JPH1154604A - ウエハステージからのウエハ脱着方法 - Google Patents
ウエハステージからのウエハ脱着方法Info
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- JPH1154604A JPH1154604A JP21425797A JP21425797A JPH1154604A JP H1154604 A JPH1154604 A JP H1154604A JP 21425797 A JP21425797 A JP 21425797A JP 21425797 A JP21425797 A JP 21425797A JP H1154604 A JPH1154604 A JP H1154604A
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- wafer stage
- stage
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ジョンソンラーベック効果を吸着原理とする
静電チャック機構を備えたウエハステージにあっても、
残留電荷に起因してウエハが静電チャックに密着したま
ま剥がれないといったトラブルが起こるのを防止した、
ウエハステージからのウエハの脱着方法の提供が望まれ
ている。 【解決手段】 絶縁材料からなる誘電体３と導体からな
る電極とを有する静電チャック機構５を備えたウエハス
テージ１に静電チャック機構５によってウエハＷを密着
固定し、ウエハＷに処理を施した後、静電チャック機構
５からウエハＷを脱着することによりウエハステージ１
からウエハＷを脱着する際に、ウエハステージ１に超音
波を印加しつつ、ウエハを脱着する。
静電チャック機構を備えたウエハステージにあっても、
残留電荷に起因してウエハが静電チャックに密着したま
ま剥がれないといったトラブルが起こるのを防止した、
ウエハステージからのウエハの脱着方法の提供が望まれ
ている。 【解決手段】 絶縁材料からなる誘電体３と導体からな
る電極とを有する静電チャック機構５を備えたウエハス
テージ１に静電チャック機構５によってウエハＷを密着
固定し、ウエハＷに処理を施した後、静電チャック機構
５からウエハＷを脱着することによりウエハステージ１
からウエハＷを脱着する際に、ウエハステージ１に超音
波を印加しつつ、ウエハを脱着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハステージに
備えられた静電チャック機構からウエハを脱着すること
により、ウエハステージからウエハを脱着する方法に関
する。
備えられた静電チャック機構からウエハを脱着すること
により、ウエハステージからウエハを脱着する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年のプラズマプロセス、特にドライエ
ッチングプロセスでは、高密度プラズマの使用が必須と
なっており、これに伴い、プラズマ照射時のウエハ温度
上昇を抑えるため、ウエハをウエハステージに密着固定
するため該ウエハステージに静電チャック機構を組み込
むことが提案され、一部に実施されている。静電チャッ
ク機構は、絶縁材料からなる誘電体と直流電圧印加電極
とが一体化されて構成されたものである。
ッチングプロセスでは、高密度プラズマの使用が必須と
なっており、これに伴い、プラズマ照射時のウエハ温度
上昇を抑えるため、ウエハをウエハステージに密着固定
するため該ウエハステージに静電チャック機構を組み込
むことが提案され、一部に実施されている。静電チャッ
ク機構は、絶縁材料からなる誘電体と直流電圧印加電極
とが一体化されて構成されたものである。
【０００３】ところで、静電チャック機構のウエハ吸着
力は、直流の印加電圧と誘電体の体積固有抵抗とによっ
て決まる。特に、体積固有抵抗は吸着原理そのものが変
わってくることから、その制御は重要である。一般に、
静電チャック用誘電体として体積固有抵抗が１０14〔Ω
・ｃｍ〕以上の材料を用いている場合には、高抵抗型と
呼ばれ、基本的に直流電圧印加時のクーロン力だけでウ
エハをウエハステージに吸着させるようになっている。
したがって、この高抵抗型のものでは、クーロン力のみ
での吸着なので、除電時に残留電荷によるウエハの脱着
トラブルが起きることがないものの、高い吸着力を得る
場合それだけ高い印加電圧が必要となり、誘電体の耐圧
が問題になってしまう。そして、このような問題から誘
電体として使える材料が限られてしまい、結果として現
状では高抵抗型のものの実用が極めて困難になってい
る。
力は、直流の印加電圧と誘電体の体積固有抵抗とによっ
て決まる。特に、体積固有抵抗は吸着原理そのものが変
わってくることから、その制御は重要である。一般に、
静電チャック用誘電体として体積固有抵抗が１０14〔Ω
・ｃｍ〕以上の材料を用いている場合には、高抵抗型と
呼ばれ、基本的に直流電圧印加時のクーロン力だけでウ
エハをウエハステージに吸着させるようになっている。
したがって、この高抵抗型のものでは、クーロン力のみ
での吸着なので、除電時に残留電荷によるウエハの脱着
トラブルが起きることがないものの、高い吸着力を得る
場合それだけ高い印加電圧が必要となり、誘電体の耐圧
が問題になってしまう。そして、このような問題から誘
電体として使える材料が限られてしまい、結果として現
状では高抵抗型のものの実用が極めて困難になってい
る。
【０００４】一方、静電チャック用誘電体として、体積
固有抵抗が１０12〔Ω・ｃｍ〕以下の材料を用いる場合
には、直流電圧印加時のクーロン力のみでなく、誘電体
表面とウエハ裏面との間を流れる微少電流によって吸着
力を増す、いわゆるジョンソンラーベック効果が吸着原
理として用いられる。したがって、このものではそのジ
ョンソンラーベック効果によって比較的低い電圧でも高
い吸着力が得られるというメリットがあるものの、吸着
力が強い分、逆に誘電体からの残留電荷の除去が難し
く、一般的な除電プロセスである、直流電圧ＯＦＦ→逆
電圧印加→除電用プラズマ放電という一連のシーケンス
では残留電荷を除去しきれず、ウエハがウエハステージ
の静電チャックに密着したまま剥がれないといったトラ
ブルが起こるおそれがある。
固有抵抗が１０12〔Ω・ｃｍ〕以下の材料を用いる場合
には、直流電圧印加時のクーロン力のみでなく、誘電体
表面とウエハ裏面との間を流れる微少電流によって吸着
力を増す、いわゆるジョンソンラーベック効果が吸着原
理として用いられる。したがって、このものではそのジ
ョンソンラーベック効果によって比較的低い電圧でも高
い吸着力が得られるというメリットがあるものの、吸着
力が強い分、逆に誘電体からの残留電荷の除去が難し
く、一般的な除電プロセスである、直流電圧ＯＦＦ→逆
電圧印加→除電用プラズマ放電という一連のシーケンス
では残留電荷を除去しきれず、ウエハがウエハステージ
の静電チャックに密着したまま剥がれないといったトラ
ブルが起こるおそれがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに昨今のエッチングプロセスでは高密度プラズマの使
用に益々拍車がかかっており、これに伴って高精度の温
度制御が不可欠となっている。しかして、より高精度の
温度制御を行うためには静電チャックの吸着力も益々強
くして行く必要があるが、その場合に前記ジョンソンラ
ーベック効果を吸着原理として用いるものでは、静電チ
ャックからのウエハ脱着時における、前述した残留電荷
に起因するトラブルがプロセス上大きな障害となってい
る。
うに昨今のエッチングプロセスでは高密度プラズマの使
用に益々拍車がかかっており、これに伴って高精度の温
度制御が不可欠となっている。しかして、より高精度の
温度制御を行うためには静電チャックの吸着力も益々強
くして行く必要があるが、その場合に前記ジョンソンラ
ーベック効果を吸着原理として用いるものでは、静電チ
ャックからのウエハ脱着時における、前述した残留電荷
に起因するトラブルがプロセス上大きな障害となってい
る。
【０００６】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、ジョンソンラーベック効
果を吸着原理とする静電チャック機構を備えたウエハス
テージにあっても、残留電荷に起因してウエハが静電チ
ャックに密着したまま剥がれないといったトラブルが起
こるのを防止したウエハステージからのウエハの脱着方
法を提供することにある。
で、その目的とするところは、ジョンソンラーベック効
果を吸着原理とする静電チャック機構を備えたウエハス
テージにあっても、残留電荷に起因してウエハが静電チ
ャックに密着したまま剥がれないといったトラブルが起
こるのを防止したウエハステージからのウエハの脱着方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハステージ
からのウエハ脱着方法では、絶縁材料からなる誘電体と
導体からなる電極とを有する静電チャック機構を備えた
ウエハステージに前記静電チャック機構によってウエハ
を密着固定し、該ウエハに処理を施した後、該静電チャ
ック機構からウエハを脱着することによりウエハステー
ジからウエハを脱着するに際して、前記ウエハステージ
に超音波を印加しつつウエハを脱着することを前記課題
の解決手段とした。
からのウエハ脱着方法では、絶縁材料からなる誘電体と
導体からなる電極とを有する静電チャック機構を備えた
ウエハステージに前記静電チャック機構によってウエハ
を密着固定し、該ウエハに処理を施した後、該静電チャ
ック機構からウエハを脱着することによりウエハステー
ジからウエハを脱着するに際して、前記ウエハステージ
に超音波を印加しつつウエハを脱着することを前記課題
の解決手段とした。
【０００８】この方法によれば、誘電体として例えばプ
ラズマ処理時における温度下において体積固有抵抗が１
０12〔Ω・ｃｍ〕程度の材料を用いれば、ウエハ吸着時
においては直流電圧印加時のクーロン力のみでなく、静
電チャック表面とウエハ裏面との間を流れる微少電流に
よっても吸着力を増すことから、比較的低い直流電圧の
印加でウエハの静電吸着が可能になる。また、ウエハ脱
着時にウエハステージに超音波を印加して振動を与える
ので、この振動によってウエハにウエハステージから剥
がれる方向への物理的な力を与えることができ、したが
って多少の残留吸着力が残っていても、例えば各種の脱
着プロセスと組み合わせることによりウエハの脱着を容
易に行えるようになる。
ラズマ処理時における温度下において体積固有抵抗が１
０12〔Ω・ｃｍ〕程度の材料を用いれば、ウエハ吸着時
においては直流電圧印加時のクーロン力のみでなく、静
電チャック表面とウエハ裏面との間を流れる微少電流に
よっても吸着力を増すことから、比較的低い直流電圧の
印加でウエハの静電吸着が可能になる。また、ウエハ脱
着時にウエハステージに超音波を印加して振動を与える
ので、この振動によってウエハにウエハステージから剥
がれる方向への物理的な力を与えることができ、したが
って多少の残留吸着力が残っていても、例えば各種の脱
着プロセスと組み合わせることによりウエハの脱着を容
易に行えるようになる。
【０００９】ここで、組み合わせる脱着プロセスとして
は、除電プラズマや逆電圧印加等が採用可能である。ま
た、使用するウエハステージについては、静電チャック
機構に加えて超音波印加機構を備えているものが好適と
される。
は、除電プラズマや逆電圧印加等が採用可能である。ま
た、使用するウエハステージについては、静電チャック
機構に加えて超音波印加機構を備えているものが好適と
される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態例を図
面を参照して詳しく説明する。この実施形態例では、ウ
エハステージとして図１に示す構成のものを用いた。図
１において符号１はウエハステージであり、このウエハ
ステージ１は、Ａｌ（アルミニウム）製の温調ジャケッ
ト２の上面に静電チャック機構用の誘電体３を形成し、
底面に超音波印加機構となる超音波振動子４を設けて構
成されたものであり、温調ジャケット２を静電チャック
機構用の電極として機能させたものである。なお、この
温調ジャケット２にはその内部に温媒供給手段（図示
略）に接続される温媒配管（図示略）が設けられてお
り、これによって誘電体３上に吸着固定されるウエハを
所望する温度に精度良く調整できるようになっている。
面を参照して詳しく説明する。この実施形態例では、ウ
エハステージとして図１に示す構成のものを用いた。図
１において符号１はウエハステージであり、このウエハ
ステージ１は、Ａｌ（アルミニウム）製の温調ジャケッ
ト２の上面に静電チャック機構用の誘電体３を形成し、
底面に超音波印加機構となる超音波振動子４を設けて構
成されたものであり、温調ジャケット２を静電チャック
機構用の電極として機能させたものである。なお、この
温調ジャケット２にはその内部に温媒供給手段（図示
略）に接続される温媒配管（図示略）が設けられてお
り、これによって誘電体３上に吸着固定されるウエハを
所望する温度に精度良く調整できるようになっている。
【００１１】誘電体３としては、本例ではＡｌ2 Ｏ3 溶
射膜を用い、この溶射膜中に溶射時にＴｉＯ2 を約７．
５％含有させることで、得られる誘電体３の体積固有抵
抗を５×１０11〔Ω・ｃｍ〕台に調整した。そして、こ
れによりウエハステージ１では、誘電体３と電極として
機能する温調ジャケット２とから、ジョンソンラーベッ
ク力でのウエハ吸着を可能とする静電チャック機構５を
構成した。超音波振動子４としては、特に限定されるこ
となく従来公知のものが用いられ、特に本例では直流電
圧により作動するものが用いられている。
射膜を用い、この溶射膜中に溶射時にＴｉＯ2 を約７．
５％含有させることで、得られる誘電体３の体積固有抵
抗を５×１０11〔Ω・ｃｍ〕台に調整した。そして、こ
れによりウエハステージ１では、誘電体３と電極として
機能する温調ジャケット２とから、ジョンソンラーベッ
ク力でのウエハ吸着を可能とする静電チャック機構５を
構成した。超音波振動子４としては、特に限定されるこ
となく従来公知のものが用いられ、特に本例では直流電
圧により作動するものが用いられている。
【００１２】また、本例では、図１に示したウエハステ
ージ１を図２に示すエッチング装置に組み込み、エッチ
ング処理を行うようにした。図２において符号１０はＩ
ＣＰ型のエッチング装置であり、このエッチング装置１
０は、ソフトエッチチャンバー１１内に図１に示したウ
エハステージ１を備えたものである。ソフトエッチチャ
ンバー１１は、石英からなる周壁１２と天板１３とを有
してなるもので、周壁１２の外面には誘導結合コイル１
４が設けられている。また、ウエハステージ１には高周
波電源１５が接続され、さらに静電チャック５の電極と
なる温調ジャケット２、および超音波振動子４に直流電
圧を印加する直流電源１６が接続されている。
ージ１を図２に示すエッチング装置に組み込み、エッチ
ング処理を行うようにした。図２において符号１０はＩ
ＣＰ型のエッチング装置であり、このエッチング装置１
０は、ソフトエッチチャンバー１１内に図１に示したウ
エハステージ１を備えたものである。ソフトエッチチャ
ンバー１１は、石英からなる周壁１２と天板１３とを有
してなるもので、周壁１２の外面には誘導結合コイル１
４が設けられている。また、ウエハステージ１には高周
波電源１５が接続され、さらに静電チャック５の電極と
なる温調ジャケット２、および超音波振動子４に直流電
圧を印加する直流電源１６が接続されている。
【００１３】次に、このようなエッチング装置１０、お
よびウエハステージ１による、ウエハＷへのエッチング
処理について説明する。まず、ウエハステージ１の誘電
体３上にウエハＷを載置し、その状態で直流電源１６を
オンして温調ジャケット２に直流電圧を印加し、誘電体
３に静電吸着力を発揮させてウエハＷを誘電体３上に載
置固定する。また、温調ジャケット２の温媒配管（図示
略）内に温媒供給手段（図示略）から温媒を供給し、ウ
エハＷを所定の温度（この例では５０℃）に調整する。
よびウエハステージ１による、ウエハＷへのエッチング
処理について説明する。まず、ウエハステージ１の誘電
体３上にウエハＷを載置し、その状態で直流電源１６を
オンして温調ジャケット２に直流電圧を印加し、誘電体
３に静電吸着力を発揮させてウエハＷを誘電体３上に載
置固定する。また、温調ジャケット２の温媒配管（図示
略）内に温媒供給手段（図示略）から温媒を供給し、ウ
エハＷを所定の温度（この例では５０℃）に調整する。
【００１４】そして、この状態のもとで以下に示す条件
により、図３（ａ）に示すように下地配線２１上のＳｉ
Ｏ2 膜２２に、レジストパターン２３をマスクにしてエ
ッチングを行い、図３（ｂ）に示すように溝配線用の溝
２４を形成した。 エッチング条件 Ｇａｓ ；Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＦ4 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｏ2 ＝１０／２／５０／１５０／２ SCCM 圧 ；３Ｐａ ソースパワー ；１５００Ｗ ボトムパワー ；８００Ｗ（２ＭＨｚ） ウエハ温度 ；５０℃ 静電チャック用ＤＣパワー；８００Ｗ
により、図３（ａ）に示すように下地配線２１上のＳｉ
Ｏ2 膜２２に、レジストパターン２３をマスクにしてエ
ッチングを行い、図３（ｂ）に示すように溝配線用の溝
２４を形成した。 エッチング条件 Ｇａｓ ；Ｃ4 Ｆ8 ／ＣＦ4 ／ＣＯ／Ａｒ／Ｏ2 ＝１０／２／５０／１５０／２ SCCM 圧 ；３Ｐａ ソースパワー ；１５００Ｗ ボトムパワー ；８００Ｗ（２ＭＨｚ） ウエハ温度 ；５０℃ 静電チャック用ＤＣパワー；８００Ｗ
【００１５】このような溝配線用の溝２４のエッチング
では、被エッチ面積が通常のコンタクトホールのエッチ
ングのときより大幅に広くなるため、いわゆるローディ
ング効果でエッチレートが低下しやすくなる。したがっ
て、高密度プラズマと高バイアス印加でエッチレートを
稼ぐ必要があるが、この要求を満たすエッチング条件下
では、入射フラックスが大幅に増加してしまい、イオン
衝撃でウエハ温度が上昇しやすくなってレジストがレテ
ィキュレーション（reticulation）をおこしやすくなっ
てしまう。これを防ぐには、より高い吸着力でウエハＷ
を誘電体３に密着させる必要があるが、その場合、前述
したように高い吸着力では残留電荷に起因してプロセス
終了後のウエハの脱着が行いにくくなってしまう。
では、被エッチ面積が通常のコンタクトホールのエッチ
ングのときより大幅に広くなるため、いわゆるローディ
ング効果でエッチレートが低下しやすくなる。したがっ
て、高密度プラズマと高バイアス印加でエッチレートを
稼ぐ必要があるが、この要求を満たすエッチング条件下
では、入射フラックスが大幅に増加してしまい、イオン
衝撃でウエハ温度が上昇しやすくなってレジストがレテ
ィキュレーション（reticulation）をおこしやすくなっ
てしまう。これを防ぐには、より高い吸着力でウエハＷ
を誘電体３に密着させる必要があるが、その場合、前述
したように高い吸着力では残留電荷に起因してプロセス
終了後のウエハの脱着が行いにくくなってしまう。
【００１６】しかして、本実施形態例では、前記の高密
度プラズマと高バイアス印加による条件で図３（ｂ）に
示したエッチングを行った後、静電チャック機構５用の
直流電圧の印加を停止し、その状態でウエハステージ１
に以下の条件で除電プラズマをかけつつ、該ウエハステ
ージ１に超音波振動子４によって超音波を印加し、ウエ
ハステージ１からウエハＷを脱着した。 除電プラズマ条件 Ｇａｓ ；Ａｒ＝５０SCCM 圧 ；１Ｐａ ソースパワー ；５００Ｗ 超音波用直流電圧 ；１００Ｗ
度プラズマと高バイアス印加による条件で図３（ｂ）に
示したエッチングを行った後、静電チャック機構５用の
直流電圧の印加を停止し、その状態でウエハステージ１
に以下の条件で除電プラズマをかけつつ、該ウエハステ
ージ１に超音波振動子４によって超音波を印加し、ウエ
ハステージ１からウエハＷを脱着した。 除電プラズマ条件 Ｇａｓ ；Ａｒ＝５０SCCM 圧 ；１Ｐａ ソースパワー ；５００Ｗ 超音波用直流電圧 ；１００Ｗ
【００１７】このような方法によれば、体積固有抵抗を
５×１０11〔Ω・ｃｍ〕台とした誘電体３に高出力とな
るように直流電圧を印加したので、ジョンソンラーベッ
ク効果が吸着原理とし作用することにより吸着力が非常
に強くなっており、上記のプラズマ条件でも、レジスト
にダメージを生じることなく、図３（ｂ）に示した溝配
線用溝２４の加工を支障なく確実に行うことができた。
また、ウエハＷの脱着についても、前記の除電プラズマ
時の超音波印加により、残留電荷に起因するトラブルを
起こすことなく容易にウエハの脱着を行うことができ
た。
５×１０11〔Ω・ｃｍ〕台とした誘電体３に高出力とな
るように直流電圧を印加したので、ジョンソンラーベッ
ク効果が吸着原理とし作用することにより吸着力が非常
に強くなっており、上記のプラズマ条件でも、レジスト
にダメージを生じることなく、図３（ｂ）に示した溝配
線用溝２４の加工を支障なく確実に行うことができた。
また、ウエハＷの脱着についても、前記の除電プラズマ
時の超音波印加により、残留電荷に起因するトラブルを
起こすことなく容易にウエハの脱着を行うことができ
た。
【００１８】なお、前記実施形態例では、ウエハステー
ジ１からのウエハＷの脱着を、除電プラズマをかけつ
つ、ウエハステージ１に超音波を印加して行ったが、本
発明はこれに限定されることなく、他に例えば、以下の
条件で静電チャック５にエッチング処理時とは正負が逆
の電圧を印加しつつ、ウエハステージに超音波を印加し
て行ってもよい。 逆電圧印加条件 印加逆電圧 ；＋５００Ｖ 超音波用直流電圧 ；１００Ｗ このように、除電プラズマに代えて超音波を印加しつつ
逆電圧を印加するようにしても、除電プラズマをかけつ
つ超音波を印加した場合と同様に、残留電荷に起因する
トラブルを起こすことなく容易にウエハの脱着を行うこ
とができた。
ジ１からのウエハＷの脱着を、除電プラズマをかけつ
つ、ウエハステージ１に超音波を印加して行ったが、本
発明はこれに限定されることなく、他に例えば、以下の
条件で静電チャック５にエッチング処理時とは正負が逆
の電圧を印加しつつ、ウエハステージに超音波を印加し
て行ってもよい。 逆電圧印加条件 印加逆電圧 ；＋５００Ｖ 超音波用直流電圧 ；１００Ｗ このように、除電プラズマに代えて超音波を印加しつつ
逆電圧を印加するようにしても、除電プラズマをかけつ
つ超音波を印加した場合と同様に、残留電荷に起因する
トラブルを起こすことなく容易にウエハの脱着を行うこ
とができた。
【００１９】また、本発明は、除電プラズマをかけたり
逆電圧を印加するといった脱着プロセスと超音波印加と
を併用してウエハＷの脱着を行ったが、これら脱着プロ
セスを併用することなく超音波印加のみでウエハＷの脱
着を行ってもよく、その場合にも超音波による物理的な
力によってウエハＷを支障なくウエハステージ１から脱
着することができる。さらに、本発明は前記の実施形態
例に用いた装置やサンプルなどに限定されることなく、
これらについても、本発明の主旨を逸脱しない範囲で適
宜選択可能である。
逆電圧を印加するといった脱着プロセスと超音波印加と
を併用してウエハＷの脱着を行ったが、これら脱着プロ
セスを併用することなく超音波印加のみでウエハＷの脱
着を行ってもよく、その場合にも超音波による物理的な
力によってウエハＷを支障なくウエハステージ１から脱
着することができる。さらに、本発明は前記の実施形態
例に用いた装置やサンプルなどに限定されることなく、
これらについても、本発明の主旨を逸脱しない範囲で適
宜選択可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のウエハステ
ージからのウエハ脱着方法は、静電チャックの吸着力を
上げるため、誘電体の体積固有抵抗を下げてジョンソン
ラーベック効果により高い吸着力でウエハを吸着させた
場合でも、ウエハ脱着時にウエハステージに超音波を印
加して振動を与えることにより、残留電荷に起因するト
ラブルを起こすことなく、ウエハをウエハステージから
容易に脱着することができる。したがって、本発明の脱
着方法を採用することにより、静電チャック機構の信頼
性を大幅に向上することができ、しかも高密度プラズマ
で入射フラックスを増やしたエッチング条件なども支障
なく採用できることから、エッチングなど各種のプロセ
スでの条件の自由度を大きくすることができる。
ージからのウエハ脱着方法は、静電チャックの吸着力を
上げるため、誘電体の体積固有抵抗を下げてジョンソン
ラーベック効果により高い吸着力でウエハを吸着させた
場合でも、ウエハ脱着時にウエハステージに超音波を印
加して振動を与えることにより、残留電荷に起因するト
ラブルを起こすことなく、ウエハをウエハステージから
容易に脱着することができる。したがって、本発明の脱
着方法を採用することにより、静電チャック機構の信頼
性を大幅に向上することができ、しかも高密度プラズマ
で入射フラックスを増やしたエッチング条件なども支障
なく採用できることから、エッチングなど各種のプロセ
スでの条件の自由度を大きくすることができる。
【図１】本発明に用いられるウエハステージの一例の概
略構成を示す側面図である。
略構成を示す側面図である。
【図２】図１に示したウエハステージが備えられたエッ
チング装置の概略構成図である。
チング装置の概略構成図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、図１に示した装置によるエ
ッチング方法の一例を、処理順に説明するための要部側
断面図である。
ッチング方法の一例を、処理順に説明するための要部側
断面図である。
１…ウエハステージ、２…温調ジャケット、３…誘電
体、４…超音波振動子、５…静電チャック機構、１０…
エッチング装置、１４…高周波電源、１５…直流電源、
Ｗ…ウエハ
体、４…超音波振動子、５…静電チャック機構、１０…
エッチング装置、１４…高周波電源、１５…直流電源、
Ｗ…ウエハ
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁材料からなる誘電体と導体からなる
電極とを有する静電チャック機構を備えたウエハステー
ジに前記静電チャック機構によってウエハを密着固定
し、該ウエハに処理を施した後、該静電チャック機構か
らウエハを脱着することによりウエハステージからウエ
ハを脱着するに際して、 前記ウエハステージに超音波を印加しつつウエハを脱着
することを特徴とするウエハステージからのウエハ脱着
方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のウエハステージからのウ
エハ脱着方法において、 ウエハに処理を施した後静電チャック機構用の直流電圧
の印加を停止し、その状態でウエハステージに除電プラ
ズマをかけつつ該ウエハステージに超音波を印加してウ
エハを脱着することを特徴とするウエハステージからの
ウエハ脱着方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のウエハステージからのウ
エハ脱着方法において、 ウエハに処理を施した後静電チャック機構用の直流電圧
の印加を停止し、その後静電チャックに前記処理時とは
正負が逆の電圧を印加しつつ、ウエハステージに超音波
を印加してウエハを脱着することを特徴とするウエハス
テージからのウエハ脱着方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のウエハステージからのウ
エハ脱着方法において、 前記ウエハステージが、超音波印加機構を備えて構成さ
れてなることを特徴とするウエハステージからのウエハ
脱着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21425797A JPH1154604A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | ウエハステージからのウエハ脱着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21425797A JPH1154604A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | ウエハステージからのウエハ脱着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154604A true JPH1154604A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16652765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21425797A Pending JPH1154604A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | ウエハステージからのウエハ脱着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154604A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053134A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Anelva Corp | 静電吸着ステージ及び基板処理装置 |
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| WO2002078062A3 (en) * | 2001-03-27 | 2003-03-13 | Lam Res Corp | Acoustic detection of dechucking and apparatus therefor |
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-
1997
- 1997-08-08 JP JP21425797A patent/JPH1154604A/ja active Pending
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| US10651071B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-05-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate removing method |
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