JPH02122624A - ドライエッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程で用いられるドライエツ
チング装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のドライエツチング装置は、エツチング終
了後にエツチング室あるいは真空予備室を大気に戻して
、電荷を帯びた半導体基板をそのまま装置から取り出す
ように構成されていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のドライエツチング装置では、半導体基板
が電荷を帯びた状態で、エツチング室あるいは真空予備
室を大気にするように構成されていた為、大気化により
巻き上げられたエツチング室内あるいは真空予備室内の
ごみが電荷により半導体基板表面に吸着され、その後の
製造工程で、ごみに起因する不良を生じる等の欠点があ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のドライエツチング装置は、半導体基板上の電荷
を除去するための手段を設けたものである。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。

第１図において、エツチングチャンバー１内には、上部
電極２と半導体基板６を保持する下部電極３とが設けら
れており、下部電極３は高周波電源４に接続されている
。そして、特にエツチングチャンバー１の下部には、接
地電極に接続された導体からなる電荷除去器７と、モー
ターやピストン等からなり、この電荷除去器７を上下に
駆動する駆動部８が設けられている。尚第１図において
５は絶縁物である。

このように構成された第１の実施例においては、エツチ
ング終了後に駆動部８により電荷除去器７を上昇させ、
下部電極３に設けられた穴より電荷除去器７を半導体基
板６に接触させてその電荷を除去することができる。従
って、ごみ等が半導体基板６に吸着されることがなくな
るため、後工程でのごみに起因する不良の発生が少くな
る。

第２図は本発明の第２の実施例の平面図である。

この実施例では電荷除去器７を真空予備室９の前に設置
しである。このため、エツチング中に帯びた電荷のみな
らず、エツチングチャンバー１から真空予備室９までの
撤退中に帯びた電荷も除去できるという利点を有する。

〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、エツチング終了後に半導
体基板の帯びた電荷を除去するための手段を設けること
により、エツチング室あるいは真空予備室の大気化のと
きに巻き上げられたごみ等が半導体基板表面へ吸着する
のを防ぐことができる効果がある。従って半導体装置の
不良率を減らすことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の平面図である。 １・・・エツチングチャンバー、２・・・上部電極、３
・・・下部電極、４・・・高周波電源、５・・・絶縁物
、６・・・半導体基板、７・・・電荷除去器、８・・・
駆動部、９・・・真空予備室、１０・・・供給エレベー
タ−１１１・・・収納エレベータ−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　エッチング室内を真空に保ち、電極に高周波電圧を印
   加し、導入したガスを励起してプラズマを発生させ半導
   体基板表面をエッチングするドライエッチング装置にお
   いて、前記半導体基板上の電荷を除去するための手段を
   設けたことを特徴とするドライエッチング装置。