CN110720138A - 用于晶粒接合应用的静电载具 - Google Patents
用于晶粒接合应用的静电载具 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110720138A CN110720138A CN201880037973.9A CN201880037973A CN110720138A CN 110720138 A CN110720138 A CN 110720138A CN 201880037973 A CN201880037973 A CN 201880037973A CN 110720138 A CN110720138 A CN 110720138A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrostatic carrier
- carrier
- dies
- electrostatic
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 11
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Manipulator (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
本公开内容的实施方式涉及使用静电载具以固定、传送及组装晶粒于基板上。在一个实施方式中，一种静电载具，包含：主体，具有顶表面与底表面；设置在主体内的至少第一双极性吸附电极；设置在主体的底表面上的至少两个接触垫，且至少两个接触垫连接至第一双极性吸附电极；以及浮接电极，设置在第一双极性吸附电极与底表面之间。在另一实施方式中，一种晶粒组装系统，包含：静电载具，静电载具经配置以静电固定多个晶粒；载具保持平台，经配置以保持静电载具；晶粒输入平台；以及装载机器人，具有一动作范围，动作范围经配置以从晶粒输入平台拾取多个晶粒并将多个晶粒放置在静电载具上。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式一般涉及用于固定、传送及组装晶粒(die)于基板上的系统与方法。更特定而言，本文所说明的实施方式涉及使用静电载具以固定、传送及组装晶粒于基板上。
相关技术的描述
在半导体制造处理期间内，所制备的晶粒在于基板(诸如CMOS晶片)上组装之前被清洁。在清洁操作期间内，所制备的晶粒被晶片框架(tape frame)上的黏着剂附接。在清洁之后，来自晶片框架的晶粒被单独传送至CMOS晶片，因为晶片需要被在基板上对准。晶粒的单独传送以及在基板上的定位是耗时的，并显著限制了制造处理的产量。
因此需要改良的方式，以固定、传送及组装大量晶粒于基板上。
发明内容
本公开内容的实施方式一般涉及使用静电载具以固定、传送及组装晶粒于基板上。在一个实施方式中，静电载具包含：主体，具有顶表面与底表面；设置在主体内的至少第一双极性吸附电极；设置在主体的底表面上的至少两个接触垫，且至少两个接触垫连接至第一双极性吸附电极；以及浮接电极，设置在第一双极性吸附电极与底表面之间。
在本公开内容的另一实施方式中，公开一种晶粒组装系统。晶粒组装系统包含：静电载具，静电载具经配置以静电固定多个晶粒；载具保持平台，经配置以保持静电载具；晶粒输入平台；以及装载机器人，具有一动作范围，动作范围经配置以从晶粒输入平台拾取多个晶粒并将多个晶粒放置在静电载具上。静电载具包含：主体，具有顶表面与底表面；设置在主体内的至少第一双极性吸附电极；设置在主体的底表面上的至少两个接触垫，且至少两个接触垫连接至第一双极性吸附电极；以及浮接电极，设置在第一双极性吸附电极与底表面之间。
另一实施方式提供在基板上组装多个晶粒的方法。方法包含：将多个晶粒从晶粒输入平台放置到静电载具上；将多个晶粒电性吸附至静电载具；将静电载具移动至晶粒组装系统的载具保持平台；施加液体到多个晶粒上；移动基板以接合多个晶粒；以及使多个晶粒解吸附(de-chucking)自静电载具。
附图说明
可参考多个实施方式以更特定地说明以上简要总结的本公开内容，以更详细了解本公开内容的上述特征，附图图标说明了其中一些实施方式。然而应注意到，附图仅说明示例性实施方式，且因此不应被视为限制实施方式的范围，并可承认其他等效的实施方式。
图1为用于晶粒接合应用的静电载具的正截面简图。
图2为图1的静电载具的第一实施方式的俯视图。
图3为图1的静电载具的第二实施方式的俯视图。
图4为图1的静电载具的第三实施方式的俯视图。
图5为图1的静电载具的第四实施方式的俯视图。
图6为图1的静电载具的电性示意图。
图7为晶粒组装系统的正截面简图，此晶粒组装系统用于将多个晶粒装载到图1的静电载具上。
图8为晶粒组装系统的正截面简图，此晶粒组装系统用于将来自图1的静电载具的多个晶粒组装到基板上。
图9A至图9C图示使用图1的静电载具组装晶粒到基板的三个阶段。
图10图示使用图1的静电载具组装多个晶粒到基板上的方法的方块图。
为了协助理解，已尽可能使用相同的元件符号标定图中共有的相同元件。已思及到，一个实施方式的元件与特征，可无需进一步的叙述即可被有益地并入其他实施方式中。
具体实施方式
本公开内容的实施方式一般涉及使用静电载具以固定、传送及组装晶粒于基板上。本文所说明的静电载具被用于静电性地固定来自晶片框架或其他晶粒来源的多个晶粒。静电载具被用于传送被固定的多个晶粒通过清洁操作，并传送至晶粒组装系统，在晶粒组装系统处多个晶粒被组装到基板上。
参照图1，静电载具100包含主体110，主体110具有顶表面112与底表面114。在图1的说明性示例中，主体110的形状为圆柱，但可具有任何适合的形状。在其中主体110为碟形的实施方式中，主体110的直径可实质类似于200mm基板、300mm基板或450mm基板。主体110的顶表面112实质匹配于要设置于顶表面上的基板的形状与尺寸。主体110的底表面114包含两个接触垫116与118。
主体110由彼此垂直堆叠的一或多层介电材料制成。在一些实施方式中，主体110具有五层，如图1所示。顶层111与底层119由涂层材料制成，涂层材料诸如但不限于可承受等离子体条件与清洁操作的疏水性材料。疏水性材料帮助防止清洁液体渗透过所吸附的组件的边缘，所吸附的组件包含吸附至静电载具100的多个晶粒。若清洁液体因毛细作用而渗入多个晶粒与静电载具100之间的区域，则在清洁操作期间内多个晶粒可变得非期望地与静电载具100解吸附。
中间层115包含静电载具100的核心。核心为静电载具100的结构层，提供静电载具100的刚性。核心可由介电材料制成，以避免电弧问题，介电材料诸如陶瓷、树脂、玻璃与聚亚酰胺材料，如上文所讨论的。在一些实施方式中，核心亦可由具有氧化物涂层的硅晶片制成。
中间层115与顶层111之间的层113，以及中间层115与底层119之间的层117，亦由介电材料制成，诸如但不限于陶瓷或聚亚酰胺材料。适合的陶瓷材料示例包含硅氧化物，诸如石英或玻璃、蓝宝石、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、含钇材料、氧化钇(Y2O3)、钇铝石榴石(YAG)、氧化钛(TiO)、氮化钛(TiN)、硅碳化物(SiC)和类似物。113以及层117亦可包含层压或旋涂的聚合物或无机膜，诸如氮化硅。在层113中设置双极性静电吸附电极120。
设置在层113中的双极性静电吸附电极120包含两个电极120A与120B。电极120A电性连接至接触垫116。电极120B电性连接至接触垫118。电极120A、120B在被施加电压电力时可依所需具有相反极性，因此产生静电力。电极120A、120B由导电材料制成，诸如但不限于钨、铜、银、硅、铂。电极120A、120B由电镀、网印等等制成。可由任何方式需要配置电极120A、120B以静电性地保持多个晶粒。例如，电极120A、120B可为同心的(如图3图示)、半圆形(如图4图示)、或叉指式(如图2与图5图示)。
浮接电极130被设置在层117中，在双极性静电吸附电极120与主体110的底表面114之间。浮接电极130实质防止静电电荷累积在底表面114上。因此，静电载具100可被设置在载具保持平台140上而不被吸附至载具保持平台140。浮接电极130具有孔132，电极120A通过孔132电性连接至接触垫116。浮接电极130具有另一孔134，电极120B通过孔134电性连接至接触垫118。
载具保持平台140经配置以充电静电载具100。载具保持平台140包含电源145与连接至电源145的两个弹簧针142与144。在弹簧针142接触接触垫116时，弹簧针142经配置以传递AC或DC电力至电极120A。在弹簧针144接触接触垫118时，弹簧针144经配置以传递AC或DC电力至电极120B。电源145因此被配置以提供电力至电极120A与120B，以产生具有相反极性的电荷。在一个实施方式中，电源145可经配置以提供+/-0.5-3kV DC电力至电极120A与120B。在替代性实施方式中，电池电源(未图示)可被嵌入静电载具100内，以充电电极120A与120B。施加至电极120A与120B的正电荷与负电荷，在顶表面112上产生静电力，静电力吸引多个晶粒并将多个晶粒固定至静电载具100。
电极120A、120B在静电载具100上的设置，可由许多不同方式来配置。例如，图2图示图1的静电载具100的一个实施方式的俯视图。在图2，静电载具200具有电极220A与220B，电极220A与220B设置在顶表面212下。电极220A具有端点222A与多个电极指224A。电极220B具有端点222B与多个电极指224B。多个电极指224A、224B彼此交插，以提供跨顶表面212的大面积分布的局部静电吸引，这整合来看提供了强力的吸附力，同时使用较少的电力。电极指224A、224B可被形成为不同的长度与几何形状。在电极220A的电极指224A的每一个之间，空间225被限定为接收电极220B的电极指224B。空间225可为气隙(air gap)，或被填充介电间隔垫材料。
图3与图4图示图1的静电载具100的其他实施方式的俯视图。例如，图3图示具有极性相反的同心电极320A与320B的静电载具300。电极320A具有电极端点322A。电极320B具有电极端点322B。图4图示具有极性相反的半圆形电极420A与420B的静电载具400。电极420A具有电极端点422A。电极420B具有电极端点422B。
图5图示图1的静电载具100的另一实施方式的俯视图。图5图示具有多个叉指式双极性吸附电极520的静电载具500。每一双极性吸附电极520具有极性相反的两个电极520A与520B。电极520A具有电极端点522A。电极520B具有电极端点522B。每一双极性吸附电极520经配置以静电吸引并固定一个晶粒580至静电载具500的顶表面512上。因此，可将一或多个晶粒580吸附至静电载具500的顶表面512。
图6为静电载具100的一个实施方式的电性示意图。在图6中，第一双极性吸附电极120具有电极120A与120B。电极120A由切换器125电性连接至接触垫116。电极120B由切换器125电性连接至接触垫118。类似的，第二双极性吸附电极120'具有电极120A'与120B'。电极120A'由切换器125'电性连接至接触垫116'。电极120B'由切换器125'电性连接至接触垫118'。切换器125与125'的开闭状态由控制器615控制，控制器615可位于静电载具100内部或外部。控制器615经配置以通过独立控制切换器125、125'的状态，来相对于第一双极性吸附电极120独立地控制第二双极性吸附电极120'。
图7为晶粒组装系统700的正截面简图，晶粒组装系统700用于将多个晶粒装载到静电载具100上。晶粒组装系统700包含静电载具100，静电载具100经配置以静电固定多个晶粒，如前述。
静电载具100被放置在载具保持平台140上。载具保持平台140具有电源145与电性连接至电源145的两个弹簧针142与144。弹簧针142、144经配置以与接触垫116、188连接，并从电源145提供电力至电极120A、120B。电源145因此被配置以提供电力至电极120A、120B，以产生具有相反极性的电荷。
晶粒组装系统700包含晶粒输入平台750，晶粒输入平台750具有设置于晶粒输入平台750上的多个晶粒780。晶粒输入平台750被放置为邻近于载具保持平台140上的静电载具100。装载机器人700亦被放置为邻近于晶粒输入平台750与静电载具100。装载机器人770具有连接至臂776的主体772。主体772耦接至致动器774。致动器774经配置以在垂直方向中上移或下移臂，以及在水平方向中横向移动臂。致动器774亦经配置以围绕设置通过主体772的垂直轴旋转臂776，使得臂776可在晶粒输入平台750上方的位置与静电载具100上方的位置之间移动。臂776包含夹持器778，夹持器778经配置以拾取设置在晶粒输入平台750上的多个晶粒780，并将多个晶粒780放置在静电载具100上。夹持器778由致动器(未图示)来操作。在一些实施方式中，夹持器778可为机械夹持器，虽然在其他实施方式中，夹持器778可为真空吸盘、静电吸盘、或其他适合的晶粒保持器。多个晶粒780被放置在静电载具100上且被静电固定至静电载具100，以被传送通过数个随后的清洁操作。
图8为晶粒组装系统800的正截面简图，此晶粒组装系统800用于在清洁操作之后，将设置在静电载具100上的多个晶粒780与基板875组装。晶粒组装系统800包含载具保持平台860，载具保持平台860经配置以接收静电载具100。如前述，静电载具100具有多个晶粒780，多个晶粒780静电固定于静电载具100上。载具保持平台860具有壁862，壁862限定用于保持静电载具100的凹穴(pocket)864。凹穴864的直径大于静电载具100的直径，使得静电载具100可被定位在凹穴864内。载具保持平台860亦包含电源865与电性连接至电源865的两个弹簧针866与868。在弹簧针866、868接触接触垫116、118时，弹簧针866、868经配置以传递AC或DC电力至电极120A、120B。
第一机器人870邻近于静电载具100。第一机器人870具有连接至臂876的主体872。臂876耦接至夹持器878。夹持器878经配置以固定基板875于静电载具100上方。夹持器878由致动器(未图示)操作。在一些实施方式中，夹持器878可为机械夹持器，以用于保持基板875。然而，在其他实施方式中，夹持器878可为真空吸盘、静电吸盘、或其他适合用于保持基板875的基板保持器。第一机器人870的主体872耦接至致动器874。致动器874经配置以上移与下移夹持器878，使得基板875移向与移离多个晶粒780，多个晶粒780被静电吸附至载具保持平台860上的静电载具100。
基板875可为CMOS晶片，虽然在其他实施方式中，基板875可为准备好让晶粒在基板上组装的任何半导体基板。基板875可由各种不同材料中的一种或多种来组成，诸如但不限于硅、砷化镓、铌酸锂等等。基板875的直径可为200mm、300mm、450mm或其他直径。
第二机器人890邻近于晶粒组装系统860中的静电载具100。第二机器人890具有主体892与臂896。臂896耦接至分配器898。分配器898经配置以分配液体895于静电吸附至静电载具100的多个晶粒780上。在一些实施方式中，液体895约为纳升水，虽然在其他实施方式中可使用水或另一液体的类似测量手段。第二机器人890的主体892耦接至致动器894。致动器894经配置以在水平方向中横向移动臂896，以及围绕通过主体892的垂直轴旋转臂896，使得臂896可移向或移离静电载具100上方的位置。臂896的旋转移动与平移移动，将分配器898选择性定位在每一晶粒780之上，使得分配器898在定位在晶粒组装系统860时，可施加液体895到设置在静电载具100上的每一晶粒780的顶端。
在一些实施方式中，静电载具100、晶粒输入平台750与装载机器人770为晶粒组装系统800的部分，因此形成晶粒组装系统的实施方式(未图示)，其中晶粒780可被从晶粒输入平台750拾取、由装载机器人770放置在静电载具100上，且随后传送至载具保持平台860以随后在基板875上组装。
本文所说明的静电载具100与晶粒组装系统700、800，有益地使得具有不同类型与尺寸的多个晶粒能够被静电固定，并传送通过清洁操作，并传送到晶粒组装系统上，以随后在基板上组装。在静电载具100的操作期间内，在接触垫116、118被放置为接触载具保持平台140的弹簧针142、144时，电力被施加至双极性吸附电极120。在电力被从电源145施加通过弹簧针142、144，负电荷可被施加至电极120A且正电荷可被施加至电极120B(或以相反极性施加)，以产生静电力。在吸附期间内，由电极120A、120B产生的静电力吸引并固定多个晶粒780至静电载具100。随后，在电源145供应的电力被断接时，双极性吸附电极120上的残余电荷被在一段时间期间内充足地维持，使得多个晶粒780可被静电固定且自由传送于晶粒组装系统700与800之间，而不需要再连接至另一电源。为了将多个晶粒780与静电载具100解吸附，可提供相反极性的短脉冲电力至电极120A、120B，或可利用内部切换器(未图示)将电极120A、120B短路。因此，存在于双极性吸附电极120中的残余电荷被移除，因此释放晶粒780。
在晶粒组装系统700中，静电载具100被放置在载具保持平台140上，其中静电载具100可被静电性地充电。载具保持平台140邻近于装载机器人770与晶粒输入平台750，晶粒输入平台750上设置了多个晶粒780。装载机器人770被利用以从晶粒输入平台750拾取多个晶粒780，并将他们放置在静电载具100上。装载机器人770的致动器774垂直与水平地移动臂776，并围绕通过装载机器人770主体772的垂直轴旋转臂。臂776的平移性与旋转性移动，将耦接至臂776的夹持器778定位，以能够使夹持器778从晶粒输入平台750拾取晶粒780，并将晶粒780放在静电载具100上。多个晶粒780随后被吸附至静电载具100。可在多个晶粒780被放置在静电载具100上之前或之后，将静电载具100充电。因此被固定至静电载具100的多个晶粒780，被传送通过清洁操作，诸如浸入清洁槽、刷洗、超音波清洁等等。
在晶粒组装系统800中，静电载具100与多个晶粒780被放在载具保持平台860上。载具保持平台860邻近于第一机器人870与第二机器人890。基板875被机器人870移动到保持于载具保持平台860中的静电载具100上方的位置，以将多个晶粒780组装到基板875上。第二机器人890被利用于分配液体895于多个晶粒780上。第二机器人890水平地定位臂896，并围绕通过第二机器人890主体892的垂直轴旋转臂896，使得臂896可移向与移离静电载具100上方的位置。臂896的旋转移动与平移移动，将分配器898选择性定位在每一晶粒780上。分配器898分配液体895(诸如液滴)于吸附至静电载具100的多个晶粒780的每一个的顶端上。
如图9A图示，基板875随后被第一机器人870移向多个晶粒780。第一机器人870将臂876上的夹持器878下移，使得附接至夹持器878的基板875可接触分配在设置于静电载具100上的多个晶粒780上的液体895。多个晶粒780被解吸附自静电载具100，例如通过从载具保持平台860上的电源865施加相反极性的电压。如图9B图示，在基板875接合多个晶粒780时，多个晶粒780未被固定在静电载具100上。由于基板875与解吸附晶粒780之间的表面张力，液体895产生力，使得多个晶粒780自对准并附接至基板875。在多个晶粒780被固定至基板875时，第一机器人870将夹持器878移离静电载具100，如图9C图示。因此被组装在基板875上的多个晶粒780，被传送以进行永久接合及其他处理。
图10为根据本公开内容的另一实施方式，使用静电载具在基板上组装多个晶粒的方法1000的方块图。方法1000开始于方块1010，通过将多个晶粒从晶粒输入平台放到静电载具上。静电载具具有拥有两个电极的至少一个双极性吸附电极。在给双极性吸附电极施加电力时，电极获取相反极性的电荷，因此产生吸引静电力。
在方块1020，多个晶粒被静电吸附至静电载具。多个晶粒被来自设置于静电载具中的双极性吸附电极的静电力固定。在一些实施方式中，在多个晶粒放置在静电载具上之前，可对静电载具充电。在其他实施方式中，在多个晶粒放置在静电载具上之后，可对静电载具充电。在任一种情况中，多个晶粒被固定至静电载具，并可被自由传送而无需使用对电源的永久连结。多个晶粒因此被传送通过清洁操作，诸如浸入清洁槽、刷洗、超音波清洁等等。
在方块1030，静电载具被移动到晶粒组装系统的载具保持平台。在抵达晶粒组装系统时，所清洁的晶粒保持被静电吸附至静电载具。在抵达时，静电载具被定位在由第一机器人保持的基板下方，以将经过清洁的晶粒组装到基板。
在方块1040，由附接至第二机器人的分配器，在多个晶粒上施加液体。在一些实施方式中，液体约为纳升水，虽然在其他实施方式中可使用水或另一液体的类似测量手段。
在方块1050，由第一机器人将基板向下移向多个晶粒，以从静电载具拾取多个晶粒。随着基板接近多个晶粒，基板触碰施加在多个晶粒上的液体表面。方块1050的操作可发生在方块1060操作的之前、之后或同时。
在方块1060，多个晶粒被解吸附自静电载具。解吸附为实质移除将多个晶粒固定至静电载具的静电电荷的处理，此通过施加相反极性的电压到设置在静电载具中的电极，或将这些电极短路。静电力的减少或缺乏，使得多个晶粒被解吸附自静电载具。在解吸附之后，多个晶粒未被固定在静电载具上，并可被自由传送至基板。
由于基板触碰设置在多个晶粒上的液体的表面张力，施加到多个晶粒上的液体产生力。表面张力的力将多个晶粒从静电载具拉到基板的底表面上。一旦多个晶粒被表面张力的力固定至基板底表面，则基板被第一机器人移离静电载具。
本文所说明的静电载具被用于固定并传送多个晶粒通过清洁操作，并传送至晶粒组装系统上，在晶粒组装系统处多个晶粒被组装到基板上。相较于当前所使用的从晶片框架单独传送晶粒到晶粒保持器以及基板上，能够一次大量固定且传送晶粒的能力，提供了良好的优点。传送晶粒到基板上所需的时间被大量减少，且因此提升了所组装晶粒的产量。再者，本文所说明的静电载具可容纳多种晶粒类型与尺寸，因此相对于对特定晶粒尺寸所预制的现有晶粒保持器提供了另一优点。
虽然前述内容关于本公开内容的特定实施方式，但应理解到这些实施方式仅用于说明本发明的原理与应用。因此应理解到，可对所说明的实施方式进行多种修改以完成其他实施方式，而不会脱离附加权利要求书所限定的本发明的精神与范围。
Claims (15)
1.一种静电载具，包含：
主体，所述主体具有顶表面与底表面；
至少第一双极性吸附电极，所述至少第一双极性吸附电极设置在所述主体内；
至少两个接触垫，所述至少两个接触垫设置在所述主体的所述底表面上，且所述至少两个接触垫连接至所述第一双极性吸附电极；以及
浮接电极，所述浮接电极设置在所述第一双极性吸附电极与所述底表面之间。
2.一种晶粒组装系统，包含：
静电载具，所述静电载具经配置以静电固定多个晶粒，所述静电载具包含：
主体，所述主体具有顶表面与底表面；
至少第一双极性吸附电极，所述至少第一双极性吸附电极设置在所述主体内；
至少两个接触垫，所述至少两个接触垫设置在所述主体的所述底表面上，且所述至少两个接触垫连接至所述第一双极性吸附电极；以及
浮接电极，所述浮接电极设置在所述第一双极性吸附电极与所述底表面之间；
载具保持平台，所述载具保持平台经配置以保持所述静电载具；
晶粒输入平台；以及
装载机器人，所述装载机器人具有动作范围，所述动作范围经配置以从所述晶粒输入平台拾取多个晶粒并将所述多个晶粒放置在所述静电载具上。
3.如权利要求1所述的静电载具和如权利要求2所述的晶粒组装系统，其中所述静电载具进一步包含：
第二双极性吸附电极，所述第二双极性吸附电极设置在所述主体内，所述第二双极性吸附电极可被相对于所述第一双极性吸附电极独立控制。
4.如权利要求1所述的静电载具和如权利要求2所述的晶粒组装系统，其中所述静电载具进一步包含：
疏水涂层，所述疏水涂层设置在所述主体的所述顶表面上与所述底表面上。
5.如权利要求1所述的静电载具和如权利要求2所述的晶粒组装系统，其中所述静电载具的所述主体包含三个或更多个层。
6.如权利要求5所述的静电载具和所述的晶粒组装系统，其中所述静电载具的所述主体进一步包含：
介电顶层，所述介电顶层设置在核心层的顶端，其中所述第一双极性吸附电极设置在所述介电顶层中；以及
介电底层，所述介电底层设置在所述核心层下方，其中所述浮接电极设置在所述介电底层中。
7.如权利要求6所述的静电载具和所述的晶粒组装系统，进一步包含：
顶疏水层与底疏水层，所述顶疏水层在所述介电顶层上，且所述底疏水层设置在所述介电底层下方。
8.如权利要求6所述的静电载具和所述的晶粒组装系统，其中所述介电顶层与所述介电底层由基于硅的陶瓷材料形成。
9.如权利要求6所述的静电载具和所述的晶粒组装系统，其中所述核心层由基于铝的陶瓷材料形成。
10.如权利要求2所述的晶粒组装系统，所述晶粒组装系统进一步包含：
第二载具保持平台，所述第二载具保持平台经配置以接收所述静电载具；
第一机器人，所述第一机器人经配置以将基板移向与移离所述多个晶粒，所述多个晶粒被静电吸附至设置在所述第二载具保持平台中的所述静电载具；以及
第二机器人，所述第二机器人经配置以分配液体到所述多个晶粒上。
11.如权利要求2所述的晶粒组装系统，其中所述静电载具保持平台进一步包含：
至少两个针，所述至少两个针经配置以在所述针接触所述接触垫时传递电力至所述第一双极性吸附电极。
12.一种在基板上组装多个晶粒的方法，所述方法包含以下步骤：
将所述多个晶粒从晶粒输入平台放置到静电载具上；
将所述多个晶粒电性吸附至所述静电载具；
将所述静电载具移动至晶粒组装系统的载具保持平台；
施加液体到所述多个晶粒上；
移动基板以接合所述多个晶粒；以及
使所述多个晶粒解吸附自所述静电载具。
13.如权利要求12所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：
在放置所述多个晶粒于所述静电载具上之前，在载具保持平台上将所述静电载具预充电。
14.如权利要求12所述的方法，其中在放置所述多个晶粒于所述静电载具上之后对所述静电载具充电。
15.如权利要求12所述的方法，其中与所述多个晶粒接合的所述基板被静电吸附至第二载具。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201762523600P | 2017-06-22 | 2017-06-22 | |
| US62/523,600 | 2017-06-22 | ||
| PCT/US2018/037566 WO2018236670A1 (en) | 2017-06-22 | 2018-06-14 | ELECTROSTATIC SUPPORT FOR FIXING APPLICATIONS OF CHIPS |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110720138A true CN110720138A (zh) | 2020-01-21 |
Family
ID=64693437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880037973.9A Pending CN110720138A (zh) | 2017-06-22 | 2018-06-14 | 用于晶粒接合应用的静电载具 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180374736A1 (zh) |
| EP (1) | EP3642870A4 (zh) |
| JP (1) | JP2020524898A (zh) |
| KR (1) | KR20200011575A (zh) |
| CN (1) | CN110720138A (zh) |
| TW (2) | TWI681498B (zh) |
| WO (1) | WO2018236670A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7145042B2 (ja) * | 2018-11-08 | 2022-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持器及びプラズマ処理装置 |
| US11094573B2 (en) * | 2018-11-21 | 2021-08-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for thin wafer carrier |
| US11366156B2 (en) * | 2019-01-24 | 2022-06-21 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Crack detection integrity check |
| US20220199449A1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-06-23 | Intel Corporation | Carrier for microelectronic assemblies having direct bonding |
| WO2023090155A1 (ja) * | 2021-11-16 | 2023-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム、静電キャリア及び処理方法 |
| US11831252B2 (en) * | 2021-12-07 | 2023-11-28 | The Boeing Company | Pixelated electrostatic adhesion |
| WO2024070009A1 (ja) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電キャリア、処理システム及び処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5822171A (en) * | 1994-02-22 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved erosion resistance |
| US20070151867A1 (en) * | 2006-01-05 | 2007-07-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and a method for electrochemical mechanical processing with fluid flow assist elements |
| US20100035515A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polisher with heater and method |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04300138A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック |
| US5764471A (en) * | 1996-05-08 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck |
| US5870271A (en) * | 1997-02-19 | 1999-02-09 | Applied Materials, Inc. | Pressure actuated sealing diaphragm for chucks |
| US6303879B1 (en) * | 1997-04-01 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Laminated ceramic with multilayer electrodes and method of fabrication |
| US6088213A (en) * | 1997-07-11 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Bipolar electrostatic chuck and method of making same |
| US6067222A (en) * | 1998-11-25 | 2000-05-23 | Applied Materials, Inc. | Substrate support apparatus and method for fabricating same |
| KR20080042409A (ko) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | 주식회사 코미코 | 정전척 |
| US7940511B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp |
| CN102160167B (zh) * | 2008-08-12 | 2013-12-04 | 应用材料公司 | 静电吸盘组件 |
| US7929269B2 (en) * | 2008-09-04 | 2011-04-19 | Momentive Performance Materials Inc. | Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity |
| US20120227886A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Taipei Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Substrate Assembly Carrier Using Electrostatic Force |
| JP5851131B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2016-02-03 | 株式会社アルバック | 静電チャック、真空処理装置 |
| JP6016349B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-10-26 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板ホルダー及び真空処理装置 |
| KR20150016508A (ko) * | 2012-04-19 | 2015-02-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 홀더, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| KR20160058917A (ko) * | 2013-09-20 | 2016-05-25 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 통합된 정전 척을 갖는 기판 캐리어 |
| US9460950B2 (en) * | 2013-12-06 | 2016-10-04 | Applied Materials, Inc. | Wafer carrier for smaller wafers and wafer pieces |
| US20150334812A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | John Mazzocco | Design to manage charge and discharge of wafers and wafer carrier rings |
| DE102014215333B3 (de) * | 2014-08-04 | 2015-08-27 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Trägerwafer, Verfahren zur Halterung eines flexiblen Substrates und Verfahren zur Herstellung eines Trägerwafers |
| JP6924618B2 (ja) * | 2017-05-30 | 2021-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック及びプラズマ処理装置 |
-
2018
- 2018-06-14 US US16/008,569 patent/US20180374736A1/en not_active Abandoned
- 2018-06-14 EP EP18821500.8A patent/EP3642870A4/en not_active Withdrawn
- 2018-06-14 JP JP2019569710A patent/JP2020524898A/ja active Pending
- 2018-06-14 WO PCT/US2018/037566 patent/WO2018236670A1/en unknown
- 2018-06-14 CN CN201880037973.9A patent/CN110720138A/zh active Pending
- 2018-06-14 KR KR1020207002183A patent/KR20200011575A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-06-20 TW TW107121073A patent/TWI681498B/zh not_active IP Right Cessation
- 2018-06-20 TW TW108139380A patent/TW202011511A/zh unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5822171A (en) * | 1994-02-22 | 1998-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved erosion resistance |
| US20070151867A1 (en) * | 2006-01-05 | 2007-07-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and a method for electrochemical mechanical processing with fluid flow assist elements |
| US20100035515A1 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-11 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polisher with heater and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201917817A (zh) | 2019-05-01 |
| TW202011511A (zh) | 2020-03-16 |
| EP3642870A1 (en) | 2020-04-29 |
| TWI681498B (zh) | 2020-01-01 |
| JP2020524898A (ja) | 2020-08-20 |
| WO2018236670A1 (en) | 2018-12-27 |
| US20180374736A1 (en) | 2018-12-27 |
| KR20200011575A (ko) | 2020-02-03 |
| EP3642870A4 (en) | 2021-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110720138A (zh) | 用于晶粒接合应用的静电载具 | |
| JP2867526B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| CN102089875B (zh) | 双极型静电吸盘 | |
| JP4951677B2 (ja) | ウエハー移送装置 | |
| JP6656153B2 (ja) | より小さいウエハおよびウエハ片向けのウエハキャリア | |
| US10068789B2 (en) | Method of using a wafer cassette to charge an electrostatic carrier | |
| JP2009054746A (ja) | 静電チャック及び静電チャック方法 | |
| JP3191139B2 (ja) | 試料保持装置 | |
| TW201816880A (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
| CN114762097A (zh) | 一种吸附抓取装置及客体表面加工方法 | |
| JP4159926B2 (ja) | 静電把持装置及びそれを製造する方法 | |
| JPH04253356A (ja) | プッシャーピン付き静電チャック | |
| US9984913B2 (en) | Tri-modal carrier for a semiconductive wafer | |
| JPH11233601A (ja) | 静電吸着装置及びそれを用いた試料処理装置 | |
| JP2002280438A (ja) | 真空処理方法 | |
| US20220130706A1 (en) | Etching apparatus and methods of cleaning thereof | |
| JP4416911B2 (ja) | 真空処理方法 | |
| WO2020026549A1 (ja) | 基板リフト装置及び基板搬送方法 | |
| WO2024143432A1 (ja) | 静電チャック | |
| JP4073657B2 (ja) | 処理方法 | |
| JP3371888B2 (ja) | 静電チャック及び静電チャックにおける被吸着物離脱方法 | |
| JP2014060366A (ja) | プラズマダイシング方法及びプラズマダイシング装置 | |
| WO2023090155A1 (ja) | 処理システム、静電キャリア及び処理方法 | |
| KR20170004870A (ko) | 반송 장치 및 그 제어 방법 | |
| JP2004158789A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200121 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |