JPH0653176A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH0653176A JPH0653176A JP20330092A JP20330092A JPH0653176A JP H0653176 A JPH0653176 A JP H0653176A JP 20330092 A JP20330092 A JP 20330092A JP 20330092 A JP20330092 A JP 20330092A JP H0653176 A JPH0653176 A JP H0653176A
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- JP
- Japan
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- electrode
- reaction chamber
- wall
- counter electrode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来の技術と同等なエッチング反応をウエハ
上で実現するとともに、ドライクリーニング時に必要な
プラズマ放電空間の広がりにより有効的なドライクリー
ニング効果を実現する。 【構成】 各々電気的に絶縁されて反応室内壁１１に密
着された内壁電極１５、ウエハ保持電極１３、対向電極
１４の三つの電極を持ち、接続スイッチ１７により各々
が独立に陰極、陽極いずれか任意に設定できるようにす
る。ドライクリーニング時には、選択スイッチ１７で、
ウエハ保持電極１３、対向電極１４を接地回路に、内壁
電極１５を高周波整合器１８を介して高周波電源１９に
接続する。この状態では、プラズマ放電空間２０は反応
室空間１２の隅の部分まで達し、またウエハ保持電極１
３、対向電極１４の外縁部で強い放電が得られるため、
付着した重合膜を完全に除去することができる。
上で実現するとともに、ドライクリーニング時に必要な
プラズマ放電空間の広がりにより有効的なドライクリー
ニング効果を実現する。 【構成】 各々電気的に絶縁されて反応室内壁１１に密
着された内壁電極１５、ウエハ保持電極１３、対向電極
１４の三つの電極を持ち、接続スイッチ１７により各々
が独立に陰極、陽極いずれか任意に設定できるようにす
る。ドライクリーニング時には、選択スイッチ１７で、
ウエハ保持電極１３、対向電極１４を接地回路に、内壁
電極１５を高周波整合器１８を介して高周波電源１９に
接続する。この状態では、プラズマ放電空間２０は反応
室空間１２の隅の部分まで達し、またウエハ保持電極１
３、対向電極１４の外縁部で強い放電が得られるため、
付着した重合膜を完全に除去することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造に用い
るドライエッチング装置、特にその反応室の電極構造に
関するものである。
るドライエッチング装置、特にその反応室の電極構造に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の微細化に伴い、回路パター
ンの形成にはドライエッチング装置が用いられる。近年
では、微細パターンの形成に有効な陰極結合型ドライエ
ッチング装置が主流となっている。以下、その構成につ
いて図３を参照しながら説明する。
ンの形成にはドライエッチング装置が用いられる。近年
では、微細パターンの形成に有効な陰極結合型ドライエ
ッチング装置が主流となっている。以下、その構成につ
いて図３を参照しながら説明する。
【０００３】反応室壁１により形成された反応室空間２
は外部の排気ポンプによって真空に保たれる。反応室空
間２の内部には、ウエハ５の保持台を兼ねた陰極電極３
と、対向電極４を有している。陰極電極３は反応室壁１
と電気的に絶縁され、高周波整合器６を介して高周波電
源７に接続される。反応室壁１と対向電極４は電気的に
接地され、放電時には陽極としての役割を果たす。
は外部の排気ポンプによって真空に保たれる。反応室空
間２の内部には、ウエハ５の保持台を兼ねた陰極電極３
と、対向電極４を有している。陰極電極３は反応室壁１
と電気的に絶縁され、高周波整合器６を介して高周波電
源７に接続される。反応室壁１と対向電極４は電気的に
接地され、放電時には陽極としての役割を果たす。
【０００４】上記構成において、反応室空間２にエッチ
ング反応種生成用のガスを導入し、外部の排気ポンプに
よって減圧状態にしたのち、陰極電極３に対して高周波
整合器６を介して高周波電源７より高周波電力を印加す
ると、反応室空間２の内部にプラズマ放電空間８が発生
する。このプラズマ放電によって発生するイオン、ラジ
カルなどの活性種により、ウエハ５上に所望のエッチン
グ反応を生じさせる。
ング反応種生成用のガスを導入し、外部の排気ポンプに
よって減圧状態にしたのち、陰極電極３に対して高周波
整合器６を介して高周波電源７より高周波電力を印加す
ると、反応室空間２の内部にプラズマ放電空間８が発生
する。このプラズマ放電によって発生するイオン、ラジ
カルなどの活性種により、ウエハ５上に所望のエッチン
グ反応を生じさせる。
【０００５】このようなドライエッチング装置を用いた
場合の問題として、反応室壁１、陰極電極３、対向電極
４への反応生成物や反応ガスの重合膜の付着がある。特
に近年、デザインルールの微細化に対する異方性エッチ
ングの実現、高選択性の実現のために、低揮発性、高重
合性の反応ガスを用いることが多く、反応生成物や反応
