JPH0685045A - ウェーハ離脱方法 - Google Patents
ウェーハ離脱方法Info
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- JPH0685045A JPH0685045A JP23166492A JP23166492A JPH0685045A JP H0685045 A JPH0685045 A JP H0685045A JP 23166492 A JP23166492 A JP 23166492A JP 23166492 A JP23166492 A JP 23166492A JP H0685045 A JPH0685045 A JP H0685045A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体製造装置の静電吸着装置に静
電吸着されたウェーハを静電吸着装置から離脱させるウ
ェーハ離脱方法に関し、ウェーハを破損させることな
く、半導体製造装置から速やかに離脱させることができ
るウェーハ離脱方法を提供することを目的とする。 【構成】静電チャックの電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を
印加し、電極群Ｂに−１ｋＶの負電圧を印加して電極群
Ａ、Ｂにシリコンウェーハを静電吸着させる。ウェーハ
を吸着した静電チャックにＲＦバイアス電圧を印加して
ウェーハ表面にプラズマを発生させてプラズマ処理を行
う。次にウェーハの離脱を開始する。静電チャックの電
極群Ａ、電極群Ｂの電圧を０ボルトにしてから（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を印加する（図
中ｂ）。その１０秒後に電極群Ｂに＋１．５ｋＶの正電
圧を印加する（図中ｃ）ように構成する。
電吸着されたウェーハを静電吸着装置から離脱させるウ
ェーハ離脱方法に関し、ウェーハを破損させることな
く、半導体製造装置から速やかに離脱させることができ
るウェーハ離脱方法を提供することを目的とする。 【構成】静電チャックの電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を
印加し、電極群Ｂに−１ｋＶの負電圧を印加して電極群
Ａ、Ｂにシリコンウェーハを静電吸着させる。ウェーハ
を吸着した静電チャックにＲＦバイアス電圧を印加して
ウェーハ表面にプラズマを発生させてプラズマ処理を行
う。次にウェーハの離脱を開始する。静電チャックの電
極群Ａ、電極群Ｂの電圧を０ボルトにしてから（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を印加する（図
中ｂ）。その１０秒後に電極群Ｂに＋１．５ｋＶの正電
圧を印加する（図中ｃ）ように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置の静電
吸着装置に静電吸着されたウェーハを静電吸着装置から
離脱させるウェーハ離脱方法に関する。
吸着装置に静電吸着されたウェーハを静電吸着装置から
離脱させるウェーハ離脱方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体製造工程におけるウェーハ
処理には静電吸着力を利用したウェーハ吸着方法が用い
られている。例えばＲＩＥ等のプラズマ処理をウェーハ
表面に施す場合に、静電吸着力を利用してウェーハを吸
着させる装置の一つである２極式静電吸着装置が用いら
れる。
処理には静電吸着力を利用したウェーハ吸着方法が用い
られている。例えばＲＩＥ等のプラズマ処理をウェーハ
表面に施す場合に、静電吸着力を利用してウェーハを吸
着させる装置の一つである２極式静電吸着装置が用いら
れる。
【０００３】２極式静電吸着装置は、通常複数の電極か
らなる電極群Ａと電極群Ｂとを有する静電チャックの電
極群Ａには例えば正電圧を印加し、他方の電極群Ｂには
負電圧を印加して電極群Ａ、Ｂ（静電チャック）にウェ
ーハを静電吸着させるものである。しかし、この２極式
静電吸着装置にウェーハを吸着させてプラズマ処理を行
うとプラズマ処理中にウェーハに電荷が蓄積されてしま
い、プラズマ処理後に電源を切って電極群Ａ、Ｂに印加
する電圧を０にしてもウェーハに残留電荷が存在するた
め、ウェーハを２極式静電吸着装置から速やかに離脱さ
せることができないという問題を有している。
らなる電極群Ａと電極群Ｂとを有する静電チャックの電
極群Ａには例えば正電圧を印加し、他方の電極群Ｂには
負電圧を印加して電極群Ａ、Ｂ（静電チャック）にウェ
ーハを静電吸着させるものである。しかし、この２極式
静電吸着装置にウェーハを吸着させてプラズマ処理を行
うとプラズマ処理中にウェーハに電荷が蓄積されてしま
い、プラズマ処理後に電源を切って電極群Ａ、Ｂに印加
する電圧を０にしてもウェーハに残留電荷が存在するた
め、ウェーハを２極式静電吸着装置から速やかに離脱さ
せることができないという問題を有している。
【０００４】２極式静電吸着装置は、ウェーハに特別な
電極を接続する必要がない等の利点を有していることか
ら、プラズマ処理を行う半導体製造装置に用いる静電吸
着装置の主流となっており、従来からウェーハを速やか
に離脱させるための種々の提案が成されている。この２
極式静電吸着装置に吸着したウェーハを離脱させる方法
として従来から以下のようなものがある。 （１）静電吸着装置にイジェクトピン（棒状の突起物）
を設け、ウェーハ離脱の際にこのイジェクトピンを吸着
面に突出させてウェーハ裏面を押し、機械的にウェーハ
を離脱させるウェーハ離脱方法（特開平０２−１５９７
４４号公報）。 （２）静電吸着装置の吸着面のウェーハ裏面に例えば高
圧ガスを噴出させてウェーハを加圧し、強制的に離脱さ
せるウェーハ離脱方法（特開平０２−２４５２５６号公
報）。 （３）静電吸着装置の電極群Ａ及びＢに吸着時と正負を
逆にした電圧を印加させてウェーハ上の残留電荷を消滅
させ、ウェーハを離脱させるウェーハ離脱方法（特開昭
５９−０６７６２９号公報）。 （４）静電チャックに交番電圧を印加して残留電荷を減
少させ、ウェーハを離脱するウェーハ離脱方法（特開平
０１−１１２７４５号公報）等が用いられていた。
電極を接続する必要がない等の利点を有していることか
ら、プラズマ処理を行う半導体製造装置に用いる静電吸
着装置の主流となっており、従来からウェーハを速やか
に離脱させるための種々の提案が成されている。この２
極式静電吸着装置に吸着したウェーハを離脱させる方法
として従来から以下のようなものがある。 （１）静電吸着装置にイジェクトピン（棒状の突起物）
を設け、ウェーハ離脱の際にこのイジェクトピンを吸着
面に突出させてウェーハ裏面を押し、機械的にウェーハ
を離脱させるウェーハ離脱方法（特開平０２−１５９７
４４号公報）。 （２）静電吸着装置の吸着面のウェーハ裏面に例えば高
圧ガスを噴出させてウェーハを加圧し、強制的に離脱さ
せるウェーハ離脱方法（特開平０２−２４５２５６号公
報）。 （３）静電吸着装置の電極群Ａ及びＢに吸着時と正負を
逆にした電圧を印加させてウェーハ上の残留電荷を消滅
させ、ウェーハを離脱させるウェーハ離脱方法（特開昭
５９−０６７６２９号公報）。 （４）静電チャックに交番電圧を印加して残留電荷を減
少させ、ウェーハを離脱するウェーハ離脱方法（特開平
０１−１１２７４５号公報）等が用いられていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のい
ずれのウェーハ離脱方法を用いてもウェーハを破損させ
ずに、そして速やかに離脱させることは困難であるとい
う問題を生じている。上記（１）のイジェクトピンを用
いたウェーハを機械的に離脱させる方法では、ウェーハ
に破損を生じてしまうことがあり、（２）のウェーハ裏
面に高圧ガスを噴出させて強制的に離脱させる方法で
も、ウェーハに破損が生じてしまったり、また残留吸着
力が強すぎてガス圧ではウェーハが剥がれなかったりす
ることがあった。
ずれのウェーハ離脱方法を用いてもウェーハを破損させ
ずに、そして速やかに離脱させることは困難であるとい
う問題を生じている。上記（１）のイジェクトピンを用
いたウェーハを機械的に離脱させる方法では、ウェーハ
に破損を生じてしまうことがあり、（２）のウェーハ裏
面に高圧ガスを噴出させて強制的に離脱させる方法で
も、ウェーハに破損が生じてしまったり、また残留吸着
力が強すぎてガス圧ではウェーハが剥がれなかったりす
ることがあった。
【０００６】また、（３）、（４）のウェーハ吸着時と
逆電圧を印加して残留電荷を打ち消しウェーハを離脱さ
せる方法や、静電チャックに交番電圧を印加して残留電
荷を減少させていく方法では、速やかにウェーハを離脱
させることができずに時間がかかってしまう。例えば、
プラズマ照射後、静電チャックに印加していた電圧を逆
にして逆電圧を印加しても、ウェーハが離脱するの５〜
１０分程度の時間がかかってしまう。さらにこれらの方
法では予期した効果が全く生じなくてウェーハ離脱がう
まく行えないことがあり、また印加する逆電圧が強すぎ
て吸着力がむしろ増加してしまうというような問題が生
じていた。
逆電圧を印加して残留電荷を打ち消しウェーハを離脱さ
せる方法や、静電チャックに交番電圧を印加して残留電
荷を減少させていく方法では、速やかにウェーハを離脱
させることができずに時間がかかってしまう。例えば、
プラズマ照射後、静電チャックに印加していた電圧を逆
にして逆電圧を印加しても、ウェーハが離脱するの５〜
１０分程度の時間がかかってしまう。さらにこれらの方
法では予期した効果が全く生じなくてウェーハ離脱がう
まく行えないことがあり、また印加する逆電圧が強すぎ
て吸着力がむしろ増加してしまうというような問題が生
じていた。
【０００７】本発明の目的は、ウェーハを破損させるこ
となく、半導体製造装置から速やかに離脱させることが
できるウェーハ離脱方法を提供することにある。
となく、半導体製造装置から速やかに離脱させることが
できるウェーハ離脱方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、第１の電極
に正電圧が印加され、第２の電極に負電圧が印加された
ことにより前記第１及び第２の電極に静電吸着されたウ
ェーハを離脱するウェーハ離脱方法において、前記第１
の電極に負電圧を印加してから前記第２の電極に正電圧
を印加して、前記ウェーハを前記第１及び第２の電極か
ら離脱させることを特徴とするウェーハ離脱方法によっ
て達成される。
に正電圧が印加され、第２の電極に負電圧が印加された
ことにより前記第１及び第２の電極に静電吸着されたウ
ェーハを離脱するウェーハ離脱方法において、前記第１
の電極に負電圧を印加してから前記第２の電極に正電圧
を印加して、前記ウェーハを前記第１及び第２の電極か
ら離脱させることを特徴とするウェーハ離脱方法によっ
て達成される。
【０００９】
【作用】本発明によれば、プラズマ処理を施したウェー
ハは負に帯電するから、ウェーハ吸着時に正電圧を印加
していた電極に負電圧を印加してウェーハと電極間に斥
力を働かせるようにし、その後さらにウェーハ吸着時に
負電圧を印加していた電極に正電圧を印加して残留電荷
を打ち消すようにしたので、ウェーハは速やかに静電吸
着装置から離脱することができるようになる。
ハは負に帯電するから、ウェーハ吸着時に正電圧を印加
していた電極に負電圧を印加してウェーハと電極間に斥
力を働かせるようにし、その後さらにウェーハ吸着時に
負電圧を印加していた電極に正電圧を印加して残留電荷
を打ち消すようにしたので、ウェーハは速やかに静電吸
着装置から離脱することができるようになる。
【００１０】
【実施例】本発明の第１の実施例によるウェーハ離脱方
法を図１乃至図４を用いて説明する。まず、本実施例に
用いた半導体製造装置を図１を用いて説明する。本実施
例に用いた半導体製造装置は、プラズマ処理装置の一つ
であるＲＩＥ装置である。
法を図１乃至図４を用いて説明する。まず、本実施例に
用いた半導体製造装置を図１を用いて説明する。本実施
例に用いた半導体製造装置は、プラズマ処理装置の一つ
であるＲＩＥ装置である。
【００１１】半導体製造装置２は、同一の電圧が印加さ
れる電極群Ａの静電チャック１６、１８と、電極群Ａと
は別の電圧が印加される電極群Ｂの静電チャック１２、
１４によりウェーハ２０を静電吸着する２極式静電吸着
装置を備え、ウェーハにプラズマ処理を施す装置であ
る。静電チャック１２〜１８のウェーハ吸着保持面は、
処理室４内に向けられている。処理室４には例えばＡｒ
プラズマを発生させるためのＡｒガスを供給するガス供
給口２４が設けられている。静電チャック１２〜１８の
電極群Ａ及びＢはＤＣ電源３４に接続され、ＤＣ電源３
４の極性を切替えることにより正又は負電圧が印加さ
れ、或いは０ボルトとなることができるようになってい
る。ＤＣ電源３４から所定の電圧を静電チャック１２〜
１８に印加することにより、ウェーハ２０を吸着させる
ことができるようになっている。
れる電極群Ａの静電チャック１６、１８と、電極群Ａと
は別の電圧が印加される電極群Ｂの静電チャック１２、
１４によりウェーハ２０を静電吸着する２極式静電吸着
装置を備え、ウェーハにプラズマ処理を施す装置であ
る。静電チャック１２〜１８のウェーハ吸着保持面は、
処理室４内に向けられている。処理室４には例えばＡｒ
プラズマを発生させるためのＡｒガスを供給するガス供
給口２４が設けられている。静電チャック１２〜１８の
電極群Ａ及びＢはＤＣ電源３４に接続され、ＤＣ電源３
４の極性を切替えることにより正又は負電圧が印加さ
れ、或いは０ボルトとなることができるようになってい
る。ＤＣ電源３４から所定の電圧を静電チャック１２〜
１８に印加することにより、ウェーハ２０を吸着させる
ことができるようになっている。
【００１２】静電チャック１２〜１８上部はＲＦ電極１
０である。静電チャック１２〜１８に吸着保持されたウ
ェーハ２０表面をプラズマ処理するため、処理室４内を
排気口２６により排気してから処理室４内にＡｒを導入
し、ＲＦ電極１０に１３．５６ＭＨｚの高周波電力をＲ
Ｆ電源３２から印加して、処理室４内にＡｒプラズマを
発生させて所定のウェーハ処理を行う。このＲＦ電極１
０は冷却可能であり、恒温槽４０により温度制御が行わ
れるようになっている。ＲＦ電極１０と処理室４とは絶
縁物６、８で絶縁されている。絶縁物６、８の抵抗率
は、１０9 〜１０ 14Ω・ｃｍであればよい。
０である。静電チャック１２〜１８に吸着保持されたウ
ェーハ２０表面をプラズマ処理するため、処理室４内を
排気口２６により排気してから処理室４内にＡｒを導入
し、ＲＦ電極１０に１３．５６ＭＨｚの高周波電力をＲ
Ｆ電源３２から印加して、処理室４内にＡｒプラズマを
発生させて所定のウェーハ処理を行う。このＲＦ電極１
０は冷却可能であり、恒温槽４０により温度制御が行わ
れるようになっている。ＲＦ電極１０と処理室４とは絶
縁物６、８で絶縁されている。絶縁物６、８の抵抗率
は、１０9 〜１０ 14Ω・ｃｍであればよい。
【００１３】また、ウェーハ２０と静電チャック１２〜
１８の間には、ウェーハ２０を冷却するための冷却ガス
として用いるＨｅガスのＨｅ供給口２８が設けられ、ま
た、冷却用に導入されたＨｅガスを排気するためのＨｅ
排気口３０が設けられている。Ｈｅ供給口２８には、圧
力計３６が取付けられ、ウェーハ２０と静電チャック１
２〜１８間の圧力が計測できるようになっている。ま
た、ＲＦ電極１０には蛍光光ファイバ温度計３８が取付
けられ、ウェーハ２０の温度を計測することができるよ
うになっている。
１８の間には、ウェーハ２０を冷却するための冷却ガス
として用いるＨｅガスのＨｅ供給口２８が設けられ、ま
た、冷却用に導入されたＨｅガスを排気するためのＨｅ
排気口３０が設けられている。Ｈｅ供給口２８には、圧
力計３６が取付けられ、ウェーハ２０と静電チャック１
２〜１８間の圧力が計測できるようになっている。ま
た、ＲＦ電極１０には蛍光光ファイバ温度計３８が取付
けられ、ウェーハ２０の温度を計測することができるよ
うになっている。
【００１４】以上説明した半導体製造装置２を用いて、
シリコンウェーハ２０を静電吸着装置２に吸着させてプ
ラズマにさらした。ウェーハ２０と静電チャック（電
極）１２〜１８の間には、冷却ガスとしてＨｅが導入さ
れ電極との冷却をよくしている。ウェーハ２０離脱時に
おける残留電荷の減少度合やウェーハ離脱状態を知るた
めにウェーハ２０裏面の圧力を圧力計３６にて計測す
る。ウェーハ２０裏面圧力はプラズマ照射時には１０Ｔ
ｏｒｒ程度の一定圧力に保持されている。プラズマ処理
後ウェーハ２０を静電チャック１２〜１８から離脱させ
る際には、残留電荷が弱くなるに従ってウェーハ２０裏
面圧力が低くなり、また、ウェーハ２０が静電チャック
から離脱してしまうとさらに圧力は低くなる。ウェーハ
２０と静電チャック１２〜１８間の吸着力が減少してウ
ェーハ２０が少しずつ静電チャック１２〜１８から剥が
れていくためである。ウェーハ２０が静電チャック１２
〜１８から完全に離脱するとウェーハ２０裏面圧力は処
理室４内圧力と等しくなる。
シリコンウェーハ２０を静電吸着装置２に吸着させてプ
ラズマにさらした。ウェーハ２０と静電チャック（電
極）１２〜１８の間には、冷却ガスとしてＨｅが導入さ
れ電極との冷却をよくしている。ウェーハ２０離脱時に
おける残留電荷の減少度合やウェーハ離脱状態を知るた
めにウェーハ２０裏面の圧力を圧力計３６にて計測す
る。ウェーハ２０裏面圧力はプラズマ照射時には１０Ｔ
ｏｒｒ程度の一定圧力に保持されている。プラズマ処理
後ウェーハ２０を静電チャック１２〜１８から離脱させ
る際には、残留電荷が弱くなるに従ってウェーハ２０裏
面圧力が低くなり、また、ウェーハ２０が静電チャック
から離脱してしまうとさらに圧力は低くなる。ウェーハ
２０と静電チャック１２〜１８間の吸着力が減少してウ
ェーハ２０が少しずつ静電チャック１２〜１８から剥が
れていくためである。ウェーハ２０が静電チャック１２
〜１８から完全に離脱するとウェーハ２０裏面圧力は処
理室４内圧力と等しくなる。
【００１５】上記のような方法で、図２に示すような電
圧のタイムチャートに従って静電チャック１６、１８の
電極群Ａ及び静電チャック１２、１４の電極群Ｂに電圧
を印加してウェーハ２０の離脱を行った。すなわち、静
電チャック１６、１８の電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を
印加し、静電チャック１２、１４の電極群Ｂに−１ｋＶ
の負電圧を印加して電極群Ａ、Ｂにシリコンウェーハ２
０を静電吸着させる。ウェーハ２０裏面圧力は１０Ｔｏ
ｒｒである。静電チャック１２〜１８にＲＦバイアス電
圧を印加してウェーハ２０表面にプラズマを発生させて
プラズマ処理を行う。
圧のタイムチャートに従って静電チャック１６、１８の
電極群Ａ及び静電チャック１２、１４の電極群Ｂに電圧
を印加してウェーハ２０の離脱を行った。すなわち、静
電チャック１６、１８の電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を
印加し、静電チャック１２、１４の電極群Ｂに−１ｋＶ
の負電圧を印加して電極群Ａ、Ｂにシリコンウェーハ２
０を静電吸着させる。ウェーハ２０裏面圧力は１０Ｔｏ
ｒｒである。静電チャック１２〜１８にＲＦバイアス電
圧を印加してウェーハ２０表面にプラズマを発生させて
プラズマ処理を行う。
【００１６】次にウェーハ２０の離脱を開始する。静電
チャック１６、１８の電極群Ａ、及び静電チャック１
２、１４の電極群Ｂの電圧を０ボルトにしてから（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を印加する（図
中ｂ）。その１０秒後に電極群Ｂに＋１．５ｋＶの正電
圧を印加する（図中ｃ）。図中Ｃの電極群Ｂに正電圧を
印加したときから約２０秒後にウェーハ２０は静電チャ
ック１２〜１８から完全に離脱した。
チャック１６、１８の電極群Ａ、及び静電チャック１
２、１４の電極群Ｂの電圧を０ボルトにしてから（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を印加する（図
中ｂ）。その１０秒後に電極群Ｂに＋１．５ｋＶの正電
圧を印加する（図中ｃ）。図中Ｃの電極群Ｂに正電圧を
印加したときから約２０秒後にウェーハ２０は静電チャ
ック１２〜１８から完全に離脱した。
【００１７】図３及び図４は２極式静電吸着装置の静電
チャック１２〜１８上のウェーハ２０の電荷状態の変化
を示した図である。図３及び図４を用いて図２に示した
ウェーハの離脱方法をより詳細に説明する。ＤＣ電源３
４（本図では図示せず）に接続され正電圧が印加された
電極群Ａの静電チャック１６、１８と負電圧が印加され
た電極群Ｂの静電チャック１２、１４上により、ウェー
ハ２０を静電チャック１２〜１８に静電吸着させる。こ
のときのウェーハ２０の吸着力Ｆ１とＦ２とは等しい大
きさである（図３（ａ））。
チャック１２〜１８上のウェーハ２０の電荷状態の変化
を示した図である。図３及び図４を用いて図２に示した
ウェーハの離脱方法をより詳細に説明する。ＤＣ電源３
４（本図では図示せず）に接続され正電圧が印加された
電極群Ａの静電チャック１６、１８と負電圧が印加され
た電極群Ｂの静電チャック１２、１４上により、ウェー
ハ２０を静電チャック１２〜１８に静電吸着させる。こ
のときのウェーハ２０の吸着力Ｆ１とＦ２とは等しい大
きさである（図３（ａ））。
【００１８】次に、ＲＦ電源１０により、電極群Ａ、Ｂ
にセルフバイアスを印加し、ウェーハ上部にＲＦプラズ
マを発生させる。セルフバイアスの印加により発生した
プラズマ中の電子によりウェーハ２０は全体として負に
帯電するので、負電圧の印加された電極群Ｂの静電チャ
ック１２、１４側のウェーハの吸着力Ｆ２は小さくなっ
ている（図３（ｂ））。
にセルフバイアスを印加し、ウェーハ上部にＲＦプラズ
マを発生させる。セルフバイアスの印加により発生した
プラズマ中の電子によりウェーハ２０は全体として負に
帯電するので、負電圧の印加された電極群Ｂの静電チャ
ック１２、１４側のウェーハの吸着力Ｆ２は小さくなっ
ている（図３（ｂ））。
【００１９】次に、ウェーハ２０の離脱に移る（図４
（ａ）、（ｂ））。まず電極群Ａ、Ｂに印加していた電
圧を０にする。次に、ウェーハ２０の処理時に正電圧を
印加していた電極群Ａの静電チャック１６、１８に対
し、負電圧を印加する。ウェーハ２０は負に帯電してい
るので静電チャック１６、１８はウェーハ２０に対して
斥力Ｆ３を生じさせる。しかし、電極群Ｂの静電チャッ
ク１２、１４側にはまだ弱い吸着力Ｆ２が働いている
（図４（ａ））。
（ａ）、（ｂ））。まず電極群Ａ、Ｂに印加していた電
圧を０にする。次に、ウェーハ２０の処理時に正電圧を
印加していた電極群Ａの静電チャック１６、１８に対
し、負電圧を印加する。ウェーハ２０は負に帯電してい
るので静電チャック１６、１８はウェーハ２０に対して
斥力Ｆ３を生じさせる。しかし、電極群Ｂの静電チャッ
ク１２、１４側にはまだ弱い吸着力Ｆ２が働いている
（図４（ａ））。
【００２０】次に、電極群Ａの静電チャック１６、１８
に負電圧を印加させたままで、電極群Ｂの静電チャック
１２、１４に正電圧を印加させると、ウェーハ２０に残
留していた正電荷により電極群Ｂ側もウェーハ２０に対
して斥力Ｆ４が生じ、全体として静電チャック１２〜１
８とウェーハ２０間に斥力が生じてウェーハ２０が静電
チャック１２〜１８から離脱する（図４（ｂ））。
に負電圧を印加させたままで、電極群Ｂの静電チャック
１２、１４に正電圧を印加させると、ウェーハ２０に残
留していた正電荷により電極群Ｂ側もウェーハ２０に対
して斥力Ｆ４が生じ、全体として静電チャック１２〜１
８とウェーハ２０間に斥力が生じてウェーハ２０が静電
チャック１２〜１８から離脱する（図４（ｂ））。
【００２１】このように本実施例によるウェーハ離脱方
法を用いることにより、特にウェーハが処理中に負に帯
電するようなプラズマ発生を伴う処理において有効にウ
ェーハを離脱させることができるようになる。これは、
まずウェーハ吸着時に正電圧を印加していた電極に逆電
圧である負電圧を印加し、その後にウェーハ吸着時に負
電圧を印加していた電極に正電圧を印加するようにする
ことにより、プラズマ照射により負に帯電したウェーハ
の残留電荷を完全に打ち消すことができるようになるか
らであり、ウェーハを速やかに静電チャックから離脱さ
せることができるようになる。
法を用いることにより、特にウェーハが処理中に負に帯
電するようなプラズマ発生を伴う処理において有効にウ
ェーハを離脱させることができるようになる。これは、
まずウェーハ吸着時に正電圧を印加していた電極に逆電
圧である負電圧を印加し、その後にウェーハ吸着時に負
電圧を印加していた電極に正電圧を印加するようにする
ことにより、プラズマ照射により負に帯電したウェーハ
の残留電荷を完全に打ち消すことができるようになるか
らであり、ウェーハを速やかに静電チャックから離脱さ
せることができるようになる。
【００２２】本発明の第２の実施例によるウェーハ離脱
方法を図５を用いて説明する。本実施例に用いた半導体
製造装置は図１に示す第１の実施例に用いたものと同一
であるので説明を省略する。また、図１に示した半導体
製造装置２を用いてシリコンウェーハ２０を静電吸着装
置２に吸着させてプラズマにさらした後、ウェーハ２０
の離脱を開始させることも第１の実施例と同様であるの
で説明を省略する。
方法を図５を用いて説明する。本実施例に用いた半導体
製造装置は図１に示す第１の実施例に用いたものと同一
であるので説明を省略する。また、図１に示した半導体
製造装置２を用いてシリコンウェーハ２０を静電吸着装
置２に吸着させてプラズマにさらした後、ウェーハ２０
の離脱を開始させることも第１の実施例と同様であるの
で説明を省略する。
【００２３】本実施例によるウェーハ離脱方法を図５に
示す電圧のタイムチャートに基づいて説明する。静電チ
ャック１６、１８の電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を印加
し、静電チャック１２、１４の電極群Ｂに−１ｋＶの負
電圧を印加して電極群Ａ、Ｂにシリコンウェーハ２０を
静電吸着させる。ウェーハ２０裏面圧力は１０Ｔｏｒｒ
である。静電チャック１２〜１８にＲＦバイアス電圧を
印加してウェーハ２０表面にプラズマを発生させてプラ
ズマ処理を行う。
示す電圧のタイムチャートに基づいて説明する。静電チ
ャック１６、１８の電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を印加
し、静電チャック１２、１４の電極群Ｂに−１ｋＶの負
電圧を印加して電極群Ａ、Ｂにシリコンウェーハ２０を
静電吸着させる。ウェーハ２０裏面圧力は１０Ｔｏｒｒ
である。静電チャック１２〜１８にＲＦバイアス電圧を
印加してウェーハ２０表面にプラズマを発生させてプラ
ズマ処理を行う。
【００２４】次にウェーハ２０の離脱を開始する。静電
チャック１６、１８の電極群Ａ、及び静電チャック１
２、１４の電極群Ｂの電圧を０ボルトにしてから（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を印加する（図
中ｂ）。その１５秒後に電極群Ａの電圧を０ボルトにす
る（図中ｃ）。電極群Ｂに＋１．５ｋＶの正電圧を印加
する（図中ｄ）。電極群Ｂに正電圧を印加すると速やか
にウェーハ２０は静電チャック１２〜１８から完全に離
脱する。
チャック１６、１８の電極群Ａ、及び静電チャック１
２、１４の電極群Ｂの電圧を０ボルトにしてから（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を印加する（図
中ｂ）。その１５秒後に電極群Ａの電圧を０ボルトにす
る（図中ｃ）。電極群Ｂに＋１．５ｋＶの正電圧を印加
する（図中ｄ）。電極群Ｂに正電圧を印加すると速やか
にウェーハ２０は静電チャック１２〜１８から完全に離
脱する。
【００２５】このように本実施例によるウェーハ離脱方
法においても、第１の実施例と同様に、ウェーハが処理
中に負に帯電するようなプラズマ発生を伴う処理におい
て有効にウェーハを離脱させることができるようにな
る。本発明の第３の実施例によるウェーハ離脱方法を図
６を用いて説明する。本実施例に用いた半導体製造装置
も図１に示す第１の実施例に用いたものと同一であるの
で説明を省略する。また、図１に示した半導体製造装置
２を用いてシリコンウェーハ２０を静電吸着装置２に吸
着させてプラズマにさらした後、ウェーハ２０の離脱を
開始させることも第１の実施例と同様であるので説明を
省略する。
法においても、第１の実施例と同様に、ウェーハが処理
中に負に帯電するようなプラズマ発生を伴う処理におい
て有効にウェーハを離脱させることができるようにな
る。本発明の第３の実施例によるウェーハ離脱方法を図
６を用いて説明する。本実施例に用いた半導体製造装置
も図１に示す第１の実施例に用いたものと同一であるの
で説明を省略する。また、図１に示した半導体製造装置
２を用いてシリコンウェーハ２０を静電吸着装置２に吸
着させてプラズマにさらした後、ウェーハ２０の離脱を
開始させることも第１の実施例と同様であるので説明を
省略する。
【００２６】本実施例によるウェーハ離脱方法を図６に
示す電圧のタイムチャートに基づいて説明する。静電チ
ャック１６、１８の電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を印加
し、静電チャック１２、１４の電極群Ｂに−１ｋＶの負
電圧を印加して電極群Ａ、Ｂにシリコンウェーハ２０を
静電吸着させる。ウェーハ２０裏面圧力は１０Ｔｏｒｒ
である。静電チャック１２〜１８にＲＦバイアス電圧を
印加してウェーハ２０表面にプラズマを発生させてプラ
ズマ処理を行う。
示す電圧のタイムチャートに基づいて説明する。静電チ
ャック１６、１８の電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を印加
し、静電チャック１２、１４の電極群Ｂに−１ｋＶの負
電圧を印加して電極群Ａ、Ｂにシリコンウェーハ２０を
静電吸着させる。ウェーハ２０裏面圧力は１０Ｔｏｒｒ
である。静電チャック１２〜１８にＲＦバイアス電圧を
印加してウェーハ２０表面にプラズマを発生させてプラ
ズマ処理を行う。
【００２７】次にウェーハ２０の離脱を開始する。静電
チャック１６、１８の電極群Ａ、及び静電チャック１
２、１４の電極群Ｂの電圧を０ボルトにしてから（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を印加する（図
中ｂ）。その５秒後に電極群Ｂに＋１．５ｋＶの正電圧
を印加する（図中ｄ）。さらに５秒後に電極群Ａの電圧
を０ボルトにする（図中ｃ）。続いて電極群Ｂの電圧も
０ボルトにすると（図中ｅ）、ウェーハ２０は速やかに
静電チャック１２〜１８から完全に離脱する。
チャック１６、１８の電極群Ａ、及び静電チャック１
２、１４の電極群Ｂの電圧を０ボルトにしてから（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を印加する（図
中ｂ）。その５秒後に電極群Ｂに＋１．５ｋＶの正電圧
を印加する（図中ｄ）。さらに５秒後に電極群Ａの電圧
を０ボルトにする（図中ｃ）。続いて電極群Ｂの電圧も
０ボルトにすると（図中ｅ）、ウェーハ２０は速やかに
静電チャック１２〜１８から完全に離脱する。
【００２８】本実施例によるウェーハ離脱方法において
も、第１の実施例と同様に、ウェーハが処理中に負に帯
電するようなプラズマ発生を伴う処理において有効にウ
ェーハを離脱させることができるようになる。本発明の
第４の実施例によるウェーハ離脱方法を図７を用いて説
明する。本実施例に用いた半導体製造装置も図１に示す
第１の実施例に用いたものと同一であるので説明を省略
する。また、図１に示した半導体製造装置２を用いてシ
リコンウェーハ２０を静電吸着装置２に吸着させてプラ
ズマにさらした後、ウェーハ２０の離脱を開始させるこ
とも第１の実施例と同様であるので説明を省略する。
も、第１の実施例と同様に、ウェーハが処理中に負に帯
電するようなプラズマ発生を伴う処理において有効にウ
ェーハを離脱させることができるようになる。本発明の
第４の実施例によるウェーハ離脱方法を図７を用いて説
明する。本実施例に用いた半導体製造装置も図１に示す
第１の実施例に用いたものと同一であるので説明を省略
する。また、図１に示した半導体製造装置２を用いてシ
リコンウェーハ２０を静電吸着装置２に吸着させてプラ
ズマにさらした後、ウェーハ２０の離脱を開始させるこ
とも第１の実施例と同様であるので説明を省略する。
【００２９】本実施例によるウェーハ離脱方法を図７に
示す電圧のタイムチャートに基づいて説明する。静電チ
ャック１６、１８の電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を印加
し、静電チャック１２、１４の電極群Ｂに−１ｋＶの負
電圧を印加して電極群Ａ、Ｂにシリコンウェーハ２０を
静電吸着させる。ウェーハ２０裏面圧力は１０Ｔｏｒｒ
である。静電チャック１２〜１８にＲＦバイアス電圧を
印加してウェーハ２０表面にプラズマを発生させてプラ
ズマ処理を行う。
示す電圧のタイムチャートに基づいて説明する。静電チ
ャック１６、１８の電極群Ａに＋１ｋＶの正電圧を印加
し、静電チャック１２、１４の電極群Ｂに−１ｋＶの負
電圧を印加して電極群Ａ、Ｂにシリコンウェーハ２０を
静電吸着させる。ウェーハ２０裏面圧力は１０Ｔｏｒｒ
である。静電チャック１２〜１８にＲＦバイアス電圧を
印加してウェーハ２０表面にプラズマを発生させてプラ
ズマ処理を行う。
【００３０】次にウェーハ２０の離脱を開始する。静電
チャック１６、１８の電極群Ａ、及び静電チャック１
２、１４の電極群Ｂの電圧を０ボルトにした後（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を５秒間印加し
てから（図中ｂ−ｃ）、電極群Ａの電圧を０ボルトにす
る（図中ｃ）。その３秒後に電極群Ｂに＋１．５ｋＶの
正電圧を５秒間印加してから（図中ｄ−ｅ）、電極群Ｂ
の電圧も０ボルトにすると（図中ｅ）、ウェーハ２０は
速やかに静電チャック１２〜１８から完全に離脱する。
チャック１６、１８の電極群Ａ、及び静電チャック１
２、１４の電極群Ｂの電圧を０ボルトにした後（図中
ａ）、電極群Ａに−１．５ｋＶの負電圧を５秒間印加し
てから（図中ｂ−ｃ）、電極群Ａの電圧を０ボルトにす
る（図中ｃ）。その３秒後に電極群Ｂに＋１．５ｋＶの
正電圧を５秒間印加してから（図中ｄ−ｅ）、電極群Ｂ
の電圧も０ボルトにすると（図中ｅ）、ウェーハ２０は
速やかに静電チャック１２〜１８から完全に離脱する。
【００３１】本実施例によるウェーハ離脱方法において
も、第１の実施例と同様に、ウェーハが処理中に負に帯
電するようなプラズマ発生を伴う処理において有効にウ
ェーハを離脱させることができるようになる。本発明
は、上記実施例に限らず種々の変形が可能である。例え
ば、上記実施例においては、静電チャックの電圧の印加
を工夫してウェーハ離脱を速やかに行えるようにした
が、さらに補助的にウェーハ裏面に高圧ガスを噴出させ
たり、イジェクトピン等を用いて機械的な力を加えるこ
とにより、より速やかにウェーハを離脱させるようにし
てもよい。
も、第１の実施例と同様に、ウェーハが処理中に負に帯
電するようなプラズマ発生を伴う処理において有効にウ
ェーハを離脱させることができるようになる。本発明
は、上記実施例に限らず種々の変形が可能である。例え
ば、上記実施例においては、静電チャックの電圧の印加
を工夫してウェーハ離脱を速やかに行えるようにした
が、さらに補助的にウェーハ裏面に高圧ガスを噴出させ
たり、イジェクトピン等を用いて機械的な力を加えるこ
とにより、より速やかにウェーハを離脱させるようにし
てもよい。
【００３２】また、上記実施例においては、ウェーハが
プラズマにさらされて負に帯電した場合について本発明
を適用したが、ウェーハが正に帯電したような場合でも
本発明を適用することはもちろん可能である。
プラズマにさらされて負に帯電した場合について本発明
を適用したが、ウェーハが正に帯電したような場合でも
本発明を適用することはもちろん可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、半導体製
造工程においてプラズマ処理後に静電チャックからウェ
ーハを離脱させる際、ウェーハに損傷を与えることなく
速やかに離脱させることができ、また、半導体製造工程
のスループットの向上にも寄与することができる。
造工程においてプラズマ処理後に静電チャックからウェ
ーハを離脱させる際、ウェーハに損傷を与えることなく
速やかに離脱させることができ、また、半導体製造工程
のスループットの向上にも寄与することができる。
【図１】本発明の実施例に用いた半導体製造装置を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の第１の実施例によるウェーハ離脱方法
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本実施例のウェーハ離脱方法によるウェーハ電
荷状態の変化を示す図である。
荷状態の変化を示す図である。
【図４】本実施例のウェーハ離脱方法によるウェーハ電
荷状態の変化を示す図である。
荷状態の変化を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施例によるウェーハ離脱方法
を示す図である。
を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施例によるウェーハ離脱方法
を示す図である。
を示す図である。
【図７】本発明の第４の実施例によるウェーハ離脱方法
を示す図である。
を示す図である。
２…半導体製造装置 ４…処理室 ６、８…絶縁物 １０…ＲＦ電極 １２、１４…静電チャック（電極群Ａ） １６、１８…静電チャック（電極群Ｂ） ２０…ウェーハ ２４…ガス供給口 ２６…排気口 ２８…Ｈｅ供給口 ３０…Ｈｅ排気口 ３２…ＲＦ電源 ３４…ＤＣ電源 ３６…圧力計 ３８…蛍光光ファイバ温度計 ４０…恒温槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 明広 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の電極に正電圧が印加され、第２の
電極に負電圧が印加されたことにより前記第１及び第２
の電極に静電吸着されたウェーハを離脱するウェーハ離
脱方法において、 前記第１の電極に負電圧を印加してから前記第２の電極
に正電圧を印加して、前記ウェーハを前記第１及び第２
の電極から離脱させることを特徴とするウェーハ離脱方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載のウェーハ離脱方法におい
て、 前記第１の電極に負電圧を印加した後前記第１の電極の
電圧を０ボルトにし、 前記第２の電極に正電圧を印加して、前記ウェーハを前
記第１及び第２の電極から離脱させることを特徴とする
ウェーハ離脱方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のウェーハ離脱方法におい
て、 前記第１の電極に負電圧を印加してから前記第２の電極
に正電圧を印加し、前記第１及び第２の電極の電圧を同
時に、又は前記第１の電極の電圧を０Ｖにした後に前記
第２の電極の電圧を０Ｖにして前記ウェーハを前記第１
及び第２の電極から離脱させることを特徴とするウェー
ハ離脱方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のウェーハ離脱方法におい
て、 前記第１の電極に負電圧を印加した後前記第１の電極の
電圧を０ボルトにし、 前記第２の電極に正電圧を印加した後前記第２の電極の
電圧を０ボルトにして前記ウェーハを前記第１及び第２
の電極から離脱させることを特徴とするウェーハ離脱方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23166492A JPH0685045A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | ウェーハ離脱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23166492A JPH0685045A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | ウェーハ離脱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685045A true JPH0685045A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16927051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23166492A Withdrawn JPH0685045A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | ウェーハ離脱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685045A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998000861A1 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system |
| JPH11106916A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| WO1999066549A1 (en) * | 1998-06-16 | 1999-12-23 | Surface Technology Systems Limited | Method and apparatus for dechucking a substrate from an electrostatic chuck |
| JP2002280438A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
| US7096911B2 (en) | 2000-11-30 | 2006-08-29 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| JP2007073568A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| WO2007108192A1 (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | ガラス基板の静電吸着装置及びその吸着離脱方法 |
| JP2010141352A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
| CN109972083A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 佳能特机株式会社 | 静电吸盘、成膜装置、基板吸附/剥离方法、成膜方法以及电子设备的制造方法 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23166492A patent/JPH0685045A/ja not_active Withdrawn
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1376682A1 (en) * | 1996-06-28 | 2004-01-02 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system |
| JP2000514247A (ja) * | 1996-06-28 | 2000-10-24 | ラム リサーチ コーポレイション | ウェーハ処理システムにおける半導体ウェーハを着脱するための方法および装置 |
| WO1998000861A1 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system |
| JPH11106916A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-20 | Anelva Corp | プラズマ処理装置 |
| WO1999066549A1 (en) * | 1998-06-16 | 1999-12-23 | Surface Technology Systems Limited | Method and apparatus for dechucking a substrate from an electrostatic chuck |
| US7513966B2 (en) | 2000-11-30 | 2009-04-07 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7703494B2 (en) | 2000-11-30 | 2010-04-27 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US8128768B2 (en) | 2000-11-30 | 2012-03-06 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7819165B2 (en) | 2000-11-30 | 2010-10-26 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7300532B2 (en) | 2000-11-30 | 2007-11-27 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing bonded substrate |
| US7096911B2 (en) | 2000-11-30 | 2006-08-29 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7621310B2 (en) | 2000-11-30 | 2009-11-24 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| US7681522B2 (en) | 2000-11-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Limited | Apparatus for manufacturing bonded substrate |
| JP2002280438A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
| JP4647122B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-03-09 | 株式会社アルバック | 真空処理方法 |
| JP2007073568A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| WO2007108192A1 (ja) | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | ガラス基板の静電吸着装置及びその吸着離脱方法 |
| US7995324B2 (en) | 2006-03-20 | 2011-08-09 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Electrostatic attraction apparatus for glass substrate and method of attracting and releasing the same |
| JP2010141352A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
| CN109972083A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-07-05 | 佳能特机株式会社 | 静电吸盘、成膜装置、基板吸附/剥离方法、成膜方法以及电子设备的制造方法 |
| JP2019117926A (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-18 | キヤノントッキ株式会社 | 静電チャック、成膜装置、基板吸着方法、基板剥離方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| CN109972083B (zh) * | 2017-12-27 | 2023-04-18 | 佳能特机株式会社 | 静电吸盘、成膜装置、基板吸附/剥离方法、成膜方法以及电子设备的制造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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