JP4897030B2 - 搬送アームの洗浄方法及び基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、搬送アームの洗浄方法、基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置に関する。

半導体デバイスを製造する際には、半導体ウエハに対して、各種の薄膜の成膜処置、改質処理、酸化拡散処理、アニール処理、エッチング処理等が順次繰り返し行われ、これにより半導体ウエハ上に多層膜からなる半導体デバイスが製造される。

このような半導体デバイスを製造する製造装置としては、枚葉式の基板処理装置がある。この枚葉式の基板処理装置では、様々な処理を行うための複数の処理室と一つの搬送室とを連結し、各々の処理室内において、半導体ウエハにおける処理を順次行うことにより、一つの基板処理装置で各種処理を行うことを可能とするものである。この枚葉式の基板処理装置では、処理室間における半導体ウエハの移動は、搬送室に設けられた搬送アームの伸縮動作及び回転動作等により行われる。この搬送アームは、通常、静電チャック機能有しており、半導体ウエハは搬送アームに静電チャックにより吸着されて搬送される。

ところで、基板処理装置における搬送アームは駆動機構を有していることから、長期間基板処理装置を使用することにより、異物となるコンタミネーション（以下、コンタミと記載する）等が発生する場合や、基板処理装置の処理室において成膜処理が行われる場合には、処理室の壁面に成膜処理において付着した膜が剥がれコンタミ等を生じる場合がある。このように発生したコンタミ等は、チャンバー内を浮遊し、搬送アームや半導体基板に付着する場合がある。コンタミ等が半導体ウエハに付着した場合にはもちろんのこと、搬送アームに付着した場合においても、搬送アームを介し搬送アームにより搬送される半導体ウエハにもコンタミ等が付着してしまい、製造される半導体デバイスの歩留まりを低下させてしまう。

特開平６−２５２０６６号公報 特開平７−３０２８２７号公報

上記のように発生したコンタミ等を除去するためには、コンタミ等の付着した搬送アームをチャンバー内から取り出し、搬送アームの表面に付着しているコンタミ等を拭き取ることにより除去する方法がある。しかしながら、基板処理装置のチャンバー内から搬送アームを取り出す必要があり、時間と労力を有し、特に、真空チャンバー内に設置されている搬送アームを取り出すには、真空チャンバー内を大気圧状態にする必要があり、より一層時間と労力を要する。また、チャンバー内を浮遊しているコンタミ等を除去するためには、チャンバー内部の壁面等を拭き取りする方法があるが、同様に時間と労力を要し容易ではない。また、上述のようにコンタミ等を拭き取る作業を行う場合、別のコンタミ等を付着させてしまう場合もある。

このため、基板処理装置のチャンバー内から搬送アームを取り出すことなく、容易に短時間で、搬送アームに付着しているコンタミ等を除去する方法、更には、チャンバー内部に浮遊しているコンタミ等を容易に短時間で除去する方法が望まれていた。

本発明は、基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームの洗浄方法であって、前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合において、前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加する電圧印加工程を有し、前記電圧印加工程の前に、前記搬送アームの静電チャックに向けてガスを供給するガス供給工程を有し、前記ガスを供給している状態において、前記電圧印加工程を行うことにより、前記搬送アームに付着している異物を除去することを特徴とする。

また、本発明は、基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームを有する基板処理装置において、前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合に、前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加することにより、前記搬送アームに付着している異物を除去する制御を行う制御部と、前記搬送アームの静電チャックに向けてガスを供給するガス供給ノズルと、を有し、前記制御部において、前記ガスを供給している状態において、前記電圧印加を行なう制御がなされることを特徴とする。

本発明によれば、静電チャックにより搬送アームを有する基板処理装置において、搬送アームに付着しているコンタミ等、又は、チャンバー内に浮遊しているコンタミ等を容易に短時間で除去することができる。

第１の実施の形態における基板処理装置の構成図 搬送アームの上面図 搬送アームの断面拡大図 第１の実施の形態における基板処理装置の制御方法のフローチャート 第１の実施の形態における基板処理装置の制御方法の説明図（１） 第１の実施の形態における基板処理装置の制御方法の説明図（２） 第１の実施の形態における基板処理装置の制御方法の説明図（３） 第１の実施の形態における別の基板処理装置の制御方法の説明図 第２の実施の形態における基板処理装置の制御方法のフローチャート 第２の実施の形態における基板処理装置の制御方法の説明図（１） 第２の実施の形態における基板処理装置の制御方法の説明図（２） 第２の実施の形態における基板処理装置の制御方法の説明図（３） 第２の実施の形態における基板処理装置の制御方法の説明図（４） 第３の実施の形態における基板処理装置の制御方法のフローチャート

本発明を実施するための形態について、以下に説明する。

〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、搬送アームを用いて半導体ウエハを搬送するいわゆる枚葉式の基板処理装置において、搬送アームに付着しているコンタミ等を除去する搬送アームの洗浄方法及び基板処理装置の洗浄方法に関するものである。

（基板処理装置）
本実施の形態において用いられる基板処理装置は、複数の処理室と複数の処理室と接続されている搬送室とを有する半導体ウエハ等の基板の処理を行う基板処理装置であって、搬送室には、静電チャック（ＥＳＣ：Electrostatic Chuck）により半導体ウエハを吸着させる搬送アームが設けられており、搬送アームにより各々の処理室間または、処理室とロードロック室との間において、基板である半導体ウエハの移動をすることができるものである。

図１に基づき本実施の形態における基板処理装置について説明する。本実施の形態における基板処理装置は、搬入搬送室１０と、共通搬送室２０と、４つの処理室４１、４２、４３、４４、制御部５０を有している。尚、搬入搬送室１０及び共通搬送室２０は、後述するように搬送室としての搬送機構を有するものである。

共通搬送室２０は、略６角形の形状をしており、略６角形の辺に相当する部分において、４つの処理室４１、４２、４３、４４が接続されている。また、共通搬送室２０と、搬入搬送室１０との間には、２つのロードロック室３１及び３２が設けられている。共通搬送室２０と各々の処理室４１、４２、４３、４４との間には、各々ゲートバルブ６１、６２、６３、６４が設けられており、各々の処理室４１、４２、４３、４４は共通搬送室２０と遮断することができる。また、共通搬送室２０と各々のロードロック室３１及び３２との間には、各々ゲートバルブ６５及び６６が設けられており、各々のロードロック室３１及び３２と搬入搬送室１０との間には、各々ゲートバルブ６７及び６８が設けられている。尚、共通搬送室２０には不図示の真空ポンプが接続されており、真空排気可能であり、また、ロードロック室３１及び３２には不図示の真空ポンプが接続されており独立して排気可能である。

更に、搬入搬送室１０の２つのロードロック室３１及び３２が設けられている面の反対の面には、半導体ウエハを複数枚収納することのできるカセットが設置される３つの導入ポート１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃが連結されている。

搬入搬送室１０内には、半導体ウエハＷを保持するため２つの搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂを有する搬入側搬送機構１６が設けられており、搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂが伸縮、回転、昇降及び直線移動等の動作を行うことにより、導入ポート１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃにおけるカセット内に納められている半導体ウエハＷを取り出し、ロードロック室３１及び３２のいずれかの内部まで、移動させることができる。また、搬入搬送室１０内には、搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂに窒素ガスを吹きつけるため、窒素供給ノズル１７が設けられている。

共通搬送室２０内には、半導体ウエハＷを保持するため２つの搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂを有する搬送機構８０が設けられており、搬送アーム８０Ａ又は８０Ｂが伸縮動作及び回転動作等を行うことにより、半導体ウエハＷを各々の処理室４１、４２、４３、４４間の移動、ロードロック室３１又は３２の内部から各々の処理室４１、４２、４３、４４への移動、各々の処理室４１、４２、４３、４４からロードロック室３１又は３２の内部に移動させることができる。

具体的には、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂにより、半導体ウエハＷは、ロードロック室３１又は３２から各々の処理室４１、４２、４３、４４へ移動させることができ、各々の処理室４１、４２、４３、４４において、半導体ウエハＷに対する処理が行われる。処理室４１、４２、４３、４４においては、各々個別に半導体ウエハＷの処理が行われるため、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂにより、処理室４１、４２、４３、４４間において半導体ウエハＷを移動させて処理が行われる。半導体ウエハＷにおける処理が終了した後は、半導体ウエハＷは、搬送アーム８０Ａ又は８０Ｂにより、処理室４１、４２、４３、４４からロードロック室３１又は３２に移動し、更に、搬入搬送室１０における搬入側搬送機構１６の搬送アーム１６Ａ又は１６Ｂにより、搬送ポート１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃにおけるカセット内に、基板処理が終了した半導体ウエハＷが収納される。また、共通搬送室２０内には、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂに窒素ガスを吹きつけるため、窒素供給ノズル２７が設けられている。

また、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ又は１６Ｂの動作、搬送機構８０における搬送アーム８０Ａ又は８０Ｂの動作、処理室４１、４２、４３、４４における半導体ウエハの処理、ゲートバルブ６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８、ロードロック室３１又は３２の排気等の制御は、制御部５０において行われる。また、制御部５０により、搬送アーム１６Ａ又は１６Ｂ、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂにおける静電チャックのための電極に所定の電圧を印加する制御も行われる。

次に、図２及び図３に基づき、本実施の形態における搬送アーム８０Ａについて説明する。図３は、図２における破線３Ａ−３Ｂにおいて切断した断面拡大図である。搬送アーム８０Ａは二股に分かれた半導体ウエハＷが載置されるＵ字状の先端部分を有している。搬送アーム８０Ａの本体部８１は、酸化アルミニウム等のセラミックス材料により形成されており、半導体ウエハＷを載置するためのＵ字状の先端部分を有している。このＵ字状の先端部分には、静電チャックを行うための金属材料により形成される電極８２及び８３を有しており、電極８２及び８３の表面には、ポリイミド等からなる絶縁体層８４及び８５が形成されている。また、搬送アーム８０Ａにおける本体部８１の半導体ウエハＷの吸着面側には、シリコン化合物を含有するシリコン系ゴムからなるＯリング８６が設けられており、半導体ウエハＷは、本体部８１と直接接触することがないよう構成されている。尚、静電チャックは、電極８２及び８３の表面には、ポリイミド等からなる絶縁体層８４及び８５からなる静電チャック部８７において行われる。また、搬送アーム８０Ｂ及び、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂについても同様の構成となっている。尚、搬送アーム８０Ａ及び８０Ｂに付着しているコンタミ等が窒素ガスにより除去される位置は、各装置に設けられている不図示の排気口付近、処理室４１、４２、４３、４４からリトラクトした位置、リーク等における窒素ガス供給口の近傍である。

（基板処理装置の制御方法）
次に、本実施の形態における基板処理装置の制御方法について説明する。図４は、本実施の形態における基板処理装置の制御方法のフローチャートである。

搬送アーム８０Ａは、半導体ウエハＷの静電チャックを繰り返し行うものであるため、絶縁体層８４及び８５は僅かに帯電しており、図５に示すように電極８２及び８３に電圧が印加されていない状態（０Ｖの電圧が印加されている状態）においても、異物となる負に帯電したコンタミ９１及び正に帯電したコンタミ９２が、絶縁体層８４及び８５の表面に付着した状態となっている。

最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、負に帯電しているコンタミ９１及び正に帯電しているコンタミ９２が付着している搬送アーム８０Ａに窒素ガスを吹き付ける。具体的には、図６に示すように、窒素供給ノズル２７より窒素ガスを供給し、搬送アーム８０Ａの上方から搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部分に窒素ガスを吹きつける（ガス供給工程）。

次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、絶縁体層８４及び８５の表面における帯電している極性と逆の極性となるように、即ち、帯電しているコンタミ９１及び９２の電荷の極性と同じ極性の電圧を電極８２及び８３に印加する（電圧印加工程）。具体的には、図７に示すように、搬送アーム８０Ａにおいて、電極８２に負の電圧を印加し、電極８３に正の電圧を印加する。

電極８２に負の電圧を印加することにより、搬送アーム８０Ａの絶縁体層８４の表面側は負となり、絶縁体層８４の表面に付着している負に帯電しているコンタミ９１は、電気的な力により反発し、搬送アーム８０Ａの絶縁体層８４の表面より脱離する。搬送アーム８０Ａの表面には、窒素供給ノズル２７より、窒素ガスが吹きつけられており、絶縁体層８４の表面より脱離した負に帯電しているコンタミ９１は、窒素供給ノズル２７より供給される窒素ガスの流れに乗り、除去される。

同様に、電極８３に正の電圧を印加することにより、搬送アーム８０Ａの絶縁体層８５の表面側は正となり、絶縁体層８５の表面に付着している正に帯電しているコンタミ９２は、電気的な力により反発し、搬送アーム８０Ａの絶縁体層８５の表面より脱離する。搬送アーム８０Ａの表面には、窒素供給ノズル２７より、窒素ガスが吹きつけられており、絶縁体層８５の表面より脱離した正に帯電しているコンタミ９２は、窒素供給ノズル２７より供給される窒素ガスの流れに乗り、除去される。

以上、本実施の形態における基板処理装置の制御方法により、搬送アーム８０Ａの表面に付着している負に帯電しているコンタミ９１及び正に帯電しているコンタミ９２を除去することができる。

尚、上記説明においては、窒素供給ノズル２７は搬送アーム８０Ａの上方（搬送アーム８０Ａの面方向に垂直な上方）より表面に供給する場合について説明したが、図８に示すように、窒素供給ノズル２７は、搬送アーム８０Ａの側面側に設けた構成であってもよい。この場合においては、窒素供給ノズル２７より供給された窒素ガスは搬送アーム８０Ａの面方向に沿って流れ、電圧を印加することにより搬送アーム８０Ａより脱離している負に帯電したコンタミ９１及び正に帯電したコンタミ９２は窒素ガスにより流され除去される。

また、上記説明では、搬送アーム８０Ａについて詳しく説明したが、搬送アーム８０Ｂについても同様であり、更には、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂについても、搬送アーム８０Ａと同様に搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂの表面に付着しているコンタミ等を窒素供給ノズル１７により用いて除去することも可能である。

〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、搬送アームを用いて半導体ウエハを搬送するいわゆる枚葉式の基板処理装置において、基板処理装置を構成するチャンバー（処理室、共通搬送室、ロードロック室、搬入搬送室）内のコンタミ等を除去することのできる搬送アームの洗浄方法及び基板処理装置の洗浄方法に関するものである。尚、本実施の形態における搬送アームの洗浄方法及び基板処理装置の洗浄方法は、第１の実施の形態において用いた基板処理装置を用いるものである。

図９に基づき、本実施の形態における基板処理装置の制御方法について説明する。図１０に示すように、搬送アーム８０Ａの電極８２及び８３に電圧が印加されていない状態であって、絶縁体層８４及び８５の表面にも残留している電荷が存在していない場合においては、搬送アーム８０Ａには、負に帯電しているコンタミ９１及び正に帯電しているコンタミ９２は搬送アーム８０Ａには付着しておらず、チャンバー内を浮遊している。

最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）において、電極８２及び電極８３に電圧を印加する（第１の電圧印加工程）。具体的には、図１１に示すように、電極８２には正の電圧を印加し、電極８３には負の電圧を印加する。尚、この電圧の印加を順電圧の印加と表現する場合もある。電極８２に正の電圧を印加することにより、絶縁体層８４の表面側は正の電荷が帯電し、負に帯電しているコンタミ９１が絶縁体層８４の表面に付着する。また、電極８３に負の電圧を印加することにより、絶縁体層８５の表面側は負の電荷が帯電し、正に帯電しているコンタミ９２が絶縁体層８５の表面に付着する。

次に、ステップ２０４（Ｓ２０４）において、負に帯電しているコンタミ９１及び正に帯電しているコンタミ９２が付着している搬送アーム８０Ａに窒素ガスを吹き付ける（ガス供給工程）。具体的には、図１２に示すように、窒素供給ノズル２７より窒素ガスを供給し、搬送アーム８０Ａの上方から窒素ガスを吹きつける。

次に、ステップ２０６（Ｓ２０６）において、窒素ガスが供給された状態のまま、絶縁体層８４及び８５の帯電している極性と逆の極性となるように、電極８２及び８３に電圧を印加する（第２の電圧印加工程）。具体的には、図１３に示すように、搬送アーム８０Ａにおいてステップ２０２の場合とは、逆の極性の電圧を印加する。尚、この電圧の印加を逆電圧の印加と表現する場合もある。電極８２に負の電圧が印加されることにより、搬送アーム８０Ａの絶縁体層８４の表面側は負となり、絶縁体層８４の表面に付着している負に帯電しているコンタミ９１は、電気的な力により反発し、搬送アーム８０Ａの絶縁体層８４の表面より脱離する。搬送アーム８０Ａの表面には、窒素供給ノズル２７より、窒素ガスが吹きつけられており、絶縁体層８４の表面より脱離した負に帯電しているコンタミ９１は、窒素供給ノズル２７より供給される窒素ガスの流れに乗り、チャンバー内より除去することができる。

同様に、電極８３に正の電圧が印加されることにより、搬送アーム８０Ａの絶縁体層８５の表面側は正となり、絶縁体層８５の表面に付着している正に帯電しているコンタミ９２は、電気的な力により反発し、搬送アーム８０Ａの絶縁体層８５の表面より脱離する。搬送アーム８０Ａの表面には、窒素供給ノズル２７より、窒素ガスが吹きつけられており、絶縁体層８５の表面より脱離した正に帯電しているコンタミ９２は、窒素供給ノズル２７より供給される窒素ガスの流れに乗り、チャンバー内より除去することができる。

このようにして、搬送アーム８０Ａの周囲に浮遊している負に帯電しているコンタミ９１及び正に帯電しているコンタミ９２を搬送アーム８０Ａの表面に一旦吸着させ、その後、窒素供給ノズル２７により流し去ることにより、チャンバー内のコンタミを除去することができる。

尚、上記説明においては、窒素供給ノズル２７は搬送アーム８０Ａの上方（搬送アーム８０Ａの面方向に垂直な上方）より表面に供給する場合について説明したが、窒素供給ノズル２７は、搬送アーム８０Ａの側面側に設けた構成であってもよい。また、第１の電圧印加工程において逆電圧を印加し、第２の電圧印加工程において順電圧を印加した場合であっても同様に、チャンバー内のコンタミを除去することができる。

また、上記説明では、搬送アーム８０Ａについて詳しく説明したが、搬送アーム８０Ｂについても同様であり、更には、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂについても、搬送アーム８０Ａと同様に搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂを用いて、窒素供給ノズル１７によりコンタミ等を除去することができる。

〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、特に、第２の実施の形態において、搬送アームを有しないチャンバー（処理室、ロードロック室）におけるコンタミを除去する方法に関するものである。尚、本実施の形態における基板処理装置の洗浄方法は、第１の実施の形態において用いた基板処理装置を用いるものである。

図１４に基づき、本実施の形態における基板処理装置の制御方法について説明する。

最初に、ステップ３０２（Ｓ３０２）において、ゲートバルブ６１を開き搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部分を共通搬送室２０より処理室４１に挿入する（搬送アーム挿入工程）。

次に、ステップ３０４（Ｓ３０４）において、電極８２及び電極８３に電圧を印加する（第１の電圧印加工程）。具体的には、電極８２には正の電圧を印加し、電極８３には負の電圧を印加する。尚、この電圧の印加を順電圧の印加と表現する場合もある。電極８２に正の電圧が印加されることにより、絶縁体層８４の表面側は正の電荷が帯電し、負に帯電しているコンタミ９１が絶縁体層８４の表面に付着する。また、電極８３に負の電圧が印加されることにより、絶縁体層８５の表面側は負の電荷が帯電し、正に帯電しているコンタミ９２が絶縁体層８５の表面に付着する。

次に、ステップ３０６（Ｓ３０６）において、搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部分を処理室４１より共通搬送室２０内に戻し、ゲートバルブ６１を閉じる（搬送アーム戻し工程）。

次に、ステップ３０８（Ｓ３０８）において、負に帯電しているコンタミ９１及び正に帯電しているコンタミ９２が付着している搬送アーム８０Ａに窒素ガスを吹き付ける。具体的には、窒素供給ノズル２７より窒素ガスを供給し、搬送アーム８０Ａの上方から搬送アーム８０ＡのＵ字状の先端部分に窒素ガスを吹きつける（ガス供給工程）。

次に、ステップ３１０（Ｓ３１０）において、窒素ガスが供給された状態のまま、絶縁体層８４及び８５の帯電している極性と逆の極性となるように、電極８２及び８３に電圧を印加する。即ち、ステップ３０４において印加される電圧と逆の極性の電圧を印加する（第２の電圧印加工程）。尚、この電圧の印加を逆電圧の印加と表現する場合もある。これにより搬送アーム８０Ａの表面に付着している負に帯電しているコンタミ９１及び正に帯電しているコンタミ９２を搬送アーム８０Ａより脱離させ、窒素ガスノズル２７より供給される窒素ガスにより除去することができる。

以上の工程により、処理室４１内における負に帯電しているコンタミ９１及び正に帯電しているコンタミ９２を除去することができる。

尚、上記説明においては、窒素供給ノズル２７は搬送アーム８０Ａの上方（搬送アーム８０Ａの面方向に垂直な上方）より表面に供給する場合について説明したが、窒素供給ノズル２７は、搬送アーム８０Ａの側面側に設けた構成であってもよい。また、第１の電圧印加工程において逆電圧を印加し、第２の電圧印加工程において順電圧を印加した場合であっても同様に、チャンバー内のコンタミを除去することができる。

また、上記説明では、搬送アーム８０Ａについて詳しく説明したが、搬送アーム８０Ｂについても同様であり、更に、処理室４２、処理室４３、処理室４４、ロードロック室３１及びロードロック室３２についても同様の方法によりコンタミ等を除去することができる。また、搬入側搬送機構１６における搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂについても、搬送アーム８０Ａと同様に、搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂを用いてコンタミを除去することができ、ロードロック室３１及びロードロック室３２におけるコンタミの除去には、搬送アーム１６Ａ及び１６Ｂを用いることも可能である。尚、上記以外の内容については、第２の実施の形態と同様である。

以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。

１０ 搬入搬送室
１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ 導入ポート
１６ 搬入側搬送機構
１６Ａ、１６Ｂ 搬送アーム
１７ 窒素供給ノズル
２０ 共通搬送室
２７ 窒素供給ノズル
３１、３２ ロードロック室
４１、４２、４３、４４ 処理室
５０ 制御部
６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８ ゲートバルブ
８０ 搬送機構
８０Ａ、８０Ｂ 搬送アーム
８１ 本体部
８２、８３ 電極
８４、８５ 絶縁体層
８６ Ｏリング
８７ 静電チャック部
Ｗ 半導体ウエハ

Claims (14)

1. 基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームの洗浄方法であって、
   前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合において、
   前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加する電圧印加工程を有し、
   前記電圧印加工程の前に、前記搬送アームの静電チャックに向けてガスを供給するガス供給工程を有し、
   前記ガスを供給している状態において、前記電圧印加工程を行うことにより、前記搬送アームに付着している異物を除去することを特徴とする搬送アームの洗浄方法。
2. 前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の一方に正の電圧を印加し、他方に負の電圧を印加する第１の電圧印加工程と、
   前記第１の電圧印加工程の後、前記静電チャックの電極の一方に負の電圧を印加し、他方に正の電圧を印加する第２の電圧印加工程と、
   を有し、前記第２の電圧印加工程は、前記電圧印加工程であって、前記搬送アーム近傍の異物を除去することを特徴とする請求項１に記載の搬送アームの洗浄方法。
3. 前記第１の電圧印加工程の後、前記搬送アームの静電チャックに向けてガスを供給する前記ガス供給工程を有し、
   前記ガスを供給している状態で、前記第２の電圧印加工程を行うことを特徴とする請求項２に記載の搬送アームの洗浄方法。
4. 前記ガス供給工程において供給されるガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の搬送アームの洗浄方法。
5. 前記ガス供給工程は、ガス供給ノズルにより供給されるものであって、
   前記ガス供給ノズルは、前記搬送アームの静電チャックが設けられている面に対向している面、又は、前記搬送アームの前記静電チャックが設けられている面の側面に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の搬送アームの洗浄方法。
6. 基板の処理を行う複数の処理室と、前記複数の処理室が接続された搬送室と、前記搬送室内に設けられ、前記処理室間において基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームと、を有する基板処理装置における搬送アームの洗浄方法であって、
   前記搬送アームは、請求項１から５のいずれかに記載の搬送アームの洗浄方法により洗浄されるものであることを特徴とする搬送アームの洗浄方法。
7. 基板の処理を行う複数の処理室と、前記複数の処理室が接続された搬送室と、前記搬送室内に設けられた前記処理室間において基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームと、を有する基板処理装置における搬送アームの洗浄方法において、
   前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記搬送室より前記処理室に前記搬送アームの静電チャックを有する部分を挿入する搬送アーム挿入工程と、
   前記静電チャックの電極に電圧を印加する前記第１の電圧印加工程と、
   前記搬送アーム挿入工程及び前記第１の電圧印加工程の後、前記搬送アームの静電チャックを有する部分を前記搬送室内に戻す搬送アーム戻し工程と、
   搬送アーム戻し工程の後、前記第２の電圧印加工程と、
   を有し、前記処理室において帯電している異物を除去することを特徴とする請求項２または３に記載の搬送アームの洗浄方法。
8. 基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームを有する基板処理装置において、
   前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合に、前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加することにより、前記搬送アームに付着している異物を除去する制御を行う制御部と、
   前記搬送アームの静電チャックに向けてガスを供給するガス供給ノズルと、
   を有し、前記制御部において、前記ガスを供給している状態において、前記電圧印加を行なう制御がなされることを特徴とする基板処理装置。
9. 前記制御部により、
   前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の一方に正の電圧を印加し、他方に負の電圧を印加する第１の電圧印加工程と、
   前記第１の電圧印加工程の後、前記静電チャックの電極の一方に負の電圧を印加し、他方に正の電圧を印加する第２の電圧印加工程と、を行なう制御がなされ、
   第２の電圧印加工程において、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加することにより、前記搬送アーム近傍の異物を除去することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記制御部により、
    前記第１の電圧印加工程の後、前記搬送アームの静電チャックに向けてガスを供給するガス供給工程を行なう制御がなされ、
    前記ガスを供給している状態で、前記第２の電圧印加工程を行う制御がなされることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記ガス供給ノズルより供給されるガスは、窒素ガスであることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の基板処理装置。
12. 前記ガス供給ノズルは、前記搬送アームの静電チャックが設けられている面に対向している面、又は、前記搬送アームの前記静電チャックが設けられている面の側面に設けられていることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載の基板処理装置。
13. 基板の処理を行う複数の処理室と、
    前記複数の処理室が接続された搬送室と、
    を有し、
    前記搬送アームは、前記搬送室内に設けられ、前記処理室間において前記基板の搬送を行うものであることを特徴とする請求項８から１２のいずれかに記載の基板処理装置。
14. 基板の処理を行う複数の処理室と、
    前記複数の処理室が接続された搬送室と、
    を有し、
    前記搬送アームは、前記搬送室内に設けられた前記処理室間において基板の搬送を行うためのものであって、
    前記制御部により、
    前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記搬送室より前記処理室に前記搬送アームの静電チャックを有する部分を挿入する搬送アーム挿入工程と、
    前記静電チャックの電極に電圧を印加する前記第１の電圧印加工程と、
    前記搬送アーム挿入工程及び前記第１の電圧印加工程の後、前記搬送アームの静電チャックを有する部分を前記搬送室内に戻す搬送アーム戻し工程と、
    搬送アーム戻し工程の後、前記第２の電圧印加工程と、
    を行なう制御がなされることを特徴とする請求項９または１０に記載の基板処理装置。

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