ガスの重合膜の付着がより顕著になっている。この重合
膜の付着が増加した場合、付着した重合膜の剥離が発生
し、剥離した重合膜の一部がウエハ５上にダストとして
付着し、所望するパターン形成を阻害する。この重合膜
を除去するには、反応室を大気解放する必要があり、製
造装置の稼働率を低下させる要因となる。
場合の問題として、反応室壁１、陰極電極３、対向電極
４への反応生成物や反応ガスの重合膜の付着がある。特
に近年、デザインルールの微細化に対する異方性エッチ
ングの実現、高選択性の実現のために、低揮発性、高重
合性の反応ガスを用いることが多く、反応生成物や反応
ガスの重合膜の付着がより顕著になっている。この重合
膜の付着が増加した場合、付着した重合膜の剥離が発生
し、剥離した重合膜の一部がウエハ５上にダストとして
付着し、所望するパターン形成を阻害する。この重合膜
を除去するには、反応室を大気解放する必要があり、製
造装置の稼働率を低下させる要因となる。
【０００６】この問題を解決するために、従来の技術に
おいては、ドライクリーニングと呼ばれる、プラズマ放
電により発生した活性種を用いた重合膜除去方法が採ら
れている。この方法は、反応室空間２にドライクリーニ
ング用のガスを導入し、外部の排気ポンプによって減圧
状態にしたのち、陰極電極３に対して高周波整合器６を
介して高周波電源７より高周波電力を印加し、反応室空
間２の内部にプラズマ放電空間８を発生させ、このプラ
ズマ放電によって発生するイオン、ラジカルなどの活性
種により、反応室壁１、陰極電極３、対向電極４に付着
した重合膜を揮発性の高い反応物に変え、外部の排気ポ
ンプによって排気する方法である。ドライクリーニング
用のガスとしては、CF4 、SF6 、NF3 などの弗化物、Ｏ
2、これらの混合ガスが一般に用いられる。この方法
は、単結晶、多結晶のシリコンや、シリコン酸化物、シ
リコン窒化物のエッチング装置において、比較的有効な
方法である。
おいては、ドライクリーニングと呼ばれる、プラズマ放
電により発生した活性種を用いた重合膜除去方法が採ら
れている。この方法は、反応室空間２にドライクリーニ
ング用のガスを導入し、外部の排気ポンプによって減圧
状態にしたのち、陰極電極３に対して高周波整合器６を
介して高周波電源７より高周波電力を印加し、反応室空
間２の内部にプラズマ放電空間８を発生させ、このプラ
ズマ放電によって発生するイオン、ラジカルなどの活性
種により、反応室壁１、陰極電極３、対向電極４に付着
した重合膜を揮発性の高い反応物に変え、外部の排気ポ
ンプによって排気する方法である。ドライクリーニング
用のガスとしては、CF4 、SF6 、NF3 などの弗化物、Ｏ
2、これらの混合ガスが一般に用いられる。この方法
は、単結晶、多結晶のシリコンや、シリコン酸化物、シ
リコン窒化物のエッチング装置において、比較的有効な
方法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術におけるドライクリーニング方法においては、反応
室壁１、陰極電極３、対向電極４に付着した重合膜を完
全に除去することは困難であった。これは、従来方法で
は、発生するプラズマ空間８は、陰極電極３と対向電極
４に挟まれた空間に閉じ込められ易く、反応室空間２全
体に広がり難いためであり、反応室壁１の隅の部分や、
陰極電極３、対向電極４の外縁部に付着した重合膜を除
去できないという問題を有している。しかしながら、従
来技術のプラズマ空間８の広がりに関する性質は、ウエ
ハ５上に所望のエッチング反応を生じさせるためには必
要な要因である。
技術におけるドライクリーニング方法においては、反応
室壁１、陰極電極３、対向電極４に付着した重合膜を完
全に除去することは困難であった。これは、従来方法で
は、発生するプラズマ空間８は、陰極電極３と対向電極
４に挟まれた空間に閉じ込められ易く、反応室空間２全
体に広がり難いためであり、反応室壁１の隅の部分や、
陰極電極３、対向電極４の外縁部に付着した重合膜を除
去できないという問題を有している。しかしながら、従
来技術のプラズマ空間８の広がりに関する性質は、ウエ
ハ５上に所望のエッチング反応を生じさせるためには必
要な要因である。
【０００８】本発明は上記課題を解決するもので、有効
的なドライクリーニング効果を実現することができるド
ライエッチング装置を提供することを目的としている。
的なドライクリーニング効果を実現することができるド
ライエッチング装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のドライエッチング装置は、各々電気的に絶
縁されて反応室内壁に密着された内壁電極、ウエハ保持
電極、対向電極の三つの電極を持ち、各々が独立に高周
波整合器を介した高周波電源または接地回路に選択的に
接続可能なスイッチを備え、三つの電極を陰極、陽極い
ずれか任意に設定することができる構成にしたものであ
る。
に、本発明のドライエッチング装置は、各々電気的に絶
縁されて反応室内壁に密着された内壁電極、ウエハ保持
電極、対向電極の三つの電極を持ち、各々が独立に高周
波整合器を介した高周波電源または接地回路に選択的に
接続可能なスイッチを備え、三つの電極を陰極、陽極い
ずれか任意に設定することができる構成にしたものであ
る。
【００１０】
【作用】本発明は上記した構成により、三つの電極を陰
極、陽極いずれか任意に設定することができるため、従
来の技術と同等なエッチング反応をウエハ上で実現する
とともに、ドライクリーニング時に必要なプラズマ放電
空間の広がりを実現することができる。
極、陽極いずれか任意に設定することができるため、従
来の技術と同等なエッチング反応をウエハ上で実現する
とともに、ドライクリーニング時に必要なプラズマ放電
空間の広がりを実現することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１および図２は本発明の一実施例
のドライエッチング装置の構成図である。同図におい
て、反応室壁１１により形成された反応室空間１２は外
部の排気ポンプによって真空に保たれる。反応室空間１
２の内部には、ウエハ１６の保持と放電電極を兼ねたウ
エハ保持電極１３と対向電極１４と反応室壁１１に密着
された内壁電極１５を有している。反応室壁１１は電気
的に接地され、ウエハ保持電極１３、対向電極１４、内
壁電極１５および反応室壁１１は各々電気的に絶縁され
ている。ウエハ保持電極１３、対向電極１４、内壁電極
１５は各々同軸ケーブルによって選択スイッチ１７に接
続され、選択スイッチ１７はウエハ保持電極１３、対向
電極１４、内壁電極１５を各々独立して、高周波整合器
１８を介した高周波電源１９または接地回路に接続す
る。
しながら説明する。図１および図２は本発明の一実施例
のドライエッチング装置の構成図である。同図におい
て、反応室壁１１により形成された反応室空間１２は外
部の排気ポンプによって真空に保たれる。反応室空間１
２の内部には、ウエハ１６の保持と放電電極を兼ねたウ
エハ保持電極１３と対向電極１４と反応室壁１１に密着
された内壁電極１５を有している。反応室壁１１は電気
的に接地され、ウエハ保持電極１３、対向電極１４、内
壁電極１５および反応室壁１１は各々電気的に絶縁され
ている。ウエハ保持電極１３、対向電極１４、内壁電極
１５は各々同軸ケーブルによって選択スイッチ１７に接
続され、選択スイッチ１７はウエハ保持電極１３、対向
電極１４、内壁電極１５を各々独立して、高周波整合器
１８を介した高周波電源１９または接地回路に接続す
る。
【００１２】図２においては、反応室空間１２にエッチ
ング反応種生成用のガスを導入し、外部の排気ポンプに
よって減圧状態にしたのち、選択スイッチ１７によりウ
エハ保持電極１３を高周波整合器１８を介した高周波電
源１９に、対向電極１４、内壁電極１５を接地回路に接
続する。この状態においては従来の技術と同等なエッチ
ング反応をウエハ上で実現することができる。
ング反応種生成用のガスを導入し、外部の排気ポンプに
よって減圧状態にしたのち、選択スイッチ１７によりウ
エハ保持電極１３を高周波整合器１８を介した高周波電
源１９に、対向電極１４、内壁電極１５を接地回路に接
続する。この状態においては従来の技術と同等なエッチ
ング反応をウエハ上で実現することができる。
【００１３】図１においては、反応室空間１２にドライ
クリーニング用のガスを導入し、外部の排気ポンプによ
って減圧状態にしたのち、選択スイッチ１７によりウエ
ハ保持電極１３、対向電極１４を接地回路に、内壁電極
１５を高周波整合器１８を介した高周波電源１９に接続
する。この状態においては、プラズマ放電空間２０は反
応室空間１２の隅の部分まで達し、またウエハ保持電極
１３、対向電極１４の外縁部で強い放電が得られるた
め、反応室壁１１の隅の部分や、ウエハ保持電極１３、
対向電極１４の外縁部に付着した重合膜をドライクリー
ニングにより完全に除去することができる。
クリーニング用のガスを導入し、外部の排気ポンプによ
って減圧状態にしたのち、選択スイッチ１７によりウエ
ハ保持電極１３、対向電極１４を接地回路に、内壁電極
１５を高周波整合器１８を介した高周波電源１９に接続
する。この状態においては、プラズマ放電空間２０は反
応室空間１２の隅の部分まで達し、またウエハ保持電極
１３、対向電極１４の外縁部で強い放電が得られるた
め、反応室壁１１の隅の部分や、ウエハ保持電極１３、
対向電極１４の外縁部に付着した重合膜をドライクリー
ニングにより完全に除去することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、三つの
電極を陰極、陽極いずれか任意に設定することができる
ため、従来の技術と同等なエッチング反応をウエハ上で
実現するとともに、ドライクリーニング時に必要なプラ
ズマ放電空間の広がりによって有効的なドライクリーニ
ング効果を実現し、大気解放頻度の少ない、稼働率の高
いエッチング装置を提供できる。
電極を陰極、陽極いずれか任意に設定することができる
ため、従来の技術と同等なエッチング反応をウエハ上で
実現するとともに、ドライクリーニング時に必要なプラ
ズマ放電空間の広がりによって有効的なドライクリーニ
ング効果を実現し、大気解放頻度の少ない、稼働率の高
いエッチング装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例のドライエッチング装置のド
ライクリーニング時における接続を示す構成図
ライクリーニング時における接続を示す構成図
【図２】本発明の一実施例のドライエッチング装置のエ
ッチング時における接続を示す構成図
ッチング時における接続を示す構成図
【図３】従来のドライエッチング装置の構成図
１１ 反応室壁 １２ 反応室空間 １３ ウエハ保持電極 １４ 対向電極 １５ 内壁電極 １６ ウエハ １７ 選択スイッチ １８ 高周波整合器 １９ 高周波電源 ２０ プラズマ放電空間
Claims (1)
- 【請求項１】各々電気的に絶縁されて反応室内壁に密着
された内壁電極、ウエハ保持電極、対向電極の三つの電
極を持ち、各々が独立に高周波整合器を介した高周波電
