JP3704894B2 - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3704894B2 JP3704894B2 JP18090097A JP18090097A JP3704894B2 JP 3704894 B2 JP3704894 B2 JP 3704894B2 JP 18090097 A JP18090097 A JP 18090097A JP 18090097 A JP18090097 A JP 18090097A JP 3704894 B2 JP3704894 B2 JP 3704894B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- processing chamber
- vacuum processing
- wafer
- sample stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理方法及び装置に係り、特にエッチングおよび成膜等のプラズマ処理を施すのに好適なプラズマ処理方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のプラズマ処理装置、例えば、半導体ドライエッチング技術(徳山巍 編著、平成4年10月6日産業図書発行、P243−249)に記載のような、マイクロ波プラズマエッチング装置では、真空処理室へのプラズマ生成と試料台に印加する高周波バイアスとは独自に制御されていた。
なお、高周波バイアスの周波数としては小電力でかつ試料の絶縁物層の厚さによって最適周波数の選定が必要であり、一般には低周波ほど低電力で高電圧になり、13.56MHzで150W必要であったものが、2MHzでは約30W、800KHzでは数Wでほぼ同じイオンのエネルギ効果が得られることが記載されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなマイクロ波プラズマエッチング装置においては、真空処理室中のプラズマの分布を均一にするために、プラズマにエネルギを供給する電磁コイルの巻き方や分布を工夫したり、また、エネルギの供給源であるマイクロ波の導入方法を工夫して均一なプラズマ密度分布とするようにしたり、また、エッチング処理を行うウエハに印加する高周波バイアスを試料台全体で均一に印加されるように、これら工夫を重ねている。
【0004】
上記従来技術は、エッチング処理を行うプロセスによって真空処理室中のプラズマの分布が変化することに関して配慮されていなかった。すなわち、エッチングを行う材料は常に一定のものではなく、プロセス条件も大きく異なることが多い。その結果、最初にプラズマ密度分布が均一となる条件であったとしても、プロセスの過程でプラズマの分布が大きく変化することがあり、全てのプロセスに対して均一なプラズマ密度分布を得ることはできなかった。エッチングプロセスに依存してプラズマ条件が変化し、その結果としてプラズマの分布も変化してしまう。また、試料台に印加する高周波のバイアスは、エッチングプロセスの変化に伴ってプラズマの分布が変化しても常にバイアス電圧が均一な分布となるように制御されていた。その結果、プロセスの条件によってはプラズマの分布が試料台上で外周高から中央高まで変化することもあり、試料台中央と外周部でウエハに入射するイオン量に差が生じてしまう。ウエハの面内でエッチング速度を均一にするためには、プラズマの分布も常に均一な分布としてエッチングすることが必要であった。
【0005】
プラズマエッチングにおいては、ウエハに入射するイオンの量と、個々のイオンのエネルギがエッチング特性に大きく影響するため、両者の制御が重要である。プロセス制御の1つとしてエッチングの均一性をウエハの面内で得るためには、ウエハに入射するイオンの量(飽和イオン電流密度)やイオンのエネルギ、さらにエッチングによって気相中に飛び出す反応生成物の分布の全てをウエハの面内で均一にする方法が考えられる。また、上記のパラメータがエッチング特性に及ぼす影響や傾向がそれぞれ異なる場合、それぞれの特性が相殺されるようにウエハ面内においてそれぞれの分布を制御し、結果としてエッチング特性の均一化を図る方法が考えられる。
【0006】
ここで、ウエハに入射するイオンについて見てみると、入射イオンエネルギは試料台に印加する高周波バイアスのパワーによって制御されることが知られ、また、イオン電流密度分布は、エッチング室のプラズマ密度分布に依存して変化することが知られている。また、イオンの入射方向に磁界を有する装置における入射イオンエネルギの分布は、特に、試料台に印加される高周波バイアスの周波数に依存して大きく変化することが本発明者らの研究により明らかになった。
【0007】
本発明の目的は、プラズマでエッチング処理を行う試料台に印加する高周波の周波数を変化させることで、ウエハをより均一に処理することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、内側が排気され外周が導電性部材で形成された真空処理室と、この真空処理室上部の誘電体製部材を介して該真空処理室内に電磁波を供給する電磁波源と、前記真空処理室の外周に配置されこの真空処理室内に磁場を供給する磁場供給手段と、前記真空処理室内に配置されその上でウエハを支持する試料台とを有し、この試料台上方の前記真空処理室内に供給されたガスを用いてプラズマを形成し前記ウエハを処理するプロセスを複数行うプラズマ処理装置であって、前記試料台に接続されこの試料台に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理室内のプラズマの密度の分布を検出するモニタ手段と、このモニタ手段からの信号を受け前記高周波電源からの高周波の周波数を可変に調節する制御手段とを備え、この制御手段は、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの中央部側より外周側の方が高い場合に前記高周波の周波数を低くし、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの外周側より中央部側の方が高い場合に前記高周波の周波数を高くするように調節することにより達成される。さらに、前記制御手段は、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの中央部側より外周側の方が高い場合に前記高周波電源から前記試料台に供給される電力を大きくすることにより達成される。
