TWI681498B - 用於晶粒接合應用的靜電載具 - Google Patents

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Abstract

本公開內容的具體實施例相關於使用靜電載具以固定、移送及組裝晶粒於基板上。在一個具體實施例中,一種靜電載具,包含:主體,具有頂表面與底表面;設置在主體內的至少第一雙極性吸附電極;設置在主體的底表面上的至少兩個接觸墊,且至少兩個接觸墊連接至第一雙極性吸附電極;以及浮接電極,設置在第一雙極性吸附電極與底表面之間。在另一具體實施例中,一種晶粒組裝系統,包含:靜電載具,靜電載具經配置以靜電固定複數個晶粒;載具固持平臺,經配置以固持靜電載具;晶粒輸入平臺;以及裝載機器人,具有一動作範圍,動作範圍經配置以從晶粒輸入平臺拾取複數個晶粒並將複數個晶粒放置在靜電載具上。

Description

用於晶粒接合應用的靜電載具
本揭示內容的具體實施例大抵相關於用於固定、移送及組裝晶粒於基板上的系統與方法。更特定而言,本文所說明的具體實施例相關於使用靜電載具以固定、移送及組裝晶粒於基板上。
在半導體製造處理期間內,所製備的晶粒在於基板(諸如CMOS晶圓)上組裝之前被清潔。在清潔作業期間內,所製備的晶粒被晶圓框架(tape frame)上的黏著劑附接。在清潔之後,來自晶圓框架的晶粒被個別移送至CMOS晶圓,因為晶圓需要被在基板上對準。各別的移送以及晶粒在基板上的定位是耗時的,並顯著限制了製造處理的產量。
因此需要改良的方式,以固定、移送及組裝大量晶粒於基板上。
本公開內容的具體實施例大抵相關於使用靜電載具以固定、移送及組裝晶粒於基板上。在一個具體實施例中,靜電載具包含:主體,具有頂表面與底表面;設置在主體內的至少第一雙極性吸附電極;設置在主體的底表面上的至少兩個接觸墊,且至少兩個接觸墊連接至第一雙極性吸附電極;以及浮接電極,設置在第一雙極性吸附電極與底表面之間。
在本公開內容的另一具體實施例中,揭示一種晶粒組裝系統。晶粒組裝系統包含:靜電載具,靜電載具經配置以靜電固定複數個晶粒;載具固持平臺,經配置以固持靜電載具;晶粒輸入平臺;以及裝載機器人,具有一動作範圍,動作範圍經配置以從晶粒輸入平臺拾取複數個晶粒並將複數個晶粒放置在靜電載具上。靜電載具包含:主體,具有頂表面與底表面;設置在主體內的至少第一雙極性吸附電極;設置在主體的底表面上的至少兩個接觸墊,且至少兩個接觸墊連接至第一雙極性吸附電極;以及浮接電極,設置在第一雙極性吸附電極與底表面之間。
另一具體實施例提供在基板上組裝複數個晶粒的方法。方法包含:將複數個晶粒從晶粒輸入平臺放置到靜電載具上;將複數個晶粒電性吸附至靜電載具;將靜電載具移動至晶粒組裝系統的載具固持平臺;施加液體到複數個晶粒上;移動基板以接合複數個晶粒;以及使複數個晶粒解吸附(de-chucking)自靜電載具。
本公開內容的具體實施例大抵相關於使用靜電載具以固定、移送及組裝晶粒於基板上。本文所說明的靜電載具被用於靜電性地固定來自晶圓框架或其他晶粒來源的複數個晶粒。靜電載具被用於移送被固定的複數個晶粒通過清潔作業,並移送至晶粒組裝系統,在晶粒組裝系統處複數個晶粒被組裝到基板上。
參照第1圖,靜電載具100包含主體110,主體110具有頂表面112與底表面114。在第1圖的說明性範例中,主體110的形狀為圓柱,但可具有任何適合的形狀。在其中主體110為碟形的具體實施例中,主體110的直徑可實質類似於200mm基板、300mm基板或450mm基板。主體110的頂表面112實質匹配於要設置於其上的基板的形狀與尺寸。主體110的底表面114包含兩個接觸墊116與118。
主體110由彼此垂直堆疊的一或多層介電材料製成。在一些具體實施例中,主體110具有五層,如第1圖所示。頂層111與底層119由塗層材料製成,塗層材料諸如但不限於可承受電漿條件與清潔作業的疏水性材料。疏水性材料幫助防止清潔液體滲透過所吸附的組件的邊緣,所吸附的組件包含吸附至靜電載具100的複數個晶粒。若清潔液體因毛細作用而滲入複數個晶粒與靜電載具100之間的區域,則在清潔作業期間內複數個晶粒可變得非期望地與靜電載具100解吸附。
中間層115包含靜電載具100的核心。核心為靜電載具100的結構層,提供靜電載具100的剛性。核心可由介電材料製成,以避免電弧問題,介電材料諸如陶瓷、樹脂、剝離與聚亞醯胺材料,如上文所討論的。在一些具體實施例中,核心亦可由具有氧化物塗層的矽晶圓製成。
中間層115與頂層111之間的層113,以及中間層115與底層119之間的層117,亦由介電材料製成,諸如但不限於陶瓷或聚亞醯胺材料。適合的陶瓷材料範例包含矽氧化物,諸如石英或玻璃、藍寶石、氧化鋁(Al2 O3 )、氮化鋁(AlN)、含釔材料、氧化釔(Y2 O3 )、釔鋁石榴石(YAG)、氧化鈦(TiO)、氮化鈦(TiN)、矽碳化物(SiC)等。113以及層117亦可包含層壓或旋塗的聚合物或無機膜,諸如氮化矽。在層113中設置雙極性靜電吸附電極120。
設置在層113中的雙極性靜電吸附電極120包含兩個電極120A與120B。電極120A電性連接至接觸墊116。電極120B電性連接至接觸墊118。電極120A、120B在被施加電壓電力時可依所需具有相反極性,因此產生靜電力。電極120A、120B係由導電材料製成,諸如但不限於鎢、銅、銀、矽、鉑。電極120A、120B係由電鍍、網印等等製成。可由任何方式配置電極120A、120B以靜電性地固持複數個晶粒。例如,電極120A、120B可為同心的(如第3圖圖示)、半圓形(如第4圖圖示)、或叉指式(如第2圖與第5圖圖示)。
浮接電極130被設置在層117中,在雙極性靜電吸附電極120與主體110的底表面114之間。浮接電極130實質防止靜電電荷累積在底表面114上。因此,靜電載具100可被設置在載具固持平臺140上而不被吸附至載具固持平臺140。浮接電極130具有孔132,電極120A透過孔132電性連接至接觸墊116。浮接電極130具有另一孔134,電極120B透過孔134電性連接至接觸墊118。
載具固持平臺140經配置以充電靜電載具100。載具固持平臺140包含電源145與連接至電源145的兩個彈簧針142與144。彈簧針142經配置以傳遞AC或DC電力至電極120A,在彈簧針142接觸接觸墊116時。彈簧針144經配置以傳遞AC或DC電力至電極120B,在彈簧針144接觸接觸墊118時。電源145因此被配置以提供電力至電極120A與120B,以產生具有相反極性的電荷。在一個具體實施例中,電源145可經配置以提供+/- 0.5-3 kV DC電力至電極120A與120B。在替代性具體實施例中,電池電源(未圖示)可被嵌入靜電載具100內,以充電電極120A與120B。施加至電極120A與120B的正電荷與負電荷,在頂表面112上產生靜電力,靜電力吸引複數個晶粒並將複數個晶粒固定至靜電載具100。
電極120A、120B在靜電載具100上的設置,可由許多不同方式來配置。例如,第2圖圖示第1圖的靜電載具100的一個具體實施例的俯視圖。在第2圖,靜電載具200具有電極220A與220B,電極220A與220B設置在頂表面212下。電極220A具有端點222A與複數個電極指224A。電極220B具有端點222B與複數個電極指224B。複數個電極指224A、224B彼此交插,以提供跨頂表面212的大面積散佈的局部靜電吸引,這整合來看提供了強力的吸附力,同時使用較少的電力。電極指224A、224B可被形成為不同的長度與幾何形狀。在電極220A的電極指224A之每一者之間,空間225被界定為接收電極220B的電極指224B。空間225可為氣隙(air gap),或被填充介電間隔墊材料。
第3圖與第4圖圖示第1圖的靜電載具100的其他具體實施例的俯視圖。例如,第3圖圖示具有極性相反的同心電極320A與320B的靜電載具300。電極320A具有電極端點322A。電極320B具有電極端點322B。第4圖圖示具有極性相反的半圓形電極420A與420B的靜電載具400。電極420A具有電極端點422A。電極420B具有電極端點422B。
第5圖圖示第1圖的靜電載具100的另一具體實施例的俯視圖。第5圖圖示具有複數個叉指式雙極性吸附電極520的靜電載具500。每一雙極性吸附電極520具有極性相反的兩個電極520A與520B。電極520A具有電極端點522A。電極520B具有電極端點522B。每一雙極性吸附電極520經配置以靜電吸引並固定一個晶粒580至靜電載具500的頂表面512上。因此,可將一或更多個晶粒580吸附至靜電載具500的頂表面512。
第6圖為靜電載具100的一個具體實施例的電性示意圖。在第6圖中,第一雙極性吸附電極120具有電極120A與120B。電極120A由切換器125電性連接至接觸墊116。電極120B由切換器125電性連接至接觸墊118。類似的,第二雙極性吸附電極120'具有電極120A'與120B'。電極120A'由切換器125'電性連接至接觸墊116'。電極120B'由切換器125'電性連接至接觸墊118'。切換器125與125'的開閉狀態係由控制器615控制,控制器615可位於靜電載具100內部或外部。控制器615經配置以藉由獨立控制切換器125、125'的狀態,來相對於第一雙極性吸附電極120獨立地控制第二雙極性吸附電極120'。
第7圖為晶粒組裝系統700的正截面簡圖,晶粒組裝系統700用於將複數個晶粒裝載到靜電載具100上。晶粒組裝系統700包含靜電載具100,靜電載具100經配置以靜電固定複數個晶粒,如前述。
靜電載具100被放置在載具固持平臺140上。載具固持平臺140具有電源145與電性連接至電源145的兩個彈簧針142與144。彈簧針142、144經配置以與接觸墊116、188連接,並從電源145提供電力至電極120A、120B。電源145因此被配置以提供電力至電極120A、120B,以產生具有相反極性的電荷。
晶粒組裝系統700包含晶粒輸入平臺750,晶粒輸入平臺750具有設置於其上的複數個晶粒780。晶粒輸入平臺750被放置為鄰近於載具固持平臺140上的靜電載具100。裝載機器人700亦被放置為鄰近於晶粒輸入平臺750與靜電載具100。裝載機器人770具有連接至臂776的主體772。主體772耦接至致動器774。致動器774經配置以在垂直方向中上移或下移臂,以及在水平方向中橫向移動臂。致動器774亦經配置以沿著設置通過主體772的垂直軸旋轉臂776,使得臂776可在晶粒輸入平臺750上方的位置與靜電載具100上方的位置之間移動。臂776包含夾持器778,夾持器778經配置以拾取設置在晶粒輸入平臺750上的複數個晶粒780,並將複數個晶粒780放置在靜電載具100上。夾持器778係由致動器(未圖示)來操作。在一些具體實施例中,夾持器778可為機械夾持器,雖然在其他具體實施例中,夾持器778可為真空吸盤、靜電吸盤、或其他適合的晶粒固持器。複數個晶粒780被放置在靜電載具100上且被靜電固定至靜電載具100,以被移送通過數個隨後的清潔作業。
第8圖為晶粒組裝系統800的正截面簡圖,此晶粒組裝系統800用於在清潔作業之後,將設置在靜電載具100上的複數個晶粒780與基板875組裝。晶粒組裝系統800包含載具固持平臺860,載具固持平臺860經配置以接收靜電載具100。如前述,靜電載具100具有靜電固定於其上的複數個晶粒780。載具固持平臺860具有壁862,壁862界定用於固持靜電載具100的凹穴864。凹穴864的直徑大於靜電載具100的直徑,使得靜電載具100可被定位在凹穴864內。載具固持平臺860亦包含電源865與電性連接至電源865的兩個彈簧針866與868。彈簧針866、868經配置以傳遞AC或DC電力至電極120A、120B,在彈簧針866、868接觸接觸墊116、118時。
第一機器人870鄰近於靜電載具100。第一機器人870具有連接至臂876的主體872。臂876耦接至夾持器878。夾持器878經配置以固定基板875於靜電載具100上方。夾持器878係由致動器(未圖示)操作。在一些具體實施例中,夾持器878可為機械夾持器,以用於固持基板875。然而在其他具體實施例中,夾持器878可為真空吸盤、靜電吸盤、或其他適合用於固持基板875的基板固持器。第一機器人870的主體872耦接至致動器874。致動器874經配置以上移與下移夾持器878,使得基板875移向與移離被靜電吸附至載具固持平臺860上的靜電載具100的複數個晶粒780。
基板875可為CMOS晶圓,雖然在其他具體實施例中基板875可為準備好讓晶粒在其上組裝的任何半導體基板。基板875可由各種不同材料中的一種或更多種來組成,諸如但不限於矽、砷化鎵、鈮酸鋰等等。基板875的直徑可為200mm、300mm、450mm或其他直徑。
第二機器人890鄰近於晶粒組裝系統860中的靜電載具100。第二機器人890具有主體892與臂896。臂896耦接至分配器898。分配器898經配置以分配液體895於靜電吸附至靜電載具100的複數個晶粒780上。在一些具體實施例中,液體895約為奈米公升水,雖然在其他具體實施例中可使用水或另一液體的類似測量手段。第二機器人890的主體892耦接至致動器894。致動器894經配置以在水平方向中橫向移動臂896,以及沿著通過主體892的垂直軸旋轉臂896,使得臂896可移向或移離靜電載具100上方的位置。臂896的旋轉移動與平移移動,將分配器898選擇性定位在每一晶粒780上,使得分配器898在定位在晶粒組裝系統860時,可施加液體895到設置在靜電載具100上的每一晶粒780的頂端。
在一些具體實施例中,靜電載具100、晶粒輸入平臺750與裝載機器人770為晶粒組裝系統800的部分,因此形成晶粒組裝系統的具體實施例(未圖示),其中晶粒780可被從晶粒輸入平臺750拾取、由裝載機器人770放置在靜電載具100上,且隨後移送至載具固持平臺860以隨後在基板875上組裝。
本文所說明的靜電載具100與晶粒組裝系統700、800,有益地使得具有不同類型與尺寸的複數個晶粒能夠被靜電固定,並移送通過清潔作業,並移送到晶粒組裝系統上,以隨後在基板上組裝。在靜電載具100的作業期間內,在接觸墊116、118被放置為接觸載具固持平臺140的彈簧針142、144時,電力被施加至雙極性吸附電極120。在電力被從電源145施加通過彈簧針142、144,負電荷可被施加至電極120A且正電荷可被施加至電極120B(或以相反極性施加),以產生靜電力。在吸附期間內,由電極120A、120B產生的靜電力吸引並固定複數個晶粒780至靜電載具100。隨後,在電源145供應的電力被斷接時,雙極性吸附電極120上的殘餘電荷被在一段時間期間內充足地維持,使得複數個晶粒780可被靜電固定且自由移送於晶粒組裝系統700與800之間,而不需要再連接至另一電源。為了將複數個晶粒780與靜電載具100解吸附,可提供相反極性的短脈衝電力至電極120A、120B,或可利用內部切換器(未圖示)將電極120A、120B短路。因此,存在於雙極性吸附電極120中的殘餘電荷被移除,因此釋放晶粒780。
在晶粒組裝系統700中,靜電載具100被放置在載具固持平臺140上,其中靜電載具100可被靜電性地充電。載具固持平臺140鄰近於裝載機器人770與晶粒輸入平臺750,晶粒輸入平臺750上設置了複數個晶粒780。裝載機器人770被利用以從晶粒輸入平臺750拾取複數個晶粒780,並將他們放置在靜電載具100上。裝載機器人770的致動器774垂直與水平地移動臂776,並沿著通過裝載機器人770主體772的垂直軸旋轉臂。臂776的平移性與旋轉性移動,將耦接至臂776的夾持器778定位,以致能夾持器778從晶粒輸入平臺750拾取晶粒780,並將晶粒780放在靜電載具100上。複數個晶粒780隨後被吸附至靜電載具100。可在複數個晶粒780被放置在靜電載具100上之前或之後,將靜電載具100充電。因此被固定至靜電載具100的複數個晶粒780,被移送通過清潔作業,諸如浸入清潔槽、刷洗、超音波清潔等等。
在晶粒組裝系統800中,靜電載具100與複數個晶粒780被放在載具固持平臺860上。載具固持平臺860鄰近於第一機器人870與第二機器人890。基板875被機器人870移動到固持於載具固持平臺860中的靜電載具100上方的位置,以將複數個晶粒780組裝到基板875上。第二機器人890被利用於分配液體895於複數個晶粒780上。第二機器人890水平地定位臂896,並沿著通過第二機器人890主體892的垂直軸旋轉臂896,使得臂896可移向與移離靜電載具100上方的位置。臂896的旋轉移動與平移移動,將分配器898選擇性定位在每一晶粒780上。分配器898分配液體895(諸如液滴)於吸附至靜電載具100的複數個晶粒780之每一者的頂端上。
如第9A圖圖示,基板875隨後被第一機器人870移向複數個晶粒780。第一機器人870將臂876上的夾持器878下移,使得附接至夾持器878的基板875可接觸分配在設置於靜電載具100上的複數個晶粒780上的液體895。複數個晶粒780被解吸附自靜電載具100,例如藉由從載具固持平臺860上的電源865施加相反極性的電壓。如第9B圖圖示,在基板875接合複數個晶粒780時,複數個晶粒780未被固定在靜電載具100上。由於基板875與解吸附晶粒780之間的表面張力,液體895產生力,使得複數個晶粒780自對準並附接至基板875。在複數個晶粒780被固定至基板875時,第一機器人870將夾持器878移離靜電載具100,如第9C圖圖示。因此被組裝在基板875上的複數個晶粒780,被移送以進行永久接合及其他處理。
第10圖為根據本揭示內容的另一具體實施例,使用靜電載具在基板上組裝複數個晶粒的方法1000的方塊圖。方法1000開始於方塊1010,藉由將複數個晶粒從晶粒輸入平臺放到靜電載具上。靜電載具具有擁有兩個電極的至少一個雙極性吸附電極。在從雙極性吸附電極施加電力時,電極獲取相反極性的電荷,因此產生吸引靜電力。
在方塊1020,複數個晶粒被靜電吸附至靜電載具。複數個晶粒被來自設置於靜電載具中的雙極性吸附電極的靜電力固定。在一些具體實施例中,在複數個晶粒放置在靜電載具上之前,可對靜電載具充電。在其他具體實施例中,在複數個晶粒放置在靜電載具上之後,可對靜電載具充電。在任一種情況中,複數個晶粒被固定至靜電載具,並可被自由移送而無需使用對電源的永久連結。複數個晶粒因此被移送通過清潔作業,諸如浸入清潔槽、刷洗、超音波清潔等等。
在方塊1030,靜電載具被移動到晶粒組裝系統的載具固持平臺。在抵達晶粒組裝系統時,所清潔的晶粒保持被靜電吸附至靜電載具。在抵達時,靜電載具被定位在由第一機器人固持的基板下方,以將經過清潔的晶粒組裝到基板。
在方塊1040,由附接至第二機器人的分配器,在複數個晶粒上施加液體。在一些具體實施例中,液體約為奈米公升水,雖然在其他具體實施例中可使用水或另一液體的類似測量手段。
在方塊1050,由第一機器人將基板向下移向複數個晶粒,以從靜電載具拾取複數個晶粒。隨著基板接近複數個晶粒,基板觸碰施加在複數個晶粒上的液體表面。方塊1050的作業可發生在方塊1060作業的之前、之後或同時。
在方塊1060,複數個晶粒被解吸附自靜電載具。解吸附為實質移除將複數個晶粒固定至靜電載具的靜電電荷的處理,此係藉由施加相反極性的電壓到設置在靜電載具中的電極,或將這些電極短路。靜電力的減少或缺乏,使得複數個晶粒被解吸附自靜電載具。在解吸附之後,複數個晶粒未被固定在靜電載具上,並可被自由移送至基板。
由於基板觸碰設置在複數個晶粒上的液體的表面張力,施加到複數個晶粒上的液體產生力。表面張力的力將複數個晶粒從靜電載具拉到基板的底表面上。一旦複數個晶粒被表面張力的力固定至基板底表面,則基板被第一機器人移離靜電載具。
本文所說明的靜電載具被用於固定並移送複數個晶粒通過清潔作業,並移送至晶粒組裝系統上,在晶粒組裝系統處複數個晶粒被組裝到基板上。能夠一次大量固定且移送晶粒的能力,提供了良好的優點,相較於當前所使用的從晶圓框架個別移送晶粒到晶粒固持器以及基板上。移送晶粒到基板上所需的時間被大量減少,且因此提升了所組裝晶粒的產量。再者,本文所說明的靜電載具可容納多種晶粒類型與尺寸,因此相對於對特定晶粒尺寸所預製的現有晶粒固持器提供了另一優點。
雖然前述內容係關於本揭示內容的特定具體實施例,但應瞭解到這些具體實施例僅用於說明本發明的原理與應用。因此應瞭解到,可對所說明的具體實施例進行多種修改以完成其他具體實施例,而不會脫離附加申請專利範圍所界定的本發明的精神與範圍。
100‧‧‧靜電載具110‧‧‧主體111‧‧‧頂層
112‧‧‧頂表面
113‧‧‧層
114‧‧‧底表面
115‧‧‧中間層
116‧‧‧接觸墊
116’‧‧‧接觸墊
117‧‧‧層
118‧‧‧接觸墊
118’‧‧‧接觸墊
119‧‧‧底層
120‧‧‧雙極性吸附電極/第一雙極性吸附電極
120’‧‧‧第二雙極性吸附電極
120A‧‧‧電極
120A’‧‧‧電極
120B‧‧‧電極
120B’‧‧‧電極
125‧‧‧切換器
125’‧‧‧切換器
130‧‧‧浮接電極
132‧‧‧孔
134‧‧‧另一孔
140‧‧‧載具固持平臺
142‧‧‧彈簧針
144‧‧‧彈簧針
145‧‧‧電源
200‧‧‧靜電載具
212‧‧‧頂表面
220A‧‧‧電極
220B‧‧‧電極
222A‧‧‧端點
222B‧‧‧端點
224A‧‧‧電極指
224B‧‧‧電極指
300‧‧‧靜電載具
320A‧‧‧同心電極
320B‧‧‧同心電極
322A‧‧‧電極端點
322B‧‧‧電極端點
400‧‧‧靜電載具
420A‧‧‧半圓形電極
420B‧‧‧半圓形電極
422A‧‧‧電極端點
422B‧‧‧電極端點
500‧‧‧靜電載具
512‧‧‧頂表面
520‧‧‧叉指式雙極性吸附電極
520A‧‧‧電極
520B‧‧‧電極
522A‧‧‧電極端點
522B‧‧‧電極端點
580‧‧‧晶粒
615‧‧‧控制器
700‧‧‧晶粒組裝系統
750‧‧‧晶粒輸入平臺
770‧‧‧裝載機器人
772‧‧‧主體
774‧‧‧致動器
776‧‧‧臂
778‧‧‧夾持器
780‧‧‧晶粒
800‧‧‧晶粒組裝系統
860‧‧‧載具固持平臺
862‧‧‧壁
864‧‧‧凹穴
865‧‧‧電源
866‧‧‧彈簧針
868‧‧‧彈簧針
870‧‧‧第一機器人
872‧‧‧主體
874‧‧‧致動器
875‧‧‧基板
876‧‧‧臂
878‧‧‧夾持器
890‧‧‧第二機器人
892‧‧‧主體
894‧‧‧致動器
895‧‧‧液體
896‧‧‧臂
898‧‧‧分配器
1000‧‧‧方法
1010-1060‧‧‧步驟方塊
可參考多個具體實施例以更特定地說明以上簡要總結的本公開內容,以更詳細瞭解本公開內容的上述特徵,附加圖式圖示說明了其中一些具體實施例。然而應注意到,附加圖式僅說明示例性具體實施例,且因此不應被視為限制具體實施例的範圍,並可承認其他等效的具體實施例。
第1圖為用於晶粒接合應用的靜電載具的正截面簡圖。
第2圖為第1圖的靜電載具的第一具體實施例的俯視圖。
第3圖為第1圖的靜電載具的第二具體實施例的俯視圖。
第4圖為第1圖的靜電載具的第三具體實施例的俯視圖。
第5圖為第1圖的靜電載具的第四具體實施例的俯視圖。
第6圖為第1圖的靜電載具的電性示意圖。
第7圖為晶粒組裝系統的正截面簡圖,此晶粒組裝系統用於將複數個晶粒裝載到第1圖的靜電載具上。
第8圖為晶粒組裝系統的正截面簡圖,此晶粒組裝系統用於將來自第1圖的靜電載具的複數個晶粒組裝到基板上。
第9A圖至第9C圖圖示使用第1圖的靜電載具組裝晶粒到基板的三個階段。
第10圖圖示使用第1圖的靜電載具組裝複數個晶粒到基板上的方法的方塊圖。
為了協助瞭解,已儘可能使用相同的元件符號標定圖式中共有的相同元件。已思及到,一個具體實施例的元件與特徵,可無需進一步的敘述即可被有益地併入其他具體實施例中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧靜電載具
110‧‧‧主體
111‧‧‧頂層
112‧‧‧頂表面
113‧‧‧層
114‧‧‧底表面
115‧‧‧中間層
116‧‧‧接觸墊
117‧‧‧層
118‧‧‧接觸墊
119‧‧‧底層
120A‧‧‧電極
120B‧‧‧電極
130‧‧‧浮接電極
132‧‧‧孔
134‧‧‧另一孔
140‧‧‧載具固持平臺
142‧‧‧彈簧針
144‧‧‧彈簧針
145‧‧‧電源

Claims (20)

  1. 一種靜電載具,包含: 一主體,該主體具有一頂表面與一底表面; 至少一第一雙極性吸附電極,該至少一第一雙極性吸附電極設置在該主體內; 至少兩個接觸墊,該至少兩個接觸墊設置在該主體的該底表面上,且該至少兩個接觸墊連接至該第一雙極性吸附電極;以及 一浮接電極,該浮接電極設置在該第一雙極性吸附電極與該底表面之間。
  2. 如請求項1所述之靜電載具,該靜電載具進一步包含: 一第二雙極性吸附電極,該第二雙極性吸附電極設置在該主體內,該第二雙極性吸附電極可被相對於該第一雙極性吸附電極獨立控制。
  3. 如請求項1所述之靜電載具,其中該主體具有三個或更多個層。
  4. 如請求項3所述之靜電載具,其中該主體進一步包含: 一介電頂層,該介電頂層設置在一核心層的頂端,其中該第一雙極性吸附電極設置在該介電頂層中;以及 一介電底層,該介電底層設置在該核心層下方,其中該浮接電極設置在該介電底層中。
  5. 如請求項4所述之靜電載具,其中該介電頂層與該介電底層係由一基於矽的陶瓷材料形成,且該核心層係由一基於鋁的陶瓷材料形成。
  6. 如請求項4所述之靜電載具,該靜電載具進一步包含: 一頂疏水層與一底疏水層,該頂疏水層在該介電頂層上,且該底疏水層設置在該介電底層下方。
  7. 一種晶粒組裝系統,包含: 一靜電載具,該靜電載具經配置以靜電固定複數個晶粒,該靜電載具包含: 一主體,該主體具有一頂表面與一底表面; 至少一第一雙極性吸附電極,該至少一第一雙極性吸附電極設置在該主體內; 至少兩個接觸墊,該至少兩個接觸墊設置在該主體的該底表面上,且該至少兩個接觸墊連接至該第一雙極性吸附電極;以及 一浮接電極,該浮接電極設置在該第一雙極性吸附電極與該底表面之間; 一載具固持平臺,該載具固持平臺經配置以固持該靜電載具; 一晶粒輸入平臺;以及 一裝載機器人,該裝載機器人具有一動作範圍,該動作範圍經配置以從該晶粒輸入平臺拾取複數個晶粒並將該複數個晶粒放置在該靜電載具上。
  8. 如請求項7所述之晶粒組裝系統,其中該靜電載具進一步包含: 一第二雙極性吸附電極,該第二雙極性吸附電極設置在該主體內,該第二雙極性吸附電極可被相對於該第一雙極性吸附電極獨立控制。
  9. 如請求項7所述之晶粒組裝系統,其中該靜電載具進一步包含: 一疏水塗層,該疏水塗層設置在該主體的該頂表面上與該底表面上。
  10. 如請求項7所述之晶粒組裝系統,其中該靜電載具的該主體包含三個或更多個層。
  11. 如請求項10所述之晶粒組裝系統,其中該靜電載具的該主體進一步包含: 一介電頂層,該介電頂層設置在一核心層的頂端,其中該第一雙極性吸附電極設置在該介電頂層中;以及 一介電底層,該介電底層設置在該核心層下方,其中該浮接電極設置在該介電底層中。
  12. 如請求項11所述之晶粒組裝系統,該晶粒組裝系統進一步包含: 一頂疏水層與一底疏水層,該頂疏水層在該介電頂層上,且該底疏水層設置在該介電底層下方。
  13. 如請求項11所述之晶粒組裝系統,其中該介電頂層與該介電底層係由一基於矽的陶瓷材料形成。
  14. 如請求項13所述之晶粒組裝系統,其中該核心層係由一基於鋁的陶瓷材料形成。
  15. 如請求項7所述之晶粒組裝系統,該晶粒組裝系統進一步包含: 一第二載具固持平臺,該第二載具固持平臺經配置以接收該靜電載具; 一第一機器人,該第一機器人經配置以將一基板移向與移離該複數個晶粒,該複數個晶粒被靜電吸附至設置在該第二載具固持平臺中的該靜電載具;以及 一第二機器人,該第二機器人經配置以分配一液體到該複數個晶粒上。
  16. 如請求項7所述之晶粒組裝系統,其中該靜電載具固持平臺進一步包含: 至少兩個針,該至少兩個針經配置以在接觸該等接觸墊時傳遞電力至該第一雙極性吸附電極。
  17. 一種在一基板上組裝複數個晶粒的方法,該方法包含以下步驟: 將該複數個晶粒從一晶粒輸入平臺放置到一靜電載具上; 將該複數個晶粒電性吸附至該靜電載具; 將該靜電載具移動至一晶粒組裝系統的一載具固持平臺; 施加一液體到該複數個晶粒上; 移動一基板以接合該複數個晶粒;以及 使該複數個晶粒解吸附自該靜電載具。
  18. 如請求項17所述之方法,該方法進一步包含以下步驟: 在放置該複數個晶粒於該靜電載具之前,將該靜電載具在一載具固持平臺上預充電。
  19. 如請求項17所述之方法,其中在放置該複數個晶粒於該靜電載具上之後對該靜電載具充電。
  20. 如請求項17所述之方法,其中與該複數個晶粒接合的該基板被靜電吸附至一第二載具。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7145042B2 (ja) * 2018-11-08 2022-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板支持器及びプラズマ処理装置
US11094573B2 (en) * 2018-11-21 2021-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for thin wafer carrier
US11366156B2 (en) * 2019-01-24 2022-06-21 Stmicroelectronics Pte Ltd Crack detection integrity check
US20220199449A1 (en) * 2020-12-23 2022-06-23 Intel Corporation Carrier for microelectronic assemblies having direct bonding
TW202326879A (zh) * 2021-11-16 2023-07-01 日商東京威力科創股份有限公司 處理系統、靜電載具及處理方法
US11831252B2 (en) * 2021-12-07 2023-11-28 The Boeing Company Pixelated electrostatic adhesion
WO2024070009A1 (ja) * 2022-09-27 2024-04-04 東京エレクトロン株式会社 静電キャリア、処理システム及び処理方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200929429A (en) * 2007-09-21 2009-07-01 Asml Netherlands Bv Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
US20120227886A1 (en) * 2011-03-10 2012-09-13 Taipei Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate Assembly Carrier Using Electrostatic Force
TW201523787A (zh) * 2013-12-06 2015-06-16 Applied Materials Inc 用於較小晶圓及晶圓片之晶圓載具
TW201546996A (zh) * 2014-05-16 2015-12-16 Applied Materials Inc 用於管理晶片和晶片載具環之靜電充電與放電的設計
US20160196997A1 (en) * 2013-09-20 2016-07-07 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with integrated electrostatic chuck

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04300138A (ja) * 1991-03-28 1992-10-23 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック
US5822171A (en) * 1994-02-22 1998-10-13 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with improved erosion resistance
US5764471A (en) * 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck
US5870271A (en) * 1997-02-19 1999-02-09 Applied Materials, Inc. Pressure actuated sealing diaphragm for chucks
US6303879B1 (en) * 1997-04-01 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Laminated ceramic with multilayer electrodes and method of fabrication
US6088213A (en) * 1997-07-11 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Bipolar electrostatic chuck and method of making same
US6067222A (en) * 1998-11-25 2000-05-23 Applied Materials, Inc. Substrate support apparatus and method for fabricating same
US20070153453A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Fully conductive pad for electrochemical mechanical processing
KR20080042409A (ko) * 2006-11-10 2008-05-15 주식회사 코미코 정전척
US8439723B2 (en) * 2008-08-11 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher with heater and method
WO2010019430A2 (en) * 2008-08-12 2010-02-18 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
US7929269B2 (en) * 2008-09-04 2011-04-19 Momentive Performance Materials Inc. Wafer processing apparatus having a tunable electrical resistivity
JP5851131B2 (ja) * 2011-06-30 2016-02-03 株式会社アルバック 静電チャック、真空処理装置
JP6016349B2 (ja) * 2011-10-31 2016-10-26 キヤノンアネルバ株式会社 基板ホルダー及び真空処理装置
JP2015518659A (ja) * 2012-04-19 2015-07-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 基板ホルダ、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
DE102014215333B3 (de) * 2014-08-04 2015-08-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Trägerwafer, Verfahren zur Halterung eines flexiblen Substrates und Verfahren zur Herstellung eines Trägerwafers
JP6924618B2 (ja) * 2017-05-30 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 静電チャック及びプラズマ処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200929429A (en) * 2007-09-21 2009-07-01 Asml Netherlands Bv Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
US20120227886A1 (en) * 2011-03-10 2012-09-13 Taipei Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate Assembly Carrier Using Electrostatic Force
US20160196997A1 (en) * 2013-09-20 2016-07-07 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with integrated electrostatic chuck
TW201523787A (zh) * 2013-12-06 2015-06-16 Applied Materials Inc 用於較小晶圓及晶圓片之晶圓載具
TW201546996A (zh) * 2014-05-16 2015-12-16 Applied Materials Inc 用於管理晶片和晶片載具環之靜電充電與放電的設計

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