源または接地回路に選択的に接続可能なスイッチを備
え、三つの電極を陰極、陽極いずれか任意に設定するこ
とを可能にしたドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20330092A JPH0653176A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20330092A JPH0653176A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653176A true JPH0653176A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16471750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20330092A Pending JPH0653176A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653176A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6290806B1 (en) * | 1993-04-16 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor |
| US6485572B1 (en) * | 2000-08-28 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Use of pulsed grounding source in a plasma reactor |
| KR100596769B1 (ko) * | 1999-10-28 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라즈마 식각장치 |
| JP2007081221A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置および処理方法 |
| KR100724284B1 (ko) * | 2005-09-06 | 2007-06-04 | 주식회사 아이피에스 | 플라즈마 처리장치 |
| US7253117B2 (en) | 2000-08-17 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Methods for use of pulsed voltage in a plasma reactor |
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| US7464717B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a CVD chamber |
| US20120205046A1 (en) * | 2008-03-20 | 2012-08-16 | Applied Materials, Inc. | Tunable ground planes in plasma chambers |
| JP2020043227A (ja) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US10790121B2 (en) | 2017-04-07 | 2020-09-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma density control on substrate edge |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20330092A patent/JPH0653176A/ja active Pending
Cited By (22)
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| US6500300B2 (en) | 1993-04-16 | 2002-12-31 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactor |
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| US7465357B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Computer-readable medium that contains software for executing a method for cleaning a CVD chamber |
| US7464717B2 (en) | 2003-01-27 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a CVD chamber |
| US7500445B2 (en) | 2003-01-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
| US7654224B2 (en) | 2003-01-27 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
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