JP2002280438A

JP2002280438A - 真空処理方法

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Publication number: JP2002280438A
Application number: JP2001078108A
Authority: JP
Inventors: Ko Fuwa; 耕不破; Ken Maehira; 謙前平
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2001-03-19
Filing date: 2001-03-19
Publication date: 2002-09-27
Anticipated expiration: 2021-03-19
Also published as: JP4647122B2

Abstract

(57)【要約】【課題】真空中で、基板を静電吸着装置に吸着保持した
状態で搬送する際に、搬送終了後に短時間で基板を静電
吸着装置から容易に離脱させる技術に関する。【解決手段】本発明では、静電吸着装置内の電極に第１
の電圧Ｖ₁を印加して基板を静電吸着装置に吸着させた
後に基板の移動を開始し、移動中に電極に印加する電圧
を第２の電圧Ｖ₂に変更して吸着力を低下させている。
このため、基板の移動が終了した時点では、同一電圧を
電極に印加していた従来に比して、基板と静電吸着装置
との間の残留電荷の量が少なくなり、残留吸着力が低下
するので、静電吸着装置から基板を離脱させられるまで
に要する時間を、従来に比して短縮することができる。
特に、移動終了後に電極に逆極性の電圧を短期間印加し
て残留電荷を消滅させる場合には、従来のように高電圧
を印加しなくとも残留電荷を消滅させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空雰囲気中で、
基板を静電吸着装置で吸着保持した状態で処理する真空
処理方法に関し、特に、静電吸着装置で基板を静電吸着
した状態で基板を搬送する搬送処理において、基板を搬
送した後に静電吸着装置から離脱させるまでの時間を短
縮する技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ガラス等からなる基板上に成膜等
の処理を行う装置においては、静電気力によって基板を
吸着保持する静電吸着装置が広く用いられている。この
ような静電吸着装置としては、成膜等の処理において基
板を所定の温度に維持するため温度制御（加熱又は冷
却）可能なホットプレートと一体的に構成されたもの
や、基板を搬送する搬送ロボットの先端に設けられ、基
板を静電吸着した状態で搬送可能なもの等が知られてい
る。

【０００３】このうち、基板搬送装置に用いられる静電
吸着装置について以下で説明する。図１４の符号１１０
に、かかる静電吸着装置を備えた基板搬送装置を示す。
この基板搬送装置１１０は、駆動機構１１１と、アーム
１１２と、静電吸着装置１１３とを有している。アーム
１１２は、その一端が駆動機構１１１に取り付けられて
おり、駆動機構１１１を駆動すると、水平面内及び鉛直
方向に移動できるように構成されている。アーム１１２
の先端には、静電吸着装置１１３が取り付けられてお
り、アーム１１２を移動させると、静電吸着装置１１３
を水平面内及び鉛直方向に自由に移動させられるように
構成されている。

【０００４】静電吸着装置１１３は、誘電体板で構成さ
れ、内部に第１、第２の吸着電極１４３、１４４を有し
ている。これらの第１、第２の吸着電極１４３、１４４
は、図示しない静電吸着電源に接続されており、静電吸
着電源を起動すると、第１、第２の吸着電極１４３、１
４４の間に、直流電圧を印加できるように構成されてい
る。

【０００５】かかる基板搬送装置１１０を用いて、真空
雰囲気中で、一つの載置台上に載置されたガラス基板
を、別の載置台上に移動させる動作について以下で説明
する。以下では、載置台、基板搬送装置及び基板はみな
真空雰囲気中に配置されているものとする。

【０００６】まず、図１４(ａ)に示すように、アーム１
１２を水平移動させて、静電吸着装置１１３を、載置台
(以下で移動元の載置台と称する。)１０５表面に置か
れ、ソーダ石灰ガラスからなる基板１５０の上方に移動
させる。次いで、アーム１１２を降下させ、図１４(ｂ)
に示すように静電吸着装置１１３の表面を基板１５０の
表面に当接させる。

【０００７】次いで、第１、第２の吸着電極１４３、１
４４の間に電圧を印加すると、基板１５０と、静電吸着
装置１１３との間に静電吸着力が生じる。この静電吸着
力は、第１、第２の吸着電極１４３、１４４の間に印加
する電圧の印加時間が長くなるにつれて大きくなる。こ
うして静電吸着装置１１３が基板１５０を下向きに保持
した状態で移動しても、基板１５０が落下しない程度の
大きさまで静電吸着力が大きくなったら、アーム１１２
を上昇させて静電吸着装置１１３を上昇させる。する
と、図１４(ｃ)に示すように、基板１５０は静電吸着装
置１１３に静電吸着されて保持された状態で、静電吸着
装置１１３とともに移動元の載置台１０５上から離れ、
上昇する。

【０００８】次に、アーム１１２を水平移動させて静電
吸着装置１１３を水平移動させ、図１５(ｄ)に示すよう
に、静電吸着装置１１３を、基板１５０を載置させるべ
き載置台１０６(以下で移動先の載置台と称する。)上に
移動させ、静止させる。次いで、アーム１１２を降下さ
せて静電吸着装置１１３を降下させる。図１５(ｅ)に示
すように基板１５０が載置台１０６表面に接触したら、
静電吸着装置１１３を静止させる。

【０００９】その後、第１、第２の吸着電極１４３、１
４４間の電圧の印加を停止する。すると、基板１５０と
静電吸着装置１１３との間に生じる静電吸着力は減少す
る。静電吸着力が十分に低下すると、静電吸着装置１１
３は基板１５０を吸着して保持することができなくな
る。静電吸着力がほぼ０に近くなったら、静電吸着装置
１１３を上昇させる。すると、図１５(ｆ)に示すように
静電吸着装置１１３は基板１５０から離れ、その結果、
基板１５０は移動先の載置台１０６に載置される。以上
の動作を経て、基板１５０は、移動元の載置台１０５か
ら移動先の載置台１０６へと搬送される。

【００１０】図１６に、第１、第２の吸着電極１４３、
１４４間に印加する電圧及び基板１５０と静電吸着装置
１１３との間の静電吸着力の時間変化を示す。図１５の
曲線(Ｖ)は、第１、第２の吸着電極間に印加される電圧
の時間変化を示しており、曲線(Ｗ)は、基板１５０と静
電吸着装置１１３との間に生じる静電吸着力の時間変化
を示している。

【００１１】図中、符号ｆ₁は、静電吸着装置１１３が
基板１５０を静電吸着で保持した状態で安全に移動させ
られる最低の力(以下で最小吸着力と称する。)を示して
いる。符号ｔ₁は第１、第２の吸着電極１４３、１４４
間に電圧の印加を開始した時刻を示している。また、符
号ｔ₂は静電吸着力が最小吸着力ｆ₁以上に達し、静電吸
着装置１１３が基板１５０を吸着して保持した状態で移
動を開始した時刻を示しており、符号ｔ₃は静電吸着装
置１１３を基板１５０を保持した状態で移動を終了した
時刻を示している。

【００１２】また、符号ｔ₅は、第１、第２の吸着電極
１４３、１４４間への電圧の印加を終了した時刻を示し
ており、符号ｔ₆は静電吸着装置１１３が基板１５０の
保持を解除して基板１５０を離脱させた時刻をそれぞれ
示している。

【００１３】上述した搬送工程においては、図１６の曲
線(Ｖ)に示すように、時刻ｔ₁で第１、第２の吸着電極
１４３、１４４間への電圧の印加を開始してから、基板
１５０が移動先の載置台１０６上に載置されて移動が終
了した時刻ｔ₃を経過した後、時刻ｔ₅までの間に、第
１、第２の吸着電極１４３、１４４間に一定の電圧Ｖ₁
を印加し続けている。

【００１４】このため、曲線(Ｗ)に示すように、静電吸
着力は、第１、第２の吸着電極１４３、１４４間への電
圧の印加が終了する時刻ｔ₅まで上昇し続け、静電吸着
力は、最小吸着力ｆ₁を大きく上回る。第１、第２の吸
着電極１４３、１４４間への電圧の印加が終了する時刻
ｔ₅以後は、静電吸着力は徐々に減少するが、静電吸着
力は最小吸着力ｆ₁を大きく上回り、基板１５０と静電
吸着装置１１３との間に大量の残留電荷が残り、この残
留電荷により吸着力が残るので、基板を離脱可能な程度
まで吸着力が減少するまでには、長時間(例えば数分以
上)を要してしまう。

【００１５】このため、第１、第２の吸着電極１４３、
１４４間への電圧の印加を終了した直後に、第１、第２
の吸着電極１４３、１４４間に、直前まで印加していた
電圧とは逆極性の電圧を短期間印加して残留電荷を消滅
させ、静電吸着力を０にすることにより、基板を短時間
で静電吸着装置から離脱させる技術が本発明の発明者等
によって提案された。図１７の曲線(Ｘ)、(Ｙ)に、その
場合における第１、第２の吸着電極間に印加される電圧
の時間変化と、基板１５０と静電吸着装置１１３との間
に生じる静電吸着力の時間変化とをそれぞれ示す。

【００１６】この方法によれば、図１７の曲線(Ｘ)に示
すように、時刻ｔ₅から時刻ｔ_aまでの期間、第１、第２
の吸着電極１４３、１４４間に直前まで印加していた電
圧Ｖ ₁と逆極性の電圧Ｖ₀を印加している。この期間、同
図の曲線(Ｙ)に示すように、静電吸着力は急激に低下
し、短時間でほぼ０に近づくので、かかる逆極性の電圧
Ｖ₀を印加しない場合に比して、基板を離脱可能な状態
になるまでの時間を大幅に短縮することができる。

【００１７】しかしながら、短時間で残留電荷を消滅さ
せて吸着力を０にするためには、逆極性の電圧Ｖ₀を印
加する直前まで印加していた電圧Ｖ₁よりもその絶対値
が大きい逆極性の電圧を所定時間印加する必要がある。

【００１８】本発明の発明者等は、第１、第２の吸着電
極１４３、１４４にそれぞれ＋３０００Ｖ、−３０００
Ｖの電圧を印加し、静電吸着装置１１３にソーダ石灰ガ
ラスからなる基板を６０秒静電吸着した後、基板を吸着
終了から１０秒後に、安全に離脱できるようにするため
には、第１、第２の吸着電極１４３、１４４にそれぞれ
−５０００Ｖ、＋５０００Ｖという高電圧を１０秒間印
加しなければならないことを確かめた。

【００１９】このように高電圧の逆極性の電圧を第１、
第２の吸着電極１４３、１４４間に印加するためには、
高圧出力の電源が必要になり、装置全体のコストが高く
なってしまう。また、静電吸着電源が高圧になること
で、静電吸着装置とその周辺装置との間の放電や、第
１、第２の吸着電極間での放電等が生じ、かかる放電に
より装置が故障しやすくなる等の問題もあった。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、特
に、基板を静電吸着で保持する際に、静電吸着電源を高
圧出力の電源にすることなく、かつ短時間で基板を離脱
可能にする技術を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、真空雰囲気中に配置された
静電吸着装置に基板を接触させ、前記静電吸着装置が有
する電極に電圧を印加し、前記基板と前記静電吸着装置
との間に静電吸着力を生じさせ、真空中で前記基板の処
理を行う真空処理方法であって、前記電極に第１の電圧
を印加して、前記静電吸着力を最小吸着力以上の大きさ
にする工程と、前記電極に印加する電圧を第２の電圧に
変更して、前記静電吸着力を減少させる工程と、前記静
電吸着力が前記最小吸着力以上の期間に前記基板の処理
を行う工程とを有する。請求項２記載の発明は、請求項
１記載の真空処理方法であって、前記電極に印加する電
圧を第２の電圧に変更して、前記静電吸着力を減少させ
る工程は、前記第１の電圧を印加した後、静電吸着力が
前記最小吸着力よりも大きい上限吸着力以上になる前に
行われることを特徴とする。請求項３記載の発明は、請
求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処理方法
であって、前記基板の処理は、前記基板を移動させる処
理であって、前記静電吸着力が前記最小吸着力以上の大
きさである期間に、前記基板の移動の開始と終了を行う
ことを特徴とする。請求項４記載の発明は、請求項１乃
至請求項３のいずれか１項記載の真空処理方法であっ
て、前記静電吸着装置が有する電極は、２個の電極から
なり、該２個の電極に、互いに極性の異なる電圧を印加
するように構成されている。請求項５記載の発明は、請
求項４記載の真空処理方法であって、前記電極に印加す
る電圧を前記第２の電圧に変更して、前記静電吸着力を
減少させる工程では、前記２個の電極の間の電位差を、
前記第１の電圧が印加された工程における前記２個の電
極の電位差よりも小さくすることを特徴とする。請求項
６記載の発明は、請求項４記載の真空処理方法であっ
て、前記電極に印加する電圧を前記第２の電圧に変更し
て、前記静電吸着力を減少させる工程では、前記２個の
電極の間の電位差を、０ボルトにすることを特徴とす
る。請求項７記載の発明は、請求項４記載の真空処理方
法であって、前記電極に印加する電圧を前記第２の電圧
に変更して、前記静電吸着力を減少させる工程では、前
記第１の電圧が印加された工程において、前記２個の電
極に印加された電圧と逆極性の電圧を、前記２個の電極
にそれぞれ印加することを特徴とする。請求項８記載の
発明は、請求項４記載の真空処理方法であって、前記電
極に印加する電圧を前記第２の電圧に変更して、前記静
電吸着力を減少させる工程の後に、前記２個の電極に、
前記２個の電極の間の電位差が段階的に変化する電圧を
印加することを特徴とする。

【００２２】本発明の発明者等は、静電吸着装置と基板
との間の静電吸着力と、吸着電極に印加する電圧及び印
加時間の関係について、調査研究を重ねた。本発明の発
明者等は、密度が２．４７g／cm³、厚さ３mmのソーダ石
灰ガラス板からなる基板を、二個の吸着電極を有する静
電吸着装置に当接させ、２個の吸着電極にそれぞれ一定
電圧を印加(ここでは、二個の吸着電極にそれぞれ＋３
０００Ｖ、−３０００Ｖを印加している)した場合の、
静電吸着装置とその基板との間に生じる静電吸着力の時
間依存性を調べる実験と、上述した吸着電極に一定電圧
(ここでは、二個の吸着電極にそれぞれ＋３０００Ｖ、
−３０００Ｖを印加している)を６０秒間印加して基板
を静電吸着した後、各吸着電極に印加する電圧を０Ｖに
し、その時刻以降に基板及び静電吸着装置間に残留する
静電吸着力(以下で残留吸着力と称する。)の時間依存性
を調べる実験を行った。その２種類の実験結果を、下記
の表１に示す。

【００２３】

【表１】

【００２４】上記の表１に示された、静電吸着力の時間
依存性より、吸着電極に電圧印加を開始してから５秒経
過した時点での吸着力は４．５０ｇｆ／cm²になってい
る。この実験に用いた基板の厚みが１cmの場合に、その
基板の重さと釣り合う吸着力は２．４７ｇf／cm²である
ので、厚さ３mmの基板を吊り上げるためには、余裕をみ
ても３ｇｆ／cm²程度の吸着力があれば十分である。す
なわち、ここでの最小吸着力は３ｇｆ／cm²である。こ
れより吸着電極に電圧印加を開始してから５秒経過すれ
ば、基板を静電吸着して吊り上げることができることが
わかる。

【００２５】しかしながら、吸着電極に６０秒間電圧を
印加した後の残留吸着力の時間依存性をみると、電圧印
加が終了した時刻から６０秒経過した時点で、残留吸着
力は３１ｇｆ／cm²までしか減少していない。基板を安
全に離脱させるためには、残留吸着力は、上述した最小
吸着力(ここでは３ｇｆ／cm²)の８割程度の吸着力(ここ
では２．４ｇｆ／cm²)以下まで低下することが必要であ
るが、６００秒経過しても残留吸着力は２５．５ｇｆ／
cm²までしか低下していないので、基板を安全に離脱さ
せることはできない。このように、１枚の基板を６０秒
間吸着した後に、６００秒以上経過しても基板を離脱す
ることができないのでは、到底実用に堪えない。

【００２６】上記の表１で行った実験と同じ基板及び同
じ静電吸着装置を用いて、吸着電極に印加する電圧を低
圧(ここでは、二個の吸着電極にそれぞれ＋７５０Ｖ、
−７５０Ｖを印加している)にして、同様の実験を行っ
た。下記の表２に、その場合の、静電吸着装置とその基
板との間に生じる静電吸着力の時間依存性を調べた実験
の結果と、吸着電極に６０秒間電圧を印加して基板を静
電吸着した後、各吸着電極に０Ｖを印加し、その時刻以
降に基板及び静電吸着装置間に残留する残留吸着力の時
間依存性を調べる実験の結果とを示す。

【００２７】

【表２】

【００２８】上記の表２に示された、静電吸着力の時間
依存性より、吸着力が最小吸着力(ここでは３ｇｆ／c
m²)以上になるには電圧印加開始から１０秒では足り
ず、１０秒以上６０秒以下のある時刻で最小吸着力以上
になることがわかる。電圧印加開始から５秒経過した時
点での吸着力は０．２ｇｆ／cm²程度であって、基板を
つり上げることは到底できないことがわかる。

【００２９】また、６０秒間静電吸着した後の残留吸着
力は小さくなっているが、電圧印加停止から６０秒経過
すると、２．７ｇｆ／cm²程度までしか低下しておら
ず、静電吸着装置が、基板を安全に離脱することが可能
な吸着力(ここでは２．４gｆ／cm²)までは低下しない。

【００３０】以上より、同一の高電圧を吸着電極に印加
し続けた場合には、比較的短時間に基板を吸着して保持
することが可能になるものの、吸着力が過度に大きくな
り、その後基板を離脱させるのに長時間を要してしまう
ことがわかり、他方、同一の低電圧を吸着電極に印加し
続けた場合には、残留吸着力は過度に大きくならないも
のの、基板を保持可能な程度の吸着力に達するまでに長
時間を要し、残留吸着力が基板を静電吸着装置から安全
に離脱させるまでに要する時間もさほど短くならないこ
とがわかった。

【００３１】以上の結果を考察し、本発明の発明者等
は、電圧印加開始から所定時間、吸着電極に高電圧を印
加して吸着力を大きくした後、基板を吸着した状態で吸
着電極に印加する電圧を変更して吸着力を小さくすれ
ば、吸着力は過度に大きくならないので、短時間で基板
を吸着した後、短時間で基板を脱離することができるの
ではないかと推測した。

【００３２】本発明の発明者等は、この推測を確認すべ
く、表１等に示した実験で用いたものと同じ基板及び静
電吸着装置を用い、各吸着電極に５秒間高電圧を印加し
た後(ここでは、二個の吸着電極にそれぞれ＋３０００
Ｖ、−３０００Ｖを印加する)、印加電圧を低電圧（こ
こでは、二個の吸着電極にそれぞれ＋７５０Ｖ、−７５
０Ｖを印加している)にし、その場合における吸着力の
時間依存性を調べる実験と、その実験と同じ条件で吸着
電極に合計６０秒間電圧を印加した後に、各吸着電極に
印加する電圧を０Ｖにし、０Ｖにした時刻以降に生じる
残留吸着力の時間依存性を調べる実験とを行った。これ
らの実験結果を下記の表３に示す。

【００３３】

【表３】

【００３４】上記の表３に示した吸着力の時間依存性か
らは、電圧印加開始から５秒経過した時点で、吸着力は
４．５gｆ／cm²に達しており、基板を吸着して保持する
ことが可能になっており、その後、６０秒経過した時点
でも、吸着力は４．９gｆ／cm²程であり、最小吸着力以
上になっており、基板を十分吸着して保持できる程度の
大きさを維持していることがわかる。

【００３５】また、表３に示した残留吸着力の時間依存
性からは、吸着電極への電圧印加を終了した時点での残
留吸着力は４．９gｆ／cm²であるが、電圧印加を終了し
てから６０秒経過した時点での残留吸着力は３．１gｆ
／cm²まで低下しており、残留吸着力は、一定電圧を印
加し続けている場合に比して、相当小さくなっているこ
とがわかる。

【００３６】このように、最初、吸着力が大きくなる高
電圧を吸着電極に印加し、短時間で基板を吸着保持した
後に、基板を吸着保持している間に、吸着電極に印加す
る電圧を低下させて吸着力を低下させることにより、短
時間で基板を吸着・保持し、また、短時間で基板を離脱
させられることが確認できた。

【００３７】本発明は、かかる知見に基づいて創作され
たものであって、基板を静電吸着装置に当接させた状態
で静電吸着装置内の電極に第１の電圧を印加した後に、
電極に印加する電圧を第２の電圧に変更している。

【００３８】このとき、予め、処理対象となる基板につ
いて、基板を静電吸着可能な力の最小値である最小吸着
力を求め、基板を処理する時間に応じて、第１、第２の
電圧の大きさ、印加時間、基板の処理の開始時刻及び終
了時刻等の値について適当な値を求めておく。こうして
求められた適当な値に従い、電極に第１の電圧を印加し
て静電吸着力を最小吸着力以上の大きさにして、静電吸
着装置に基板を静電吸着した後に基板の処理を開始し、
基板の処理中に電極に印加する電圧を第２の電圧に変更
すると、第２の電圧に変更された後に静電吸着力が減少
し、かつ基板の処理が終了するまでの間に、静電吸着力
を最小吸着力以上に維持して、基板を静電吸着装置に静
電吸着し続けることができる。

【００３９】このように構成することにより、基板の処
理が終了した時点では、同一電圧を電極に印加していた
従来に比して残留電荷の量が少なくなり、残留吸着力が
低下するので、静電吸着装置から基板を離脱させられる
までに要する時間を、従来に比して短縮することができ
る。

【００４０】特に、その後電極に逆極性の電圧を印加し
て残留電荷を短時間で消滅させ、吸着力を０にする場合
には、逆極性の電圧を印加する直前まで印加していた第
２の電圧よりも絶対値が小さい電圧を印加しても、短時
間で残留電荷を消滅させることができる。従って、従来
のように高圧出力の静電吸着電源を必要としないので、
装置全体のコストが高くならず、また、静電吸着装置と
その周辺装置との間の放電や、吸着電極間での放電等に
より故障等が生じにくくなる。

【００４１】なお、本発明において、静電吸着力が最小
吸着力よりも大きい上限吸着力を上回る前に、電極に印
加する電圧を第２の電圧に変更するように構成してもよ
い。ここで上限吸着力とは、基板を静電吸着装置に静電
吸着した状態で処理する間に、吸着力が最小吸着力以上
を維持し、かつ処理が終了した後に、静電吸着装置から
基板を安全に離脱させるのに十分な力まで低下すること
が可能な吸着力の上限である。この上限吸着力は、静電
吸着装置内の電極に印加する電圧と、基板の処理時間と
に応じて定まり、吸着力が上限吸着力を超えると、基板
の処理が終了した後、残留吸着力が過大になり、静電吸
着装置から基板を安全に離脱することができなくなる。

【００４２】かかる上限吸着力を吸着力が上回る前に、
電極に印加する電圧を第２の電圧に変更し、吸着力を減
少させることにより、基板の処理が終了した時点で、残
留吸着力は、静電吸着装置から基板を安全に離脱させら
れる程度まで低下しているので、処理終了後、速やかに
基板を安全に離脱させることができる。

【００４３】また、本発明において、静電吸着装置が有
する電極は、２個の電極からなり、第１又は第２の電圧
を電極に印加する際には、各電極に互いに極性の異なる
電圧を印加するように構成してもよい。その場合、電極
に印加する電圧を第２の電圧に変更して、静電吸着力を
減少させる工程では、２個の電極の間の電位差を、第１
の電圧が印加された工程における２個の電極の電位差よ
りも小さくするように構成してもよい。このように構成
することにより、第２の電圧に変更した後の吸着力は、
第１の電圧が印加されたときの電圧よりも小さくなる。

【００４４】また、電極に印加する電圧を第２の電圧に
変更して、静電吸着力を減少させる工程では、２個の電
極の間の電位差を、０ボルトにするように構成してもよ
いし、また、第１の電圧が印加された工程において、２
個の電極に印加された電圧と逆極性の電圧を、２個の電
極にそれぞれ印加するように構成してもよい。このよう
に構成することにより、第２の電圧を印加した後の静電
吸着力の減少量を大きくすることができる。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下で図面を参照し、本発明の実
施形態について説明する。図１の符号１は、本発明の真
空処理方法に用いる真空処理装置を示している。この真
空処理装置１は、搬出入室２と、搬送室３と、処理室４
とを有している。これらの搬出入室２、搬送室３及び処
理室４には、真空排気系７２、７３、７４がそれぞれ接
続されており、これらの真空排気系７２、７３、７４を
起動すると、各搬出入室２、搬送室３及び処理室４の内
部を真空排気することができるように構成されている。

【００４６】搬送室３内部には、搬送ロボット１０が配
置されている。この搬送ロボット１０は、駆動機構１１
と、アーム１２と、静電吸着装置１３とを有している。
駆動機構１１は、搬送室３の内部底面に配置されてい
る。

【００４７】アーム１２は、その一端が駆動機構１１の
先端に取り付けられており、駆動機構１１を動作させる
と、水平面内で自由に移動できるように構成されてい
る。アーム１２の先端には静電吸着装置１３が配置され
ている。

【００４８】この静電吸着装置１３の構成を図２(ａ)、
(ｂ)に示す。この静電吸着装置１３は、金属板２４と、
該金属板２４上に配置された誘電体層２５を有してい
る。誘電体層２５はＡｌ₂Ｏ₃を主成分とするセラミック
ス製であり、その表面には、Ａｌから成る第１、第２の
吸着電極２７₁、２７₂が形成されている。

【００４９】第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂の平面
図を同図(ｂ)に示す。第１、第２の吸着電極２７₁、２
７₂は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛
み合うように配置されている。同図(ａ)は同図(ｂ)のＸ
−Ｘ線断面図に相当する。第１、第２の吸着電極２
７₁、２７₂の幅は４ｍｍ、電極間の間隔は１ｍｍとして
おり、電極の厚みを１０μｍとしている。

【００５０】かかる静電吸着装置１３は、第１、第２の
吸着電極２７₁、２７₂が配置された面が鉛直下方を向く
ように、上述したアーム１２の先端に取り付けられてお
り、アーム１２が水平面内で移動すると、第１、第２の
吸着電極２７₁、２７₂の配置された面が鉛直下方に向い
た状態で、アーム１２とともに水平面内で自由に移動す
ることができるように構成されている。

【００５１】第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂は、そ
れぞれ搬送室３外に設けられた静電吸着電源１５に接続
されており、その静電吸着電源１５を駆動すると、第
１、第２の吸着電極２７₁、２７₂の間に直流電圧を印加
することができるように構成されている。

【００５２】上述した構成の真空処理装置１を用いて、
搬出入室２から処理室４に基板を搬送する基板搬送処理
について以下で説明する。予め、図３に示すように、搬
出入室２、搬送室３及び処理室４の内部雰囲気はそれぞ
れ独立に真空排気されており、その状態で駆動機構１１
を動作させてアーム１２を水平移動させ、静電吸着装置
１３を搬出入室２内に搬入し、搬出入室２内の載置台６
の表面に載置された基板５０の上方に位置させて静止さ
せる。

【００５３】次に、図４に示すように、基板５０表面
を、静電吸着装置１３の表面に接触させる。ここでは、
昇降ピン６０上に基板５０を載せ、昇降ピン６０を上昇
させて基板５０を上方に移動させることにより、基板５
０表面を静電吸着装置１３の表面に接触させている。

【００５４】次いで、静電吸着電源１５を起動し、静電
吸着装置１３の第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂間
に、所定の第１の電圧を印加する。(ここでは、第１、
第２の吸着電極２７₁、２７₂にそれぞれ＋３０００Ｖ、
−３０００Ｖを印加している)。すると、静電吸着装置
１３と基板５０との間に静電吸着力が生じる。この静電
吸着力は、電圧印加時間に応じて増大する。静電吸着力
が増大し、静電吸着装置１３が基板５０を静電吸着した
状態で安全に移動させられる力の最小値(以下で最小吸
着力と称する。)以上の値になると、基板５０は静電吸
着装置１３の表面に吸着されて保持される。その状態を
図５に示す。吸着保持されたら、昇降ピン６０を下降さ
せて載置台６内に収納する。

【００５５】次に、アーム１２を水平移動させ、基板５
０を吸着した状態で静電吸着装置１３を搬出入室２から
搬送室３へと移動させ、処理室４内へ搬入する。この移
動の間に、静電吸着装置１３の第１、第２の吸着電極２
７₁、２７₂に印加する電圧を第２の電圧(ここでは、第
１、第２の吸着電極２７₁、２７₂にそれぞれ＋７５０
Ｖ、−７５０Ｖを印加している)に変更する。具体的に
は、第１の電圧の印加が開始してから５秒間経過した
後、印加電圧を第２の電圧に変更している。第２の電圧
に変更された後には静電吸着力は低下するが、基板５０
はまだ静電吸着装置１３に静電吸着された状態で保持さ
れている。

【００５６】処理室４の内部底面には、載置台４８が配
置され、載置台４８上には、後に詳述する静電チャック
プレート４０が配置されている。この静電チャックプレ
ート４０上方の所定位置に静電吸着装置１３が位置した
ら、静電吸着装置１３を静止させる。その状態を図６に
示す。

【００５７】載置台４８及び静電チャックプレート４０
内部には、これらを挿通して昇降可能な昇降ピンが配置
されている。静電吸着装置１３が静電チャックプレート
４０の上方位置で静止したら、図７に示すように昇降ピ
ン６１を上昇させ、静電吸着装置１３の下方に下向きに
保持された基板５０の表面に当接させる。

【００５８】その後、第１、第２の吸着電極２７₁、２
７₂に、直前まで印加していた第２の電圧と逆極性の所
定電圧を印加する。具体的には、−３００Ｖ、＋３００
Ｖを第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂にそれぞれ印加
している。

【００５９】こうして逆極性の電圧が印加されると、基
板５０と静電吸着装置１３との間の残留電荷が急激に減
少して消滅し、静電吸着力はほぼ０になり、基板５０は
静電吸着装置１３から容易に離脱可能な状態になる。そ
の状態で、昇降ピン６１を下降させると、基板５０は静
電吸着装置１３から離脱して、昇降ピン６１の上端に載
せ替えられ、昇降ピン６１とともに下降する。昇降ピン
６１が完全に載置台４８の内部に収納されると、基板５
０は静電チャックプレート４０表面に載置される。その
状態を図８に示す。以上の工程を経て、基板５０の搬出
入室２から処理室４への搬送処理が終了する。

【００６０】図１０に、上述した基板搬送処理におけ
る、第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂間に印加する電
圧及び基板５０と静電吸着装置１３との間の静電吸着力
の時間変化を示す。図１０の曲線(Ａ)は、第１、第２の
吸着電極２７₁、２７₂間に印加される電圧の時間変化を
示しており(簡便にするため、第１の吸着電極２７₁の電
圧を示している。)、曲線(Ｂ)は、基板５０と静電吸着
装置１３との間に生じる静電吸着力の時間変化を示して
いる。

【００６１】図中、符号Ｖ₁は、第１、第２の吸着電極
２７₁、２７₂間に最初に印加する第１の電圧(ここで
は、第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂にそれぞれ＋３
０００Ｖ、−３０００Ｖを印加している)を示してお
り、符号Ｖ₂は、第１の電圧Ｖ₁を所定時間(ここでは５
秒間)印加した後、第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂
間に印加する第２の電圧(ここでは、第１、第２の吸着
電極２７₁、２７₂にそれぞれ＋７５０Ｖ、−７５０Ｖを
印加している)を示している。また符号ｆ₁は最小吸着力
を示している。

【００６２】また、符号ｔ₁は第１、第２の吸着電極２
７₁、２７₂間に電圧の印加を開始した時刻を示してお
り、符号ｔ₂は、静電吸着装置１３が移動を開始した時
刻を示している。また、符号ｔ₃は静電吸着装置１３を
基板５０を吸着した状態で移動を終了した時刻を示し、
時刻ｔ_hは、印加電圧を第１の電圧Ｖ₁から第２の電圧Ｖ
₂へと変更した時刻を示している。また、符号ｔ₄は、第
１、第２の吸着電極２７ ₁、２７₂間に、直前に印加して
いた第２の電圧Ｖ₂と逆極性の電圧を印加し始めた時刻
を示し、符号ｔ₅は、その逆極性の電圧の印加を終了し
た時刻を示しており、時刻ｔ₆は、基板５０を静電吸着
装置１３から離脱させた時刻を示している。

【００６３】上述した基板搬送処理においては、図１０
の曲線(Ａ)に示すように、基板５０を吸着した静電吸着
装置１３が時刻ｔ₂で移動を開始してから、時刻ｔ₃で移
動を終了するまでの時間(ここでは６０秒間)に、時刻ｔ
_hで第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂間に印加する電
圧を第１の電圧Ｖ₁から第２の電圧Ｖ₂へと変更してい
る。

【００６４】予め、最小吸着力ｆ₁や、これら第１、第
２の電圧Ｖ_1、Ｖ₂の電圧値、印加時間は適当な値に設定
されており、その結果、印加電圧を第２の電圧Ｖ₂に変
更した時刻ｔ_h以降、吸着力は低下するが、移動が終了
する時刻ｔ₃までの間には、曲線(Ｂ)に示すように、吸
着力は最小吸着力ｆ₁以上の値になり、基板５０を吸着
して移動を開始してから移動が終了するまでの間(６０
秒間)は、基板５０が静電吸着装置１３から落下しない
ようになっている。

【００６５】また、基板を移動させる途中で吸着力が減
少するので、吸着力は過度に大きくならず、移動が終了
した時刻ｔ₃における吸着力は、従来に比して小さくな
る。このため、移動終了後に、時刻ｔ₄〜ｔ₅の間(ここ
では２秒間)に逆極性の電圧を第１、第２の吸着電極２
７₁、２７₂間に印加して、短時間で残留電荷を消滅させ
る場合にも、従来のように、直前まで印加していた電圧
よりも絶対値の大きい電圧を印加する必要がなく、直前
まで印加していた第２の電圧Ｖ₂より低い電圧を印加(こ
こでは、第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂にそれぞれ
−３００Ｖ、＋３００Ｖを印加している)することによ
り、短時間で吸着力をほぼ０にし、静電吸着装置１３か
ら基板５０を容易に離脱させることができる。

【００６６】従って、静電吸着電源１５を高圧出力の電
源で構成する必要がないので、静電吸着電源１５のコス
トを低減し、ひいては装置全体のコストを低減すること
ができる。また、静電吸着装置１３とその周辺装置との
間で放電が生じたり、第１、第２の吸着電極２７₁、２
７₂間で放電が生じることで、装置の故障等が生じるこ
ともない。

【００６７】なお、上述した基板搬送処理においては、
図１０に示したように、第２の電圧Ｖ₂を、第１の電圧
Ｖ₁と同じ極性で、第１の電圧Ｖ₁よりも低電圧の電圧と
し、その後逆極性の電圧Ｖ₃を第１、第２の吸着電極２
７₁、２７₂間に印加するものとしたが、本発明の基板搬
送処理はこれに限られるものではなく、例えば、図１１
の曲線(Ｃ)に示すように、第２の電圧Ｖ₂を、第１の電
圧Ｖ₁と同じ極性で、第１の電圧Ｖ₁(ここでは、第１、
第２の吸着電極２７₁、２７₂にそれぞれ＋３０００Ｖ、
−３０００Ｖを印加している)よりも低電圧の第２の電
圧Ｖ₂(ここでは第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂にそ
れぞれ＋９５０Ｖ、−９５０Ｖを印加している)とした
後、電圧を段階的に低下させるようにしてもよい。ここ
では、３段階に電圧(図１１中のＶ₄〜Ｖ₆)を低下させた
後に、逆極性の電圧Ｖ₃を第１、第２の吸着電極２７₁、
２７₂間に印加している。

【００６８】このように構成し、予め第１、第２の電圧
Ｖ₁、Ｖ₂の電圧値、印加時間、移動開始時刻及び移動終
了時刻を適当な値に設定することにより、図１０で説明
したと同様に、図１１の曲線(Ｄ)に示すように、静電吸
着装置１３の移動終了時刻ｔ ₃までの間で、吸着力が最
小吸着力ｆ₁以上になり、移動中に基板５０が静電吸着
装置１３から落下しないようにすることができる。ま
た、吸着力は過度に上昇せず、図中の符号ｆ₂に示す上
限吸着力を超えない。このため、時刻ｔ₄で逆極性の電
圧を第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂間に短期間印加
して、残留電荷を短時間で消滅させる場合にも、第２の
電圧Ｖ₂以下の電圧を印加(ここでは、第１、第２の吸着
電極２７₁、２７₂にそれぞれ−３００Ｖ、＋３００Ｖを
印加している)することで、残留電荷を消滅させ、吸着
力をほぼ０にし、基板５０を容易に静電吸着装置１３か
ら離脱させることができる。

【００６９】また、第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂
にともに０Ｖを印加し、図１２の曲線(Ｅ)に示すよう
に、第２の電圧Ｖ₂を０Ｖとするように構成してもよ
い。このように構成することにより、同図の曲線(Ｆ)に
示すように、第２の電圧Ｖ₂に変更した時刻ｔ_h以降、短
期間で吸着力を減少させることができる。

【００７０】さらに、図１３の曲線(Ｇ)に示すように、
第２の電圧Ｖ₂として、第１の電圧Ｖ₁と逆極性の電圧を
第１、第２の吸着電極２７₁、２７₂間に印加してもよ
い。このように構成すると、図１２に示し、第２の電圧
Ｖ₂を０Ｖとした場合に比して、図１３の曲線(Ｈ)に示
すように吸着力をさらに短期間で大きく減少させること
ができる。

【００７１】また、上述した実施形態では、第２の電圧
Ｖ₂を印加した後に、逆極性の電圧Ｖ３を印加して残留
電荷を短時間で消滅させているが、本発明はこれに限ら
れるものではなく、第１、第２の電圧Ｖ₁、Ｖ₂の電圧値
や、印加時間等の値を適当な値に設定することで、逆極
性の電圧Ｖ₃を印加しなくとも、短時間で残留電荷が消
滅するように構成することも可能である。

【００７２】以上説明した基板搬送処理が終了し、基板
５０が静電チャックプレート４０の表面に載置された
ら、アーム１２を水平移動させて静電吸着装置１３及び
アーム１２を搬送室３内に退避させた後、処理室４内部
に配置された弁８を閉じ、処理室４内部を搬送室３内部
と遮断し、成膜処理に移行する。その状態を図９に示
す。

【００７３】静電チャックプレート４０は、例えばセラ
ミックス材料等から成る誘電体板からなる。この静電チ
ャックプレート４０内には、導電性材料からなる第１、
第２の吸着電極４３、４４が配置されている。

【００７４】第１、第２の吸着電極４３、４４は、静電
チャックプレート４０内部の表面近傍に配置されてい
る。これら第１、第２の吸着電極４３、４４は、処理室
４の外部に配置されたチャック電源３１に接続されてお
り、チャック電源３１を起動すると、第１、第２の吸着
電極４３、４４の間に電圧を印加することができるよう
に構成されている。

【００７５】静電チャックプレート４０内部には、ヒー
タ４５が配置されている。このヒータ４５は、処理室４
外部に配置されたヒータ電源３２に接続されており、ヒ
ータ電源３２を起動すると、ヒータ４５を発熱させ、静
電チャックプレート４０を昇温させることができるよう
に構成されている。

【００７６】処理室４内部の天井側には、静電チャック
プレート４０と対向するように、例えばアルミなどの金
属材料から成るターゲット３３が配置されている。この
ターゲット３３は、処理室４の外部に配置された直流電
源３４に接続されており、直流電源３４を起動すると、
処理室４に対して負の電圧が印加されるように構成され
ている。

【００７７】基板５０が静電チャックプレート４０上に
載置された状態では、予めヒータ４５は発熱し、静電チ
ャックプレート４０は昇温されている。この状態で、チ
ャック電源３１を起動して、第１、第２の吸着電極４
３、４４の間に、第１の電圧を印加(ここでは、第１、
第２の吸着電極４３、４４に、それぞれ＋３０００Ｖ、
−３０００Ｖを印加)すると、基板５０と静電チャック
プレート４０との間に静電吸着力が発生する。この静電
吸着力は電圧印加とともに増大し、最小吸着力以上にな
ると基板５０は静電チャックプレート４０の表面に密着
する。密着すると基板５０は静電チャックプレート４０
からの熱伝導によって加熱される。

【００７８】基板５０が加熱され、所定の温度まで昇温
されたら、処理室４内に例えばアルゴンガス等のスパッ
タリングガスを導入する。静電チャックプレート４０は
接地され、その上に載置された基板５０は接地されてお
り、直流電源３４を起動してターゲット３３に負電圧を
印加すると、ターゲット３３近傍に放電が生じ、処理室
４内にプラズマが生成されてターゲット３３の材料がス
パッタリングされ、スパッタリングされたターゲット３
３材料からなる粒子が基板５０の表面に付着し、薄膜が
成膜され始める。

【００７９】薄膜の成膜が開始したら、第１、第２の吸
着電極４３、４４の間に印加する電圧を変更し、第１の
電圧より低電圧である第２の電圧を印加(ここでは、第
１、第２の吸着電極４３、４４に、それぞれ＋７５０
Ｖ、−７５０Ｖを印加)する。ここでは、第１の電圧を
５秒間印加した後に、印加電圧を第２の電圧に変更して
いる。こうして印加電圧を第２の電圧Ｖ₂に変更するこ
とにより、吸着力は低下するが、静電チャックプレート
４０と基板５０の表面が密着し、熱伝導で加熱可能な程
度の吸着力は維持されている。そして、基板５０の表面
に所定膜厚の薄膜が形成された後に直流電源４を停止さ
せ、プラズマを消滅させる。以上の工程を経て成膜処理
が終了する。

【００８０】こうして成膜処理が終了したら、第１、第
２の吸着電極４３、４４の間に、成膜処理終了時に印加
されていた電圧と逆極性の電圧を印加(ここでは、第
１、第２の吸着電極４３、４４にそれぞれ−１００Ｖ、
＋１００Ｖの電圧を印加)して、基板５０と静電チャッ
クプレート４０との間の残留電荷を消滅させ、残留吸着
力をほぼ０にし、基板５０を、静電チャックプレート４
０の表面から容易に離脱出来る状態にした後、昇降ピン
６１を上昇させ、静電チャックプレート４０の表面から
基板５０を離脱させ、その後上述した搬送ロボット１０
を用い、上述した基板搬送処理と同様の手順で基板５０
を処理室４外へと搬出する。

【００８１】成膜処理が終了するまで、一定の高電圧を
第１、第２の吸着電極４３、４４の間に印加し続けた場
合には、静電チャックプレート４０と基板５０との間の
残留電荷が大量になり、吸着力が過度に大きくなるの
で、成膜処理終了後に、成膜処理終了時の電圧と逆極性
の電圧を印加して短時間で残留電荷を消滅させる際に、
成膜処理終了時の電圧よりも絶対値が大きい電圧を印加
しなければならない。

【００８２】しかしながら、本実施形態の成膜処理で
は、第１、第２の吸着電極４３、４４に最初に第１の電
圧Ｖ₁を所定時間(ここでは５秒間)印加して基板５０と
静電チャックプレート４０とを密着させた後、スパッタ
リングがなされている間に、印加する電圧を第２の電圧
Ｖ₂に変更しており、第２の電圧Ｖ₂に変更した時刻以降
は吸着力が減少し、残留電荷の量も減少するので、成膜
処理が終了した時点では、基板５０と静電チャックプレ
ート４０との間の吸着力は、一定電圧を印加し続けた場
合に比して小さくなっている。

【００８３】従って、成膜処理終了時の電圧よりも絶対
値が小さく、かつ逆極性の電圧を印加することで、短時
間で残留電荷を消滅させ、基板５０を静電チャックプレ
ート４０表面から容易に離脱させることができる。

【００８４】これにより、チャック電源３１を高圧出力
の電源で構成しなくともよいので、チャック電源３１の
コストを低減し、真空処理装置１のコストを低減するこ
とができる。また、静電チャックプレート４０とその周
辺装置との間で放電が生じたり、第１、第２の吸着電極
４３、４４間で放電が生じることで、装置の故障等が生
じることもない。

【００８５】なお、上述した実施形態では、真空処理方
法として、基板を静電吸着した状態で基板を搬送する基
板搬送処理と、基板表面に薄膜を成膜する成膜処理につ
いて説明したが、本発明の真空処理方法はこれに限られ
るものではなく、真空雰囲気中で基板を静電吸着した状
態で、基板を処理する方法であれば、いかなる方法にも
適用可能である。

【００８６】また、本実施形態では、基板としてソーダ
石灰ガラス基板を用いたが、本発明の真空処理方法で静
電吸着可能な基板はこれに限られるものではなく、例え
ばプラスチックや、シリコン酸化物や、窒化珪素等から
なる基板のように、絶縁性を有する基板であればいかな
る基板の静電吸着にも適用可能である。また、本発明の
方法は、シリコン等の半導体基板の静電吸着において
も、吸着力を適正に制御し、かつ残留吸着力を抑制する
方法として有効である。

【００８７】

【発明の効果】静電吸着された基板を短時間で静電吸着
装置から離脱させることができる。また、静電吸着装置
用の電源を高圧出力の電源で構成する必要がないので、
装置のコストを低減でき、放電等による装置の故障を抑
止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る真空処理方法を実施する真空処理
装置の一例を示す概略構成図

【図２】（ａ）：本発明の真空処理方法に用いる静電吸
着装置の構成を説明する断面図（ｂ）：本発明の真空処
理方法に用いる静電吸着装置の構成を説明する平面図

【図３】本発明の真空処理方法を説明する第１の図

【図４】本発明の真空処理方法を説明する第２の図

【図５】本発明の真空処理方法を説明する第３の図

【図６】本発明の真空処理方法を説明する第４の図

【図７】本発明の真空処理方法を説明する第５の図

【図８】本発明の真空処理方法を説明する第６の図

【図９】本発明の真空処理方法を説明する第７の図

【図１０】本発明の真空処理方法において、電極に印加
する電圧の時間変化及び吸着力の時間変化を説明する第
１のグラフ

【図１１】本発明の真空処理方法において、電極に印加
する電圧の時間変化及び吸着力の時間変化を説明する第
２のグラフ

【図１２】本発明の真空処理方法において、電極に印加
する電圧の時間変化及び吸着力の時間変化を説明する第
３のグラフ

【図１３】本発明の真空処理方法において、電極に印加
する電圧の時間変化及び吸着力の時間変化を説明する第
４のグラフ

【図１４】（ａ）：従来の真空処理方法を説明する第１
の図（ｂ）：従来の真空処理方法を説明する第２の図
（ｃ）：従来の真空処理方法を説明する第３の図

【図１５】（ｄ）：従来の真空処理方法を説明する第４
の図（ｅ）：従来の真空処理方法を説明する第５の図
（ｆ）：従来の真空処理方法を説明する第６の図

【図１６】従来の真空処理方法において、電極に印加す
る電圧の時間変化及び吸着力の時間変化を説明する第１
のグラフ

【図１７】従来の真空処理方法において、電極に印加す
る電圧の時間変化及び吸着力の時間変化を説明する第２
のグラフ

【符号の説明】１…真空処理装置２…搬出入室３…搬送室４…処
理室１３…静電吸着装置４０…静電チャックプレー
ト(静電吸着装置) ５０…基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空雰囲気中に配置された静電吸着装置に
基板を接触させ、前記静電吸着装置が有する電極に電圧
を印加し、前記基板と前記静電吸着装置との間に静電吸
着力を生じさせ、真空中で前記基板の処理を行う真空処
理方法であって、前記電極に第１の電圧を印加して、前記静電吸着力を最
小吸着力以上の大きさにする工程と、前記電極に印加する電圧を第２の電圧に変更して、前記
静電吸着力を減少させる工程と、前記静電吸着力が前記最小吸着力以上の期間に前記基板
の処理を行う工程とを有する真空処理方法。
【請求項２】前記電極に印加する電圧を第２の電圧に変
更して、前記静電吸着力を減少させる工程は、前記第１の電圧を印加した後、静電吸着力が前記最小吸
着力よりも大きい上限吸着力以上になる前に行われるこ
とを特徴とする請求項１記載の真空処理方法。
【請求項３】前記基板の処理は、前記基板を移動させる
処理であって、前記静電吸着力が前記最小吸着力以上の大きさである期
間に、前記基板の移動の開始と終了を行うことを特徴と
する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の真空処
理方法。
【請求項４】前記静電吸着装置が有する電極は、２個の
電極からなり、該２個の電極に、互いに極性の異なる電
圧を印加するように構成された請求項１乃至請求項３の
いずれか１項記載の真空処理方法。
【請求項５】前記電極に印加する電圧を前記第２の電圧
に変更して、前記静電吸着力を減少させる工程では、前
記２個の電極の間の電位差を、前記第１の電圧が印加さ
れた工程における前記２個の電極の電位差よりも小さく
することを特徴とする請求項４記載の真空処理方法。
【請求項６】前記電極に印加する電圧を前記第２の電圧
に変更して、前記静電吸着力を減少させる工程では、前
記２個の電極の間の電位差を、０ボルトにすることを特
徴とする請求項４記載の真空処理方法。
【請求項７】前記電極に印加する電圧を前記第２の電圧
に変更して、前記静電吸着力を減少させる工程では、前
記第１の電圧が印加された工程において、前記２個の電
極に印加された電圧と逆極性の電圧を、前記２個の電極
にそれぞれ印加することを特徴とする請求項４記載の真
空処理方法。
【請求項８】前記電極に印加する電圧を前記第２の電圧
に変更して、前記静電吸着力を減少させる工程の後に、前記２個の電極に、前記２個の電極の間の電位差が段階
的に変化する電圧を印加することを特徴とする請求項４
記載の真空処理方法。