JPH08316297A - 静電チャック及びその制御方法 - Google Patents
静電チャック及びその制御方法Info
- Publication number
- JPH08316297A JPH08316297A JP12414395A JP12414395A JPH08316297A JP H08316297 A JPH08316297 A JP H08316297A JP 12414395 A JP12414395 A JP 12414395A JP 12414395 A JP12414395 A JP 12414395A JP H08316297 A JPH08316297 A JP H08316297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- wafer
- dielectric
- chuck
- power source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チャッキング動作時におけるサージ電流の発
生を抑制する。 【構成】 チャック電極6の表面に被着された誘電体7
と、チャック電極6に電圧を印加する高圧用電源10と
を備え、誘電体7の上に載置されたウエハ11を静電力
をもって吸着保持する静電チャックに対し、高圧用電源
10の出力電圧を徐々に変化させる電圧可変手段として
電圧制御部12を高圧用電源10に接続した。そして電
圧制御部12からの指令にしたがい、ウエハ11を誘電
体7上に吸着する際には高圧用電源10の出力電圧を徐
々に上昇させ、またウエハ11を誘電体7から離脱させ
る際には高圧用電源10の出力電圧を徐々に降下させる
ようにした。
生を抑制する。 【構成】 チャック電極6の表面に被着された誘電体7
と、チャック電極6に電圧を印加する高圧用電源10と
を備え、誘電体7の上に載置されたウエハ11を静電力
をもって吸着保持する静電チャックに対し、高圧用電源
10の出力電圧を徐々に変化させる電圧可変手段として
電圧制御部12を高圧用電源10に接続した。そして電
圧制御部12からの指令にしたがい、ウエハ11を誘電
体7上に吸着する際には高圧用電源10の出力電圧を徐
々に上昇させ、またウエハ11を誘電体7から離脱させ
る際には高圧用電源10の出力電圧を徐々に降下させる
ようにした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おいてウエハ保持のために用いられる静電チャックに関
するものである。
おいてウエハ保持のために用いられる静電チャックに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴って、
微細加工プロセスに用いられる薄膜形成装置(ドライエ
ッチング装置、CVD装置、スパッタ装置等)では、微
細化パターンの実現のために処理中のウエハ温度を高精
度に制御することが強く要求されている。そこで、そう
した薄膜形成装置のウエハ保持機構には、ウエハを密着
状態に支持することによって、ヒータ加熱方式や水冷方
式等によりウエハの温度制御が可能な静電チャックが採
用されている。
微細加工プロセスに用いられる薄膜形成装置(ドライエ
ッチング装置、CVD装置、スパッタ装置等)では、微
細化パターンの実現のために処理中のウエハ温度を高精
度に制御することが強く要求されている。そこで、そう
した薄膜形成装置のウエハ保持機構には、ウエハを密着
状態に支持することによって、ヒータ加熱方式や水冷方
式等によりウエハの温度制御が可能な静電チャックが採
用されている。
【0003】図5はエッチング装置に組み込まれた従来
の静電チャックの構成を示す概略図である。図5におい
ては、エッチング室となるチャンバ1に外部よりガス供
給器2と排気装置3とが接続されている。またチャッバ
1の下部には高周波電極4が設置されており、この高周
波電極4に高周波電源5より高周波を印加することで、
ガス供給器2から供給された任意のガスと排気装置3の
減圧作用により、チャンバ1内にプラズマが発生するよ
うになっている。さらに高周波電極4上には、平板状の
チャック電極6が配置されており、このチャック電極6
の表面にセラミックスや樹脂等の誘電体7が被着されて
いる。また、チャック電極6にはスイッチ8及び電流計
9を介して高圧用電源10が接続され、これらチャック
電極6、誘電体7及び高圧用電源10によって静電チャ
ックが構成されている。
の静電チャックの構成を示す概略図である。図5におい
ては、エッチング室となるチャンバ1に外部よりガス供
給器2と排気装置3とが接続されている。またチャッバ
1の下部には高周波電極4が設置されており、この高周
波電極4に高周波電源5より高周波を印加することで、
ガス供給器2から供給された任意のガスと排気装置3の
減圧作用により、チャンバ1内にプラズマが発生するよ
うになっている。さらに高周波電極4上には、平板状の
チャック電極6が配置されており、このチャック電極6
の表面にセラミックスや樹脂等の誘電体7が被着されて
いる。また、チャック電極6にはスイッチ8及び電流計
9を介して高圧用電源10が接続され、これらチャック
電極6、誘電体7及び高圧用電源10によって静電チャ
ックが構成されている。
【0004】上記構成からなる静電チャックにおいて、
誘電体7の上に載置されたウエハ11を吸着する場合
は、スイッチ9をオフ(開)状態からオン(閉)状態に
切り換えてチャック電極6に電圧(正電圧)を印加し、
これにより誘電体7を分極させて両者(チャック電極6
−ウエハ11)の間に静電力を発生させる。一方、エッ
チングが終了して誘電体7からウエハ11を離脱させる
場合は、チャック電極6への印加電圧を0Vにしただけ
では、残留電荷によってウエハ1を離脱させることが困
難であるため、チャック電極6に対して逆電圧(負電
圧)を印加し、ウエハ11に対する吸着力を強制的に解
除する。
誘電体7の上に載置されたウエハ11を吸着する場合
は、スイッチ9をオフ(開)状態からオン(閉)状態に
切り換えてチャック電極6に電圧(正電圧)を印加し、
これにより誘電体7を分極させて両者(チャック電極6
−ウエハ11)の間に静電力を発生させる。一方、エッ
チングが終了して誘電体7からウエハ11を離脱させる
場合は、チャック電極6への印加電圧を0Vにしただけ
では、残留電荷によってウエハ1を離脱させることが困
難であるため、チャック電極6に対して逆電圧(負電
圧)を印加し、ウエハ11に対する吸着力を強制的に解
除する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の静電チャックでは、その回路形態が誘電体7をコンデ
ンサ(C)とした等価回路を構成し、しかもチャック電
極6に対する印加電圧の切り換えが単にスイッチ8のオ
ンオフ(開閉)や極性の反転により行われるため、ウエ
ハ吸着時には図6に示すように電圧が瞬時に上昇するこ
とでサージ電流が発生し、またウエハ離脱時にも図7に
示すように電圧が瞬時に降下することでサージ電流が発
生する。したがって、ウエハ11に形成されたゲート酸
化膜などの薄膜部分が、静電チャックのチャッキング動
作時に発生するサージ電流によって破壊される虞れがあ
った。
の静電チャックでは、その回路形態が誘電体7をコンデ
ンサ(C)とした等価回路を構成し、しかもチャック電
極6に対する印加電圧の切り換えが単にスイッチ8のオ
ンオフ(開閉)や極性の反転により行われるため、ウエ
ハ吸着時には図6に示すように電圧が瞬時に上昇するこ
とでサージ電流が発生し、またウエハ離脱時にも図7に
示すように電圧が瞬時に降下することでサージ電流が発
生する。したがって、ウエハ11に形成されたゲート酸
化膜などの薄膜部分が、静電チャックのチャッキング動
作時に発生するサージ電流によって破壊される虞れがあ
った。
【0006】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的は、チャッキング動作時における
サージ電流の発生を抑制することができる静電チャック
及びその制御方法を提供することにある。
れたもので、その目的は、チャッキング動作時における
サージ電流の発生を抑制することができる静電チャック
及びその制御方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、チャック電極の表面に被
着された誘電体と、チャック電極に電圧を印加する高圧
用電源とを備え、誘電体の上に載置されたウエハを静電
力をもって吸着保持する静電チャックにおいて、高圧用
電源の出力電圧を徐々に変化させる電圧可変手段を具備
した構成を採用している。そして、ウエハを誘電体上に
吸着する際には、高圧用電源の出力電圧を徐々に上昇さ
せるようにしている。さらに、ウエハを誘電体から離脱
させる際には、高圧用電源の出力電圧を徐々に降下させ
るようにしている。
成するためになされたもので、チャック電極の表面に被
着された誘電体と、チャック電極に電圧を印加する高圧
用電源とを備え、誘電体の上に載置されたウエハを静電
力をもって吸着保持する静電チャックにおいて、高圧用
電源の出力電圧を徐々に変化させる電圧可変手段を具備
した構成を採用している。そして、ウエハを誘電体上に
吸着する際には、高圧用電源の出力電圧を徐々に上昇さ
せるようにしている。さらに、ウエハを誘電体から離脱
させる際には、高圧用電源の出力電圧を徐々に降下させ
るようにしている。
【0008】
【作用】本発明においては、高圧用電源の出力電圧を徐
々に変化させる電圧可変手段を具備しているため、この
電圧可変手段をもってウエハを誘電体上に吸着する際に
は高圧用電源の出力電圧を徐々に上昇させ、またウエハ
を誘電体から離脱させる際には高圧用電源の出力電圧を
徐々に降下させることにより、誘電体をキャパシタンス
とした充放電電流の流れが緩やかになり、これによって
チャッキング動作時におけるサージ電流の発生が抑制さ
れる。
々に変化させる電圧可変手段を具備しているため、この
電圧可変手段をもってウエハを誘電体上に吸着する際に
は高圧用電源の出力電圧を徐々に上昇させ、またウエハ
を誘電体から離脱させる際には高圧用電源の出力電圧を
徐々に降下させることにより、誘電体をキャパシタンス
とした充放電電流の流れが緩やかになり、これによって
チャッキング動作時におけるサージ電流の発生が抑制さ
れる。
【0009】
【実施例】以下、例えばエッチング装置に適用した場合
の本発明の実施例につき、図面を参照しつつ詳細に説明
する。なお、本発明に係わる静電チャックはエッチング
装置への適用に限定されるものではなく、半導体製造プ
ロセスにおける他の薄膜形成装置にも広く適用できるも
のである。また、本実施例においては、上記従来例と同
様の構成部分に同じ符号を付し、重複する説明は省略す
る。
の本発明の実施例につき、図面を参照しつつ詳細に説明
する。なお、本発明に係わる静電チャックはエッチング
装置への適用に限定されるものではなく、半導体製造プ
ロセスにおける他の薄膜形成装置にも広く適用できるも
のである。また、本実施例においては、上記従来例と同
様の構成部分に同じ符号を付し、重複する説明は省略す
る。
【0010】図1はエッチング装置に適用した場合の本
発明に係わる静電チャックの一実施例を示す概略構成図
である。図1においては、静電チャックの一構成要素で
あるチャック電極6に対し、従来のようにスイッチ等を
介在させることなく、電流計9のみを介して高圧用電源
10が接続されている。また高圧用電源10には、その
出力電圧を徐々に変化させる電圧可変手段として電圧制
御部12が接続されている。
発明に係わる静電チャックの一実施例を示す概略構成図
である。図1においては、静電チャックの一構成要素で
あるチャック電極6に対し、従来のようにスイッチ等を
介在させることなく、電流計9のみを介して高圧用電源
10が接続されている。また高圧用電源10には、その
出力電圧を徐々に変化させる電圧可変手段として電圧制
御部12が接続されている。
【0011】電圧制御部12は、例えば図示のごとくD
/A変換器13と演算処理部14とからなるもので、演
算処理部14からの指令によりD/A変換器13から時
間に比例した制御情報を出力し、高圧用電源10に対し
て出力指示を行う構成となっている。ちなみに、高圧用
電源10の出力電圧を変化させる電圧可変手段として
は、上述のごとくD/A変換器13と演算処理部14と
からなる電圧制御部12の他にも種々の構成が考えられ
るが、いずれの構成を採用しても構わない。
/A変換器13と演算処理部14とからなるもので、演
算処理部14からの指令によりD/A変換器13から時
間に比例した制御情報を出力し、高圧用電源10に対し
て出力指示を行う構成となっている。ちなみに、高圧用
電源10の出力電圧を変化させる電圧可変手段として
は、上述のごとくD/A変換器13と演算処理部14と
からなる電圧制御部12の他にも種々の構成が考えられ
るが、いずれの構成を採用しても構わない。
【0012】続いて、本実施例における静電チャックの
動作について説明する。先ず、誘電体7の上に載置され
たウエハ11を吸着するにあたっては、電圧制御部12
からの指令にしたがい、図2に示すように高圧用電源1
0の出力電圧を段階的又は連続したかたちで徐々に上昇
させる。これにより、図3(a)に示すように、チャッ
ク電極6に対して正の電圧が印加されるため、誘電体7
が分極してチャック電極6とウエハ11との間に静電力
が発生し、この静電力をもってウエハ1が吸着保持され
る。
動作について説明する。先ず、誘電体7の上に載置され
たウエハ11を吸着するにあたっては、電圧制御部12
からの指令にしたがい、図2に示すように高圧用電源1
0の出力電圧を段階的又は連続したかたちで徐々に上昇
させる。これにより、図3(a)に示すように、チャッ
ク電極6に対して正の電圧が印加されるため、誘電体7
が分極してチャック電極6とウエハ11との間に静電力
が発生し、この静電力をもってウエハ1が吸着保持され
る。
【0013】このウエハ吸着に際しては、図2に示すよ
うに高圧用電源10の出力電圧を徐々に上昇させるよう
にしたので、電圧の立ち上がりが極めて緩やかになる。
したがって、電圧の上昇とともにキャパシタンスとして
機能する誘電体7に対しても徐々に充電電流が流れ込む
ようになるため、従来のようにウエハ吸着に際してサー
ジ電流が発生せず、ウエハ11内でのサージ破壊が回避
される。
うに高圧用電源10の出力電圧を徐々に上昇させるよう
にしたので、電圧の立ち上がりが極めて緩やかになる。
したがって、電圧の上昇とともにキャパシタンスとして
機能する誘電体7に対しても徐々に充電電流が流れ込む
ようになるため、従来のようにウエハ吸着に際してサー
ジ電流が発生せず、ウエハ11内でのサージ破壊が回避
される。
【0014】これに対し、エッチングが終了して誘電体
7からウエハ11を離脱させる場合は、電圧制御部12
からの指令にしたがい、図4に示すように高圧用電源1
0の出力電圧を段階的又は連続したかたちで徐々に降下
させる。これにより、図3(b)に示すように、ウエハ
吸着時とは反対極性の、いわゆる逆電圧がチャック電極
6に印加されるため、残留電荷が強制的に除去されてウ
エハ11に対する吸着力が消失し、誘電体7からのウエ
ハ11の離脱が容易になる。
7からウエハ11を離脱させる場合は、電圧制御部12
からの指令にしたがい、図4に示すように高圧用電源1
0の出力電圧を段階的又は連続したかたちで徐々に降下
させる。これにより、図3(b)に示すように、ウエハ
吸着時とは反対極性の、いわゆる逆電圧がチャック電極
6に印加されるため、残留電荷が強制的に除去されてウ
エハ11に対する吸着力が消失し、誘電体7からのウエ
ハ11の離脱が容易になる。
【0015】このウエハ離脱に際しては、図4に示すよ
うに高圧用電源10の出力電圧を徐々に降下させるよう
にしたので、電圧の立ち下がりが極めて緩やかになる。
したがって、電圧の降下とともに誘電体7からも徐々に
放電電流が流れ出るようになるため、従来のようにウエ
ハ離脱に際してサージ電流が発生せず、上記同様にウエ
ハ11内でのサージ破壊が回避される。
うに高圧用電源10の出力電圧を徐々に降下させるよう
にしたので、電圧の立ち下がりが極めて緩やかになる。
したがって、電圧の降下とともに誘電体7からも徐々に
放電電流が流れ出るようになるため、従来のようにウエ
ハ離脱に際してサージ電流が発生せず、上記同様にウエ
ハ11内でのサージ破壊が回避される。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、チ
ャック電極に電圧を印加する高圧用電源の出力電圧を徐
々に変化させる電圧可変手段を具備しているため、この
電圧可変手段をもってウエハを誘電体上に吸着する際に
は高圧用電源の出力電圧を徐々に上昇させ、またウエハ
を誘電体から離脱させる際には高圧用電源の出力電圧を
徐々に降下させることにより、チャッキング動作時にお
けるサージ電流の発生を抑制し、ウエハ内でのサージ破
壊を確実に防止することができる。また、安全上の目的
から過電流の発生と同時に高圧用電源を強制的にオフす
る過電流防止機能が設けられている場合にも、チャッキ
ング動作時におけるサージ電流の発生が抑制されること
から、過電流防止機能を作動させることなく安定した処
理を行うことができる。
ャック電極に電圧を印加する高圧用電源の出力電圧を徐
々に変化させる電圧可変手段を具備しているため、この
電圧可変手段をもってウエハを誘電体上に吸着する際に
は高圧用電源の出力電圧を徐々に上昇させ、またウエハ
を誘電体から離脱させる際には高圧用電源の出力電圧を
徐々に降下させることにより、チャッキング動作時にお
けるサージ電流の発生を抑制し、ウエハ内でのサージ破
壊を確実に防止することができる。また、安全上の目的
から過電流の発生と同時に高圧用電源を強制的にオフす
る過電流防止機能が設けられている場合にも、チャッキ
ング動作時におけるサージ電流の発生が抑制されること
から、過電流防止機能を作動させることなく安定した処
理を行うことができる。
【図1】本発明に係わる静電チャックの一実施例を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図2】ウエハ吸着時の制御方法を説明する電圧/電流
波形図である。
波形図である。
【図3】静電チャックの動作原理図である。
【図4】ウエハ離脱時の制御方法を説明する電圧/電流
波形図である。
波形図である。
【図5】従来の静電チャックの構成を示す概略図であ
る。
る。
【図6】従来問題を説明する図(その1)である。
【図7】従来問題を説明する図(その2)である。
6 チャック電極 7 誘電体 10 高圧用電源 11 ウエハ 12 電圧制御部(電圧可変手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/58 H01L 23/56 C
Claims (3)
- 【請求項1】 チャック電極の表面に被着された誘電体
と、前記チャック電極に電圧を印加する高圧用電源とを
備え、前記誘電体の上に載置されたウエハを静電力をも
って吸着保持する静電チャックにおいて、 前記高圧用電源の出力電圧を徐々に変化させる電圧可変
手段を具備したことを特徴とする静電チャック。 - 【請求項2】 チャック電極の表面に被着された誘電体
と、前記チャック電極に電圧を印加する高圧用電源とを
備え、前記誘電体の上に載置されたウエハを静電力をも
って吸着する静電チャックの制御方法において、 前記ウエハを前記誘電体上に吸着する際、前記高圧用電
源の出力電圧を徐々に上昇させることを特徴とする静電
チャックの制御方法。 - 【請求項3】 チャック電極の表面に被着された誘電体
と、前記チャック電極に電圧を印加する高圧用電源とを
備え、前記誘電体の上に載置されたウエハを静電力をも
って吸着する静電チャックの制御方法において、 前記ウエハを前記誘電体から離脱させる際、前記高圧用
電源の出力電圧を徐々に降下させることを特徴とする静
電チャックの制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12414395A JPH08316297A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 静電チャック及びその制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12414395A JPH08316297A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 静電チャック及びその制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08316297A true JPH08316297A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14878000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12414395A Pending JPH08316297A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 静電チャック及びその制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08316297A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0971391A2 (en) * | 1998-07-06 | 2000-01-12 | Ngk Insulators, Ltd. | A method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
JP2002526923A (ja) * | 1998-09-30 | 2002-08-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 |
JP2002270680A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-20 | Applied Materials Inc | 基板支持方法及び基板支持装置 |
JP2002280438A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
JP2007048986A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2007073309A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Nec Electronics Corp | プラズマ処理装置およびその異常放電抑止方法 |
JP2009239062A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および方法 |
JP2010141352A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
JP2012174978A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
DE102012109073A1 (de) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Betrieb einer Greifvorrichtung sowie elektrostatische Greifvorrichtung |
CN112635381A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-04-09 | 长鑫存储技术有限公司 | 控制方法、控制系统及半导体制造设备 |
CN114400174A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05291384A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-05 | Fujitsu Ltd | 静電吸着方法 |
JPH08191098A (ja) * | 1995-01-09 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置 |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12414395A patent/JPH08316297A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05291384A (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-05 | Fujitsu Ltd | 静電吸着方法 |
JPH08191098A (ja) * | 1995-01-09 | 1996-07-23 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置 |
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0971391A3 (en) * | 1998-07-06 | 2002-10-02 | Ngk Insulators, Ltd. | A method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
US6252758B1 (en) * | 1998-07-06 | 2001-06-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
EP0971391A2 (en) * | 1998-07-06 | 2000-01-12 | Ngk Insulators, Ltd. | A method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
KR100353021B1 (ko) * | 1998-07-06 | 2002-09-16 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 정전 척의 파티클 발생 저감 방법 |
US6975497B2 (en) | 1998-07-06 | 2005-12-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for reducing particles from an electrostatic chuck and an equipment for manufacturing a semiconductor |
KR100412119B1 (ko) * | 1998-07-06 | 2003-12-24 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | 정전 척의 파티클 발생 저감 방법 |
JP2010050463A (ja) * | 1998-09-30 | 2010-03-04 | Lam Res Corp | 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 |
JP4698025B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2011-06-08 | ラム リサーチ コーポレーション | 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 |
JP2002526923A (ja) * | 1998-09-30 | 2002-08-20 | ラム リサーチ コーポレーション | 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 |
JP2010050464A (ja) * | 1998-09-30 | 2010-03-04 | Lam Res Corp | 真空プロセッサ中の誘電体工作物のための静電デチャッキング方法および装置 |
JP2002270680A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-20 | Applied Materials Inc | 基板支持方法及び基板支持装置 |
JP2002280438A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
JP4647122B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-03-09 | 株式会社アルバック | 真空処理方法 |
JP2007048986A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP2007073309A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Nec Electronics Corp | プラズマ処理装置およびその異常放電抑止方法 |
US7974067B2 (en) | 2005-09-06 | 2011-07-05 | Renesas Electronics Corporation | Plasma processing apparatus and method of suppressing abnormal discharge therein |
JP2009239062A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置および方法 |
JP2010141352A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-06-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
JP2012174978A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
DE102012109073A1 (de) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Betrieb einer Greifvorrichtung sowie elektrostatische Greifvorrichtung |
CN112635381A (zh) * | 2019-10-08 | 2021-04-09 | 长鑫存储技术有限公司 | 控制方法、控制系统及半导体制造设备 |
CN112635381B (zh) * | 2019-10-08 | 2022-03-22 | 长鑫存储技术有限公司 | 控制方法、控制系统及半导体制造设备 |
CN114400174A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-04-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法 |
CN114400174B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-10-20 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2867526B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
US8277673B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
US7541283B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JPH08316297A (ja) | 静電チャック及びその制御方法 | |
JP2002043402A (ja) | 被処理体の載置機構 | |
US11107694B2 (en) | Method for releasing sample and plasma processing apparatus using same | |
JP2004047511A (ja) | 離脱方法、処理方法、静電吸着装置および処理装置 | |
WO2012090430A1 (ja) | 静電吸着装置 | |
JPH06326180A (ja) | 静電吸着体の離脱装置 | |
JPH08167643A (ja) | 試料保持装置及びその塵埃除去方法 | |
JPH06188305A (ja) | 被吸着体の離脱装置および被吸着体の離脱方法およびプラズマ処理装置 | |
JPH077072A (ja) | 静電チャック装置における基板の脱着方法および脱着機構 | |
JP4226101B2 (ja) | 静電チャックプレート表面からの基板離脱方法 | |
JPH10270539A (ja) | 静電チャックの使用方法 | |
JP4330737B2 (ja) | 真空処理方法 | |
JPH0878512A (ja) | 静電吸着装置及び方法 | |
CN107546168B (zh) | 一种晶片吸附方法、下电极系统和半导体处理装置 | |
JP2004040046A (ja) | 処理装置及び静電チャックの脱離方法 | |
JPH07201818A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JPH1154604A (ja) | ウエハステージからのウエハ脱着方法 | |
JPH10284471A (ja) | ドライエッチング装置 | |
JPH0220368B2 (ja) | ||
JPH04213854A (ja) | 静電吸着装置 | |
JP4355046B2 (ja) | クリーニング方法及び基板処理装置 | |
JPH10199965A (ja) | 真空処理装置の静電チャック装置 |