【0009】
また、上記目的は、内側が排気され外周が導電性部材で形成された真空処理室と、この真空処理室上部の誘電体製部材を介して該真空処理室内に電磁波を供給する電磁波源と、前記真空処理室の外周に配置されこの真空処理室内に磁場を供給する磁場供給手段と、前記真空処理室内に配置されその上でウエハを支持する試料台と、前記試料台に接続されこの試料台に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理室内のプラズマの密度の分布を検出するモニタ手段とを有し、この試料台上方の前記真空処理室内に供給されたガスを用いてプラズマを形成し前記ウエハを処理するプロセスを複数行うプラズマ処理装置の運転方法であって、前記モニタ手段からの信号を受け、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの中央部側より外周側の方が高い場合に前記高周波電源からの高周波の周波数を低くし、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの外周側より中央部側の方が高い場合に前記周波数を高くするように調節することにより達成される。さらに、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの中央部側より外周側の方が高い場合に前記高周波電源から前記試料台に供給される電力を大きくすることにより達成される。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図1および図2により説明する。
まず図1は、本発明のプラズマ処理装置の一例である有磁場マイクロ波プラズマ処理装置の縦断面図である。1はマグネトロンでありマイクロ波の発振源である。2はマイクロ波の導波管であり、5はその空洞共振部である。4は真空処理室であり、例えば純度の高いアルミ等で作られ、内面は硬質アルマイト処理等が施されて絶縁されている。また、真空処理室4外部は導電体であるため、マイクロ波の導波管の役目もしている。6及び7は真空処理室4に磁場を供給する磁場供給用のソレノイドコイルである。8は真空排気装置であり、真空処理室4に接続されて真空処理室4を真空排気する。3は真空処理室4を真空封止しながらマイクロ波を真空処理室4に供給するための石英板である。9はプラズマ処理を行なうウエハ10を支持する試料台であり、バイアス用電源、例えば高周波電源12が接続されている。11は真空処理室4の中心軸上で導波管2に設けられた観察窓用の金網窓であり、マイクロ波の漏れを防止している。13は真空処理室4内にエッチング処理を行なうガスを供給するガス供給装置である。14は真空処理室4内のプラズマ密度分布を調べるためのモニターであり、該モニター14からの信号は制御装置15に入力され、制御装置15によって真空処理室4内のプラズマ密度分布を認識し、該プラズマ密度分布に応じた高周波電圧の周波数となるように高周波電源12の周波数を設定する。
【0011】
このように構成された装置により、エッチングを行う前に予め真空処理室4内にダミーウエハを搬入し、試料台9にダミーウエハ配置して、マイクロ波と磁場を用いて真空処理室4内にプラズマを発生させ、プラズマ密度分布をモニターして高周波電源12の最適な周波数を設定する。次に、製品用のウエハ10を真空処理室4に搬入し、真空処理室4中にプラズマを発生させるとともに、製品処理開始前に設定した周波数の高周波電源12より高周波電圧を試料台9に印加して、ウエハ10に高周波バイアスを作用させ、試料台9上に配置した製品用のウエハ10にエッチング処理を行う。
【0012】
ここで、本発明者らの研究により明らかになったプラズマ密度分布とバイアス周波数とによるエッチング速度分布の関係を図2に示す。プラズマ密度分布が真空処理室4中央で高い場合、試料台9に印加するバイアス周波数が、例えば、0.8MHz程度と低い場合は、ウエハ中央部と外周部でエッチング速度に差が生じてしまう。この場合、バイアス周波数は0.8MHzとある程度低いので、ウエハ10に印加されるバイアスはウエハ全面でほぼ均一になる、すなわち、入射するイオンのエネルギが均一になる。このため、中央高のプラズマ密度分布のようにウエハ中央部と外周部で入射するイオンの量に差が生じてしまい、真空処理室4中央高のエッチング速度分布となる。
【0013】
一方、高周波電源12のバイアス周波数を、例えば、2MHz程度と高くすると、ウエハに印加されるバイアスはウエハ全面で不均一、この場合、外周高となり、入射するイオンのエネルギはウエハ外周部で大きくなる。その結果、ウエハに入射するプラズマ中のイオンの量とイオンの入射エネルギの相互作用によってエッチングは進行する。これにより、ウエハ外周部ではイオン量は少ないがイオンの入射エネルギが大きいのでエッチングが進行し、ウエハ中央部ではイオン量は多いが入射エネルギが小さいので、ウエハ外周部分と同程度のエッチング速度となって、全体的に均一化される。
【0014】
これは、真空処理室4内でウエハ10へのイオンの入射方向とほぼ同方向に磁界が形成されているために、プラズマ中の電子は磁界に拘束されてウエハ中央部から外側(真空処理室側壁側)へ流れ難くなるためで、これを電気の等価回路に置き換えると試料台9と真空処理室4側壁との間に抵抗およびコイルから成るインピーダンスが生じ、ウエハ中央部ではウエハ外周部に比べ真空処理室4側壁からの距離が遠くなり、インピーダンスが大きくなる。このため、バイアス周波数が大きい場合(例えば、2MHz)には、インピーダンスによる影響が大きいので、ウエハ中央部のバイアス電圧がウエハ外周部よりも低くなり、外周高のバイアス電圧分布、言い替えると、外周高のイオン入射エネルギ分布となる。逆に、バイアス周波数が小さい場合(例えば、0.8MHz)には、インピーダンスによる影響が小さいので、ウエハ中央部のバイアス電圧もウエハ外周部のそれと差がなくなり、ほぼ均等なバイアス電圧分布、言い替えると、ほぼ均等なイオン入射エネルギ分布となる。
【0015】
また、本発明者らの実験によれば、ほぼ均一なプラズマ密度分布の状態で、さらにバイアス周波数を下げ(例えば、0.6MHz)、試料台に印加する高周波電力を上げた場合、図3に示すようにウエハ面内のエッチング速度分布がウエハ中央で大きくなる中高のエッチング速度分布となった。言い替えると、このようなバイアス周波数の印加は、プラズマ密度分布が外周高の場合に有効で、このような中高のプラズマ密度分布のときにこのように低い周波数のバイアスを印加することにより、ほぼ均一なエッチング速度分布の得られることが予想される。
【0016】
以上、有磁場プラズマにおけるバイアス周波数の性質を用い、エッチング処理をウエハ面内で均一に行うために、プラズマの密度分布が真空処理室中で中央高の場合は、印加する高周波バイアスの周波数を高くしてウエハ上のバイアスを外周高とし、ウエハ外周部のエッチング速度を向上させるようにする。また、プラズマの分布が真空処理室中で均一な場合は、ウエハに印加する高周波バイアスの周波数を低く(中程度)し、ほぼ均一なバイアスにしてウエハ全体を均一にエッチングさせるようにする。さらに、プラズマの分布が真空処理室中で外周高の場合は、印加する高周波バイアスの周波数をさらに低くしパワーも上げてエッチング処理し、ウエハ中央部のエッチング速度を向上させるようにする。
【0017】
このように本実施例によれば、エッチング等の処理を行うウエハを保持する試料台に印加する高周波バイアスの周波数を制御することができるため、真空処理室中のプラズマ密度分布によって任意にウエハ面内におけるバイアス電圧によるイオン入射エネルギ分布を制御することが可能となり、プラズマの分布に対応させた高周波バイアスの周波数とすることで、ウエハ面内のエッチング速度の均一性を向上させることができ、ウエハ面内において均一なエッチング処理を行うことができるという効果がある。
【0018】
なお、有磁場マイクロ波プラズマ処理装置を使用し、商用周波数の高周波電源を用いる場合には、800KHzの電源を用いることにより、試料台のほぼ全面で均等なバイアス電圧を得ることができる。また、2MHzの電源を用いることにより、試料台の外周部でバイアス電圧が高くなる電圧分布を得ることができる。さらに、600KHzの電源を用いることにより、ウエハ中央部のエッチング速度を向上させることができる。
【0019】
なお、本実施例では有磁場マイクロ波プラズマ処理装置を例に説明したが、プラズマの生成はマイクロ波に限定されるものではなく、例えば、誘導コイルによるものでも良い。
【0020】
また、本実施例では、周波数可変型の高周波電源を用いているが、周波数の異なる電源を複数台設け、これらの電源を選択使用するようにしても良い。さらに、この変形として、異なるプロセスのエッチング装置が複数台設けられている場合に、周波数の異なる電源を複数台設けて電源装置とし、該電源装置を共用しそれぞれの周波数の電源を選択使用するようにしても良い。
【0021】
また、以上のようなバイアス周波数の制御により、プラズマ中のイオンの入射エネルギを制御することが可能になるので、本実施例は反応性イオンを主体としてエッチング処理されるゲート膜や酸化膜を被エッチング材とする試料に好適である。
【0022】
また、本実施例はエッチング装置について説明したが、イオンの入射エネルギを利用して膜厚を調整しながら成膜するCVD装置にも適用可能である。以上のような実施例によれば、真空処理室中のプラズマ密度の分布によって、試料台に高周波を印加する高周波電源のバイアス周波数を変化させることで、ウエハ全体のエッチング速度の分布を均一にすることが可能となり、ウエハ処理の歩留りを向上させることができるという効果がある。
【0023】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、ウエハをより均一に処理することのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示す縦断面図である。
【図2】図1の装置を用いて処理したときのプラズマ密度およびバイアス周波数とエッチング速度との関係を示す図である。
【図3】図1の装置を用い低い周波数の電源で出力を変えたときのエッチング速度との関係を示す図である。
【符号の説明】
1…マグネトロン、2…導波管、3…石英板、4…真空処理室、5…空洞共振部、6,7…ソレノイドコイル、8…真空排気装置、9…試料台、10…ウエハ、11…金網窓、12…高周波電源、13…ガス供給装置、14…モニター、15…制御装置。
Claims (4)
- 内側が排気され外周が導電性部材で形成された真空処理室と、この真空処理室上部の誘電体製部材を介して該真空処理室内に電磁波を供給する電磁波源と、前記真空処理室の外周に配置されこの真空処理室内に磁場を供給する磁場供給手段と、前記真空処理室内に配置されその上でウエハを支持する試料台とを有し、この試料台上方の前記真空処理室内に供給されたガスを用いてプラズマを形成し前記ウエハを処理するプロセスを複数行うプラズマ処理装置であって、
