JPH0513556A - 静電チヤツク - Google Patents
静電チヤツクInfo
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- JPH0513556A JPH0513556A JP16056591A JP16056591A JPH0513556A JP H0513556 A JPH0513556 A JP H0513556A JP 16056591 A JP16056591 A JP 16056591A JP 16056591 A JP16056591 A JP 16056591A JP H0513556 A JPH0513556 A JP H0513556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- electrostatic chuck
- electrode
- power supply
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 この発明の静電チャック23は、静電チャッ
ク23に固定されたウエハ2を離脱する際に、上記静電
チャック23に逆の電圧を印加する電圧切り替え装置
と、上記ウエハ2に上記ウエハ2の電位と反対の電位に
イオン化ガス(イ)を接触させるアイオナイザ−30と
を有する。 【効果】 ウエハの残留静電気力の除去を確実かつ迅速
に行えるからウエハの離脱を容易に行うことができ、か
つこのとき上記ウエハを損傷させることがないという効
果がある。
ク23に固定されたウエハ2を離脱する際に、上記静電
チャック23に逆の電圧を印加する電圧切り替え装置
と、上記ウエハ2に上記ウエハ2の電位と反対の電位に
イオン化ガス(イ)を接触させるアイオナイザ−30と
を有する。 【効果】 ウエハの残留静電気力の除去を確実かつ迅速
に行えるからウエハの離脱を容易に行うことができ、か
つこのとき上記ウエハを損傷させることがないという効
果がある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は被処理物を静電気力に
よって保持する静電チャックに関する。
よって保持する静電チャックに関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体デバイス製造工程の前処
理工程では、被処理物としてのウエハの汚染を防ぐため
自動化、ドライ化が進んでいる。
理工程では、被処理物としてのウエハの汚染を防ぐため
自動化、ドライ化が進んでいる。
【0003】例えば、ウエハのエッチングを行うドライ
エッチング装置は、真空チャンバ(減圧チャンバ)を有
し、この真空チャンバ内でエッチングを行うようにして
いる。
エッチング装置は、真空チャンバ(減圧チャンバ)を有
し、この真空チャンバ内でエッチングを行うようにして
いる。
【0004】上記真空チャンバ内では、ウエハを保持す
るのに真空チャックを用いることができないから、メカ
ニカルチャックを用いることが考えられるが、メカニカ
ルチャックは上記ウエハを傷付ける恐れがある。そこで
最近では、ウエハを真空チャック内で保持するために、
静電チャックが用いることが一般的になっている。
るのに真空チャックを用いることができないから、メカ
ニカルチャックを用いることが考えられるが、メカニカ
ルチャックは上記ウエハを傷付ける恐れがある。そこで
最近では、ウエハを真空チャック内で保持するために、
静電チャックが用いることが一般的になっている。
【0005】図3中1は例えばドライエッチング装置の
真空チャンバである。この真空チャンバ1内の上部には
下面に上記ウエハ2を保持する静電チャック3が設けら
れている。この静電チャック3は、板状の電極4を有す
る。この電極4は、直流電源5の例えばプラス端子に接
続されている。そして、この電極4の下面は誘電体膜
(ポリイミド等)6で覆われている。
真空チャンバである。この真空チャンバ1内の上部には
下面に上記ウエハ2を保持する静電チャック3が設けら
れている。この静電チャック3は、板状の電極4を有す
る。この電極4は、直流電源5の例えばプラス端子に接
続されている。そして、この電極4の下面は誘電体膜
(ポリイミド等)6で覆われている。
【0006】また、上記電極4には上面から下面に貫通
する貫通孔4aが設けられ、上記貫通孔4aの上端側は
連結管7を介して図示しないN2 ガス源に接続されてい
る。
する貫通孔4aが設けられ、上記貫通孔4aの上端側は
連結管7を介して図示しないN2 ガス源に接続されてい
る。
【0007】上記ドライエッチング装置(以下「装置」
と略す)の場合、真空チャンバ1内は、真空(減圧)に
されると共に、Cl2 等の反応性ガスが送り込まれ、ガ
ス雰囲気となる。ついで、上記装置は図示しないア−ム
を作動させ、上記ウエハ2を上記静電チャック3の誘電
体膜6の下面に固定する。すなわち、上記静電チャック
3は上記直流電源5をON状態にすることで作動し、上
記誘電体膜6の下面に上記ウエハ2を静電気力により保
持する。
と略す)の場合、真空チャンバ1内は、真空(減圧)に
されると共に、Cl2 等の反応性ガスが送り込まれ、ガ
ス雰囲気となる。ついで、上記装置は図示しないア−ム
を作動させ、上記ウエハ2を上記静電チャック3の誘電
体膜6の下面に固定する。すなわち、上記静電チャック
3は上記直流電源5をON状態にすることで作動し、上
記誘電体膜6の下面に上記ウエハ2を静電気力により保
持する。
【0008】ついで、上記装置は、上記ウエハ2のエッ
チングを行う。エッチングが終わったならば、上記装置
は図示しないN2 ガス源を作動させ、上記貫通孔4aか
ら上記誘電体膜6の下面にN2 ガスを送る。上記装置
は、このことで上記誘電体膜6をわずかに膨脹させ、上
記ウエハ2を上記誘電体膜6の下面から離脱させる。
チングを行う。エッチングが終わったならば、上記装置
は図示しないN2 ガス源を作動させ、上記貫通孔4aか
ら上記誘電体膜6の下面にN2 ガスを送る。上記装置
は、このことで上記誘電体膜6をわずかに膨脹させ、上
記ウエハ2を上記誘電体膜6の下面から離脱させる。
【0009】しかし、この装置においては、エッチング
の時間が長くなったり、自動運転で連続的に多数枚のウ
エハ2をエッチングした場合に、上記誘電体膜6の表面
に電荷が蓄積してしまい、上記誘電体膜6の膨脹によっ
ては上記ウエハ2を離脱させることができなくなるとい
う問題点がある。この問題点を解決するために特開昭6
0−79725号公報に示される技術が提案されてい
る。
の時間が長くなったり、自動運転で連続的に多数枚のウ
エハ2をエッチングした場合に、上記誘電体膜6の表面
に電荷が蓄積してしまい、上記誘電体膜6の膨脹によっ
ては上記ウエハ2を離脱させることができなくなるとい
う問題点がある。この問題点を解決するために特開昭6
0−79725号公報に示される技術が提案されてい
る。
【0010】この公報に示された発明は、被処理物を静
電的に固定する静電チャックの電極4の上記被処理物固
定側面に粘着された誘電体膜の一部に上記電極に至る放
電孔を設けると共に、この放電孔を誘電体部材により閉
塞自在に構成したことを特徴とする被処理物の離脱装置
である。
電的に固定する静電チャックの電極4の上記被処理物固
定側面に粘着された誘電体膜の一部に上記電極に至る放
電孔を設けると共に、この放電孔を誘電体部材により閉
塞自在に構成したことを特徴とする被処理物の離脱装置
である。
【0011】すなわち、図4(図3と同一の構成要素に
は同一記号を付す)において、上記誘電体膜6の一部に
は放電孔6aが設けられている。そして、上記真空チャ
ンバ1の内部には、上下駆動されるロッド9が設けられ
ている。このロッド9の上端には誘電体材料からなり、
上記放電孔6aを閉塞可能なる誘電体部材10が設けら
れている。
は同一記号を付す)において、上記誘電体膜6の一部に
は放電孔6aが設けられている。そして、上記真空チャ
ンバ1の内部には、上下駆動されるロッド9が設けられ
ている。このロッド9の上端には誘電体材料からなり、
上記放電孔6aを閉塞可能なる誘電体部材10が設けら
れている。
【0012】この誘電体部材10は上記ロッド9によっ
て駆動され、上記静電チャック3に上記ウエハ2を固定
する場合には上記誘電体膜6の上記放電孔6aを閉塞し
ている。そして、上記装置は、上記ウエハ2を静電チャ
ック3から離脱させる場合には、上記ロッド9を下降駆
動し、上記誘電体部材10を上記貫通孔6aから離間さ
せ、上記電極4の表面を真空チャンバ1内に露出させ
る。すると、上記電極4と上記ウエハ2の間でプラズマ
放電が起こり上記ウエハ2と上記電極4は同電位にな
る。このことで上記静電チャック3は静電気力を失うの
で上記ウエハ2は上記静電チャック3の下端面から離脱
する。
て駆動され、上記静電チャック3に上記ウエハ2を固定
する場合には上記誘電体膜6の上記放電孔6aを閉塞し
ている。そして、上記装置は、上記ウエハ2を静電チャ
ック3から離脱させる場合には、上記ロッド9を下降駆
動し、上記誘電体部材10を上記貫通孔6aから離間さ
せ、上記電極4の表面を真空チャンバ1内に露出させ
る。すると、上記電極4と上記ウエハ2の間でプラズマ
放電が起こり上記ウエハ2と上記電極4は同電位にな
る。このことで上記静電チャック3は静電気力を失うの
で上記ウエハ2は上記静電チャック3の下端面から離脱
する。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な構成によれば、プラズマ放電により上記電極4と上記
ウエハ2の電位差をなくすものであるため、その放電の
ショックによって上記ウエハ2を損傷させる恐れがあ
る。
な構成によれば、プラズマ放電により上記電極4と上記
ウエハ2の電位差をなくすものであるため、その放電の
ショックによって上記ウエハ2を損傷させる恐れがあ
る。
【0014】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、被処理物の離脱を容易にでき、かつ、この
とき被処理物を損傷させる恐れのない静電チャックを提
供することを目的とするものである。
れたもので、被処理物の離脱を容易にでき、かつ、この
とき被処理物を損傷させる恐れのない静電チャックを提
供することを目的とするものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】この発明は、被処理物を
静電気力によって保持する静電チャックにおいて、上記
静電チャックと上記被処理物の電荷を中和する中和手段
を有することを特徴とする。
静電気力によって保持する静電チャックにおいて、上記
静電チャックと上記被処理物の電荷を中和する中和手段
を有することを特徴とする。
【0016】
【作用】このような構成によれば、中和手段によって上
記静電チャックの電位と被処理物の電荷を中和して静電
気力を除去することで、この静電チャックから被処理物
を離脱させることができる。
記静電チャックの電位と被処理物の電荷を中和して静電
気力を除去することで、この静電チャックから被処理物
を離脱させることができる。
【0017】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図1と図2を参
照して説明する。この発明の静電チャックは例えばドラ
イエッチング装置の真空チャンバ内に設けられる。
照して説明する。この発明の静電チャックは例えばドラ
イエッチング装置の真空チャンバ内に設けられる。
【0018】図中15は接地された真空チャンバであ
る。この真空チャンバ15には、反応性ガスをこの真空
チャンバ15内に供給するためのガス供給管15aおよ
び真空チャンバ15内のガスを排気するための排気管1
5bがそれぞれ設けられている。
る。この真空チャンバ15には、反応性ガスをこの真空
チャンバ15内に供給するためのガス供給管15aおよ
び真空チャンバ15内のガスを排気するための排気管1
5bがそれぞれ設けられている。
【0019】また、この真空チャンバ15内には上方に
一方の電極16と下方に他方の電極17が対向して配置
されている。上記一方の電極16は接地され、上記他方
の電極17は整合器18を介して高周波電源19に接続
されている。
一方の電極16と下方に他方の電極17が対向して配置
されている。上記一方の電極16は接地され、上記他方
の電極17は整合器18を介して高周波電源19に接続
されている。
【0020】また、上記他方の電極17には冷媒が流通
する中空部17aが設けられ、この中空部17aには入
り口側冷媒管20、および出口側冷媒管21が取り付け
られている。これらの冷媒管20、21は図示しない冷
却回路に接続され、上記中空部17a内には冷媒が流通
するようになっている。この中空部17a内に流通する
冷媒は上記他方の電極17およびこの電極17上に後述
する静電チャック23により保持されるウエハ2を冷却
し、上記ウエハ2が所定の温度で一定に保たれるように
する。
する中空部17aが設けられ、この中空部17aには入
り口側冷媒管20、および出口側冷媒管21が取り付け
られている。これらの冷媒管20、21は図示しない冷
却回路に接続され、上記中空部17a内には冷媒が流通
するようになっている。この中空部17a内に流通する
冷媒は上記他方の電極17およびこの電極17上に後述
する静電チャック23により保持されるウエハ2を冷却
し、上記ウエハ2が所定の温度で一定に保たれるように
する。
【0021】上記他方の電極17の上面には上記静電チ
ャック23が設けられている。この静電チャック23は
導電体からなる矩形板状の電極24を有する。この電極
24はこの電極24の極性を切り替える第1の中和手段
としての切り替え装置25に接続されている。この切り
替え装置25は切り替えスイッチ26およびこの切り替
えスイッチ26に接続される第1、第2の直流電源2
7、28とからなる。
ャック23が設けられている。この静電チャック23は
導電体からなる矩形板状の電極24を有する。この電極
24はこの電極24の極性を切り替える第1の中和手段
としての切り替え装置25に接続されている。この切り
替え装置25は切り替えスイッチ26およびこの切り替
えスイッチ26に接続される第1、第2の直流電源2
7、28とからなる。
【0022】上記切り替えスイッチ26の出力端子は上
記電極24に接続されている。また上記切り替えスイッ
チ26の一方の入力端子は、上記第1の直流電源27の
プラス端子に接続されている。上記切り替えスイッチ2
6の他方の入力端子は上記第2の直流電源28のマイナ
ス端子に接続されている。そして、上記第1の直流電源
27のマイナス端子、および第2の直流電源28のプラ
ス端子はそれぞれ接地されている。
記電極24に接続されている。また上記切り替えスイッ
チ26の一方の入力端子は、上記第1の直流電源27の
プラス端子に接続されている。上記切り替えスイッチ2
6の他方の入力端子は上記第2の直流電源28のマイナ
ス端子に接続されている。そして、上記第1の直流電源
27のマイナス端子、および第2の直流電源28のプラ
ス端子はそれぞれ接地されている。
【0023】また、上記電極24の上面および下面は例
えばポリイミド等の誘電体からなる誘電体膜29によっ
て覆われている。そして、上記誘電体膜29の上面は平
坦に形成され、この静電チャック23のチャック面23
aを構成している。
えばポリイミド等の誘電体からなる誘電体膜29によっ
て覆われている。そして、上記誘電体膜29の上面は平
坦に形成され、この静電チャック23のチャック面23
aを構成している。
【0024】上記静電チャック23には、上記真空チャ
ンバ15の下方に配置された第2の中和手段としてのア
イオナイザ−30に接続され、上記チャック面23aに
開放する供給管31が設けられている。上記アイオナイ
ザ−30は、吸気管30aから吸引したガスを上記ウエ
ハ2の電位と反対の極性にイオン化し、このイオン化さ
れたガス(以下「イオン化ガス」と称する)を上記供給
管31を介して上記チャック面23aに流出させるよう
になっている。次に上記ドライエッチング装置(以下
「装置」と称する)における上記静電チャック23の動
作を図1、図2を参照して説明する。
ンバ15の下方に配置された第2の中和手段としてのア
イオナイザ−30に接続され、上記チャック面23aに
開放する供給管31が設けられている。上記アイオナイ
ザ−30は、吸気管30aから吸引したガスを上記ウエ
ハ2の電位と反対の極性にイオン化し、このイオン化さ
れたガス(以下「イオン化ガス」と称する)を上記供給
管31を介して上記チャック面23aに流出させるよう
になっている。次に上記ドライエッチング装置(以下
「装置」と称する)における上記静電チャック23の動
作を図1、図2を参照して説明する。
【0025】まず、上記装置は、上記真空チャンバ15
内の空気を上記ガス排気管15bから排気すると共に、
上記ガス供給管15aからCl2 等の反応性ガスを上記
真空チャンバ15内に導入し、上記真空チャンバ15内
をガス雰囲気(真空状態)にする。
内の空気を上記ガス排気管15bから排気すると共に、
上記ガス供給管15aからCl2 等の反応性ガスを上記
真空チャンバ15内に導入し、上記真空チャンバ15内
をガス雰囲気(真空状態)にする。
【0026】そして、上記装置は図示しないア−ムを作
動させ、図2(a)、(b)に示すように、上記ウエハ
2を上記静電チャック23のチャック面23aに固定す
る。この静電チャック23は上記切り替えスイッチ26
を例えば上記第1の直流電源27側(プラス側)に切り
替えることによって作動し、上記ウエハ2を上記誘電体
膜29の上面(チャック面23a)に静電気力により保
持する。
動させ、図2(a)、(b)に示すように、上記ウエハ
2を上記静電チャック23のチャック面23aに固定す
る。この静電チャック23は上記切り替えスイッチ26
を例えば上記第1の直流電源27側(プラス側)に切り
替えることによって作動し、上記ウエハ2を上記誘電体
膜29の上面(チャック面23a)に静電気力により保
持する。
【0027】ついで、上記装置は、高周波電源19を作
動させ、上記一方の電極16および他方の電極17間で
プラズマ放電を起こさせ、上記ウエハ2をエッチング
(反応性イオンエッチング)する。
動させ、上記一方の電極16および他方の電極17間で
プラズマ放電を起こさせ、上記ウエハ2をエッチング
(反応性イオンエッチング)する。
【0028】エッチングが終了したならば、上記装置
は、図2(c)に示すように、上記切り替えスイッチ2
6を第2の直流電源28側(マイナス側)へ切り替える
と共に、上記アイオナイザ−30を作動させて上記ウエ
ハ2の下面にプラスにイオン化したイオン化ガス(矢印
(イ)で示す)を送り込む。
は、図2(c)に示すように、上記切り替えスイッチ2
6を第2の直流電源28側(マイナス側)へ切り替える
と共に、上記アイオナイザ−30を作動させて上記ウエ
ハ2の下面にプラスにイオン化したイオン化ガス(矢印
(イ)で示す)を送り込む。
【0029】すなわち、上記電極24にマイナスの電圧
を印加することでこの電極24に残留するプラス電荷が
中和され、ウエハ2の下面側にプラスのイオン化ガスを
接触させることで、上記ウエハ2に残留するマイナスの
電荷が中和される。このことにより、上記ウエハ2と電
極24との間の残留静電気力が除去されるからウエハ2
の保持力が消失する。(この状態を図2(c)、(d)
に示す。)上記装置は、切り替えスイッチ26を上記ウ
エハ2と電極24の電荷が略中和されたところで中立状
態にする(図2(e)の状態)。
を印加することでこの電極24に残留するプラス電荷が
中和され、ウエハ2の下面側にプラスのイオン化ガスを
接触させることで、上記ウエハ2に残留するマイナスの
電荷が中和される。このことにより、上記ウエハ2と電
極24との間の残留静電気力が除去されるからウエハ2
の保持力が消失する。(この状態を図2(c)、(d)
に示す。)上記装置は、切り替えスイッチ26を上記ウ
エハ2と電極24の電荷が略中和されたところで中立状
態にする(図2(e)の状態)。
【0030】ついで、上記装置は、図示しないア−ムを
作動させ、図2(e)に示すように、上記静電チャック
23から上記ウエハ2を取り外す。そして、上記装置
は、新たなウエハ2を上記静電チャック23の上面に固
定し上記ウエハ2のエッチングを連続的に行う。
作動させ、図2(e)に示すように、上記静電チャック
23から上記ウエハ2を取り外す。そして、上記装置
は、新たなウエハ2を上記静電チャック23の上面に固
定し上記ウエハ2のエッチングを連続的に行う。
【0031】このような構成によれば、エッチングが終
わった後に、上記ウエハ2および静電チャック23に静
電気力が残留している場合であっても、迅速かつ確実に
上記静電チャック23とウエハ2の電荷を中和し静電気
力の除去を行うことができるから上記ウエハ2をこの静
電チャック23から容易に離脱させることができる。ま
た、中和手段として、プラズマ放電を利用することがな
いので上記ウエハ2を損傷させることもない。なお、こ
の発明は上記一実施例に限定されるものではなく、発明
の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。上記一
実施例では、中和手段として、上記切り替え装置25、
アイオナイザ−30を併用しているが、どちらか一方の
みであっても良い。
わった後に、上記ウエハ2および静電チャック23に静
電気力が残留している場合であっても、迅速かつ確実に
上記静電チャック23とウエハ2の電荷を中和し静電気
力の除去を行うことができるから上記ウエハ2をこの静
電チャック23から容易に離脱させることができる。ま
た、中和手段として、プラズマ放電を利用することがな
いので上記ウエハ2を損傷させることもない。なお、こ
の発明は上記一実施例に限定されるものではなく、発明
の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。上記一
実施例では、中和手段として、上記切り替え装置25、
アイオナイザ−30を併用しているが、どちらか一方の
みであっても良い。
【0032】また、上記一実施例においては、この発明
の静電チャック23をドライエッチング装置に用いる場
合のみを示したが、スッパッタリング装置、プラズマC
VD装置、イオン注入装置、電子ビ−ム装置、電子ビ−
ムアニ−ル装置等真空チャンバ内でウエハ等の被処理物
を保持する装置であればいずれの装置にも使用すること
ができる。また、上記一致実施例においては、被処理物
としてウエハ2を用いたが、静電チャック23により静
電保持できるような被処理物であれば他の物でも良い。
の静電チャック23をドライエッチング装置に用いる場
合のみを示したが、スッパッタリング装置、プラズマC
VD装置、イオン注入装置、電子ビ−ム装置、電子ビ−
ムアニ−ル装置等真空チャンバ内でウエハ等の被処理物
を保持する装置であればいずれの装置にも使用すること
ができる。また、上記一致実施例においては、被処理物
としてウエハ2を用いたが、静電チャック23により静
電保持できるような被処理物であれば他の物でも良い。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の静電チ
ャックは、静電チャックに固定された被処理物を離脱す
る際に、上記静電チャックの電荷と上記被処理物の電荷
を中和して静電チャックと被処理物との間の静電気力を
消失する中和手段を有する。
ャックは、静電チャックに固定された被処理物を離脱す
る際に、上記静電チャックの電荷と上記被処理物の電荷
を中和して静電チャックと被処理物との間の静電気力を
消失する中和手段を有する。
【0034】このような構成によれば、上記被処理物と
静電チャックの残留静電気力の除去を迅速かつ確実に行
えるから上記被処理物の離脱を容易に行うことができる
と共に、このとき上記被処理物を損傷させることがな
い。
静電チャックの残留静電気力の除去を迅速かつ確実に行
えるから上記被処理物の離脱を容易に行うことができる
と共に、このとき上記被処理物を損傷させることがな
い。
【図1】この発明の一実施例を示す概略構成図。
【図2】(a)〜(e)は、同じく、動作を示す工程
図。
図。
【図3】従来例を示す概略構成図。
【図4】従来例を示す概略構成図。
2…ウエハ(被処理物)、15…真空チャンバ、23…
静電チャック、25…切り替え装置(第1の中和手
段)、30…アイオナイザ−(第2の中和手段)。
静電チャック、25…切り替え装置(第1の中和手
段)、30…アイオナイザ−(第2の中和手段)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 被処理物を静電気力によって保持する静
電チャックにおいて、上記静電チャックと上記被処理物
の電荷を中和する中和手段を有することを特徴とする静
電チャック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16056591A JPH0513556A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静電チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16056591A JPH0513556A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静電チヤツク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0513556A true JPH0513556A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15717727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16056591A Pending JPH0513556A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 静電チヤツク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0513556A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5573981A (en) * | 1993-09-21 | 1996-11-12 | Sony Corporation | Method of removing residual charges of an electrostatic chuck used in a layer deposition process |
WO2003100849A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Tokyo Electron Limited | Processeur a semiconducteur |
KR100588657B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2006-06-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
JP2010050464A (ja) * | 1998-09-30 | 2010-03-04 | Lam Res Corp | 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 |
CN103972013A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空设备 |
TWI745481B (zh) * | 2016-12-27 | 2021-11-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 靜電吸盤裝置及靜電吸附方法 |
WO2022061947A1 (zh) * | 2020-09-27 | 2022-03-31 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 | 传送机械手 |
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1991
- 1991-07-01 JP JP16056591A patent/JPH0513556A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5573981A (en) * | 1993-09-21 | 1996-11-12 | Sony Corporation | Method of removing residual charges of an electrostatic chuck used in a layer deposition process |
JP2010050464A (ja) * | 1998-09-30 | 2010-03-04 | Lam Res Corp | 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 |
WO2003100849A1 (fr) * | 2002-05-28 | 2003-12-04 | Tokyo Electron Limited | Processeur a semiconducteur |
KR100588657B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2006-06-12 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
CN103972013A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种真空设备 |
US10312061B2 (en) | 2014-05-14 | 2019-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Vacuum apparatus for vacuum treating substrate |
TWI745481B (zh) * | 2016-12-27 | 2021-11-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 靜電吸盤裝置及靜電吸附方法 |
WO2022061947A1 (zh) * | 2020-09-27 | 2022-03-31 | 北京京仪自动化装备技术有限公司 | 传送机械手 |
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