JP4073657B2 - 処理方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を静電チャックプレート上に固定(チャック)する技術にかかり、特に静電吸着解除後、静電チャックプレート表面から基板を脱離させる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、薄膜形成やプラズマエッチング等を行う真空処理装置では、その真空槽内に静電チャックプレートを配置し、静電チャックプレート表面に基板を静電吸着し、静電チャックプレート内のヒータや冷却装置で基板の温度制御を行いながら真空雰囲気内で処理している。
図１０(ａ)の符号１０２は模式的に示した静電チャックプレートであり、その表面には、ガラス基板や半導体ウェハ等から成る基板１０３が配置されている。
【０００３】
静電チャックプレート１０２内にはリフトピン１０４が挿通されており、基板１０３を真空雰囲気に置き、静電チャックプレート２内の電極に電圧を印加し、静電吸着力によって静電チャックプレート１０２表面に基板を密着させながらプロセス処理を行い、次いで、静電吸着を解除した後、リフトピン１０４を上方に移動させ、基板１０３を静電チャックプレート１０２上から脱離させるようになっている。
【０００４】
図１０(ｂ)の符号１１３は、リフトピン１０４上に正常に乗せられた基板を示しており、その状態で、リフトピン１０４間に基板搬送ロボットのアームを挿入し、リフトピン１０４を降下させると、基板１１３をアーム上に移し替えることができる。
このような静電チャックプレート１０２を用いれば、真空雰囲気内で基板を静電吸着できるので、複雑な基板保持機構や密着機構が不要となっている。
【０００５】
しかしながら、電極への電圧印加を停止し、静電吸着を解除しても、静電チャックプレート１０２と基板１０３の間に蓄積された電荷は完全には消滅せず、電荷が残留してしまう。その残留電荷により、基板１０３と静電チャックプレート１０２間に静電吸着力が残留し、基板１０３を静電チャックプレート１０２上から脱離させる際に、基板が振動したり、基板が位置ずれを起こす等の問題がある。
【０００６】
図１０(ｃ)の符号１２３は、リフトピン１０４で静電チャックプレート１０２上から持ち上げられる際に、残留吸着力の影響で跳ね上がり、リフトピン１０４上から脱落してしまった基板を示している。また、図１０(ｄ)の符号１３３は、残留吸着力によってリフトピン１０４上で振動し、位置ずれを起こした基板を示している。
【０００７】
かかる残留電荷の低減方法としては、基板の吸着を解除する際、吸着動作中に電極に印加した電圧と逆極性の電圧を電極に印加し、発生した残留電荷と逆極性の電荷を生じさせて残留電荷を消去する方法が知られている(特開平11-40661)。しかしながらこの方法では、出力極性を反転する回路を電源に追加する必要があり、その分コストが高くなる。また、逆極性の電圧の電圧値と印加時間を正しく制御しないと、逆に電荷を注入してしまうことになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記課題を解決するために創作されたものであり、静電チャックプレートと基板との間に残留する残留電荷を低減して、基板を静電チャックプレートからスムーズに脱離させることができる技術を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の発明者等は、静電チャックプレート表面の残留電荷を低減するため、調査研究を重ねた結果、残留電荷が生じた後、静電チャックプレート表面に基板を載置した後に脱離することを繰り返すと、残留電荷が低減することを発見した。
【００１０】
本発明の発明者等は、双極型の静電チャックプレートの一対の電極に±５ｋＶの電圧を印加して６０秒ガラス基板を吸着した後に、リフトピンを上下させて基板を静電チャックプレート表面に載置し又は表面から脱離させることを繰り返した場合の残留電荷量の変化を測定した。図８のグラフに、その測定結果を示す。図８の横軸はリフトピンの上昇／下降の回数を示し、縦軸は残留電荷量を示している。図８の曲線(Ｘ)はリフトピンの下降、すなわち基板をチャックプレート表面に載置する際の残留電荷量の変化を示しており、曲線(Ｙ)はリフトピンの上昇すなわち基板をチャックプレート表面から脱離する際の残留電荷量の変化を示している。
【００１１】
曲線(Ｘ)、(Ｙ)に示すように、リフトピンの上昇／下降の回数が多くなり、基板の脱離／載置の回数が多くなると、残留電荷量が低減することがわかる。上昇／下降を１０回繰り返すと、残留電荷量は一回目の上昇／下降の１／３以下にまで低減した。残留電荷量が低減する原因としては、二回目以降のリフトピンの上昇時には、基板が静電チャックプレートから脱離する際に剥離帯電が起こり、発生した電荷と残留電荷が打ち消し合うことや、あるいは基板の裏面と静電チャックプレート表面上に残留する正負極性の異なる電荷に対し、脱離／載置を繰り返すことで、両者の再結合が促進されること等により、残留電荷量が減少したのではないかと考えられる。
【００１２】
図９の曲線(Ａ)に、静電チャックプレートの一対の電極への電圧印加を停止して基板を脱離させた後、放置した状態における残留電荷量の変化を示し、曲線(Ｂ)に、リフトピンの上昇／下降を６回繰り返した場合での残留電荷量の変化を示す。図９の横軸は電圧印加を停止してから経過した時間を示し、縦軸は残留電荷量を示している。実際には、測定は基板を脱離させた時刻から１０秒ごとに行われており、図９の符号８１₁〜８１₆は、基板を脱離させた後に放置した状態での測定時刻及び残留電荷量を示し、符号８３₁〜８３₆は基板を上昇／下降させたときの状態での測定時刻及び残留電荷量を示している。
【００１３】
曲線(Ａ)に示すように、放置した状態では残留電荷量の変化は、印加電圧停止後６０秒経過した時点でもほとんど変わっていないが、リフトピンの上昇／下降を繰り返すと、曲線(Ｂ)に示すように、残留電荷量は印加電圧の停止直後の１／３以下に低下している。このように、基板の脱離／載置を繰り返すことにより、基板を脱離した後に放置した場合に比して残留電荷の電荷量が確実に低減することが確認できた。
【００１４】
本発明は、上記知見に基づいて創作されたものであり、請求項１記載の発明は、絶縁体に電極が設けられて構成された静電チャックプレート表面に基板を配置し、前記電極に電圧を印加して前記基板を静電吸着した状態で前記基板を真空雰囲気中で真空処理し、前記基板の静電吸着を解除し、前記真空処理が終了した第１の基板を前記静電チャックプレート表面から脱離させた後、前記真空処理をすべき第２の基板を前記静電チャックプレート表面に載置する処理方法であって、前記第１の基板を前記静電チャックプレート表面から脱離させたときから、前記第２の基板を前記静電チャックプレート表面に載置するまでの間に、前記第１、第２の基板と異なる基板である第３の基板を前記静電チャックプレート表面に載置し、静電吸着せずに、該第３の基板を前記静電チャックプレート表面から脱離させる残留電荷低減工程を有する。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の処理方法であって、前記第３の基板を前記静電チャックプレート表面に載置し、該第３の基板を前記静電チャックプレート表面から脱離させることを複数回繰り返す。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２のいずれか１項記載の処理方法であって、前記第１、第２の基板を前記静電チャックプレートに対して移動させる搬送機構と異なる移動機構を用いて、前記第３の基板を前記静電チャックプレートに対して移動させる。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項記載の処理方法であって、前記第１、第２の基板を真空槽内に配置し、前記静電チャックプレート表面に静電吸着しながら前記真空処理をしている間には、前記第３の基板を、前記真空槽内であって、前記静電チャックプレートとは異なる位置に配置しておく。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の処理方法であって、前記第３の基板を前記静電チャックプレート表面に静電吸着し、前記真空槽内にクリーニングガスを導入して前記真空槽の内壁をクリーニングする真空槽クリーニング工程を有する。
請求項６記載の発明は、前記真空処理は、前記真空槽内に配置されたターゲットをスパッタリングし、前記第１、第２の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング工程である請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の処理方法であって、前記第３の基板を前記静電チャックプレート表面に静電吸着し、前記ターゲットをスパッタリングして前記ターゲット表面をクリーニングするターゲットクリーニング工程を有する。
【００１５】
連続して一枚ずつ基板を真空処理し、各基板の真空処理が終了する毎に残留電荷を低減させるような場合に、残留電荷を低減するための時間を用意すると、残留電荷を低減するために要する時間が長くなり、全部の基板の処理が終了するまでの時間が長くなってしまう。
【００１６】
しかしながら本発明では、第１の基板を静電チャックプレート上から脱離させた後、第２の基板が静電チャックプレートの上に載置されるまでの間に、静電チャックプレート上が空いていることを利用し、この間に第３の基板を静電チャックプレート上に載置し、又は脱離させて残留電荷を低減させている。このように、かつて無駄に使われていた時間を利用して残留電荷を低減させているため、残留電荷を低減するための時間を特別にとる必要がないので、全部の基板の処理が終了するまでの時間が長くならないようにすることができる。
【００１７】
また、本発明において、第１、第２の基板を真空雰囲気中に搬入又は搬出する搬送機構と異なる移動機構を用いて、第３の基板を静電チャックプレートに対して移動させるように構成してもよい。このように構成すると、搬送機構を用いて第１、第２の基板を搬送している間でも、この搬送機構とは別の移動機構を用い、第３の基板を静電チャックプレートに対して移動させることができるので、第１の基板を静電チャックプレート上から脱離させた後、第２の基板が静電チャックプレートの上に載置されるまでの間に、第３の基板を静電チャックプレート上に移動させることができる。
【００１８】
なお、本発明の真空処理装置では、ダミー基板を保持し静電チャックにダミー基板を搬送する第２の基板搬送手段を有しており、ダミー基板を静電チャックに搬送し、載置又は脱離をすることにより、静電チャック内の残留電荷を低減させており、基板がリフトピンから滑落することで欠けたり割れたりすることを防止できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図１の符号５０に、本発明の基板の処理方法を実施する装置の一例であるマルチチャンバーを示す。このマルチチャンバー５０は、平面が六角形状の搬送室４０を有している。搬送室４０には、第１〜第５の処理室５１〜５５と、搬出入室５６とが、それぞれ真空バルブ９１〜９６を介して接続されている。これらの各室には図示しない真空排気系とガス導入系とがそれぞれ接続されており、各真空排気系を起動するとそれぞれの内部を真空排気することができ、また各ガス導入系を起動すると、それぞれの内部に所定のガスを導入することができるように構成されている。
【００２０】
搬送室４０内には、搬送ロボット４５が配置されている。この搬送ロボット４５は、本発明の搬送機構の一例であり、図示しない駆動機構により動作し、搬送室４０の中心で水平方向に回転可能な支持体４４と、支持体４４に取り付けられ、伸縮可能に構成されたアーム４１、４２と、アーム４１、４２の先端に取り付けられ、絶縁体からなるハンド４３とを有しており、支持体４４を回転させてアーム４１、４２を伸縮させることにより、その先端のハンド４３を各室間で移動させることができる。またハンド４３はその上面に基板を載置できるように構成されており、基板をハンド４３に乗せた状態で、その基板を各室５１〜５６の間で搬送できるように構成されている。
【００２１】
以下で、上述した構成の真空マルチチャンバー５０を用いて、ガラス等の絶縁性基板の表面に薄膜を成膜する動作について説明する。
まず、全ての真空バルブ９１〜９６を閉じた状態で、搬出入室５６以外の各室の内部を真空排気し、所定の真空度にしておく。この状態で、搬出入室５６又は前工程の処理室と搬送室との間の真空バルブを開き、成膜対象である複数の基板のうち、本発明の第１の基板の一例であって、最初に処理すべき一枚目の基板を、搬出入室５６又は前工程を行った処理室内でハンド４３上に水平に載置させる。その後ハンド４３を搬送室４０内に移動させて、一枚目の基板を搬送室４０へと搬送する。
【００２２】
次に、搬送室４０と第１の処理室５１との間の真空バルブを開き、一枚目の基板が水平に載置されたハンド４３を第１の処理室５１内に入れる。
図２(ａ)に、搬送室４０と第１の処理室５１との接続部分における平面図を示し、図２(ｂ)にそのＡ−Ａ線断面図を示す。
【００２３】
第１の処理室５１の内部底面には、載置台１１が配置され、載置台１１上には、静電チャックプレート１２が配置されている。一枚目の基板が第１の処理室５１内に搬入されたら、その基板を静電チャックプレート１２上に配置する。その状態の基板を図２(ａ)、(ｂ)の符号２に示す。この静電チャックプレート１２は、絶縁体板１６内に一対の電極３ａ、３ｂが配置されることで構成され、一対の電極３ａ、３ｂは、第１の処理室５１の外部に設けられたチャック電源４に接続されており、ハンド４３を第１の処理室５１から搬出し、第１の処理室５１と搬送室４０との間のバルブ９１を閉じた後に、チャック電源４を起動すると、電極３ａ、３ｂに正負の電圧がそれぞれ印加され、一枚目の基板２と静電チャックプレート１２との間に静電吸着力が発生し、一枚目の基板２が静電チャックプレート１２の表面に密着する。
こうして基板２を静電チャックプレート１２の表面に密着させたら、第１の処理室５１内にアルゴンガス等のスパッタリングガスを導入する。
【００２４】
静電チャックプレート１２の上方には、静電チャックプレート１２と対向して金属製のターゲット１８が配置されている。このターゲット１８は接地された第１の処理室５１と絶縁され、第１の処理室５１の外部に配置されたスパッタ電源５と接続されており、アルゴンガス等のスパッタリングガスが導入された状態でスパッタ電源５を起動してターゲット１８に負電圧を印加すると、第１の処理室５１内にプラズマが発生し、ターゲット１８がスパッタリングされ、スパッタリングされた粒子が一枚目の基板２の表面に付着し、一枚目の基板２の表面に金属薄膜が成長する。
【００２５】
金属薄膜が成長して、所定膜厚の薄膜が一枚目の基板２の表面に形成されたら、スパッタ電源５を停止させ、プラズマを消滅させる。こうして一枚目の基板２の成膜処理が終了したら、チャック電源４を停止させ、一対の電極３ａ、３ｂへの電圧印加を終了させる。
【００２６】
次に、第１の処理室５１と搬送室４０との間の真空バルブ９１を開き、静電チャックプレート１２上の基板２をハンド４３上に移し替え、そのハンド４３を搬送室４０へと移動させることで一枚目の基板２を第１の処理室５１から搬送室４０へと搬送する。この状態の平面図を図３(ａ)に示し、図３(ａ)のＢ−Ｂ線断面図を図３(ｂ)に示す。その後搬送室４０に搬送された一枚目の基板２は、搬出入室５６又は次の処理を行う処理室へと搬送された後、マルチチャンバー５０の外へと出される。
【００２７】
静電チャックプレート１２中の誘電層１６は絶縁体で構成され、また基板２も絶縁性基板であるため、一枚目の基板２の成膜処理が終了すると、静電チャックプレート１２の表面には大量の残留電荷が生じている。第１の処理室５１内には、図３(ａ)、(ｂ)に示すように、ダミー基板７０と、そのダミー基板７０を移動させる移動機構６０とが設けられており、本発明では後述するように、これらのダミー基板７０と移動機構６０とを用いて残留電荷の低減を行っている。
【００２８】
ダミー基板７０は、本発明の第３の基板の一例であって、金属などの導電性の材料からなる基板である。このダミー基板７０は、後述するクリーニング処理に用いられる基板である。
【００２９】
移動機構６０は、図示しない駆動機構で動作し、水平方向に回転可能な回転支持軸６３と、回転支持軸６３に取り付けられ、水平配置された棒状の移動アーム６２と、移動アーム６２の先端に取り付けられた移動ハンド６１とを有しており、回転支持軸６３を回転させ、移動アーム６２を回転支持軸６３を中心にして回転させると、移動アーム６２の先端の移動ハンド６１を回転させ、移動ハンド６１を静電チャックプレート１２の上方に位置させたり、静電チャックプレート１２の上方から退避させることができる。移動ハンド６１は、その上面にダミー基板７０を載置できるように構成されており、ダミー基板７０を移動ハンド６１に載せた状態で、移動ハンド６１が回転支持軸６３を中心にして回転移動すると、ダミー基板７０を静電チャックプレート１２の上方に位置させ、又は静電チャックプレート１２の上方から退避させられるように構成されている。
【００３０】
上述したように一枚目の基板２が第１の処理室９１の外へ搬出されたら、ダミー基板７０を静電チャックプレート１２の上方に位置させる。その状態における平面図を図４(ａ)に示し、図４(ａ)のＣ−Ｃ線断面図を図４(ｂ)に示す。
【００３１】
静電チャックプレート１２には、リフトピン７が設けられており、その上端部は、絶縁体板１６に設けられた図示しない貫通孔内に置かれている。リフトピン７は図示しない昇降機構により、絶縁体板１６内部の貫通孔を通って上下動できるように構成されており、上述したように、ダミー基板７０が静電チャックプレート１２上に位置した状態でリフトピン７を上昇させると、リフトピン７の上端部が、移動ハンド６１上のダミー基板７０の下端部と当接し、更にリフトピン７を上昇させると、リフトピン７の上端部にダミー基板７０が載り、ダミー基板７０の下端部が移動ハンド６１上から離れる。その状態における平面図を図５(ａ)に示し、図５(ａ)のＤ−Ｄ線断面図を図５(ｂ)に示す。ダミー基板７０が移動ハンド６１上から離れてリフトピン７上に載せられたら、移動ハンド６１を静電チャックプレート１２上から退避させる。その状態における平面図を図６(ａ)に示し、図６(ａ)のＥ−Ｅ線断面図を図６(ｂ)に示す。
【００３２】
この状態で、リフトピン７を下降させると、ダミー基板７０が下降する。リフトピン７が下降するとダミー基板７０の下端部は静電チャックプレート１２の表面に当接し、さらにリフトピン７が下降して、静電チャックプレート１２内部に収納されると、ダミー基板７０は静電チャックプレート１２の表面に載置される。その状態の平面図を図７(ａ)に示し、図７(ａ)のＦ−Ｆ線断面図を図７(ｂ)に示す。
【００３３】
このようにして、ダミー基板７０が静電チャックプレート１２の表面に載置されて所定時間が経過したら、リフトピン７を上昇させる。ここでは所定時間を２秒としている。すると、リフトピン７の上端部がダミー基板７０の下端部に当接し、さらにリフトピン７を上昇させると、ダミー基板７０はリフトピン７の上に載り、静電チャックプレート１２の表面から脱離する。その後所定距離だけリフトピン７を上昇させたらリフトピン７を静止させる。その状態を図６(ａ)、(ｂ)に示す。このように、ダミー基板７０は静電チャックプレート１２の表面に載置された後にその表面から脱離する。
【００３４】
次いで、リフトピン７を再び下降させて、図７(ａ)、(ｂ)に示すようにダミー基板７０を静電チャックプレート１２の表面に載置した後、再びリフトピン７を上昇させ、図６(ａ)、(ｂ)に示すようにダミー基板７０を静電チャックプレート１２の表面から脱離させる。このように、ダミー基板７０を静電チャックプレート１２の表面に載置した後、その表面から脱離させる動作を複数回繰り返す。ここではこの動作を５回繰り返している。
【００３５】
載置と脱離の動作を複数回繰り返したら、リフトピン７を上昇させてダミー基板７０を静電チャックプレート１２の表面から脱離させた後、移動ハンド６１の高さよりも高い位置にダミー基板７０が位置するまでリフトピン７を上昇させ、リフトピン７を静止させる。
【００３６】
リフトピン７が静止したら、移動ハンド６１を静電チャックプレート１２上に位置させる。このときダミー基板７０は図５(ａ)、(ｂ)に示すように移動ハンド６１より上方に位置しており、リフトピン７を下降させると、ダミー基板７０の下端部が移動ハンド６１の上端部に当接し、さらにリフトピン７を下降させると、図４(ａ)、(ｂ)に示すように、ダミー基板７０がリフトピン７の上端部から離れ、移動ハンド６１の上に載る。その後、図３(ａ)、(ｂ)に示すように移動ハンド６１を静電チャックプレート１２の上方から退避させる。
【００３７】
ダミー基板７０を載せた移動ハンド６１が静電チャックプレート１２の上方から退避する直前には、図３(ａ)、(ｂ)に示すように、本発明の第２の基板の一例であって、次に成膜処理がなされるべき二枚目の基板は、一枚目の基板と同様に、搬出入室５６又は前工程の処理室から搬送室４０内へと移動されており、ダミー基板７０を載せた移動ハンド６１が、静電チャックプレート１２の上方から退避した直後、搬送室４０から二枚目の基板を載せたハンド４３が第１の処理室５１内に入って、二枚目の基板が第１の処理室５１内に搬入される。
【００３８】
ハンド４３が静電チャックプレート１２の上方で静止し、リフトピン７が上昇するとハンド４３上の二枚目の基板がリフトピン７上に載せ替えられ、ハンド４３が搬送室４０へと移動してリフトピン７が下降すると、二枚目の基板が静電チャックプレート１２上に載せられる。
【００３９】
その後は一枚目の基板と同様に、二枚目の基板が静電チャックプレート１２に静電吸着された後、二枚目の基板表面に金属薄膜が成膜される。所定膜厚の薄膜が基板２の表面に形成されたら、第１の処理室５１と搬送室４０との間の真空バルブ９１を開き、静電チャックプレート１２上の二枚目の基板２をハンド４３に移し替え、図３(ａ)、(ｂ)に示すように、ハンド４３を搬送室４０へと移動させて基板２を第１の処理室５１から搬送室４０へと搬送する。その後二枚目の基板２は、搬出入室５６へと搬送された後、マルチチャンバー５０の外へ出される。
【００４０】
このようにして、二枚目の基板の成膜処理が終了し、第１の処理室９１から搬出されたら、一枚目の基板が搬出された後と同様に、静電チャックプレート１２の表面に、ダミー基板７０を載置し、又は脱離させる動作を複数回繰り返す。
【００４１】
以上の動作を繰り返し、成膜対象となる複数の基板に一枚ずつ成膜処理をする。そして、一枚の基板の成膜処理が終了して静電チャックプレート１２の表面から脱離した後、次に成膜処理すべき基板が静電チャックプレート１２の表面に載置されるまでの間に、ダミー基板７０を静電チャックプレート１２の表面に載置し、表面から脱離させる動作を複数回繰り返す。
【００４２】
このように、ダミー基板７０を静電チャックプレート１２の表面に載置してから脱離させる動作を繰り返すことで、静電チャックプレート１２の表面に生じる残留電荷の電荷量が低減される。
【００４３】
また、ダミー基板７０として、上述したように、クリーニング処理に用いられる基板を用いた。クリーニング処理には、真空槽の内部壁面のクリーニングと、ターゲット表面のクリーニングとの二種類がある。
【００４４】
これら二種類のクリーニングは、いずれも成膜対象となる基板の成膜処理が全部終了したかあるいは成膜処理を開始する前に行われ、真空槽内部に成膜対象となる基板が配置されない状態で行われる。
【００４５】
このうち、真空槽の内部壁面のクリーニングをする際には、移動機構６０を用いて静電チャックプレート１２の上方にダミー基板７０を移動させ、リフトピン７上にダミー基板７０を載せて下降させ、静電チャックプレート１２の表面に載置し、その後ダミー基板７０を静電吸着して静電チャックプレート１２表面に密着させておく。この状態で真空槽内部にフッ素系ガス等のクリーニングガスを導入すると、真空槽の内部壁面等に付着したターゲットの構成物質等の薄膜がエッチングされ、真空槽の内部壁面が清浄になる。
【００４６】
クリーニングガスが導入されている間は、静電チャックプレート１２の表面にはダミー基板７０が密着しているので、静電チャックプレート１２の表面はクリーニングガスに曝されることはなく、クリーニングガスにより腐食することはない。
【００４７】
他方、ターゲット表面のクリーニングをする際には、真空槽の内部壁面のクリーニングと同様に、予めダミー基板７０を静電吸着して静電チャックプレート１２表面に密着させておく。この状態で真空槽内部にアルゴン等のスパッタガスを導入し、ターゲット１８に直流電圧を印加すると、ターゲットがスパッタリングされ、ターゲット１８表面に付着した塵埃やパーティクル等がはじき飛ばされ、ターゲットの表面が清浄になる。
【００４８】
ターゲット１８がスパッタリングされている間は、スパッタリングされたターゲットの構成粒子は静電チャックプレート１２の表面方向へも飛散するが、静電チャックプレート１２の表面にはダミー基板７０が密着しているので、静電チャックプレート１２の表面にはスパッタリングされたターゲット１８の構成粒子が到達することはなく、その構成粒子が静電チャックプレート１２の表面に付着して不要な薄膜が成膜されることはない。
【００４９】
以上説明したように、ダミー基板７０は、真空槽のクリーニングとターゲットのクリーニングとのいずれにおいても静電チャックプレート１２の表面に密着して、静電チャックプレート１２の表面を保護している。
【００５０】
また、処理済みの基板(一枚目の基板)を静電チャックプレート１２上から脱離させた後、次に処理される基板(二枚目の基板)が静電チャックプレート１２の上に載置されるまでの間に静電チャックプレート上が空いていることを利用し、この間にダミー基板７０を静電チャックプレート１２上に載置し、又は脱離させることで残留電荷を低減させている。このように、処理対象となる基板を入れ替える間の時間を利用して残留電荷を低減させているため、残留電荷を低減するための時間を特別にとる必要がなく、複数の基板の処理をする場合でも、全部の基板の処理が終了するまでの時間が長くならないようにすることができる。
【００５１】
なお、上述した実施形態では、本発明の真空処理としてスパッタ法による金属薄膜の成膜処理を説明したが、本発明の真空処理はこれに限られるものではなく、静電吸着しながら処理する方法であればいかなる処理にも適用可能であり、例えば蒸着法やＣＶＤ法等により、絶縁膜を成膜する処理にも適用可能であるし、また成膜処理に限られるものではなく、例えばエッチング等の真空処理にも適用可能である。
【００５２】
また、上述した実施形態ではダミー基板として、クリーニング用の基板を用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、成膜対象の基板をそのまま静電チャックプレート上に載置し、又は脱離させてもよい。
【００５３】
また、上述した実施形態ではダミー基板７０は、成膜処理を行う第１の処理室９１内に配置されたものとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、第１の処理室９１の外にダミー基板７０を配置しておき、成膜処理済みの基板が第１の処理室９１外に搬出された後、ダミー基板７０を第１の処理室９１内に搬入して脱離又は載置をするように構成してもよい。
【００５４】
また、上述した実施形態では処理対象の基板としてガラス等の絶縁性基板を用いたが、本発明の処理方法に用いられる基板はこれに限られるものではなく、シリコン基板等の導電性基板を用いてもよい。
【００５５】
また、上述した実施形態ではダミー基板を載置又は脱離する際に、リフトピンを用いているが、本発明でダミー基板を載置又は脱離する治具はこれに限られるものではなく、基板の載置又は脱離が可能な治具であれば、いかなる治具を用いてもよい。
【００５６】
また、上述した実施形態ではリフトピンを用いて基板を上下動させているので、基板裏面と静電チャックプレート表面は、載置又は脱離の際に常に同じ位置で接触しているが、例えば載置又は脱離をするごとに、基板を水平面内で回転させ、基板裏面と静電チャックプレート表面とが毎回異なる位置で接触するように構成してもよい。このように構成すると、基板裏面と静電チャックプレートの表面の正負異なる電荷が結合すると考えられるので、残留電荷を更に低減することができる。
【００５７】
また、上述した実施形態では１枚の基板の成膜処理が終了するごとに、ダミー基板を静電チャックプレートの表面に載置し又はその表面から脱離させているが、本発明の載置又は脱離はこれに限らず、複数の基板の処理が終了するごとに載置又は脱離をしてもよく、例えば五枚の基板の処理が終了した後に載置又は脱離をするように構成してもよいし、あるいは全部の基板の成膜処理が終了した後に、ダミー基板を載置又は脱離してもよい。
【００５８】
また、上述した実施形態では、真空処理が終了した基板が搬出されてから次に真空処理されるべき基板が搬入されるまでの間にダミー基板７０を静電チャックプレート１２の表面から６回載置又は脱離させているが、本発明はこれに限らず、少なくとも１回以上載置又は脱離させれば、残留電荷を低減することは可能である。
【００５９】
また、成膜対象である基板を搬送する搬送ロボットとは異なる移動機構６０を用いてダミー基板７０を静電チャックプレート１２上に移動させているが、本発明はこれに限られるものではなく、搬送ロボット４５を用いてダミー基板を搬送するように構成してもよい。
【００６０】
また、ダミー基板を結線等を介してアース電位に保つことで、ダミー基板自身の帯電を防ぐことができる。その場合は、多数枚の基板に対して、残留電荷の低減量のばらつきをなくすことができる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、残留電荷が容易に低減されるので、基板の跳ね上がりや脱落がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理方法を適用できるマルチチャンバーを説明する図
【図２】(ａ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第１の平面図
(ｂ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第１の断面図
【図３】(ａ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第２の平面図
(ｂ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第２の断面図
【図４】(ａ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第３の平面図
(ｂ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第３の断面図
【図５】(ａ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第４の平面図
(ｂ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第４の断面図
【図６】(ａ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第５の平面図
(ｂ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第５の断面図
【図７】(ａ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第６の平面図
(ｂ)：本発明の処理方法に用いられる処理装置を説明する第６の断面図
【図８】基板の脱離／載置の回数と残留電荷量との関係を説明するグラフ
【図９】チャックオフ後の経過時間と残留電荷量との関係を示すグラフ
【図１０】(ａ)：従来の基板の静電吸着動作を説明する第１の図
(ｂ)：従来の基板の静電吸着動作を説明する第２の図
(ｃ)：リフトピン上から脱落した状態の基板を示す図
(ｄ)：リフトピン上で位置ズレを起こした基板を示す図
【符号の説明】
２……基板 ３ａ、３ｂ……電極 １２……静電チャックプレート
１６……絶縁体 ７０……ダミー基板

Claims (6)

1. 絶縁体に電極が設けられて構成された静電チャックプレート表面に基板を配置し、前記電極に電圧を印加して前記基板を静電吸着した状態で前記基板を真空雰囲気中で真空処理し、前記基板の静電吸着を解除し、前記真空処理が終了した第１の基板を前記静電チャックプレート表面から脱離させた後、前記真空処理をすべき第２の基板を前記静電チャックプレート表面に載置する処理方法であって、
   前記第１の基板を前記静電チャックプレート表面から脱離させたときから、前記第２の基板を前記静電チャックプレート表面に載置するまでの間に、前記第１、第２の基板と異なる基板である第３の基板を前記静電チャックプレート表面に載置し、静電吸着せずに、該第３の基板を前記静電チャックプレート表面から脱離させる残留電荷低減工程を有する処理方法。
2. 前記第３の基板を前記静電チャックプレート表面に載置し、該第３の基板を前記静電チャックプレート表面から脱離させることを複数回繰り返す請求項１記載の処理方法。
3. 前記第１、第２の基板を前記静電チャックプレートに対して移動させる搬送機構と異なる移動機構を用いて、前記第３の基板を前記静電チャックプレートに対して移動させる請求項１又は２のいずれか１項記載の処理方法。
4. 前記第１、第２の基板を真空槽内に配置し、前記静電チャックプレート表面に静電吸着しながら前記真空処理をしている間には、前記第３の基板を、前記真空槽内であって、前記静電チャックプレートとは異なる位置に配置しておく請求項１乃至３のいずれか１項記載の処理方法。
5. 前記第３の基板を前記静電チャックプレート表面に静電吸着し、前記真空槽内にクリーニングガスを導入して前記真空槽の内壁をクリーニングする真空槽クリーニング工程を有する請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の処理方法。
6. 前記真空処理は、前記真空槽内に配置されたターゲットをスパッタリングし、前記第１、第２の基板表面に薄膜を形成するスパッタリング工程である請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の処理方法であって、
   前記第３の基板を前記静電チャックプレート表面に静電吸着し、前記ターゲットをスパッタリングして前記ターゲット表面をクリーニングするターゲットクリーニング工程を有する処理方法。

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