局所的なプラズマを発
生させ、主としてプラズマの発生した部分にスパッタエ
ッチングを行う技術を用いて、前記放電電極と２０ｍｍ
以下の距離に配置したウェハーからダイシングされた圧
電素子との間にプラズマを発生させエッチングする事に
よりチップごと個別に周波数を調整することを特徴とす
る圧電素子の周波数調整方法。 - 【請求項６】 前記圧電素子の周波数を調整しながら周
波数をモニターする機能を持ち、前記圧電素子の周波数
が目的値に達したときに周波数調整を終了させることを
特徴とする請求項５記載の圧電素子の周波数調整方法。 - 【請求項７】 少なくとも前記圧電素子とリード端子と
の接合部がプラズマに晒されないことを特徴とする請求
項６記載の圧電素子の周波数調整方法。 - 【請求項８】 中空のアースシールドの内部に前記放電
電極を配置し、かつ前記アースシールドの一部に開口部
を設け、前記放電電極と前記アースシールドとの間に発
生させたプラズマを前記開口部を通して前記圧電素子に
照射し、主としてプラズマが照射された部分をスパッタ
エッチングする事により周波数を調整することを特徴と
した請求項７記載の圧電素子の周波数調整方法。 - 【請求項９】 真空排気装置とハロゲンもしくは不活性
ガス等を流量制御しながら導入する機構とプラズマを発
生させるための放電電極及び電源を有し、局所的なプラ
ズマを発生できるドライエッチャーにおいて、前記放電
電極と被処理材としての圧電素子との距離を２０ｍｍ以
下に配置したことを特徴とする圧電素子の周波数調整装
置。 - 【請求項１０】 前記圧電素子の周波数を周波数調整し
ながら測定できる手段と、前記圧電素子の周波数が目的
値に達した時に周波数調整を停止できる機能を具備した
ことを特徴とする請求項９記載の圧電素子の周波数調整
装置。 - 【請求項１１】 少なくとも前記圧電素子とリード端子
の接合部、及び周波数測定器と前記圧電素子との接続部
をプラズマよりシールドする機構を設けたことを特徴と
する請求項１０記載の圧電素子の周波数調整装置。 - 【請求項１２】 中空のアースシールド内に放電電極を
配し、かつ前記アースシールド内にエッチングガスを導
入する手段を持ち、かつ、前記アースシールドの一部に
開口部を設けたことを特徴とする請求項１１記載の圧電
素子の周波数調整装置。 - 【請求項１３】 単一の真空チャンバー内に前記放電電
極を複数個納め、前記圧電素子の周波数調整条件を圧電
素子と前記複数の放電電極との距離により個別に調整で
きる事を特徴とする請求項１１記載の圧電素子の周波数
調整装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17180693A JP3252542B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 圧電素子の周波数調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17180693A JP3252542B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 圧電素子の周波数調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730355A true JPH0730355A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3252542B2 JP3252542B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=15930073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17180693A Expired - Lifetime JP3252542B2 (ja) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | 圧電素子の周波数調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252542B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08154028A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-06-11 | Tokki Kk | 周波数調整装置 |
| US7186169B2 (en) | 2002-02-27 | 2007-03-06 | Nakanishi Inc. | Angle positioning tool and hand-scaler grinding device using same |
| JP2014195182A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Seiko Epson Corp | 振動素子の製造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448190A (en) * | 1977-09-22 | 1979-04-16 | Matsushima Kogyo Kk | Method of regulating frequency |
| JPS639935A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-16 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS63151103A (ja) * | 1986-12-15 | 1988-06-23 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動子の周波数調整方法および装置 |
| JPH02122624A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-10 | Nec Kyushu Ltd | ドライエッチング装置 |
| JPH03209906A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Yamanashi Denpa Kk | 水晶振動子の周波数調整用蒸着制御装置 |
| JPH04196707A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Kinseki Ltd | 圧電素子の周波数調整装置および周波数調整方法 |
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-
1993
- 1993-07-12 JP JP17180693A patent/JP3252542B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3252542B2 (ja) | 2002-02-04 |
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