前記試料台に接続されこの試料台に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理室内のプラズマの密度の分布を検出するモニタ手段と、このモニタ手段からの信号を受け前記高周波電源からの高周波の周波数を可変に調節する制御手段とを備え、
この制御手段は、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの中央部側より外周側の方が高い場合に前記高周波の周波数を低くし、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの外周側より中央部側の方が高い場合に前記高周波の周波数を高くするように調節するプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置であって、前記制御手段は、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの中央部側より外周側の方が高い場合に前記高周波電源から前記試料台に供給される電力を大きくするプラズマ処理装置。
- 内側が排気され外周が導電性部材で形成された真空処理室と、この真空処理室上部の誘電体製部材を介して該真空処理室内に電磁波を供給する電磁波源と、前記真空処理室の外周に配置されこの真空処理室内に磁場を供給する磁場供給手段と、前記真空処理室内に配置されその上でウエハを支持する試料台と、前記試料台に接続されこの試料台に高周波電力を供給する高周波電源と、前記真空処理室内のプラズマの密度の分布を検出するモニタ手段とを有し、この試料台上方の前記真空処理室内に供給されたガスを用いてプラズマを形成し前記ウエハを処理するプロセスを複数行うプラズマ処理装置の運転方法であって、
前記モニタ手段からの信号を受け、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの中央部側より外周側の方が高い場合に前記高周波電源からの高周波の周波数を低くし、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの外周側より中央部側の方が高い場合に前記周波数を高くするように調節するプラズマ処理装置の運転方法。 - 請求項3記載のプラズマ処理装置の運転方法であって、検出された前記プラズマの密度の分布が前記ウエハの中央部側より外周側の方が高い場合に前記高周波電源から前記試料台に供給される電力を大きくするプラズマ処理装置の運転方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18090097A JP3704894B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18090097A JP3704894B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1126189A JPH1126189A (ja) | 1999-01-29 |
JP3704894B2 true JP3704894B2 (ja) | 2005-10-12 |
Family
ID=16091283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18090097A Expired - Fee Related JP3704894B2 (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3704894B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002101813A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-19 | Infineon Technologies Ag | A substrate for mounting a semiconductor device thereon |
JP2009209447A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-09-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP5283475B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2013-09-04 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ制御用電源装置 |
US8040068B2 (en) * | 2009-02-05 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Radio frequency power control system |
CA2896840C (en) | 2013-02-20 | 2021-07-06 | Ecolab Usa Inc. | Global backflow prevention assembly |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5812347B2 (ja) * | 1981-02-09 | 1983-03-08 | 日本電信電話株式会社 | プラズマエッチング装置 |
US4464223A (en) * | 1983-10-03 | 1984-08-07 | Tegal Corp. | Plasma reactor apparatus and method |
JPS6376435A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | ドライエツチング制御方法 |
JPH0250424A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0426110A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JPH0427119A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
JPH04103787A (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-06 | Nippon Stainless Steel Co Ltd | チタン焼鈍コイルのしみ発生防止方法 |
JPH0594955A (ja) * | 1991-08-07 | 1993-04-16 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH06275561A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-09-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP3355926B2 (ja) * | 1995-05-19 | 2002-12-09 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18090097A patent/JP3704894B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1126189A (ja) | 1999-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5851600A (en) | Plasma process method and apparatus | |
US6034346A (en) | Method and apparatus for plasma processing apparatus | |
JP3739137B2 (ja) | プラズマ発生装置及びこのプラズマ発生装置を使用した表面処理装置 | |
US5698062A (en) | Plasma treatment apparatus and method | |
JPH09106900A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP3254069B2 (ja) | プラズマ装置 | |
JP4013674B2 (ja) | プラズマドーピング方法及び装置 | |
JP3704894B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
US5970907A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4467667B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3923323B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2760845B2 (ja) | プラズマ処理装置及びその方法 | |
JP3704023B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP3676680B2 (ja) | プラズマ装置及びプラズマ生成方法 | |
JP2569019B2 (ja) | エッチング方法及びその装置 | |
JPH01184921A (ja) | エッチング、アッシング及び成膜等に有用なプラズマ処理装置 | |
JPH0368771A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP3192352B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2000150196A (ja) | プラズマ処理方法およびその装置 | |
JPH08315998A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP3757159B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3685461B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH097960A (ja) | プラズマcvd方法及びその装置 | |
JP4527833B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
JPH08241797A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040217 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050718 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080805 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090805 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |