JPH0427119A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0427119A JPH0427119A JP13306290A JP13306290A JPH0427119A JP H0427119 A JPH0427119 A JP H0427119A JP 13306290 A JP13306290 A JP 13306290A JP 13306290 A JP13306290 A JP 13306290A JP H0427119 A JPH0427119 A JP H0427119A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- frequency
- energy
- etching
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板のエツチング装置において、荷電粒
子を利用した半導体製造装置に関するものである。
子を利用した半導体製造装置に関するものである。
集積回路等の半導体装置の回路パターン形成には、荷電
粒子を利用したドライエツチング技術が用いられている
。これは回路パターンが形成されたレジスト層を表層に
持つ半導体基板を反応性ガスプラズマにさらし、半導体
基板のレジストのない表面部分をプラズマからの荷電粒
子を含んだエッチャントと化学的または物理的に反応さ
せてエツチングすることにより、半導体基板に回路パタ
ーンを形成させるものである。
粒子を利用したドライエツチング技術が用いられている
。これは回路パターンが形成されたレジスト層を表層に
持つ半導体基板を反応性ガスプラズマにさらし、半導体
基板のレジストのない表面部分をプラズマからの荷電粒
子を含んだエッチャントと化学的または物理的に反応さ
せてエツチングすることにより、半導体基板に回路パタ
ーンを形成させるものである。
第２図は“この従来の半導体基板エツチング装置の断面
図で、ドライエツチングの際、試料台電極２と接地され
ている帯電極３の間には、ＲＦ電源４によってＲＦ電力
が供給されており、このＲＦ電力によって半導体基板５
０表面に形成される直流バイアスの大きさが決められて
いる。この直流バイアスにより、プラズマ中から半導体
基板５へと正イオンが加速される。すなわち、ＲＦ電力
によって半導体基板５に突入してくるイオンのエネルギ
ーを制ａ２シている。
図で、ドライエツチングの際、試料台電極２と接地され
ている帯電極３の間には、ＲＦ電源４によってＲＦ電力
が供給されており、このＲＦ電力によって半導体基板５
０表面に形成される直流バイアスの大きさが決められて
いる。この直流バイアスにより、プラズマ中から半導体
基板５へと正イオンが加速される。すなわち、ＲＦ電力
によって半導体基板５に突入してくるイオンのエネルギ
ーを制ａ２シている。
一般に半導体基板をエツチングする場合、Ｗの周波数が
低いほどイオンのエネルギーが高くなり異方性が高くな
り、周波数が高くなるとイオンのエネルギーは低くなり
、異方性は低くなる。
低いほどイオンのエネルギーが高くなり異方性が高くな
り、周波数が高くなるとイオンのエネルギーは低くなり
、異方性は低くなる。
半導体基板５に突入するイオンのエネルギーが高ければ
、エツチングの異方性が高くなり、エツチングの速度も
速くなるが、一方では半導体基板５に与える損傷が大き
くなる。このため、イオンのエネルギーを最適な大きさ
に制御する必要がある。
、エツチングの異方性が高くなり、エツチングの速度も
速くなるが、一方では半導体基板５に与える損傷が大き
くなる。このため、イオンのエネルギーを最適な大きさ
に制御する必要がある。
従来、このイオンのエネルギーの制御をＲＦ電力の制御
によって行っていた。
によって行っていた。
従来では、このびの周波数には１３．５６■ｈが広く用
いられてきたが、現在では一部でＲＦの周波数を２ＭＨ
ｚにしたものが用いられるようになったが、いずれの場
合もそれら周波数は固定である。
いられてきたが、現在では一部でＲＦの周波数を２ＭＨ
ｚにしたものが用いられるようになったが、いずれの場
合もそれら周波数は固定である。
従来の半導体基板エツチング装置は以上のように構成さ
れていたので、ＲＦ１１力によるイオンエネルギーの制
御だけでは十分とはぎえず、特にＲＦ電力が徽ワットと
いった低電力領域では電力の制御が困難であるという問
題点があった。
れていたので、ＲＦ１１力によるイオンエネルギーの制
御だけでは十分とはぎえず、特にＲＦ電力が徽ワットと
いった低電力領域では電力の制御が困難であるという問
題点があった。
本発明は以上のような問題点を解決するためになされた
もので、エツチング時のイオンエネルギーを容易に制概
することのできる半導体製造装置を得ることを目的とす
る。
もので、エツチング時のイオンエネルギーを容易に制概
することのできる半導体製造装置を得ることを目的とす
る。
本発明に係る半導体製造装置は、荷電粒子を利用したエ
ツチング装置のエツチング時のイオンエネルギーの制御
を、試料台電極に印加するＲＦ電力の周波数によって行
うようにしたものである。
ツチング装置のエツチング時のイオンエネルギーの制御
を、試料台電極に印加するＲＦ電力の周波数によって行
うようにしたものである。
本発明における半導体製造装置は、エツチング時に半導
体基板の突入するイオンのエネルギーを、試料台電極に
印加するＲＦの周波数によって制御するようにしたので
、半導体基板に突入するイオンはＵの電力だけではなく
、周波数にも依存するので、 ＲＦの周波数を可変にす
ることでイオンのエネルギーの制御を行うことができる
。
体基板の突入するイオンのエネルギーを、試料台電極に
印加するＲＦの周波数によって制御するようにしたので
、半導体基板に突入するイオンはＵの電力だけではなく
、周波数にも依存するので、 ＲＦの周波数を可変にす
ることでイオンのエネルギーの制御を行うことができる
。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例である半導体基板エツチング
装置の断面図で、図中符号１〜５は前記従来のものと同
一につき説明は省略する。図において、６は周波数変換
器である。
装置の断面図で、図中符号１〜５は前記従来のものと同
一につき説明は省略する。図において、６は周波数変換
器である。
次に動作について説明する。半導体基板５をエツチング
する際、周波数変換器６の出力の周波数を高くすると、
半導体基板５に突入するイオンのエネルギーは低くなり
、逆に周波数を高くするとイオンのエネルギーは高くな
る。このようにしてイオンのエネルギーを制御すること
ができる。
する際、周波数変換器６の出力の周波数を高くすると、
半導体基板５に突入するイオンのエネルギーは低くなり
、逆に周波数を高くするとイオンのエネルギーは高くな
る。このようにしてイオンのエネルギーを制御すること
ができる。
上記のように本発明によれば、エツチング時に半導体基
板に突入してくるイオンのエネルギーを容易に制御する
ことができ、エツチング時の高エネルギーイオンの突入
による半導体基板の損傷を低減し、エツチング時の異方
性の制御をすることができるという効果がある。
板に突入してくるイオンのエネルギーを容易に制御する
ことができ、エツチング時の高エネルギーイオンの突入
による半導体基板の損傷を低減し、エツチング時の異方
性の制御をすることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例である半導体基板エツチング
装置の断面図、第２図は従来の半導体基板エツチング装
置の断面図である。図において、（１）はチャンバー、
（２）は試料台電極、（３）は帯電極、（４）はＲＦ電
源、（５）は半導体基板、（６）は周波数変換器を示す
。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
装置の断面図、第２図は従来の半導体基板エツチング装
置の断面図である。図において、（１）はチャンバー、
（２）は試料台電極、（３）は帯電極、（４）はＲＦ電
源、（５）は半導体基板、（６）は周波数変換器を示す
。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 荷電粒子を利用した半導体基板エッチング装置におい
て、試料台電極に印加するＲＦ電力の周波数を可変とし
たことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13306290A JPH0427119A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13306290A JPH0427119A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0427119A true JPH0427119A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15095941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13306290A Pending JPH0427119A (ja) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0427119A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1126189A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| WO2022050198A1 (ja) * | 2020-09-01 | 2022-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
-
1990
- 1990-05-22 JP JP13306290A patent/JPH0427119A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1126189A (ja) * | 1997-07-07 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| WO2022050198A1 (ja) * | 2020-09-01 | 2022-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
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