JPH0878512A - 静電吸着装置及び方法 - Google Patents

静電吸着装置及び方法

Info

Publication number
JPH0878512A
JPH0878512A JP21557594A JP21557594A JPH0878512A JP H0878512 A JPH0878512 A JP H0878512A JP 21557594 A JP21557594 A JP 21557594A JP 21557594 A JP21557594 A JP 21557594A JP H0878512 A JPH0878512 A JP H0878512A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
set value
comparator
electrostatic
electrostatic attraction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21557594A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Ito
陽一 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP21557594A priority Critical patent/JPH0878512A/ja
Publication of JPH0878512A publication Critical patent/JPH0878512A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】プラズマにより処理されるウエハを支持する静
電吸着装置及び方法において、ウエハが除電されたこと
を確実に検出して信頼性よくウエハを搬送できる静電吸
着装置及び方法を提供することにある。 【構成】アルミ製電極10上にアルミナ絶縁膜11を設
けて静電吸着電極12を構成し、さらに、静電吸着電極
12に負電圧印加、正電圧印加が切り換え可能な直流電
源13と、ウエハ1裏面にHeガス19を導入した際の
ウエハ1裏面のガス圧力を逐次検出する圧力計20,圧
力計20により検出された圧力を設定値21と比較する
比較器22を設ける。そして、ウエハ1解放時に吸着時
と逆極性の電圧を印加した際にウエハ1裏面のガス圧力
が設定値21と等しくなった時点すなわち比較器22の
出力が0Vになった時点でウエハ1の除電を終了する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマによりエッチ
ング処理されるウエハを静電吸着力により支持する静電
吸着装置及び方法において、ウエハが除電されたことを
確実に検出して信頼性よくウエハの搬送を行うのに好適
な静電吸着装置及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】第1の従来技術の静電吸着装置及び方法
としては、特開昭59−67629号公報に記載のよう
に絶縁膜に吸着時と逆極性で絶対値が順次大きくなる逆
電圧を断続的に印加するとともに、逆電圧の印加後、剥
離力発生手段によって剥離力の検出を順次繰返し行うこ
とが提案されている。また、第2の従来技術としては特
開昭62−255039号公報に記載のように吸着保持
用の直流電圧を切断した際に正負を逆にした直流電圧を
微少時間印加することが提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術をウエハ
を連続してエッチング処理する装置に適用することを考
えると、次のような解決すべき課題がある。すなわち、
処理終了後ウエハを解放する際に吸着時と逆極性の電圧
を印加すると、残留吸着力は印加時間の経過とともに一
旦減少した後再び増加する傾向を示し、残留吸着力が最
小値になるまでの印加時間は、ウエハの種類,吸着時の
印加電圧の大きさ,逆電圧の大きさによって異なり、残
留吸着力が最小になったことを確実に検出する必要があ
る。第1の従来技術では剥離力発生手段を別に設ける必
要があるために、構成が複雑になるとともに逆電圧の印
加,剥離力の検出を交互に行うので除電に時間がかかる
という問題があった。また、第2の従来技術では逆電圧
の印加時間を決めるための手段が考慮されていなかっ
た。
【0004】本発明の目的は、ウエハが除電されたこと
を確実に検出して信頼性よくウエハを搬送できる静電吸
着装置及び方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、ウエハ解放時に絶縁膜に吸着時と逆極性の電圧を印
加した際のウエハ裏面のガス圧力を逐次圧力計により検
出し、この値を比較器により設定値と比較して等しくな
った時点すなわち比較器の出力が0Vになった時点で逆極
性の電圧印加を終了するようにしたものである。
【0006】
【作用】ウエハ裏面にガスを導入しながら逆極性の電圧
を印加すると、残留吸着力が一旦減少した後増加するの
でウエハ裏面のガス圧力も同様に減少した後増加する。
従って、裏面のガス圧力の最小値を設定値として、圧力
計の出力と設定値を比較し、等しくなった時点すなわち
比較器の出力が0Vになった時点で逆電圧印加を終了する
ことにより、ウエハが確実に除電されたことを確認する
ことが可能となる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を適用した有磁場マ
イクロ波エッチング装置の構成を図1により説明する。
ウエハ1のエッチング処理は、放電管2内に導入したプ
ロセスガス3をマイクロ波4による電界とソレノイド5
による磁場の相互作用によりプラズマ6化し、さらに、
下部電極7に高周波電源8により高周波を印加してウエ
ハ1に入射するイオンのエネルギ−を制御しながら行
う。
【0008】ウエハ1のエッチング処理が終了すると、
該エッチング済みのウエハ1はウエハ押し上げ装置9の
作動により下部電極7から搬送装置(図示省略)に渡さ
れた後、該搬送装置により他の場所に搬送される。
【0009】また、下部電極7上にはアルミ製電極10
の表面にアルミナ絶縁膜11を設けた静電吸着電極12
が固定されており、さらに、下部電極7には負電圧印
加、正電圧印加が切り換え可能な直流電源13、スイッ
チ14がロ−パスフィルタ15を介して接続されてい
る。そして、スイッチ14を端子16と接続することに
より静電吸着電極12への負電圧印加,端子17と接続
することにより正電圧印加が切り換えできるようにして
ある。
【0010】一方、エッチングされるウエハ1の冷却
は、前述した方法によりプラズマ6を生成し、スイッチ
14を端子16と接続して静電吸着電極12とウエハ1
間に直流電源13により直流電圧を印加することにより
生じる静電吸着力によりウエハ1を支持した状態で、マ
スフロ−コントロ−ラ18を開いてHeガス19をウエ
ハ1裏面に導入することにより行い、ウエハ1の裏面ガ
ス圧力を逐次検出する圧力計20及び圧力計20により
検出された圧力を設定値21と比較する比較器22が設
けてある。
【0011】また、下部電極7はサ−キュレ−タ23に
より冷媒24を循環することにより温調されている。
【0012】次に、本発明の一実施例の圧力計20によ
り検出された圧力と設定値21を比較する比較器22の
構成を図2により説明する。圧力計20の出力Vi、設定
値Vsをそれぞれ比較器22の非反転入力端子または反転
入力端子に入力するようにすることにより、比較器22
の出力VoはVi=Vsのとき0Vとなる。従って、Vo=0Vとなっ
た時がウエハ1の裏面ガス圧力が設定値21と一致した
時である。
【0013】次に、本発明の一実施例の除電方法を図3
により説明する。エッチング処理が開始されプラズマ6
が生成されると、直流電源13により静電吸着電極12
に負電圧を印加してウエハ1を静電吸着する。
【0014】そして、ウエハ1が静電吸着された後、H
eガス19をウエハ1裏面に導入するとウエハ1の裏面
ガス圧力はHeガス19の流量に応じた定常値まで上昇
する。 その後、エッチング処理が終了しウエハ1の除
電が開始されると、直流電源13により静電吸着電極1
2に吸着時と逆極性の正電圧が印加される。すると、印
加時間の経過とともに残留吸着力が減少するのでウエハ
1周辺からのHeガス19のリ−ク量が徐々に増加し、
ウエハ1裏面ガス圧力が次第に低くなり、設定値21と
一致したことを前述した方法により比較器22により検
出する。そして、ウエハ1の裏面ガス圧力が設定値21
と等しくなったところ、すなわち比較器22の出力が0V
になった時点で正電圧印加の終了、Heガス19の遮断
及びプラズマ6の消滅をそれぞれ行ってウエハ1の除電
を終了する。
【0015】このように、ウエハ1の裏面ガス圧力が設
定値21と等しくなったことを検出して逆電圧印加を終
了することにより、ウエハ1が確実に除電されたことを
確認することが可能となる。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハが除電されたこ
とを確実に検出して信頼性よくウエハを搬送できる静電
吸着装置及び方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を適用した有磁場マイクロ波
エッチング装置の全体構成を示した図である。
【図2】本発明の一実施例の比較器の構成を示した図で
ある。
【図3】本発明の一実施例の除電方法を示した図であ
る。
【符号の説明】
11…アルミナ絶縁膜、12…静電吸着電極、13…直
流電源、20…圧力計、21…設定値、22…比較器。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】プラズマによりエッチング処理されるウエ
    ハを絶縁膜との間に発生させた静電吸着力により支持す
    る静電吸着装置において、絶縁膜に負電圧印加,正電圧
    印加が切り換え可能な直流電源と、ウエハ裏面にガスを
    導入する手段と、ウエハ裏面のガス圧力を検出する圧力
    計と、検出した圧力と設定値を比較する比較器を設けた
    ことを特徴とする静電吸着装置。
  2. 【請求項2】プラズマによりエッチング処理されるウエ
    ハを絶縁膜との間に発生させた静電吸着力により支持す
    る静電吸着方法において、ウエハ解放時に吸着時と逆極
    性の正電圧を印加した際にウエハ裏面のガス圧力が設定
    値と等しくなった時点で逆極性の正電圧印加を終了する
    ことを特徴とする静電吸着方法。
JP21557594A 1994-09-09 1994-09-09 静電吸着装置及び方法 Pending JPH0878512A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21557594A JPH0878512A (ja) 1994-09-09 1994-09-09 静電吸着装置及び方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21557594A JPH0878512A (ja) 1994-09-09 1994-09-09 静電吸着装置及び方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0878512A true JPH0878512A (ja) 1996-03-22

Family

ID=16674712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21557594A Pending JPH0878512A (ja) 1994-09-09 1994-09-09 静電吸着装置及び方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0878512A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183959A (ja) * 2003-12-15 2005-07-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR100631422B1 (ko) * 2005-07-08 2006-10-09 주식회사 아이피에스 기판 디처킹 방법
JP2008251676A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法及び装置
WO2013027585A1 (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 株式会社アルバック プラズマ処理方法
JP2013149935A (ja) * 2011-12-20 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 離脱制御方法及びプラズマ処理装置
US10069443B2 (en) 2011-12-20 2018-09-04 Tokyo Electron Limited Dechuck control method and plasma processing apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005183959A (ja) * 2003-12-15 2005-07-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR100631422B1 (ko) * 2005-07-08 2006-10-09 주식회사 아이피에스 기판 디처킹 방법
JP2008251676A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法及び装置
WO2013027585A1 (ja) * 2011-08-19 2013-02-28 株式会社アルバック プラズマ処理方法
JP2013149935A (ja) * 2011-12-20 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 離脱制御方法及びプラズマ処理装置
US10069443B2 (en) 2011-12-20 2018-09-04 Tokyo Electron Limited Dechuck control method and plasma processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5793192A (en) Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system
US7541283B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2004047511A (ja) 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置
JP2007165917A (ja) 被吸着物の処理方法
JPH1169855A (ja) 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法及び静電チャック
JPH0878512A (ja) 静電吸着装置及び方法
JPH08316297A (ja) 静電チャック及びその制御方法
JP2004047512A (ja) 吸着状態判別方法、離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置
JPH1027780A (ja) プラズマ処理方法
JP4070974B2 (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP4064557B2 (ja) 真空処理装置の基板取り外し制御方法
JPH0786383A (ja) 静電吸着装置及び方法
JP3125593B2 (ja) 静電吸着装置及び方法
JPH11233487A (ja) 静電吸着電極のクリーニング方法及びその検出装置
JPH07201818A (ja) ドライエッチング装置
JP2002222850A (ja) 静電チャックにおける被吸着物の離脱方法
JP2002367967A (ja) プラズマ処理方法及びその装置
JPH0982787A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH10163308A (ja) プラズマ処理方法および装置
JPH0513556A (ja) 静電チヤツク
JPH10284471A (ja) ドライエッチング装置
JP2009141014A (ja) プラズマ処理装置及び処理方法
JP2007019524A (ja) 離脱状態判断方法及び真空処理装置
JP3879254B2 (ja) ウエハの離脱方法及び静電吸着電源
KR970003611A (ko) 플라즈마 처리 방법