TWI414035B - A cleaning method of a transfer arm, a cleaning method of a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus - Google Patents

A cleaning method of a transfer arm, a cleaning method of a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI414035B
TWI414035B TW099138275A TW99138275A TWI414035B TW I414035 B TWI414035 B TW I414035B TW 099138275 A TW099138275 A TW 099138275A TW 99138275 A TW99138275 A TW 99138275A TW I414035 B TWI414035 B TW I414035B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transfer arm
transfer
electrostatic chuck
voltage application
chamber
Prior art date
Application number
TW099138275A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201140729A (en
Inventor
Shigeru Ishizawa
Masaki Kondo
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201140729A publication Critical patent/TW201140729A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI414035B publication Critical patent/TWI414035B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B6/00—Cleaning by electrostatic means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
    • B25J19/0058—Means for cleaning manipulators, e.g. dust removing means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
    • B25J19/0066—Means or methods for maintaining or repairing manipulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Description

搬送臂的洗淨方法、基板處理裝置的洗淨方法及基板處理裝置
本發明係關於一種搬送臂的洗淨方法、基板處理裝置的洗淨方法及基板處理裝置。
於製造半導體元件之際，係對半導體晶圓依序反覆進行各種薄膜之成膜處理、改質處理、氧化擴散處理、退火處理、蝕刻處理等，藉此以製造半導體晶圓上由多層膜所構成之半導體元件。
作為製造此般半導體元件之製造裝置，有枚葉式基板處理裝置。此枚葉式基板處理裝置係連結用以進行各種處理之複數個處理室與一個搬送室，於各處理室內之中，藉由於半導體晶圓依序進行處理，而可以一個基板處理裝置來進行各種處理。此枚葉式基板處理裝置於處理室間之半導體晶圓的移動係藉由搬送室所設置的搬送臂之伸縮動作及旋轉動作等來進行。此搬送臂通常是具靜電夾具功能，而半導體晶圓係藉由靜電夾具而被吸附於搬送臂來被搬送。
然而，由於基板處理裝置中之搬送臂係具有驅動機構，故因長期間使用基板處理裝置，而會有產生成為異物之污染物質(以下稱為污染物)的情況，或在基板處理裝置之處理室中進行成膜處理的場合，則會有於成膜處理中附著於處理室壁面之膜剝離而產生污染物之情況。如此般產生之污染物等會漂浮於處理室內，而有附著於搬送臂或半導 體基板的情況。不用說污染物等附著於半導體晶圓的情況，即使是附著於搬送臂的情況，透過搬送臂而藉由搬送臂所搬送之半導體晶圓亦會附著污染物等，而導致所製造之半導體晶圓的良率降低。
專利文獻1：日本特開平6-252066號公報
專利文獻2：日本特開平7-302827號公報
為了去除上述般所產生之污染物等，有將附著有污染物等之搬送臂由處理室內取出，而藉由擦拭來去除附著於搬送臂表面之污染物的方法。然而，需要將搬送臂由基板處理裝置之處理室內取出，而需要時間與勞力，尤其是取出設置於真空處理室內之搬送臂，需要將真空處理室內轉為大氣壓狀態，而更加需要時間與勞力。又，為了去除漂浮在處理室內之污染物等，雖然有擦拭處理室內部壁面等之方法，但同樣地需要時間與勞力而並不容易。又，在進行上述般擦除污染物等作業的場合，也會有附著到其他污染物等的情況。
因此，便期望有一種不是將搬送臂由基板處理裝置之處理室內取出，而能容易地在短時間下將附著於搬送臂之污染物去除之方法，還有能容易地在短時間下將漂浮於處理室內部之污染物去除之方法。
本發明係一種具有進行基板搬送用的靜電夾具之搬送臂的洗淨方法，其特徵在於：在該搬送臂附著有帶電異物之情況，係具有該搬送臂在未載置該基板的狀態下，施加 與帶電異物之電荷極性相同極性之電壓於該靜電夾具之各電極的電壓施加步驟，以去除掉附著於該搬送臂之異物。
又，本發明於具有進行基板搬送用的靜電夾具之搬送臂的洗淨方法中，係具有在該搬送臂未載置該基板的狀態下，施加正電壓於該靜電夾具之一側電極，而施加負電壓於另側的第1電壓施加步驟；以及在該第1電壓施加步驟之後，對該靜電夾具之一側電極施加負電壓，而對另側施加正電壓之第2電壓施加步驟，來將該搬送臂附近的異物加以去除。
又，本發明基板處理裝置的洗淨方法，其中基板處理裝置係具有進行基板處理的複數個處理室、連接該複數個處理室之搬送室、設置於該搬送室內而具有靜電夾具以於該處理室間進行基板搬送的搬送臂，其特徵在於：在該搬送臂附著有帶電異物之情況，係具有該搬送臂在未載置該基板的狀態下，施加與帶電異物之電荷極性相同極性之電壓於該靜電夾具之各電極的電壓施加步驟，以去除掉附著於該搬送臂之異物。
又，本發明基板處理裝置的洗淨方法，其中基板處理裝置係具有進行基板處理的複數個處理室、連接該複數個處理室之搬送室、與該搬送室連接之裝載室、設置於該搬送室內而具有靜電夾具以於該處理室及裝載室間進行基板搬送的搬送臂，其特徵在於：在該搬送臂附著有帶電異物之情況，係具有該搬送臂在未載置該基板的狀態下，施加與帶電異物之電荷極性相同極性之電壓於該靜電夾具之各 電極的電壓施加步驟，以去除掉附著於該搬送臂之異物。
又，本發明於基板處理裝置的洗淨方法中，其中基板處理裝置係具有進行基板處理的複數個處理室、連接該複數個處理室之搬送室、設置於該搬送室內而具有靜電夾具以於該處理室間進行基板搬送的搬送臂，其係具有在該搬送臂未載置該基板的狀態下，施加正電壓於該靜電夾具之一側電極，而施加負電壓於另側的第1電壓施加步驟；以及在該第1電壓施加步驟之後，對該靜電夾具之一側電極施加負電壓，而對另側施加正電壓之第2電壓施加步驟，來將該處理室或該搬送室中的帶電異物加以去除。
又，本發明於基板處理裝置的洗淨方法中，其中基板處理裝置係具有進行基板處理的複數個處理室、連接該複數個處理室之搬送室、與該搬送室連接之裝載室、設置於該搬送室內而具有靜電夾具以於該處理室及裝載室間進行基板搬送的搬送臂，其係具有在該搬送臂未載置該基板的狀態下，施加正電壓於該靜電夾具之一側電極，而施加負電壓於另側的第1電壓施加步驟；以及在該第1電壓施加步驟之後，對該靜電夾具之一側電極施加負電壓，而對另側施加正電壓之第2電壓施加步驟，來將該處理室或該搬送室中的帶電異物加以去除。
又，本發明基板處理裝置的洗淨方法，其中基板處理裝置係具有進行基板處理的複數個處理室、連接該複數個處理室之搬送室、設置於該搬送室內而具有靜電夾具以於該處理室間進行基板搬送的搬送臂，其特徵在於：係具有 該搬送臂在未載置該基板的狀態下，將該搬送臂具有靜電夾具之部分從該搬送室插入至該處理室之搬送臂插入步驟；施加電壓至該靜電夾具的電極之電壓施加步驟；以及在該搬送臂插入步驟及電壓施加步驟之後，將該搬送臂具有靜電夾具之部分回復至該搬送室內之搬送臂回復步驟，來將該處理室中的帶電異物加以去除。
又，本發明係一種具有進行基板搬送用的靜電夾具之搬送臂的基板處理裝置，其特徵在於：具有控制部，係在該搬送臂附著有帶電異物的情況，進行在該搬送臂未載置該基板之狀態下，藉由施加與帶電異物之電荷極性相同極性之電壓於該靜電夾具之各電極，以去除掉附著於該搬送臂之異物的控制。
依本發明，便可在具有靜電夾具之搬送臂的基板處理裝置中，於短時間輕易的去除附著於搬送臂之污染物等或漂浮於處理室內之污染物等。
現就用以實施本發明之形態於以下加以說明。
[第1實施形態]
現就本發明第1實施形態加以說明。本實施形態係關於一種在使用搬送臂來搬送晶圓之所謂枚葉式基板處理裝置中，將附著於搬送臂之污染物等去除之搬送臂的洗淨方法以及基板處理裝置的洗淨方法。
(基板處理裝置)
本實施形態所使用之基板處理裝置係一種具有連接複 數個處理室與複數個處理室之搬送室以進行半導體晶圓等之基板的處理之基板處理裝置，其中於搬送室係設置有藉由靜電夾具(ESC：Electrostatic Chuck)來吸附半導體晶圓之搬送臂，可藉由搬送臂來於各處理室之間或處理室與裝載室之間進行基板(半導體晶圓)之移動。
基於圖1來說明本實施形態中之基板處理裝置。本實施形態中之基板處理裝置係具有搬入搬送室10、共同搬送室20、4個處理室41、42、43、44以及控制部50。另外，搬入搬送室10以及共同搬送室20係具有作為後述搬送室之搬送機構者。
共同搬送室20係呈略6角形的形狀，而相當於6角形之邊的部份則連接有4個處理室41、42、43、44。又，共同搬送室20與搬入搬送室10之間係設置有2個裝載室31、32。共同搬送室20與各個處理室41、42、43、44之間係各設置有閘閥61、62、63、64，而可將各處理室41、42、43、44與共同搬送室20加以阻隔。又，共同搬送室20與各裝載室31、32之間係各設置有閘閥65、66，各裝載室31、32與各搬入搬送室10之間則各設置有閘閥67、68。另外，共通搬送室20設置有真空泵(未圖示)而可真空排氣，又，裝載室31、32則連接有真空泵(未圖示)而可獨立進行排氣。
再者，搬入搬送室10之設有2個裝載室31、32之面的相反面則連接有設置可收納複數片半導體晶圓之晶圓匣的3個導入埠12A、12B、12C。
搬入搬送室10內設置有具有用以保持半導體晶圓之2個搬送臂16A、16B之搬入側搬送機構16，藉由搬送臂16A、16B進行伸縮、旋轉、升降及直線移動等動作，便能將導入埠12A、12B、12C中晶圓匣內所收納之半導體晶圓W取出，並移動至任一裝載室31、32之內部。又，搬入搬送室10內由於對搬送臂16A、16B吹拂有氮氣，故設置有氮氣供應噴嘴17。
共同搬送室20內設置有具有用以保持半導體晶圓W之2個搬送臂80A、80B之搬入側搬送機構80，藉由搬送臂80A、80B進行伸縮動作及旋轉動作等，便可將半導體晶圓W於各處理室41、42、43、44間移動、從裝載室31或32內部朝各處理室41、42、43、44移動、從各處理室41、42、43、44朝裝載室31或32內部移動。
具體而言，藉由搬送臂80A、80B，半導體晶圓W可從裝載室31或32朝各處理室41、42、43、44移動，而於各處理室41、42、43、44對半導體晶圓W進行處理。由於各處理室41、42、43、44中係個別地進行各個半導體晶圓W的處理，故係藉由搬送臂80A、80B來於處理室41、42、43、44間移動半導體晶圓W以進行處理。半導體晶圓W處理結束後，則半導體晶圓W會藉由搬送臂80A、80B從處理室41、42、43、44移動至裝載室31或32，再藉由搬入搬送室10之搬入側搬送機構16的搬送臂16A或16B來將基板處理結束後之半導體晶圓W收納至導入埠12A、12B、12C中之晶圓匣內。又，由於共同搬送室20內由於 對搬送臂80A、80B吹拂有氮氣，故設置有氮氣供應噴嘴27。
又，搬入側搬送機構16中搬送臂16A或16B之動作、搬送機構80中搬送臂80A或80B之動作、處理室41、42、43、44中半導體晶圓的處理、閘閥61、62、63、64、65、66、67、68以及裝載室31或32之排氣等控制係於控制部50進行。又，控制部50亦可進行搬送臂80A、80B中施加既定電壓於靜電夾具電極之控制。
接著，基於圖2及圖3，就本實施形態之搬送臂80A進行說明。圖3係圖2中剖面線3A-3B裁切後剖面放大圖。搬送臂80A係具有分為兩根以載置半導體晶圓W之U字型前端部分。搬送臂80A的本體部81係由氧化鋁等陶瓷材料所形成，而具有用以載置半導體晶圓W之U字型前端部分。於此U字型前端部分具有用以進行靜電吸附之金屬材料所形成之電極82、83，電極82、83表面形成有聚醯亞胺等所構成之絕緣體層84、85。又，搬送臂80A中本體部81之半導體晶圓W吸附面側係設置有含矽化合物之矽系橡膠所構成的O形環86，以讓半導體晶圓W不會直接與本體部81接觸。另外，靜電吸附係在電極82、83表面由聚醯亞胺等之絕緣體層84、85所構成之靜電吸附部87來進行。又，搬送臂80B以及搬入側搬送機構16中之搬送臂16A、16B亦是相同結構。另外，以氮氣去除附著於搬送臂80A、80B的污染物等之位置係各裝置所設置之排氣口(未圖示)附近、由處理室41、42、43、44回收之位置、槽縫中之氮 氣供應口附近。
(基板處理裝置之控制方法)
接著，就本實施形態基板處理裝置之控制方法進行說明。圖4係本實施形態基板處理裝置之控制方法的流程圖。
搬送臂80A由於係反覆地進行半導體晶圓W的靜電吸附，故絕緣體層84、85會些微帶電，如圖5所示，即使在未施加電壓於電極82、83的狀態(施加0V電壓的狀態)，仍會成為變為異物之帶負電污染物91及帶正電污染物92吸附於絕緣體層84、85表面之狀態。
首先，於步驟102(S102)中，吹拂氮氣至附著有帶負電污染物91及帶正電污染物92之搬送臂80A。具體而言，如圖6所示，係從氮氣供應噴嘴27供應氮氣，而從搬送臂80A上方將氮氣吹拂至搬送臂80A之U字型前端部分(氣體供應步驟)。
接著，於步驟104(S104)中，讓絕緣體層84、85表面的帶電極性成為相反極性，亦即，對電極82、83施加與帶電污染物91、92之電荷極性相同極性之電壓(電壓施加步驟)。具體而言，如圖7所示，搬送臂80A中，係對電極82施加負電壓，對電極83施加正電壓。
藉由施加負電壓至電極82，則搬送臂80A之絕緣體層84表面側會成為負，使得附著於絕緣體層84表面之帶負電污染物91因電性力排斥，而從搬送臂80A之絕緣體層84表面脫離。搬送臂80A之表面係從氮氣供應噴嘴27而被吹拂有氮氣，從絕緣體層84表面所脫離之帶負電污染物91 便會因從氮氣供應噴嘴27所供應之氮氣氣流而被去除。
同樣地，藉由施加正電壓至電極83，則搬送臂80A之絕緣體層85表面側會成為正，使得附著於絕緣體層85表面之帶正負電污染物92因電性力排斥，而從搬送臂80A之絕緣體層85表面脫離。搬送臂80A之表面係從氮氣供應噴嘴27而被吹拂有氮氣，從絕緣體層85表面所脫離之帶正電污染物92便會因從氮氣供應噴嘴27所供應之氮氣氣流而被去除。
以上，藉由本實施形態基板處理裝置之控制方法，便可以去除附著於搬送臂80A表面之帶負電污染物91及帶正電污染物92。
另外，上述說明中，雖係說明氮氣供應噴嘴27是從搬送臂80A上方(垂直於搬送臂80A面方向的上方)來供應至表面的情況，但亦可如圖8所示，氮氣供應噴嘴27係設置於搬送臂80A側面側之結構。此情況中，從氮氣供應噴嘴27所供應之氮氣會沿著搬送臂80A面方向流動，藉由施加電壓而從搬送臂80A脫離之帶負電污染物91及帶正電污染物92便會因氮氣氣流而被去除。
又，上述說明雖已詳細說明了搬送臂80A，但搬送臂80B亦相同，再者，搬入側搬送機構16中之搬送臂16A、16B亦與搬送臂80A同樣地能藉由使用氮氣供應噴嘴17來去除附著於搬送臂16A、16B表面之污染物等。
[第2實施形態]
接著，就第2實施形態進行說明。本實施形態係關於 在使用搬送臂來搬送半導體晶圓之所謂枚葉式基板處理裝置中，能將構成基板處理裝置之處理室(處理室、共同搬送室、裝載室、搬入搬送室)內之污染物等去除之搬送臂的洗淨方法及基板處理裝置的洗淨方法。另外，本實施形態搬送臂的洗淨方法及基板處理裝置的洗淨方法係使用第1實施形態所使用的基板處理裝置。
基於圖9來說明本實施形態基板處理裝置之控制方法。如圖10所示，在搬送臂80A之電極82、83未施加有電壓的狀態，而絕緣體層84、85表面亦未殘留有電荷之情況，搬送臂80A是不會有帶負電污染物91及帶正電污染物92附著於搬送臂80A，而會漂浮在處理室內。
首先，於步驟202(S202)中，將電壓施加於電極82及電極83(第1電壓施加步驟)。具體而言，如圖11所示，電極82係施加正電壓，電極83係施加負電壓。另外，此電壓的施加亦有表現為順電壓施加的情況。藉由施加正電壓至電極82，則絕緣體層84表面側會帶有正電荷，而帶負電污染物91會附著於絕緣體層84表面。藉由施加負電壓至電極83，則絕緣體層85表面側會帶有負電荷，而帶正電污染物92會附著於絕緣體層85表面。
接著，於步驟204(S204)中，將氮氣吹拂至附著有帶負電污染物91及帶正電污染物92之搬送臂80A(氣體供應步驟)。具體而言，如圖12所示，係從氮氣供應噴嘴27供應氮氣，而從搬送臂80A上方吹拂氮氣。
接著，步驟206(S206)中，會在供應氮氣的狀態下，施 加電壓至電極82、83，以使得絕緣體層84、85的帶電極性變為相反的極性(第2電壓施加步驟)。具體而言，如圖13所示，搬送臂80A係施加於步驟202的情況相反極性的電壓。另外，此電壓之施加亦有表現為逆電壓施加的情況。藉由施加負電壓至電極82，則搬送臂80A之絕緣體層84表面側會成為負，而附著於絕緣體層84表面之帶負電污染物91會因電性力排斥，而從搬送臂80A之絕緣體層84表面脫離。搬送臂80A之表面係從氮氣供應噴嘴27而被吹拂有氮氣，從絕緣體層84表面所脫離之帶負電污染物91便會因從氮氣供應噴嘴27所供應之氮氣氣流而可從處理室內去除。
同樣地，藉由施加正電壓至電極83，則搬送臂80A之絕緣體層85表面側會成為正，使得附著於絕緣體層85表面之帶正電污染物92因電性力排斥，而從搬送臂80A之絕緣體層85表面脫離。搬送臂80A之表面係從氮氣供應噴嘴27而被吹拂有氮氣，從絕緣體層85表面所脫離之帶正電污染物92便會因從氮氣供應噴嘴27所供應之氮氣氣流而可從處理室內去除。
如此一來，便能將搬送臂80A周圍所漂浮之帶負電污染物91及帶正電污染物92暫時吸附於搬送臂80A表面，之後藉由氮氣供應噴嘴27來去除，便可去除掉處理室內的污染物。
另外，上述說明中，雖係說明氮氣供應噴嘴27是從搬送臂80A上方(垂直於搬送臂80A面方向的上方)來供應至 表面的情況，但亦可為氮氣供應噴嘴27係設置於搬送臂80A側面側之結構。又，於第1電壓施加步驟中施加逆電壓，而在第2電壓施加步驟中施加順電壓的情況亦同樣地能將處理室內之污染物加以去除。
又，上述說明雖已詳細說明了搬送臂80A，但搬送臂80B亦相同，再者，搬入側搬送機構16中之搬送臂16A、16B亦與搬送臂80A同樣地能藉由氮氣供應噴嘴17來使用搬送臂16A、16B而去除污染物等。
[第3實施形態]
接著，說明第3實施形態。本實施形態特別是關於在第2實施形態中，去除不具有搬送臂之處理室(處理室、裝載室)中污染物的方法。另外，本實施形態基板處理裝置的洗淨方法係使用第1實施形態所使用的基板處理裝置。
基於圖14，說明本實施形態基板處理裝置之控制方法。
首先，於步驟302(S302)中，係開啟閘閥61而從共同搬送室20將搬送臂80A之U字型前端部分插入至處理室41(搬送臂插入步驟)。
接著，於步驟304(S304)中，施加電壓至電極82及電極83(第1電壓施加步驟)。具體而言，電極82係施加正電壓，電極83係施加負電壓。另外，此電壓施加亦有表現為順電壓施加的情況。藉由施加正電壓至電極82，則絕緣體層84表面側會帶有正電荷，而帶負電污染物91會附著在絕緣體層84表面。又，施加負電壓至電極83，則絕緣體層85表面側會帶有負電荷，而帶正電污染物92會附著在絕緣 體層85表面。
接著，於步驟306(S306)中，將搬送臂80A之U字型前端部分從處理室41回復至共同搬送室20內，關閉閘閥61(搬送臂回復步驟)。
接著，於步驟308(S308)中，吹拂氮氣至附著有帶負電污染物91及帶正電污染物92之搬送臂80A。具體而言，係從氮氣供應噴嘴27供應氮氣，而從搬送臂80A之上方將氮氣供應至搬送臂80A之U字型前端部分(氣體供應步驟)。
接著，會在供應氮氣的狀態下，施加電壓至電極82、83，以使得絕緣體層84、85的帶電極性變為相反的極性(第2電壓施加步驟)。另外，此電壓之施加亦有表現為逆電壓施加的情況。藉此，便可將搬送臂80A表面所附著之帶負電污染物91及帶正電污染物92從搬送臂80A脫離，而藉由氮氣供應噴嘴27所供應之氮氣來加以去除。
藉由以上的步驟，便可以去除處理室41內之帶負電污染物91及帶正電污染物92。
另外，上述說明中，雖係說明氮氣供應噴嘴27是從搬送臂80A上方(垂直於搬送臂80A面方向的上方)來供應至表面的情況，但亦可為氮氣供應噴嘴27係設置於搬送臂80A側面側之結構。又，於第1電壓施加步驟中施加逆電壓，而在第2電壓施加步驟中施加順電壓的情況亦同樣地能將處理室內之污染物加以去除。
又，上述說明雖係就搬送臂80A進行詳細說明，但搬送臂80B亦相同，再者，處理室42、處理室43、處理室 44、裝載室31以及裝載室32亦可以同樣方法來去除污染物等。又，搬入側搬送機構16中之搬送臂16A、16B亦與搬送臂80A同樣地能使用搬送臂16A、16B來去除之污染物，而裝載室31及裝載室32中之污染物的去除亦可使用搬送臂16A、16B來達成。另外，上述以外的內容則與第2實施形態相同。
以上已說明本發明實施之相關形態，但上述內容並非用以限定本發明內容。
10‧‧‧搬入搬送室室
12A、12B、12C‧‧‧導入埠
16‧‧‧搬入側搬送機構
16A、16B‧‧‧搬送臂
17‧‧‧氮氣供應噴嘴
20‧‧‧共同搬送室
27‧‧‧氮氣供應噴嘴
31、32‧‧‧裝載室
41、42、43、44‧‧‧處理室
50‧‧‧控制部
61、62、63、64、65、66、67、68‧‧‧閘閥
80‧‧‧搬送機構
80A、80B‧‧‧搬送臂
81‧‧‧本體部
82、83‧‧‧電極
84、85‧‧‧絕緣體層
86‧‧‧O形環
87‧‧‧靜電吸附部
W‧‧‧半導體晶圓
圖1為第1實施形態之基板處理裝置的結構圖。
圖2為搬送臂的俯視圖。
圖3為搬送臂的剖面放大圖。
圖4為第1實施形態基板處理裝置之控制方法的流程圖。
圖5為第1實施形態基板處理裝置之控制方法的說明圖(1)。
圖6為第1實施形態基板處理裝置之控制方法的說明圖(2)。
圖7為第1實施形態基板處理裝置之控制方法的說明圖(3)。
圖8為第1實施形態基板處理裝置之控制方法的說明圖。
圖9為第2實施形態基板處理裝置之控制方法的流程 圖。
圖10為第2實施形態基板處理裝置之控制方法的說明圖(1)。
圖11為第2實施形態基板處理裝置之控制方法的說明圖(2)。
圖12為第2實施形態基板處理裝置之控制方法的說明圖(3)。
圖13為第2實施形態基板處理裝置之控制方法的說明圖(4)。
圖14為第3實施形態基板處理裝置之控制方法的流程圖。
27‧‧‧氮氣供應噴嘴
80A‧‧‧搬送臂
82‧‧‧電極
83‧‧‧電極
84‧‧‧絕緣體層
85‧‧‧絕緣體層
91‧‧‧污染物
92‧‧‧污染物

Claims (14)

  1. 一種搬送臂的洗淨方法，係具有進行基板搬送用的靜電夾具之搬送臂的洗淨方法，其特徵在於：在該搬送臂附著有帶電異物之情況，係具有該搬送臂在未載置該基板的狀態下，施加與帶電異物之電荷極性相同極性之電壓於該靜電夾具之各電極的電壓施加步驟；並具有於該電壓施加步驟之前，朝該搬送臂之靜電夾具供應氣體之氣體供應步驟；其中係在供應該氣體的狀態中，進行該電壓施加步驟，以去除掉附著於該搬送臂之異物。
  2. 一種搬送臂的洗淨方法，係具有進行基板搬送用的靜電夾具之搬送臂的洗淨方法，其特徵在於：係具有在該搬送臂未載置該基板的狀態下，施加正電壓於該靜電夾具之一側電極，而施加負電壓於另側的第1電壓施加步驟；以及在該第1電壓施加步驟之後，對該靜電夾具之一側電極施加負電壓，而對另側施加正電壓之第2電壓施加步驟；並具有於該第1電壓施加步驟後，朝該搬送臂之靜電夾具供應氣體之氣體供應步驟；其中係在供應該氣體的狀態下，進行該第2電壓施加步驟以去除掉附著於該搬送臂之異物。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之搬送臂的洗淨方法，其中該氣體供應步驟中所供應的氣體為氮氣。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之搬送臂的洗淨方法，其 中該氣體供應步驟係藉由氣體供應噴嘴所供應；該氣體供應噴嘴係設置在對向於該搬送臂之設有靜電夾具之面的面，或該搬送臂之設有該靜電夾具之面的側面。
  5. 一種基板處理裝置的洗淨方法，其中基板處理裝置係具有進行基板處理的1或2個以上之處理室、連接該處理室之搬送室、設置於該搬送室內而具有靜電夾具以朝該處理室進行基板搬送的搬送臂，其特徵在於：在該搬送臂附著有帶電異物之情況，係具有該搬送臂在未載置該基板的狀態下，施加與帶電異物之電荷極性相同極性之電壓於該靜電夾具之各電極的電壓施加步驟；並具有具有於該電壓施加步驟之前，朝該搬送臂之靜電夾具供應氣體之氣體供應步驟；其中係在供應該氣體的狀態下，進行該電壓施加步驟，以去除掉附著於該搬送臂之異物。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置的洗淨方法，其中該基板處理裝置更具有連接該處理室之搬送室、與該搬送室連接之裝載室；該搬送臂係以可將該基板朝該裝載室搬送之方式構成。
  7. 一種基板處理裝置的洗淨方法，其中該基板處理裝置係具有進行基板處理的1或2個以上之處理室、連接該處理室之搬送室、設置於該搬送室內而具有靜電夾具以朝該處理室進行基板搬送的搬送臂，其特徵在於 具有：在該搬送臂未載置該基板的狀態下，施加正電壓於該靜電夾具之一側電極，而施加負電壓於另側的第1電壓施加步驟；以及在該第1電壓施加步驟之後，對該靜電夾具之一側電極施加負電壓，而對另側施加正電壓之第2電壓施加步驟；並具有於該第1電壓施加步驟後，於該第2電壓施加步驟前，朝該搬送臂之靜電夾具供應氣體之氣體供應步驟；其中係在供應該氣體的狀態下，進行該第2電壓施加步驟，來將該處理室或該搬送室中的帶電異物加以去除。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置的洗淨方法，其中該基板處理裝置係具有與該搬送室連接之裝載室；該搬送臂係以可將該基板朝該裝載室搬送之方式構成。
  9. 一種基板處理裝置的洗淨方法，其中基板處理裝置係具有進行基板處理的複數個處理室、連接該複數個處理室之搬送室、設置於該搬送室內而具有靜電夾具以於該處理室間進行基板搬送的搬送臂，其特徵在於具有：該搬送臂在未載置該基板的狀態下，將該搬送臂具有 靜電夾具之部分從該搬送室插入至該處理室之搬送臂插入步驟；施加電壓至該靜電夾具的電極之電壓施加步驟；以及在該搬送臂插入步驟及該電壓施加步驟之後，將該搬送臂具有靜電夾具之部分回復至該搬送室內之搬送臂回復步驟；並具有於該搬送臂回復步驟之後，朝該搬送臂之靜電夾具供應氣體之氣體供應步驟；其中係在供應該氣體的狀態下，進行該電壓施加步驟，來將該處理室中的帶電異物加以去除。
  10. 如申請專利範圍第5、7、9項中任一項之基板處理裝置的洗淨方法，其中該氣體供應步驟中所供應的氣體為氮氣。
  11. 如申請專利範圍第5、7、9項中任一項之基板處理裝置的洗淨方法，其中該氣體供應步驟係藉由氣體供應噴嘴所供應；該氣體供應噴嘴係設置在對向於該搬送臂之設有靜電夾具之面的面，或該搬送臂之設有靜電夾具之面的側面。
  12. 一種基板處理裝置，係具有進行基板搬送用的靜電夾具之搬送臂，其特徵在於：具有控制部，係在該搬送臂附著有帶電異物的情況，進行在該搬送臂未載置該基板之狀態下，藉由施加與帶電異物之電荷極性相同極性之電壓於該靜電夾具之各電極，以去除掉附著於該搬送臂之異物的控制；以 及氣體供應噴嘴，係朝該搬送臂之靜電夾具供應氣體；其中該控制部係進行從該氣體供應噴嘴供應該氣體之控制，以及在供應該氣體的狀態下，進行該電壓施加之控制。
  13. 一種基板處理裝置，係具有進行基板搬送用的靜電夾具之搬送臂，其特徵在於：該基板處理裝置係具有控制部，係進行在該搬送臂未載置該基板的狀態下，施加正電壓於該靜電夾具之一側電極，而施加負電壓於另側的第1電壓施加控制；以及在該第1電壓施加控制之後，對該靜電夾具之一側電極施加負電壓，而對另側施加正電壓之第2電壓施加控制；以及氣體供應噴嘴，係於該第1電壓施加步驟後，於該第2電壓施加步驟前，朝該搬送臂之靜電夾具供應氣體；其中該控制部係進行從該氣體供應噴嘴供應該氣體之控制，以及在供應該氣體的狀態下，進行該第2電壓施加之控制。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之基板處理裝置，其中該氣體供應噴嘴係設置在該搬送臂之側面側。
TW099138275A 2009-11-09 2010-11-08 A cleaning method of a transfer arm, a cleaning method of a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus TWI414035B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009256300A JP4897030B2 (ja) 2009-11-09 2009-11-09 搬送アームの洗浄方法及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201140729A TW201140729A (en) 2011-11-16
TWI414035B true TWI414035B (zh) 2013-11-01

Family

ID=43973216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099138275A TWI414035B (zh) 2009-11-09 2010-11-08 A cleaning method of a transfer arm, a cleaning method of a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110108056A1 (zh)
JP (1) JP4897030B2 (zh)
KR (1) KR101211079B1 (zh)
CN (1) CN102097292A (zh)
TW (1) TWI414035B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5523436B2 (ja) * 2011-12-19 2014-06-18 三菱電機株式会社 半導体清浄装置および半導体清浄方法
JP5768731B2 (ja) * 2012-01-27 2015-08-26 三菱電機株式会社 異物除去装置、異物除去方法
JP5976377B2 (ja) * 2012-04-25 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置
JP5990047B2 (ja) * 2012-06-28 2016-09-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6068118B2 (ja) * 2012-12-05 2017-01-25 日本特殊陶業株式会社 搬送装置及び搬送用部材
US9211568B2 (en) * 2013-03-12 2015-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Clean function for semiconductor wafer scrubber
KR20150006563A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 파티클 제거 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR102125598B1 (ko) * 2016-04-27 2020-06-22 주식회사 엘지화학 전기장 흡착 방식을 이용한 이물질 제거 시스템 및 제거 방법
WO2018179295A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
KR102008581B1 (ko) * 2017-11-29 2019-08-07 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법, 및 유기 el 표시장치의 제조방법
CN111512238B (zh) * 2017-12-28 2024-01-30 Asml荷兰有限公司 从设备部件中移除污染物颗粒的设备和方法
WO2019219163A1 (en) * 2018-05-14 2019-11-21 Applied Materials, Inc. Cleaning device for attracting particles in a substrate processing system, processing system for processing a substrate, and method of operation of a cleaning device
JP7234549B2 (ja) * 2018-09-12 2023-03-08 東京エレクトロン株式会社 真空搬送モジュール及び真空搬送方法
CN110943066A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 联华电子股份有限公司 具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法
WO2024122025A1 (ja) * 2022-12-08 2024-06-13 株式会社日立ハイテク ウェハ搬送用ハンド、ウェハ交換装置、荷電粒子線装置および真空装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070233313A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Transfer pick, transfer device, substrate processing apparatus and transfer pick cleaning method
US20090109595A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Sokudo Co., Ltd. Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5781400A (en) * 1995-09-20 1998-07-14 Hitachi, Ltd. Electrostatically attracting electrode and a method of manufacture thereof
JPH10256345A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板搬送方法
JPH1187457A (ja) * 1997-09-16 1999-03-30 Hitachi Ltd 異物除去機能付き静電吸着装置を備えた半導体製造装置
JPH11251419A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Toshiba Ceramics Co Ltd 基板保持用静電チャック及び基板保持方法
JP4806165B2 (ja) * 2004-04-28 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム
US20060011213A1 (en) * 2004-04-28 2006-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device and cleaning method thereof and substrate processing system and cleaning method thereof
JP4745099B2 (ja) * 2006-03-28 2011-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、搬送ピックのクリーニング方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取り可能な記憶媒体
JP2007296488A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Trinc:Kk 除塵装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070233313A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Transfer pick, transfer device, substrate processing apparatus and transfer pick cleaning method
US20090109595A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Sokudo Co., Ltd. Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools

Also Published As

Publication number Publication date
JP4897030B2 (ja) 2012-03-14
TW201140729A (en) 2011-11-16
JP2011099156A (ja) 2011-05-19
KR101211079B1 (ko) 2012-12-11
KR20110051146A (ko) 2011-05-17
US20110108056A1 (en) 2011-05-12
CN102097292A (zh) 2011-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI414035B (zh) A cleaning method of a transfer arm, a cleaning method of a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus
TWI451520B (zh) A substrate processing apparatus, a substrate transfer apparatus, and a substrate transfer apparatus
US9263307B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
TWI384271B (zh) Substrate bonding device
JP7454976B2 (ja) 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
US7782591B2 (en) Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking
JP2003124612A (ja) 減圧プラズマ処理装置及びその方法
JP4745099B2 (ja) 基板処理装置、搬送ピックのクリーニング方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取り可能な記憶媒体
JP2018113361A (ja) 基板ホルダ、縦型基板搬送装置及び基板処理装置
JP4064557B2 (ja) 真空処理装置の基板取り外し制御方法
US20100236718A1 (en) Substrate processing apparatus
CN112779503B (zh) 成膜装置及成膜装置的控制方法
US20200373134A1 (en) Alignment module with a cleaning chamber
JP4073657B2 (ja) 処理方法
JPH11145266A (ja) 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた基板搬送装置および基板搬送方法
CN112779504B (zh) 成膜装置及成膜方法
WO2023132125A1 (ja) 静電吸着ツール及び対象物表面加工方法
JP3929287B2 (ja) 平面体の搬送機構および薄膜形成装置
KR20180082132A (ko) 대면적 기판 cmp 시스템 및 대면적 기판 cmp 방법
TW201713588A (zh) 搬送裝置及其控制方法
JP2004063826A (ja) 残留電荷除去方法及び残留電荷除去装置
KR101472913B1 (ko) 클리닝 부재 및 이를 이용한 클리닝 방법
JP2022019549A (ja) プラズマ処理装置
CN113948360A (zh) 等离子体处理装置
JP2010205912A (ja) 基板搬送用治具及びそれを用いた素子基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees