JPH11121435A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法Info
- Publication number
- JPH11121435A JPH11121435A JP27574297A JP27574297A JPH11121435A JP H11121435 A JPH11121435 A JP H11121435A JP 27574297 A JP27574297 A JP 27574297A JP 27574297 A JP27574297 A JP 27574297A JP H11121435 A JPH11121435 A JP H11121435A
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- Japan
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- wafer
- dust collection
- collection ring
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理チャンバ内でのウェーハ表面へのパーテ
ィクルの付着を抑制するすること。 【解決手段】 処理チャンバ２内でウェーハ１に高周波
電力を印加し、プラズマを用いてウェーハ１を処理する
に基板処理装置に、ウェーハ１を囲むようにウェーハ１
近傍に集塵リング５を設けるとともに、この集塵リング
５に直流電力を印加する直流電源８を設ける。この装置
を使用して、集塵リング５に直流電力を印加して処理チ
ャンバ２内に浮遊するパーティクルを集塵リング５に吸
着させた後に、ウェーハ１に高周波電力を印加して所望
の処理を行う。
ィクルの付着を抑制するすること。 【解決手段】 処理チャンバ２内でウェーハ１に高周波
電力を印加し、プラズマを用いてウェーハ１を処理する
に基板処理装置に、ウェーハ１を囲むようにウェーハ１
近傍に集塵リング５を設けるとともに、この集塵リング
５に直流電力を印加する直流電源８を設ける。この装置
を使用して、集塵リング５に直流電力を印加して処理チ
ャンバ２内に浮遊するパーティクルを集塵リング５に吸
着させた後に、ウェーハ１に高周波電力を印加して所望
の処理を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置、特
にドライエッチング装置等、処理チャンバ内で基板（ウ
ェーハ等）に高周波電力を印加し、プラズマを利用して
基板を処理する装置、及びそれにより基板を処理する方
法に関する。
にドライエッチング装置等、処理チャンバ内で基板（ウ
ェーハ等）に高周波電力を印加し、プラズマを利用して
基板を処理する装置、及びそれにより基板を処理する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造に際し、基板処理
装置内で基板（ウェーハ）表面にパーティクルが付着す
るとパターン不良等の重大な欠陥を生じて製造歩留りが
低下することになる。しかも、近年、半導体デバイスの
パターンが微細化が進むに従い、より微小なパーティク
ルでもデバイスに重大な欠陥を生じるようになってきて
いる。そのため、従来は基板処理装置の処理チャンバ内
の形状を工夫したり、処理チャンバ内を頻繁にクリーニ
ングするなどして、パーティクルの発生を抑制してい
た。
装置内で基板（ウェーハ）表面にパーティクルが付着す
るとパターン不良等の重大な欠陥を生じて製造歩留りが
低下することになる。しかも、近年、半導体デバイスの
パターンが微細化が進むに従い、より微小なパーティク
ルでもデバイスに重大な欠陥を生じるようになってきて
いる。そのため、従来は基板処理装置の処理チャンバ内
の形状を工夫したり、処理チャンバ内を頻繁にクリーニ
ングするなどして、パーティクルの発生を抑制してい
た。
【０００３】また、集塵電極を被処理基板に近接させて
被処理基板上のパーティクルを吸着するようにした基板
処理装置が特開平６−６９１６２公報に、被処理基板と
同形状の集塵電極を被処理基板搬送機構を使用して処理
チャンバに搬入して処理チャンバ内をクリーニングする
ことが特開平３−１８６３６４に、被処理基板に超音波
振動を与えて被処理基板上のパーティクルを離脱させて
これを集塵電極で捕集するようにした基板処理装置が特
開平４−８０９２３に、それぞれ開示されている。
被処理基板上のパーティクルを吸着するようにした基板
処理装置が特開平６−６９１６２公報に、被処理基板と
同形状の集塵電極を被処理基板搬送機構を使用して処理
チャンバに搬入して処理チャンバ内をクリーニングする
ことが特開平３−１８６３６４に、被処理基板に超音波
振動を与えて被処理基板上のパーティクルを離脱させて
これを集塵電極で捕集するようにした基板処理装置が特
開平４−８０９２３に、それぞれ開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の装置・方法では、処理チャンバ内の形状の工夫で
はパーティクルの発生を十分に抑制することはできず、
頻繁なクリーニングでは装置のスループットが著しく低
下し、上記の集塵電極を用いる方式では装置が複雑化、
大型化するとともに、スループットの低下も避けられな
い、という問題があった。
従来の装置・方法では、処理チャンバ内の形状の工夫で
はパーティクルの発生を十分に抑制することはできず、
頻繁なクリーニングでは装置のスループットが著しく低
下し、上記の集塵電極を用いる方式では装置が複雑化、
大型化するとともに、スループットの低下も避けられな
い、という問題があった。
【０００５】本発明は、このような問題を解決して、処
理チャンバ内でのウェーハ表面へのパーティクルの付着
を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法
を提供することを目的とする。
理チャンバ内でのウェーハ表面へのパーティクルの付着
を抑制することができる基板処理装置及び基板処理方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、処理チャンバ内で基板に高周波
電力を印加し、プラズマを用いて該基板を処理する基板
処理装置において、該基板を囲むように該基板の近傍に
配設された集塵リングと、該集塵リングに直流電力を印
加する直流電源とを有する基板処理装置としている。
め、本発明においては、処理チャンバ内で基板に高周波
電力を印加し、プラズマを用いて該基板を処理する基板
処理装置において、該基板を囲むように該基板の近傍に
配設された集塵リングと、該集塵リングに直流電力を印
加する直流電源とを有する基板処理装置としている。
【０００７】また、本発明においては、処理チャンバ内
で基板に高周波電力を印加し、プラズマを用いて該基板
を処理する基板処理方法において、該基板を囲むように
該基板の近傍に配設された集塵リングを有する基板処理
装置を使用し、該集塵リングに直流電力を印加して処理
チャンバ内に浮遊するパーティクルを該集塵リングに吸
着させた後に、該基板に高周波電力を印加する基板処理
方法としている。
で基板に高周波電力を印加し、プラズマを用いて該基板
を処理する基板処理方法において、該基板を囲むように
該基板の近傍に配設された集塵リングを有する基板処理
装置を使用し、該集塵リングに直流電力を印加して処理
チャンバ内に浮遊するパーティクルを該集塵リングに吸
着させた後に、該基板に高周波電力を印加する基板処理
方法としている。
【０００８】即ち、従来の装置及び方法により発生を抑
制しても尚且つ発生して浮遊するパーティクルを、基板
（ウェーハ）に高周波電力を印加する前に基板近傍で基
板表面以外の部分に吸着させるから、基板への付着が減
ることになる。
制しても尚且つ発生して浮遊するパーティクルを、基板
（ウェーハ）に高周波電力を印加する前に基板近傍で基
板表面以外の部分に吸着させるから、基板への付着が減
ることになる。
【０００９】尚、処理チャンバ内でプラズマ照射を開始
すると、処理チャンバ内壁に付着している反応生成物が
温度変化により剥離し易くなり、パーティクルが発生す
る。これが静電引力等によって基板に付着する。一方、
基板に高周波電力を印加している間は、パーティクルは
イオンシースの上層部（ゼロ電位に近い箇所）に浮遊す
るから、基板への付着は僅少となる。従って、プラズマ
照射を開始してから基板に高周波電力を印加するまでの
間が、基板へのパーティクル付着が最も多い時期とな
る。本発明ではこのタイミングを捉えて基板の周辺で基
板を包囲する集塵リングに集塵するものである。
すると、処理チャンバ内壁に付着している反応生成物が
温度変化により剥離し易くなり、パーティクルが発生す
る。これが静電引力等によって基板に付着する。一方、
基板に高周波電力を印加している間は、パーティクルは
イオンシースの上層部（ゼロ電位に近い箇所）に浮遊す
るから、基板への付着は僅少となる。従って、プラズマ
照射を開始してから基板に高周波電力を印加するまでの
間が、基板へのパーティクル付着が最も多い時期とな
る。本発明ではこのタイミングを捉えて基板の周辺で基
板を包囲する集塵リングに集塵するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１を参照しながら説明する。同図において、１は被処理
物の基板（例えば、半導体ウェーハ）、２は処理チャン
バ、３は試料台（例えば、静電チャック）、４は試料台
３及び集塵リング５を処理チャンバ２から電気的に絶縁
するインシュレータ、５は集塵リング、６は集塵リング
５を試料台３及び基板１から電気的に絶縁するインシュ
レータ、７は試料台３を介して基板１に高周波電力を印
加する高周波電源、８は集塵リング５に直流電力を印加
する直流電源、８ａは切換え手段である。
１を参照しながら説明する。同図において、１は被処理
物の基板（例えば、半導体ウェーハ）、２は処理チャン
バ、３は試料台（例えば、静電チャック）、４は試料台
３及び集塵リング５を処理チャンバ２から電気的に絶縁
するインシュレータ、５は集塵リング、６は集塵リング
５を試料台３及び基板１から電気的に絶縁するインシュ
レータ、７は試料台３を介して基板１に高周波電力を印
