JP2001044262A

JP2001044262A - 基板搬送装置

Info

Publication number: JP2001044262A
Application number: JP21627199A
Authority: JP
Inventors: Ken Maehira; 謙前平; Ko Fuwa; 耕不破
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1999-07-30
Filing date: 1999-07-30
Publication date: 2001-02-16
Anticipated expiration: 2019-07-30
Also published as: JP4166379B2

Abstract

(57)【要約】【課題】絶縁性基板を吸着した状態で搬送できる基板搬
送装置を提供する。【解決手段】基板搬送装置２０の腕部２２に、幅４ｍ
ｍ、間隔２ｍｍ以下の電極を有する吸着装置２３を取り
付ける。大きなグラディエント力が得られるので、絶縁
性基板１１を吸着できる。その場合、絶縁性基板１１を
つり下げた状態にしたり、立てた状態で搬送することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板搬送装置にか
かり、特に、絶縁性の基板を吸着した状態で搬送できる
基板搬送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、真空装置内への基板の搬出入
には基板搬送ロボットが用いられている。図１０(ａ)の
符号１１０は、真空処理装置(スパッタリング装置)であ
り、真空槽１１２と基板搬送装置１２０を有している。
真空槽１１２内の天井側にはカソード電極１１３が配置
されており、底壁側には基板吸着装置１１４が配置され
ている。

【０００３】基板搬送装置１２０は、駆動装置１２１
と、該駆動装置１２１に取り付けられた腕部１２２と、
該腕部１２２の先端に取り付けられた載置部１２３とを
有している。

【０００４】真空槽１１２内に基板を搬入する際には、
載置部１２３上に基板１１１を乗せ、腕部１２２を水平
移動させ、基板１１１を基板吸着装置１１４上に静止さ
せる。

【０００５】次いで、真空槽１１２底部に配置された昇
降機構１０６を動作させ、基板１１１を載置部１２３上
から基板吸着装置１１４上に移し替える。

【０００６】基板吸着装置１１４は、図１１に示すよう
に、誘電体１３０内に２枚の電極１３１₁、１３１₂が配
置されており、その電極１３１₁、１３１₂間に正負の電
圧を印加すると、基板１１１が電極となり、基板１１１
と電極１３１₁、１３１₂間にそれぞれコンデンサ１３２
₁、１３２₂が形成される。このコンデンサ１３２₁、１
３２₂の電極間に静電吸着力が生じ、それによって基板
１１１が誘電体１３０表面に静電吸着される。図１０
(ｂ)はその状態を示している。

【０００７】図１０(ｂ)の状態から、腕部１２２及び載
置部１２３を真空槽１１２から抜き出し、真空槽１１２
を密閉し、スパッタリングガスを導入し、カソード電極
１１３に配置されたターゲットのスパッタリングを行
う。

【０００８】上記のように、基板１１１を基板搬送装置
１２０の載置部１２３上に乗せて搬送する場合、基板１
１１は載置部１２３の窪み上に置かれている。高速に移
動させたい場合には、載置部１２３上に機械的にクラン
プしたり、載置部１２３に、上記のような基板吸着装置
を配置し、静電吸着しながら基板１１１を搬送する必要
がある。

【０００９】しかしながら液晶ディスプレイ用の大型ガ
ラス基板の場合には、基板が絶縁性物質で構成されてい
るため、電極との間にコンデンサが形成されず、上記符
号１１４のような基板吸着装置を応用した基板搬送装置
を用いることはできない。

【００１０】従って、従来技術の基板搬送装置では、ガ
ラス基板を機械的にクランプして搬送しているが、基板
のエッジ部分が破損する場合があり、歩留まりを低下さ
せる原因になっている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の課題を解決するために創作されたものであり、その目
的は、絶縁性の基板を吸着しながら搬送できる基板搬送
装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】基板を従来技術の吸着装
置上に配置した場合、電極と基板との間には誘電体層が
存するため、基板と電極とは誘電体層を間に挟んだコン
デンサーを形成する。従って、基板と電極の間に電圧が
印加されると、電極と基板には互いに逆極性の電荷が生
じ、両者の間にクーロン力が発現され、基板が吸着装置
に吸着される。

【００１３】一般的には、静電吸着力Ｆは、下記式で表
される。Ｆ＝１／２・ａ・(Ｖ／ｄ)² ａは誘電率に依存する定数、Ｖは電圧、ｄは誘電層の厚
み(電極間距離)である。

【００１４】誘電体には、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＳｉＣ、
サイアロン、ダイヤモンド、ポリイミド、シリコーンゴ
ム等の高い誘電率を持った材料が使用されている。

【００１５】上式は、誘電分極現象のみを考慮した吸着
力であり、得られる吸着力は非常に小さい。そこで従来
より、誘電層の抵抗率を１０⁸から１０¹²Ω・ｃｍ程度
にし、基板と電極間に微小なリーク電流を生じさせ、ジ
ョンセン・ラーベック効果による大きな吸着力を得てい
た。

【００１６】ガラス基板の場合、その純度を調整し、リ
ーク電流を流すことは可能であるが、液晶表示装置等に
用いられるガラス基板には不純物の極めて少ない高純度
なものが要求されるため、リーク電流が流れず、ジョン
セン・ラーベック効果は得られない。

【００１７】また、ジョンセン・ラーベック効果は抵抗
率に依存しているから、基板温度が変化すると吸着力も
変化してしまう。特に、近年では、基板温度は数１００
度の高温から−１００℃付近の低温まで変化するから、
ジョンセン・ラーベック効果による吸着力は不安定にな
りやすい。

【００１８】そこで本発明の発明者等は、グラディエン
ト力に着目し、本発明を完成するに至ったのである。グ
ラディエント力とは、不均一電場中の誘電体に作用する
力であり、不均一な電場Ｅ中に分極率αの誘電体を置い
たとき、その誘電体には、単位体積当たり次式で表され
るグラディエント力が働く。

【００１９】ｆ＝１／２・α・ｇｒａｄ(Ｅ²) 従って、ガラス基板等の誘電体に対し、ｇｒａｄ(Ｅ²)
が大きくなるように電極を配置すればよい。従来技術の
電極を用いた場合と、本発明の電極を用いた場合の吸着
力の比較結果を下記表に示す。

【００２０】

【表１】

【００２１】本発明の電極…電極幅４ｍｍ、電極間距離１ｍｍ従来技術の電極…電極幅８ｍｍ、電極間距離２ｍｍ誘電体層…Ａｌ₂Ｏ₃ 誘電体層の体積抵抗率…１０¹²Ω・ｃｍ誘電体層厚み……５００μｍ基板材質…ソーダライムガラス基板の大きさ…１００×１００×５ｍｍ基板の体積抵抗率…１０¹⁷Ω・ｃｍ(常温) 上記表１から分かるように、本発明に用いられる電極
は、従来技術の電極に比べ、１．５倍の吸着力が得られ
ている。

【００２２】また、ガラスの比重を３ｇ／ｃｍ³とする
と、実験に用いた基板の荷重は１５０ｇであるが、本発
明に用いた電極の吸着力は、印加電圧を±５ｋＶとした
場合(電極間の電圧は１０ｋＶ)、基板換算で４５ｋｇｆ
以上であるから、実験に用いた基板の厚み以上の厚みの
基板を吊り下げた状態で吸着することも可能なことが分
かる。

【００２３】本発明は以上の知見に基づいて創作された
者であり、その請求項１記載された発明は、移動可能に
構成された腕部と、前記腕部に設けられ、腕部の移動に
よって移動可能に構成された吸着装置とを有する基板搬
送装置であって、前記吸着装置には、幅４ｍｍ以下であ
って、間隔２ｍｍ以下の第１、第２の電極が設けられ、
前記吸着装置は、前記第１、第２の電極間に電圧を印加
した状態で移動できるように構成された基板搬送装置で
ある。また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の基
板搬送装置であって、前記第１、第２の電極表面には誘
電体層が配置され、前記吸着装置表面に基板を密着させ
たときに、前記第１、第２の電極と前記基板とに間には
誘電体層が存するように構成された基板搬送装置であ
る。請求項３記載の発明は、請求項１記載の基板搬送装
置であって、前記第１、第２の電極表面は露出され、前
記吸着装置に基板を密着させたときに、前記第１、第２
の電極と前記基板とは接触するように構成された基板搬
送装置である。請求項４記載の発明は、請求項１記載の
基板搬送装置であって、前記第１、第２の電極間には突
部が設けられ、前記吸着装置に基板を密着させたとき
に、前記基板は前記突部に当接され、前記基板と前記第
１、第２の電極間には隙間が形成されるように構成され
た基板搬送装置である。請求項５記載の発明は、前記吸
着装置を複数有する請求項１乃至請求項４のいずれか１
項記載の基板搬送装置であって、前記各吸着装置表面は
略同じ高さにされ、前記各吸着装置のうちの所望のもの
に電圧を供給できるように構成された基板搬送装置であ
る。請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求項５のい
ずれか１記載の基板搬送装置であって、電源を有し、該
電源により、少なくとも前記第１、第２の電極間に１．
０×１０⁶Ｖ／ｍ以上の電界を形成できるように構成さ
れた基板搬送装置である。請求項７記載の発明は、真空
槽と、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の基板
搬送装置を有し、前記基板搬送装置の前記吸着装置上に
絶縁性基板を吸着した状態で、前記絶縁性基板を前記真
空槽に搬入又は搬出できるように構成された真空処理装
置である。請求項８記載の発明は、真空槽と、請求項１
乃至請求項６のいずれか１項記載の基板搬送装置を有
し、前記真空槽内には少なくとも前記吸着装置が配置さ
れ、前記真空槽内を真空雰囲気にして、絶縁性基板を前
記吸着装置に吸着させ、前記真空槽内で前記絶縁性基板
を吊り下げられるように構成された真空処理装置であ
る。請求項９記載の発明は、請求項８記載の真空処理装
置であって、前記吊り下げられた絶縁性基板の下方に他
の基板が配置され、前記吊り下げられた絶縁性基板と前
記他の基板との相対的な位置合わせができるように構成
された真空処理装置である。

【００２４】なお、本発明に用いる第１、第２の電極を
配置する誘電体は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ
ム、炭化珪素、サイアロン、ダイヤモンド、ポリイミ
ド、シリコーンゴム等の材料を用いることができる。

【００２５】また、真空槽や搬送室の電位を接地電位と
した場合、第１、第２の電極の一方には正電圧を印加
し、他方には負電圧を印加するように構成するとよい。
または第１、第２の電極の一方に、正電圧又は負電圧の
いずれか一方の電圧を印加し、他方の電極を接地電位に
してもよい。

【００２６】その場合に、第１、第２の電極間の電場が
１．０×１０⁶Ｖ／ｍ以上になるようにすると、実用上
問題のない大きさの絶縁性基板を吸着できることが実験
で確認されている。特に、絶縁性基板を起立させたり、
吊り下げた状態にする際には、印加電圧を大きくし、形
成する電場を大きくすると安全性が向上し、基板が倒れ
たり落下したりする危険を避けることができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明の基板搬送装置を図面を用
いて説明する。図１を参照し、符号１０は本発明の一例
の真空処理装置であり、符号２０は、本発明の一例の基
板搬送装置を示している。

【００２８】真空処理装置１０は、真空槽１２と搬送室
１５とを有しており、真空槽１２の天井側にはカソード
電極１３が配置されており、底壁には載置台１４が配置
されている。

【００２９】搬送室１５内には、上述の基板搬送装置２
０が配置されている。この基板搬送装置２０は、駆動装
置２１と、腕部２２と、吸着装置２３とを有している。

【００３０】駆動装置２１内には、図示しないモータが
配置されており、腕部２２の一端は、このモータに接続
されており、水平面内での伸縮移動と垂直方向への移動
ができるように構成されている。

【００３１】吸着装置２３は、腕部２２の他端に設けら
れており、腕部の移動に伴って、水平方向と垂直方向に
移動できるように構成されている。

【００３２】この吸着装置２３の断面図を図２(ａ)に示
す。この吸着装置２３は、金属板２４と、該金属板２４
上に配置された誘電体２５を有している。この誘電体は
Ａｌ ₂Ｏ₃を主成分とするセラミックス製であり、その内
部に第１、第２の電極２７₁、２７₂が埋め込まれてい
る。

【００３３】第１、第２の電極２７₁、２７₂の平面図を
同図(ｂ)に示す。第１、第２の電極２７₁、２７₂は櫛状
に成形されており、その歯の部分が互いに噛み合うよう
に配置されている。同図(ａ)は同図(ｂ)のＡ−Ａ線断面
図に相当する。第１、第２の電極２７₁、２７₂の幅は４
ｍｍ、電極間の間隔は１ｍｍである。

【００３４】第１、第２の電極２７₁、２７₂の表面に
は、誘電体２５によって構成された厚さ５００μｍ以下
(例えば４００μｍ)の誘電体層２６が配置されている。

【００３５】真空槽１２及び搬送室１５の外部には、ス
パッタ電源１６と、吸着電源１７と、コンピュータ１８
とが配置されている。カソード電極１３はスパッタ電源
１６に接続されており、第１、第２の電極２７₁、２７₂
は吸着電源１７に接続されている。

【００３６】搬送室１５には、図示しない搬出入室が接
続されており、スパッタリング作業を行う場合には、搬
出入室内に成膜対象の絶縁性基板を配置し、真空槽１２
と、搬送室１５と、搬出入室とを真空雰囲気にしてお
く。

【００３７】スパッタ電源１６と吸着電源１７とは、コ
ンピュータ１８に接続されており、先ず、コンピュータ
１８によって基板搬送装置２０を動作させ、搬出入室内
に配置された絶縁性基板を吸着装置２３上に乗せる。

【００３８】次いで、吸着電源１７を起動し、第１、第
２の電極２７₁、２７₂間に所定の大きさの電圧を印加す
る。

【００３９】真空槽１２と搬送室１５は、接地電位に接
続されており、接地電位に対し、第１、第２の電極２７
₁の一方には正電圧を印加し、他方には負電圧を印加
し、絶縁性基板内部に１．０×１０⁶Ｖ／ｃｍ以上の電
場を形成すると、絶縁性基板は誘電体層２６表面に吸着
される。

【００４０】図３は、その状態を模式的に示した図であ
る。符号１１は、吸着装置２３上に配置された絶縁性基
板(ここではガラス基板)を示しており、符号Ｅは電場を
示している。また、符号ｆは絶縁性基板１１に働くグラ
ディエント力の方向を示している。

【００４１】その状態で腕部２２を伸縮させ、絶縁性基
板１１を搬出入室内から取り出し、真空槽１２内に搬入
する。その際、絶縁性基板１１は吸着装置２３表面に強
く密着されているので、吸着装置２０を高速移動させて
も、絶縁性基板１１は吸着装置２０上から脱落すること
が無い。また、絶縁性基板１１は機械的にクランプされ
ているのではないため、クランプによってダストが発生
したり、端部が欠けたりすることはない。

【００４２】図１は、絶縁性基板１１が載置台１４上に
静止された状態を示している。この状態で第１、第２の
電極２７₁、２７₂への電圧印加を停止し、絶縁性基板１
１への吸着を解除した後、吸着装置２３を降下させ、絶
縁性基板１１を載置台１４上に移し替える。

【００４３】次いで、吸着装置２３及び腕部２２を真空
槽１２内から抜き出し、真空槽１２と搬送室１５の間を
閉じ、真空槽１２を密閉した状態でアルゴンガスを導入
する。

【００４４】真空槽１２内が所定圧力で安定したところ
で、コンピュータ１８によってスパッタ電源１６を起動
し、カソード電極１３に電圧を印加し、カソード電極１
３に配置されたターゲットをスパッタリングすると、絶
縁性基板１１の成膜面１０(絶縁性基板１１の表面)に金
属薄膜等の薄膜を形成することができる。

【００４５】上記の吸着装置２３では、第１、第２の電
極２７₁、２７₂表面に、誘電体層２６が配置されていた
が、図４(ａ)の吸着装置３１では、第１、第２の電極２
７₁、２７₂が誘電体２５表面に露出した構造となってい
る。また、同図(ｂ)の吸着装置３２では、第１、第２の
電極２７₁、２７₂の底面部分が誘電体２５表面に食い込
んだ構造となっている。

【００４６】このような吸着装置３１、３２上に絶縁性
基板１１を配置した場合には、絶縁性基板１１は第１、
第２の電極２７₁、２７₂と直接接触し、絶縁性基板１１
が第１、第２の電極２７₁、２７₂に非常に近接している
ので、大きなグラディエント力を得ることができる。こ
の場合、絶縁性基板１１には電流は流れないので、第
１、第２の電極２７₁、２７₂間が短絡することはない。

【００４７】次に、同図(ｃ)の吸着装置３３は、第１、
第２の電極２７₁、２７₂の表面が、誘電体２５表面と同
一高さに形成された構造になっている。この吸着装置３
３上に絶縁性基板１１を配置した場合には、絶縁性基板
１１裏面は第１、第２の電極２７₁、２７₂と誘電体２５
表面に接触する。

【００４８】同図(ｄ)の吸着装置３４は、誘電体２５表
面に形成された溝２８内に第１、第２の電極２７₁、２
７₂が配置された構造となっている。第１、第２の電極
２７₁、２７₂の表面は、誘電体２５表面よりもひくく、
溝２８の奥まった部分に位置されており、結局、、第
１、第２の電極２７₁、２７₂間には、誘電体２５を構成
する物質から成る突部２９が配置された構造になってい
る。

【００４９】突部２９の先端部分は同じ高さになってい
るから、この吸着装置３４上に絶縁性基板１１を配置し
た場合には、絶縁性基板１１裏面は突部２９先端に当接
され、第１、第２の電極２７₁、２７₂の間には隙間が形
成されることになる。

【００５０】以上の図４(ａ)〜(ｄ)に示した吸着装置３
１〜３４を腕部２２の先端に取り付けた基板搬送装置も
本発明に含まれる。

【００５１】更に、第１、第２の電極のパターンは、図
２に示した第１、第２の電極２７₁、２７₂のパターンに
限定されるものではない。

【００５２】図５(ａ)の吸着装置３５は、櫛状であっ
て、その櫛の歯の部分が同心円状に配置された第１、第
２の電極４１₁、４１₂を有している。第１、第２の電極
４１₁、４１₂の櫛の歯の部分は互いに絶縁された状態で
交互に配置されている。

【００５３】同図(ｂ)の吸着装置３６は、８個の電極を
有している。この８個の電極は、同じ極性の電圧が印加
される４個の第１の電極４２A₁、４２B₁、４２C₁、４２
D₁と、その電圧とは異なる極性の電圧が印加される４個
の第２の電極４２A₂、４２B₂、４２C₂、４２D₂とで構成
されている。印加する電圧の大きさは必要に応じて任意
に設定することができる。

【００５４】第１の電極４２A₁、４２B₁、４２C₁、４２
D₁と、第２の電極４２A₂、４２B₂、４２C₂、４２D₂と
は、櫛状にパターニングされており、櫛の歯の部分が同
心円状に配置されている。また、第１の電極４２A₁、４
２B₁、４２C₁、４２D₁と、第２の電極４２A₂、４２B₂、
４２C₂、４２D₂の櫛の歯の部分は非接触で噛み合うよう
に交互に配置されている。

【００５５】同図(ｃ)の吸着装置３７は、第１、第２の
電極４３₁、４３₂が、二重渦巻き状に配置されたもので
ある。

【００５６】上記吸着装置３５〜３７を腕部２２先端に
取り付けた基板搬送装置も本発明に含まれる。

【００５７】以上は、図６に示したように、搬送対象の
絶縁性基板１１ａの成膜面１０ａが鉛直上方を向いた場
合について説明したが、本発明の基板搬送装置はそれに
限定されるものではない。

【００５８】同図の起立姿勢の絶縁性基板１１ｂのよう
に、成膜面１０ｂを横方向を向けた状態でも搬送するこ
とができる。

【００５９】この場合には、吸着装置２３、３１〜３７
の吸着面を鉛直にし、絶縁性基板１１ｂの成膜面１０ｂ
とは反対側の面を吸着すればよい。

【００６０】また、同図の基板１１ｃの成膜面１０ｃは
鉛直下方を向いているが、この姿勢の基板１１ｃを搬送
する場合、吸着装置２３、３１〜３７の吸着面(第１、
第２の電極が形成された面)を下方に向け、基板１１ｃ
の成膜面１０ｃとは反対側の面を吸着すればよい。この
場合には、基板１１ｃは吊り下げられた状態で搬送され
ることになる。

【００６１】大型のセラミックスの板(誘電体２５)を製
造することは困難であるため、以上説明した基板搬送装
置では、大型の絶縁性基板を搬送することは困難であ
る。

【００６２】それに対し、図７の基板搬送装置５３は、
腕部５２に複数の吸着装置３８₁〜３８₉(ここでは９個)
が設けられている。各吸着装置３８₁〜３８₉は、上記吸
着装置２３、３１〜３７のいずれかの構成が採用されて
おり、各吸着装置３８₁〜３８₉の吸着面は、同一平面上
に配置されている。従って、この基板搬送装置５３で
は、小型の吸着装置３８₁〜３８₉を用い、図８のよう
に、大型の絶縁性基板１１ｄを吸着することができる。

【００６３】また、図９に示した２台の基板搬送装置５
４、５５は、腕部５７、５８先端に吸着装置３９、４０
が取り付けられている。この吸着装置３９、４０につい
ても、上記吸着装置２３、３１〜３７のいずれかの構成
が採用されており、一方の吸着装置３９の吸着面は鉛直
下方に向けられ、他方の吸着装置４０の吸着面は鉛直上
方に向けられている。

【００６４】一方の吸着装置３９に絶縁性基板１１ｅを
吸着して吊り下げ、他方の吸着装置４０上に絶縁性基板
１１ｆを配置して吸着すると、２枚の絶縁性基板１１
ｅ、１１ｆは水平に対向する。

【００６５】その状態で２枚の絶縁性基板１１ｅ、１１
ｆを水平方向に相対移動させ、位置合わせをした状態
で、吸着装置３９、４０を垂直方向に移動させると、２
枚の絶縁性基板１１ｅ、１１ｆの成膜面１０ｅ、１０ｆ
を向き合わせた状態で貼り合わせることができる。

【００６６】このとき、成膜面１０ｅ、１０ｆは吸着装
置３９、４０とは接触しておらず、真空処理された直後
の状態が維持されている。この成膜面１０ｅ、１０ｆは
溝がパターニングされている等、平坦でなくてもよく、
また、蛍光物質等が塗布されていてもよい。更に、成膜
面１０ｅ、１０ｆは薄膜を形成する面には限定されず、
真空処理される面を広く含む。

【００６７】なお、上記真空処理装置１０はスパッタリ
ング装置であったが、本発明の基板搬送装置２３、５３
〜５５は、ＣＶＤ装置、エッチング装置、イオン注入装
置等の真空中で処理対象物を真空処理する装置の他、真
空雰囲気中で絶縁性基板を位置合わせする装置に広く使
用することができる。

【００６８】また、本発明の第１、第２の電極間の電界
強度は絶縁破壊が起こらない範囲で大きい方がよく、
１．０×１０⁶Ｖ／ｍ以上の強度の電場を形成すること
が望ましい。

【００６９】従って、第１、第２の電極間の距離は、絶
縁破壊が生じない範囲で狭い方が望ましい。第１、第２
の電極は、例えば導電性カーボンで構成されており、ス
クリーン印刷法やマスクを用いて成膜する方法(ＰＶ
Ｄ、ＣＶＤ、イオン注入)によって形成することができ
る。また、エッチング技術を用いて形成することができ
る。いずれの形成方法によっても、電極間の距離をどの
程度近接させることができるかは、各形成方法のパター
ニング精度に依存する。

【００７０】また、第１、第２の電極が対向した部分の
長さは長い方が吸着力が大きくなるので、電極幅は狭い
方が望ましい。その幅をどの程度小さくできるかもパタ
ーニング精度に依存する。

【００７１】

【発明の効果】真空雰囲気中で絶縁性基板を吸着した状
態で搬送することができる。特に、絶縁性基板を起立姿
勢にしたり、吊り下げた状態で搬送できるので、種々の
プロセスに対応することができる。また、絶縁性基板を
真空雰囲気中で位置合わせができるので、真空処理した
基板と基板を真空雰囲気中で貼り合わせて密封すると、
成膜面を大気中に取り出さないでディスプレイ用のパネ
ルを封止することができる。更に、複数の吸着装置を用
いた場合には、小型の吸着装置を複数個配置して大型の
絶縁性基板を吸着することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板搬送装置と真空処理装置の一例を
示す図

【図２】(ａ)：本発明に用いられる吸着装置の一例の断
面図 (ｂ)：その第１、第２の電極のパターンを示す図

【図３】電場の形成状態を説明するための図

【図４】(ａ)〜(ｄ)：本発明に用いられる吸着装置の第
二例〜第五例の断面図

【図５】(ａ)〜(ｃ)：本発明に用いられる吸着装置の第
１、第２の電極配置方法の第二例〜第四例を説明するた
めの図

【図６】様々な姿勢の絶縁性基板を示す図

【図７】複数の吸着装置を有する基板搬送装置の例

【図８】その基板搬送装置に絶縁性基板を吸着させた状
態を示す図

【図９】本発明の基板搬送装置を位置合わせに応用した
例を示す図

【図１０】(ａ)、(ｂ)：従来技術の基板搬送装置を説明
するための図

【図１１】(ａ)、(ｂ)：クーロン力を利用した従来の静
電吸着装置を説明するための図

【符号の説明】

２０、５３〜５５……基板搬送装置２２、５２、５７、５８……腕部２３、３１〜４０……吸着装置２６……誘電体層２７₁、４１₁、４２A₁、４２B₁、４２C₁、４２D₁、４３
₁……第１の電極２７₂、４１₂、４２A₂、４２B₂、４２C₂、４２D₂、４３
₂……第２の電極２９……突部１０……真空処理装置１１、１１a〜１１f……絶縁性基板１２……真空槽１７……電源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3F061 AA01 CA00 CC00 DB00 DB04 DB06 4K029 KA01 5F031 CA05 FA07 GA09 NA05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】移動可能に構成された腕部と、前記腕部に設けられ、腕部の移動によって移動可能に構
成された吸着装置とを有する基板搬送装置であって、前記吸着装置には、幅４ｍｍ以下であって、間隔２ｍｍ
以下の第１、第２の電極が設けられ、前記吸着装置は、前記第１、第２の電極間に電圧を印加
した状態で移動できるように構成された基板搬送装置。
【請求項２】前記第１、第２の電極表面には誘電体層が
配置され、前記吸着装置表面に基板を密着させたとき
に、前記第１、第２の電極と前記基板とに間には誘電体
層が存するように構成された請求項１記載の基板搬送装
置。
【請求項３】前記第１、第２の電極表面は露出され、前
記吸着装置に基板を密着させたときに、前記第１、第２
の電極と前記基板とは接触するように構成された請求項
１記載の基板搬送装置。
【請求項４】前記第１、第２の電極間には突部が設けら
れ、前記吸着装置に基板を密着させたときに、前記基板
は前記突部に当接され、前記基板と前記第１、第２の電
極間には隙間が形成されるように構成された請求項１記
載の基板搬送装置。
【請求項５】前記吸着装置を複数有する請求項１乃至請
求項４のいずれか１項記載の基板搬送装置であって、前
記各吸着装置表面は略同じ高さにされ、前記各吸着装置
のうちの所望のものに電圧を供給できるように構成され
た基板搬送装置。
【請求項６】電源を有し、該電源により、少なくとも前
記第１、第２の電極間に１．０×１０⁶Ｖ／ｍ以上の電
界を形成できるように構成された請求項１乃至請求項５
のいずれか１記載の基板搬送装置。
【請求項７】真空槽と、請求項１乃至請求項６のいずれ
か１項記載の基板搬送装置を有し、前記基板搬送装置の前記吸着装置上に絶縁性基板を吸着
した状態で、前記絶縁性基板を前記真空槽に搬入又は搬
出できるように構成された真空処理装置。
【請求項８】真空槽と、請求項１乃至請求項６のいずれ
か１項記載の基板搬送装置を有し、前記真空槽内には少なくとも前記吸着装置が配置され、
前記真空槽内を真空雰囲気にして、絶縁性基板を前記吸
着装置に吸着させ、前記真空槽内で前記絶縁性基板を吊
り下げられるように構成された真空処理装置。
【請求項９】前記吊り下げられた絶縁性基板の下方に他
の基板が配置され、前記吊り下げられた絶縁性基板と前
記他の基板との相対的な位置合わせができるように構成
された請求項８記載の真空処理装置。