JPS6336138B2 - - Google Patents
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- JPS6336138B2 JPS6336138B2 JP4531084A JP4531084A JPS6336138B2 JP S6336138 B2 JPS6336138 B2 JP S6336138B2 JP 4531084 A JP4531084 A JP 4531084A JP 4531084 A JP4531084 A JP 4531084A JP S6336138 B2 JPS6336138 B2 JP S6336138B2
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- Japan
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- electrode
- vacuum container
- electrostatic chuck
- dielectric film
- processed
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- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 4
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- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は静電チヤツクの帯電除去方法に係り、
特に、静電チヤツクの電極に貼着された誘電体膜
に蓄積される電荷を取り除くための静電チヤツク
の帯電除去方法に関する。
特に、静電チヤツクの電極に貼着された誘電体膜
に蓄積される電荷を取り除くための静電チヤツク
の帯電除去方法に関する。
従来から、シリコンウエハ等の被処理物の真空
処理を行なう場合、上記被処理物を静電チヤツク
により固定する手段が多用されてきた。
処理を行なう場合、上記被処理物を静電チヤツク
により固定する手段が多用されてきた。
この静電チヤツクは、真空容器内に絶縁して取
付けられる電極と、この電極の被処理物固定面に
貼着される誘電体膜とを有しており、上記電極に
直流電圧を印加することにより、上記被処理物を
上記誘電体膜画に静電的に収着固定するようにな
されている。
付けられる電極と、この電極の被処理物固定面に
貼着される誘電体膜とを有しており、上記電極に
直流電圧を印加することにより、上記被処理物を
上記誘電体膜画に静電的に収着固定するようにな
されている。
しかし、上記静電チヤツクの場合、被処理物の
吸着回数が少ないときには問題はないが、多数枚
の被処理物を吸着固定すると、誘電体膜の表面に
電荷が蓄積して静電シールドされてしまうため、
静電チヤツクの吸引力が弱まり被処理物を確実に
吸着固定することができなくなるという欠点を有
している。
吸着回数が少ないときには問題はないが、多数枚
の被処理物を吸着固定すると、誘電体膜の表面に
電荷が蓄積して静電シールドされてしまうため、
静電チヤツクの吸引力が弱まり被処理物を確実に
吸着固定することができなくなるという欠点を有
している。
本発明は上記欠点に鑑みてなされたもので、誘
電体膜への電化の蓄積を防止することのできる静
電チヤツクの帯電除去方法を提供することを目的
とするものである。
電体膜への電化の蓄積を防止することのできる静
電チヤツクの帯電除去方法を提供することを目的
とするものである。
上記目的を達成するため本発明に係る静電チヤ
ツクの帯電除去方法は、真空容器内に取付けられ
た電極への直流電圧の印加および停止により、被
処理物の固定および離脱を行なう静電チヤツクで
あつて、上記被処理物を離脱させた後に、上記真
空容器内に放電圧力のガスを導入し、上記電極か
ら高周波放電を行なうことをその特徴とするもの
である。
ツクの帯電除去方法は、真空容器内に取付けられ
た電極への直流電圧の印加および停止により、被
処理物の固定および離脱を行なう静電チヤツクで
あつて、上記被処理物を離脱させた後に、上記真
空容器内に放電圧力のガスを導入し、上記電極か
ら高周波放電を行なうことをその特徴とするもの
である。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
図は本発明の実施に使用する静電チヤツクを適
用したエツチング装置を示したもので、真空容器
１の下部には、電極２が絶縁部材３を介して取付
けられ、この電極２の上面にはカプトン（ポリイ
ミド）等の誘電体膜４が貼着されている。また、
上記電極２には、マツチング回路５を介して高周
波電源６が接続されているとともに、フイルタ７
を介して出力電圧を可変しうる直流電源８が接続
されており、さらに、上記電極２の内部には冷却
水を送る水冷パイプ９が導通されている。また、
上記真空容器１には、真空排気管１０およびガス
導入管１１がそれぞれ接続されている。
用したエツチング装置を示したもので、真空容器
１の下部には、電極２が絶縁部材３を介して取付
けられ、この電極２の上面にはカプトン（ポリイ
ミド）等の誘電体膜４が貼着されている。また、
上記電極２には、マツチング回路５を介して高周
波電源６が接続されているとともに、フイルタ７
を介して出力電圧を可変しうる直流電源８が接続
されており、さらに、上記電極２の内部には冷却
水を送る水冷パイプ９が導通されている。また、
上記真空容器１には、真空排気管１０およびガス
導入管１１がそれぞれ接続されている。
上記装置の場合、真空容器１の内部空気を真空
排気管１０から真空ポンプ等により真空排気し、
かつ、ガス導入管１１からAr等のガスを送り真
空容器１の内部をガス雰囲気にする。そして、シ
リコンウエハ等の被処理物Ａを、誘電体膜４上に
載置し、直流電源８をONすることにより被処理
物Ａは静電的に吸着固定される。この状態におい
て高周波電源６をONにすることにより、被処理
物Ａのエツチングが行なわれ、水冷パイプ９の内
部を流れる冷却水により電極２および被処理物Ａ
の冷却が行なわれる。
排気管１０から真空ポンプ等により真空排気し、
かつ、ガス導入管１１からAr等のガスを送り真
空容器１の内部をガス雰囲気にする。そして、シ
リコンウエハ等の被処理物Ａを、誘電体膜４上に
載置し、直流電源８をONすることにより被処理
物Ａは静電的に吸着固定される。この状態におい
て高周波電源６をONにすることにより、被処理
物Ａのエツチングが行なわれ、水冷パイプ９の内
部を流れる冷却水により電極２および被処理物Ａ
の冷却が行なわれる。
そして、エツチングが終了した後、高周波電源
６および直流電源８をOFFにし、図示しない搬
送装置により被処理物Ａを離脱させるようになさ
れる。
６および直流電源８をOFFにし、図示しない搬
送装置により被処理物Ａを離脱させるようになさ
れる。
このように被処理物Ａを離脱させた後に、真空
容器１の内部に放電する圧力のガスをガス導入管
１１から導入し、高周波電源６をONにして電極
２から真空容器１の内部に約１秒程度高周波放電
を行なう。このため、誘電体膜４の表面に蓄積さ
れた電荷が消去され、電荷の蓄積による吸引力の
低下を確実に防ぐことができる。
容器１の内部に放電する圧力のガスをガス導入管
１１から導入し、高周波電源６をONにして電極
２から真空容器１の内部に約１秒程度高周波放電
を行なう。このため、誘電体膜４の表面に蓄積さ
れた電荷が消去され、電荷の蓄積による吸引力の
低下を確実に防ぐことができる。
なお、本実施例においては高周波放電を行なう
ことにより電荷を除去するようにしたが、真空容
器に紫外線照射装置を設け、被処理物の離脱後誘
電体膜に強力な紫外線を照射するようにしても同
様の効果を得ることができる。
ことにより電荷を除去するようにしたが、真空容
器に紫外線照射装置を設け、被処理物の離脱後誘
電体膜に強力な紫外線を照射するようにしても同
様の効果を得ることができる。
以上述べたように、本発明に係る静電チヤツク
の帯電除去方法は、静電チヤツクから被処理物を
離脱させた後に、真空容器内に放電圧力のガンを
導入し静電チヤツクの電極から高周波放電を行な
うようにしたので、高周波放電により誘電体膜に
畜積された電荷が確実に除去され、吸引力の抵下
を有効に防止することができ、したがつて、被処
理物を確実に固定することができる。また、高周
波電源以外の新たな設備が不要であるため、経済
的である等の効果を奏する。
の帯電除去方法は、静電チヤツクから被処理物を
離脱させた後に、真空容器内に放電圧力のガンを
導入し静電チヤツクの電極から高周波放電を行な
うようにしたので、高周波放電により誘電体膜に
畜積された電荷が確実に除去され、吸引力の抵下
を有効に防止することができ、したがつて、被処
理物を確実に固定することができる。また、高周
波電源以外の新たな設備が不要であるため、経済
的である等の効果を奏する。
図は本発明の実施に使用する静電チヤツクを適
用したエツチング装置の一実施例を示す縦断面図
である。 １……真空容器、２……電極、３……絶縁部
材、４……誘電体膜、５……マツチング回路、６
……高周波電源、７……フイルタ、８……直流電
源、９……水冷パイプ、１０……真空排気管、１
１……ガス導入管。
用したエツチング装置の一実施例を示す縦断面図
である。 １……真空容器、２……電極、３……絶縁部
材、４……誘電体膜、５……マツチング回路、６
……高周波電源、７……フイルタ、８……直流電
源、９……水冷パイプ、１０……真空排気管、１
１……ガス導入管。
Claims (1)
- １ 真空容器内に取付けられた電極に直流電圧を
印加することにより、被処理物を上記電極に静電
的に固定し、上記直流電圧の印加を停止すること
により上記被処理物を離脱させる静電チヤツクで
あつて、上記被処理物を離脱させた後に、上記真
空容器内に放電圧力のガスを導入し上記電極から
高周波放電を行なうことを特徴とする静電チヤツ
クの帯電除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4531084A JPS60189950A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 静電チヤツクの帯電除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4531084A JPS60189950A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 静電チヤツクの帯電除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189950A JPS60189950A (ja) | 1985-09-27 |
| JPS6336138B2 true JPS6336138B2 (ja) | 1988-07-19 |
Family
ID=12715734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4531084A Granted JPS60189950A (ja) | 1984-03-09 | 1984-03-09 | 静電チヤツクの帯電除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189950A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0713960B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1995-02-15 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置 |
| JP2506219B2 (ja) * | 1990-06-19 | 1996-06-12 | 富士通株式会社 | 静電吸着方法 |
| JP4667140B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-04-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
-
1984
- 1984-03-09 JP JP4531084A patent/JPS60189950A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60189950A (ja) | 1985-09-27 |
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