加する高周波電源、８は集塵リング５に直流電力を印加
する直流電源、８ａは切換え手段である。
【００１１】処理チャンバ２は排気口２ａを介して真空
排気手段（図示は省略）に連通しており、この中で基板
１にプラズマを照射して処理（例えば、エッチング）す
る。集塵リング５はリング状の電極であり、その上面の
内周が試料台３上に載置される基板１の外周に近接する
ように配設されている。表面は絶縁物に覆われている。
排気手段（図示は省略）に連通しており、この中で基板
１にプラズマを照射して処理（例えば、エッチング）す
る。集塵リング５はリング状の電極であり、その上面の
内周が試料台３上に載置される基板１の外周に近接する
ように配設されている。表面は絶縁物に覆われている。
【００１２】この基板処理装置を使用して、基板を次の
ように処理する。先ず基板１を試料台３上に載置した直
後に集塵リング５に直流電力を印加する。基板処理装置
がエッチング装置である場合、パーティクルはマイナス
に帯電した反応生成物が主であるから、集塵リング５を
プラス電位とする。次に基板１へのプラズマ照射を開始
し、その後に試料台３を介して基板１に高周波電力を印
加する。その直後乃至数秒後に集塵リング５への直流電
力の印加を停止し、その電位をグランドレベルとする。
所定時間後、基板１への高周波電力の印加及びプラズマ
照射を停止し、１サイクルの基板処理を終了する。集塵
リング５に直流電圧を印加している間、浮遊パーティク
ルが集塵リング５に吸着される。
ように処理する。先ず基板１を試料台３上に載置した直
後に集塵リング５に直流電力を印加する。基板処理装置
がエッチング装置である場合、パーティクルはマイナス
に帯電した反応生成物が主であるから、集塵リング５を
プラス電位とする。次に基板１へのプラズマ照射を開始
し、その後に試料台３を介して基板１に高周波電力を印
加する。その直後乃至数秒後に集塵リング５への直流電
力の印加を停止し、その電位をグランドレベルとする。
所定時間後、基板１への高周波電力の印加及びプラズマ
照射を停止し、１サイクルの基板処理を終了する。集塵
リング５に直流電圧を印加している間、浮遊パーティク
ルが集塵リング５に吸着される。
【００１３】尚、試料台３が静電チャックである場合に
は、集塵リング５に直流電力を印加している間は、チャ
ックの電位は集塵リング５とは逆の電位にするとよい。
本発明は以上の例に限定されることなく、更に種々変形
して実施することができる。
は、集塵リング５に直流電力を印加している間は、チャ
ックの電位は集塵リング５とは逆の電位にするとよい。
本発明は以上の例に限定されることなく、更に種々変形
して実施することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理チャンバ内でのウェーハ表面へのパーティクルの付
着を抑制するすることができる基板処理装置及び基板処
理方法を提供することができ、半導体デバイス等の製造
歩留り向上に寄与する。
処理チャンバ内でのウェーハ表面へのパーティクルの付
着を抑制するすることができる基板処理装置及び基板処
理方法を提供することができ、半導体デバイス等の製造
歩留り向上に寄与する。
【図１】 本発明の実施の形態を示す模式断面図であ
る。
る。
１ 基板（ウェーハ） ２ 処理チャンバ ２ａ 排気口 ３ 試料台 ４ インシュレータ ５ 集塵リング ６ インシュレータ ７ 高周波電源 ８ 直流電源 ８ａ 切換え手段
Claims (2)
- 【請求項１】 処理チャンバ内で基板に高周波電力を印
加し、プラズマを用いて該基板を処理する基板処理装置
において、該基板を囲むように該基板の近傍に配設され
た集塵リングと、該集塵リングに直流電力を印加する直
流電源とを有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 処理チャンバ内で基板に高周波電力を印
加し、プラズマを用いて該基板を処理する基板処理方法
において、該基板を囲むように該基板の近傍に配設され
た集塵リングを有する基板処理装置を使用し、該集塵リ
ングに直流電力を印加して該処理チャンバ内に浮遊する
パーティクルを該集塵リングに吸着させた後に、該基板
に高周波電力を印加することを特徴とする基板処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27574297A JPH11121435A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27574297A JPH11121435A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121435A true JPH11121435A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17559769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27574297A Withdrawn JPH11121435A (ja) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121435A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423176B1 (en) | 1998-04-13 | 2002-07-23 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| KR100454122B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2004-10-26 | (주) 디에스테크노 | ＣＶＤ 반응 장치용 다공 ＳｉＣ 가이드 링의 제조방법 |
| JP2005286027A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP2006332505A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Kyocera Corp | 試料ホルダとそれを用いた検査装置及び検査方法 |
| JP2008211018A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Kyocera Corp | 試料ホルダとそれを用いた検査装置および試料処理方法 |
| JP2012109608A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-06-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
| JP2015167157A (ja) * | 2014-03-03 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置、成膜処理方法及び記憶媒体 |
| KR20160068607A (ko) * | 2014-12-07 | 2016-06-15 | (주)엔티케이코퍼레이션 | 집진 영역 확장 구조의 환형 에어나이프 |
| WO2018034363A1 (ko) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | (주)엔티케이코퍼레이션 | 간섭 회피 구조의 집진 클리너 |
-
1997
- 1997-10-08 JP JP27574297A patent/JPH11121435A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423176B1 (en) | 1998-04-13 | 2002-07-23 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| US7045465B2 (en) | 1998-04-13 | 2006-05-16 | Nec Electronics Corporation | Particle-removing method for a semiconductor device manufacturing apparatus |
| KR100454122B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2004-10-26 | (주) 디에스테크노 | ＣＶＤ 반응 장치용 다공 ＳｉＣ 가이드 링의 제조방법 |
| JP2005286027A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP2006332505A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Kyocera Corp | 試料ホルダとそれを用いた検査装置及び検査方法 |
| JP4663406B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 試料ホルダとそれを用いた検査装置及び検査方法 |
| JP2008211018A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Kyocera Corp | 試料ホルダとそれを用いた検査装置および試料処理方法 |
| JP2012109608A (ja) * | 2012-02-20 | 2012-06-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング |
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| KR20160068607A (ko) * | 2014-12-07 | 2016-06-15 | (주)엔티케이코퍼레이션 | 집진 영역 확장 구조의 환형 에어나이프 |
| WO2018034363A1 (ko) * | 2016-08-18 | 2018-02-22 | (주)엔티케이코퍼레이션 | 간섭 회피 구조의 집진 클리너 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |