JP2003124612A - 減圧プラズマ処理装置及びその方法 - Google Patents

減圧プラズマ処理装置及びその方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを向上させることができ、フィ
ルム汚染が効果的に防止でき、フィルムの管理が容易に
行うことができる減圧プラズマ処理装置及びその方法を
提供する。 【解決手段】 フィルム基板２をプラズマ処理装置本体
１０外からプラズマ処理装置本体内の基板搬送位置Ｂに
搬入し、基板搬送位置に位置したフィルム基板をチャン
バー８内に搬入し、チャンバー内を排気しつつ反応ガス
を導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発
生させてフィルム基板から有機物を除去するプラズマ処
理を行い、プラズマ処理されたフィルム基板をチャンバ
ーから取り出してプラズマ処理装置本体内の基板搬出位
置Ｃに位置させてプラズマ処理装置本体外に搬出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理基板の表面
を処理するプラズマを減圧雰囲気下で発生させるプラズ
マ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】実装技術の分野において、電子機器の小
型化・高機能化に伴い高密度な実装が要求されている。
そのため、実装基板への素子の接続は微細化され、より
信頼性の高い実装が必要とされている。信頼性を確保す
る方法の一つとしてプラズマによる表面改質方法があ
る。たとえば、このプラズマ処理によって、表面に付着
した有機物汚染が除去され、ワイヤーボンディングのボ
ンディング強度を向上したり、濡れ性が改善され、基板
と封止樹脂との密着性を向上することができる。すなわ
ち、酸素プラズマにより基板表面の活性化を起こし、カ
ルボキシル基（ＣＯＯ）、カルボニル基（Ｃ＝Ｏ）など
ができて、接合強度の向上につながるといった表面活性
化作用を生じさせる。また、アルゴンイオン又は酸素イ
オンによるスパッタリング作用により、表面洗浄作用を
生じさせる。
【０００３】特に、フィルムなどから構成されるフレキ
シブル回路基板において基板表面に塩素が残っている
と、基板周囲の湿気と反応したり、回路を流れる電流な
どの影響で回路が腐食する可能性があるため、プラズマ
処理によって、表面に付着した塩素が除去されるように
している。
【０００４】このようなプラズマ処理の従来の構成とし
ては、フィルムを数枚ずつ人の手でチャンバー内に載置
し、チャンバー蓋を閉じてから、真空粗引き、本引き、
ガスバルブ開、高周波電力印加、高周波電力印加停止、
大気圧復帰、チャンバー開の一連の動作を人が１つずつ
行う。真空圧の確認は真空計によって行い、高周波電力
印加時間はストップウォッチで計測する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、必然的にバッチ処理になるために、スル
ープットに限界がある。また、人の手によってフィルム
を出し入れする為に、フィルムが汚染される可能性があ
る。さらに、洗浄と次工程の間にブランクが発生する為
に、フィルムの管理が難しい。
【０００６】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、スループットを向上させることがで
き、フィルム汚染が効果的に防止でき、フィルムの管理
が容易に行うことができる減圧プラズマ処理装置及びそ
の方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
【０００８】本発明の第１態様によれば、フィルム基板
を保持する搬送アーム装置と、プラズマ処理装置本体外
の基板搬入準備位置と上記プラズマ処理装置本体内の基
板搬入位置との間で上記搬送アーム装置を移動させると
ともに、上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位
置と上記プラズマ処理装置本体外の基板搬出位置との間
で上記搬送アーム装置を移動させる移動装置と、上記移
動装置の駆動により上記搬送アーム装置が上記基板搬入
準備位置から上記基板搬入位置に移動して、上記搬送ア
ーム装置に保持された上記フィルム基板が搬入されたの
ち上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減
圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記
フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行う
とともに、上記プラズマ処理されたフィルム基板が上記
搬送アーム装置により保持されて上記基板搬出準備位置
から上記基板搬出位置に搬出されるチャンバーとを備え
ることを特徴とする減圧プラズマ処理装置を提供する。
【０００９】本発明の第２態様によれば、上記フィルム
基板を保持して上記チャンバーが配置されるプラズマ処
理装置本体外からプラズマ処理装置本体内に搬入する基
板搬入スライダと、上記プラズマ処理されたフィルム基
板を保持して上記プラズマ処理装置本体内からプラズマ
処理装置本体外に搬出する基板搬出スライダとをさらに
備える第１の態様に記載の減圧プラズマ処理装置を提供
する。
【００１０】本発明の第３態様によれば、上記チャンバ
ーは、第１チャンバーと第２チャンバーとを備えて上記
フィルム基板を複数枚それぞれプラズマ処理し、上記フ
ィルム基板がそれぞれ上記第１チャンバーと上記第２チ
ャンバーに搬入されたのち上記各チャンバー内を排気し
つつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加して
プラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除
去するプラズマ処理をそれぞれ独立して行う第１又は２
の態様に記載の減圧プラズマ処理装置を提供する。
【００１１】本発明の第４態様によれば、上記第１チャ
ンバーと上記第２チャンバーとを連通させる連通管と上
記連通配管を開閉する開閉弁とを有して、上記第１チャ
ンバーと上記第２チャンバーとのうち一方のチャンバー
で上記フィルム基板の搬入及び取出しを行った後、大気
圧から減圧状態にして同時に、他方のチャンバーで減圧
状態から大気圧に戻して上記フィルム基板を取り出す準
備を行うとき上記開閉弁を開けて上記連通配管により上
記第１チャンバーと上記第２チャンバーと連通させて両
チャンバーを同じ圧力にする第１〜４のいずれか１つの
態様に記載の減圧プラズマ処理装置を提供する。
【００１２】本発明の第５態様によれば、上記チャンバ
ー内では、上記フィルム基板を、高周波電力が印加され
る基板電極に静電吸着により吸着保持する第１〜４のい
ずれか１つの態様に記載の減圧プラズマ処理装置を提供
する。
【００１３】本発明の第６態様によれば、フィルム基板
をプラズマ処理装置本体外からプラズマ処理装置本体内
の基板搬送位置に搬入し、上記基板搬送位置に位置した
上記フィルム基板をチャンバー内に搬入し、上記チャン
バー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波
電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板
から有機物を除去するプラズマ処理を行い、上記プラズ
マ処理されたフィルム基板を上記チャンバーから取り出
して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置に位置
させ、上記基板搬出位置に位置した上記フィルム基板を
上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたこと
を特徴とする減圧プラズマ洗浄方法を提供する。
【００１４】本発明の第７態様によれば、第１フィルム
基板をプラズマ処理装置本体外から上記プラズマ処理装
置本体内の基板搬送位置に搬入し、上記基板搬送位置に
位置した上記第１フィルム基板を第１チャンバー内に搬
入し、上記第１チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導
入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せて上記第１フィルム基板から有機物を除去するプラズ
マ処理を行い、上記プラズマ処理された上記第１フィル
ム基板を上記第１チャンバーから取り出して上記プラズ
マ処理装置本体内の基板搬出位置に位置させ、上記基板
搬出位置に位置した上記第１フィルム基板を上記プラズ
マ処理装置本体外に搬出し、上記第１フィルム基板の上
記第１チャンバー内での上記プラズマ処理動作中に、第
２フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外から上記
プラズマ処理装置本体内の上記基板搬送位置に搬入する
とともに、上記基板搬送位置に位置した上記第２フィル
ム基板を第２チャンバー内に搬入し、上記第１チャンバ
ー内から上記第１フィルム基板を取り出して上記プラズ
マ処理装置本体外に搬出するとき、上記第２チャンバー
内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力
を印加してプラズマを発生させて上記第２フィルム基板
から有機物を除去するプラズマ処理を行い、その後、上
記プラズマ処理された上記第２フィルム基板を上記第２
チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内
の基板搬出位置に位置させ、上記基板搬出位置に位置し
た上記第２フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外
に搬出するようにしたことを特徴とする減圧プラズマ洗
浄方法を提供する。
【００１５】本発明の第８態様によれば、上記第１チャ
ンバーと上記第２チャンバーとのうち一方のチャンバー
で上記フィルム基板の搬入及び取出しを行っていると
き、他方のチャンバーで減圧状態から大気圧に戻して上
記フィルム基板を取り出す準備を行うとき、上記第１チ
ャンバーと上記第２チャンバーと連通させる連通管の開
閉弁を開けて上記連通配管により上記第１チャンバーと
上記第２チャンバーと連通させて同じ圧力にする第７の
態様に記載の減圧プラズマ洗浄方法を提供する。
【００１６】本発明の第９態様によれば、上記チャンバ
ー内では、上記フィルム基板を、高周波電力が印加され
る基板電極に静電吸着により吸着保持する第６〜８のい
ずれか１つの態様に記載の減圧プラズマ処理方法を提供
する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】本発明の第１の実施形態にかかるプラズマ
処理装置は、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、フィル
ム基板２などの回路基板をチャンバー８内の基板電極８
ｂ上に自動的に搬入し、チャンバー８内を排気しかつ所
定の反応ガスをチャンバー８内に導入して所定の減圧状
態を維持した上で、高周波電源８ｃから高周波電力を印
加してチャンバー８内に酸素プラズマを発生させ、発生
した酸素プラズマにより、基板電極８ｂ上に保持した基
板２の表面をプラズマ処理して、基板２の表面の有機物
の炭素原子と酸素を結合させて二酸化炭素の気相として
基板２の表面から有機物を自動的に除去して、ＩＣチッ
プや部品などを接合するための基板電極などの接合部の
表面を活性化させて接合力を強化できるようにするもの
である。
【００１９】具体的には、プラズマ処理装置は、図２及
び図１１〜図１３に示すように、一対のフィルム基板
２，２を保持してプラズマ処理装置本体１０外からプラ
ズマ処理装置本体１０内に搬入する基板搬入スライダ１
と、基板搬入スライダ１から一対のフィルム基板２，２
を吸着保持しかつ移動する一対の搬送アーム装置３Ａ，
３Ｂと、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂが固定されて
支持されかつ一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂを基板搬
送方向（図２の左方向、図１５参照）Ｆ沿いに移動させ
る移動装置４と、一対のフィルム基板２，２のプラズマ
処理を行う第１チャンバー８Ａと一対のフィルム基板
２，２のプラズマ処理を行う第２チャンバー８Ｂとを有
するプラズマ処理チャンバー８と、一対のフィルム基板
２，２を保持してプラズマ処理装置本体１０内からプラ
ズマ処理装置本体１０外に搬出する基板搬出スライダ９
とを備えている。
【００２０】上記基板搬入スライダ１は、プラズマ処理
装置本体１０外の基板搬入準備位置Ａと、プラズマ処理
装置本体１０内の基板搬入位置Ｂとの間で、一対のフィ
ルム基板２，２を吸着保持しつつ、モータ又はエアシリ
ンダなどの駆動装置の駆動により移動する。
【００２１】上記移動装置４は、一対の搬送アーム装置
３Ａ，３Ｂが移動体４ａ上に固定されて支持され、移動
体４ａは、サーボモータ４ｃなどの駆動装置によりガイ
ド部材４ｂに沿って基板搬送方向Ｆ沿いに往復移動可能
となっている。
【００２２】一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのそれぞ
れは、移動体４ａに固定されたモータなどのアーム部駆
動装置６ａと、モータなどの駆動装置６ａの駆動により
軸方向（基板搬送方向Ｆと直交する方向）に移動するア
ーム部６と、アーム部６の先端に配置されかつ吸着部昇
降装置７ａにより上下動可能に一対の吸着部７，７とを
備えて、吸着部昇降装置７ａの駆動により一対の吸着部
７，７を下端位置まで下降させて、図示しない吸引装置
の駆動により、一対のフィルム基板２，２を同時的に一
対の吸着部７，７で吸着保持可能としている。また、移
動体４ａの近傍側の基板搬入スライダ１又は基板搬出ス
ライダ９と各チャンバー８との間でアーム部駆動装置６
ａの駆動により一対の吸着部７，７が移動可能として両
装置間で一対のフィルム基板２，２を同時的に受け渡し
可能としている。
【００２３】一方の（図２では右側のすなわち基板搬入
側に近い側の）搬送アーム装置３Ａはチャンバー８Ａ，
８Ｂにフィルム基板２，２を搬入する搬送アーム装置で
ある。他方の（図２では左側のすなわち基板搬出側に近
い側の）搬送アーム装置３Ｂは、チャンバー８Ａ，８Ｂ
からフィルム基板２，２を搬出する搬送アーム装置であ
る。従って、それぞれの搬送アーム装置は、プラズマ処
理前のフィルム基板２，２又はプラズマ処理後のフィル
ム基板２，２を常に吸着することになり、プラズマ処理
前と後の両方の状態のフィルム基板２，２を同じ搬送ア
ーム装置で吸着しないため、吸着による汚染を無くすこ
とができる。
【００２４】上記基板搬出スライダ９は、プラズマ処理
装置本体１０外の基板搬出準備位置Ｃと、プラズマ処理
装置本体１０内の基板搬出位置Ｄとの間で、一対のフィ
ルム基板２，２を吸着保持しつつ、モータ又はエアシリ
ンダなどの駆動装置の駆動により移動する。なお、一対
のフィルム基板２，２の保持の方法は、吸着に限らず、
他の手段、例えば、係止部材などで保持できるようにし
てもよい。
【００２５】第１チャンバー８Ａは、一対のフィルム基
板２，２が一対の第１搬送アーム装置３Ａにより搬入し
て蓋８ａを閉じたのち、排気され減圧されてＡｒと酸素
ガスなどの反応ガスが導入されたのち、高周波電力が印
加されて第１チャンバー８Ａ内にプラズマを発生させ
て、一対のフィルム基板２，２の各表面がプラズマ処理
される。その後、大気圧に戻したのち、蓋８ａを開け
て、一対のフィルム基板２，２が第２搬送アーム装置３
Ｂにより搬出する。
【００２６】第２チャンバー８Ｂは、一対のフィルム基
板２，２が一対の第１搬送アーム装置３Ａにより搬入し
て蓋８ａを閉じたのち、減圧されて反応ガスが導入され
たのち、高周波が印加されてプラズマを発生させて、一
対のフィルム基板２，２の各表面がプラズマ処理され
る。その後、大気圧に戻したのち蓋８ａを開けて、一対
のフィルム基板２，２が第２搬送アーム装置３Ｂにより
搬出する。
【００２７】第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂ
とは、それぞれ独立してプラズマ処理を行うことができ
る。よって、例えば、一方のチャンバーでプラズマ処理
を行っているときに、他方のチャンバーでプラズマ処理
が終了したフィルム基板２を搬出し、次にプラズマ処理
を行うフィルム基板２を搬入させることができる。な
お、蓋８ａは蓋開閉用エアシリンダ３０の駆動によりそ
れぞれ開閉される。
【００２８】第１チャンバー８Ａ及び第２チャンバー８
Ｂは同一構成であり、そのチャンバー８を図３に示す。
図３において、８ａは上下方向にスライドして開閉する
チャンバー８の蓋、８ｅはチャンバー８の側壁内面に配
置された石英のカバー、８ｇは基板静電吸着用のＤＣ電
極と高周波電力が印加される基板電極８ｂ本体とを絶縁
する絶縁材、８ｈは基板電極８ｂを冷却する冷却水流
路、８ｉは冷却水流路に冷却水を供給する冷却水用配
管、８ｋは基板電極８ｂとチャンバー８とを絶縁するた
めのアルミナなどから構成されるインシュレータ、８ｍ
はＳＵＳ３０４などから構成されるチャンバー８の側
壁、８ｎはＳＵＳ３０４などから構成されるチャンバー
８のベース、８ｐは基板静電吸着用のＤＣ電源８ｔに接
続された基板静電吸着用のＤＣ電極、８ｑは基板電極８
ｂの冷却水流路を形成するためのＳＵＳ３０４などから
構成される水冷ジャケット、８ｒは高周波電源８ｃに接
続された高周波印加電極である。なお、チャンバー８の
側壁８ｍ、ベース８ｎ、蓋８ａはアースされている。従
って、フィルム基板２は、各チャンバー８内の基板電極
８ｂ上に載置されると、基板静電吸着用のＤＣ電源８ｔ
からＤＣ電圧が基板静電吸着用のＤＣ電極８ｐに印加さ
れて、フィルム基板２が静電吸着作用により基板電極８
ｂ上に吸着保持される。プラズマ処理中、フィルム基板
２はこのように静電吸着された状態で保持され、プラズ
マ処理終了後、取り出すときには、基板静電吸着用のＤ
Ｃ電極８ｐへのＤＣ電圧の印加を停止又は逆方向に電圧
を作用させて、フィルム基板２が基板電極８ｂ上から取
出しやすくする。
【００２９】これを図４〜図７に基いて詳細に説明す
る。
【００３０】図４及び図５に示すように、吸着部７から
基板電極８ｂにフィルム基板２を受け渡すとき、フィル
ム基板２を吸着保持した吸着部７を吸着部昇降装置７ａ
により下端位置まで下降させて、フィルム基板２を基板
電極８ｂの直上に位置させる。この状態で、静電吸着用
のＤＣ電圧を基板電極８ｂに印加開始し、所定の電圧値
に安定したのち、吸着部７によるフィルム基板２の吸着
保持を解除するとともにブローを行い、吸着部７から確
実にフィルム基板２を分離すると同時に、静電吸着力に
より、フィルム基板２を基板電極８ｂに静電吸着する。
このようにすることにより、フィルム基板２に無理な力
が作用することなく、円滑に、吸着部７から基板電極８
ｂにフィルム基板２を受け渡すことができる。
【００３１】一方、逆に、図６及び図７に示すように、
基板電極８ｂから吸着部７にフィルム基板２を受け渡す
とき、吸着部７を吸着部昇降装置７ａにより下端位置ま
で下降させて、吸着部７を基板電極８ｂに静電吸着され
たフィルム基板２の直上に位置させる。この状態で、静
電吸着用のＤＣ電圧の印加を停止し始めると同時に、吸
着部７によるフィルム基板２の吸着保持を開始して、吸
着部７によりフィルム基板２を吸着保持する。なお、基
板電極８ｂには、静電吸着用のＤＣ電圧の逆電圧を印加
して、フィルム基板２が基板電極８ｂから確実に分離さ
れるようにしている。このようにすることにより、フィ
ルム基板２に無理な力が作用することなく、円滑に、基
板電極８ｂから吸着部７にフィルム基板２を受け渡すこ
とができる。
【００３２】次に、各チャンバー８Ａ，８Ｂに関する配
管系及び排気ガス供給などのプラズマ処理動作について
図８及び図９及び図２９を参照しながら説明する。
【００３３】図８及び図９及び図２９において、Ｒｐは
両チャンバー８Ａ，８Ｂ用の排気ポンプ、Ｍｖは排気ポ
ンプＲｐによる排気動作における制御弁、Ｃｖは上記排
気動作における流量調整弁であり、粗引き後に所定の減
圧状態を維持するように制御弁Ｍｖと流量調整弁Ｃｖと
で圧力調整を行うようにしている。ＳＲｖ及びＲｖはそ
れぞれ上記排気動作に対するスローラフ（粗引き）動作
制御バルブ及びラフ（粗引き）動作制御バルブ、Ｓｖ１
は上記排気動作に対する第１チャンバー用オンオフ弁、
Ｓｖ２は上記排気動作に対する第２チャンバー用オンオ
フ弁、Ｇは各チャンバー内の圧力を計測する真空計であ
る。また、ＳＨｖは開閉弁として機能しかつ第１チャン
バー８Ａと第２チャンバー８Ｂとを連通管６０で直結し
て減圧状態から大気圧状態への復帰を促進する直結弁
（ショート弁）、Ｐｖ１及びＰｖ２は第１チャンバー８
Ａと第２チャンバー８Ｂとへ切り換えで窒素ガスを供給
可能とする窒素ガス用の切換弁である。また、ＳＧｖ１
及びＳＧｖ２は第１チャンバー８Ａと第２チャンバー８
Ｂとへ切り換えでＡｒガス又は酸素ガスなどを供給可能
とする切換弁、Ｇｖ１，Ｇｖ２，Ｇｖ３はそれぞれＡｒ
ガス用、酸素ガス用、予備用のオンオフ弁、ＭＦＣはＡ
ｒガス用、酸素ガス用、予備用の流量調整弁である。図
９において、ＲＦは高周波電源、ＳＥＴ Ｌ１は第２チ
ャンバー８Ｂの大気圧セットポイント、ＳＥＴ Ｌ２は
第２チャンバー８Ｂのスロー排気圧セットポイント、Ｐ
Ｌは第２チャンバー８Ｂの圧力である。また、ＳＥＴ
Ｒ１は第１チャンバー８Ａの大気圧セットポイント、Ｓ
ＥＴ Ｒ２は第１チャンバー８Ａのスロー排気圧セット
ポイント、ＰＲは第１チャンバー８Ａの圧力である。ま
た、Ｐ１は粗引き終了を意味するメインバルブのオン圧
力（Ｐａ）、Ｐ２はバックグランド圧力（Ｐａ）、Ｐ３
はプラズマ処理圧力（Ｐａ）である。また、Ｔ１はプラ
ズマ処理時間（ｓ）、Ｔ２はガス排気時間（ｓ）、Ｔ３
は余分にパージして蓋８ａを開けやすくするためのパー
ジ安定時間（ｓ）、Ｔ４は両チャンバー８Ａ，８Ｂを連
通するショート時間（ｓ）を示す。
【００３４】従って、第１チャンバー８Ａで排気動作を
行うときには上記第１チャンバー用オンオフ弁Ｓｖ１を
開けておく。第２チャンバー８Ｂで排気動作を行うとき
には上記第２チャンバー用オンオフ弁Ｓｖ２を開けてお
く。この実施形態では、いずれか一方のオンオフ弁Ｓｖ
を開け、同時に２つのオンオフ弁Ｓｖは開けないが、こ
れに限られるものではない。そして、排気ポンプＲｐが
駆動されて排気動作を開始するとき、図９及び図２８に
示すように、最初はスローラフ（粗引き）動作を行わせ
るようにスローラフ（粗引き）動作制御バルブＳＲｖを
開け、排気動作すべき第１又は第２チャンバー８Ａ又は
８Ｂの真空計Ｇの圧力がＳＥＴ Ｒ２又はＳＥＴ Ｌ２
になると、ラフ（粗引き）動作制御バルブＲｖを開く。
このようにすることにより、排気ポンプＲｐであるロー
タリーポンプへの急激な空気の流入を防ぎ、オイルの飛
散やポンプの損傷を防ぐといった効果がある。そして、
第１又は第２チャンバー８Ａ又は８Ｂの真空計Ｇにより
第１又は第２チャンバー８Ａ又は８Ｂの圧力ＰＲ又はＰ
Ｌがメインバルブオン圧力Ｐ１になると、その後、制御
弁Ｍｖと流量調整弁Ｃｖとにより減圧状態を制御して、
第１又は第２チャンバー８Ａ又は８Ｂの圧力ＰＲ又はＰ
Ｌがバックグランド圧力Ｐ２となったのち、Ａｒガス用
の流量調整弁ＭＦＣとＡｒガス用オンオフ弁Ｇｖ１、酸
素ガス用の流量調整弁ＭＦＣと酸素ガス用オンオフ弁Ｇ
ｖ２、予備用の流量調整弁ＭＦＣと予備用のオンオフ弁
Ｇｖ３を適宜動作させて、所望のガスを所定の減圧状態
となったチャンバー８へ供給可能した上で、切換弁ＳＧ
ｖ１又はＳＧｖ２を切り換えて、Ａｒガス又は酸素ガス
などを上記所定の減圧状態となったチャンバー８へ供給
する。
【００３５】このＡｒガス又は酸素ガスなどの供給後、
ガス導入動作が安定化したのち、高周波電力を基板電極
８ｂに印加してプラズマをチャンバー８内に発生させて
フィルム基板２，２の電極などの接合部のプラズマ処理
を行う。所定のプラズマ処理時間Ｔ１だけプラズマ処理
を行ったのち、Ａｒガス又は酸素ガスなどの供給を停止
してガス排気時間Ｔ２の間、排気する。その後、窒素ガ
ス用の切換弁Ｐｖ１又はＰｖ２を切り換えて、窒素ガス
を所定の減圧状態となったチャンバー８へ供給して窒素
パージを行う。このとき、窒素パージ開始時に、第１チ
ャンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとを連通する連通管
６０の直結弁ＳＨｖを開けて、プラズマ処理を行ってい
たチャンバー８Ａ又は８Ｂと、蓋８ａを閉じてプラズマ
処理用の排気動作を開始した直後のチャンバー８Ｂ又は
８Ａとを連通させることにより、プラズマ処理を行って
いたチャンバー８Ａ又は８Ｂの減圧状態を迅速に同気圧
状態に戻すことができる。（なお、蓋８ａを開けてのフ
ィルム基板２，２のチャンバー８への搬入環境は窒素雰
囲気であるため、プラズマ処理を行っていたチャンバー
８Ａ又は８Ｂでの窒素パージ動作に何ら支障は生じな
い。）上記したプラズマ処理装置は、基板搬入スライダ
１、搬送アーム装置３Ａ，Ｂ、移動装置４、第１チャン
バー８Ａ、第２チャンバー８Ｂ、各高周波電源８ｃ、各
基板静電吸着用のＤＣ電源、基板搬出スライダ９などが
コントローラ２０に接続されて、コントローラ２０によ
りそれぞれの動作が制御されている。
【００３６】また、部品実装基板の製造ライン内での上
記プラズマ処理装置の配置の一例を図１４に示す。図１
４において、４１は多数のフィルム基板２，…，２が収
納され一枚ずつ基板搬送方向Ｆ沿いに送り出すローダ、
４０はフィルム基板２を２枚毎に上記プラズマ処理する
上記プラズマ処理装置、４２は上記プラズマ処理された
各フィルム基板２にＡＣＦ（異方性導電フィルム）を介
してＩＣチップを実装するＩＣボンダ、４３は各フィル
ム基板２の所定個所に接着剤を塗布する接着剤塗布装
置、４４は各フィルム基板２の接着剤が塗布された上記
所定個所などに部品を実装する部品実装装置、４５はフ
ィルム基板２同士を接着して製品化するＦＰＣボンダ、
４６は送られてきた製品を検査する検査装置、４７は基
板搬送方向Ｆ沿いに一個ずつ送られてきた製品を収納す
るアンローダである。
【００３７】上記プラズマ処理装置の作用について図
２、図１５〜図２２、図２３を参照しながら詳細に説明
する。
【００３８】図１５に示すように、基板搬入スライダ１
に一対のフィルム基板２，２すなわち２−１，２−２が
載置されているとする。一対のフィルム基板２−１，２
−２を載置した基板搬入スライダ１が基板搬入準備位置
Ａから基板搬入位置Ｂに移動して停止する（参照）。
【００３９】次に、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿
いに移動（参照）して、一対の搬送アーム装置３Ａ，
３Ｂのうちの第１搬送アーム装置３Ａの一対の吸着部
７，７が基板搬入位置Ｂに位置した基板搬入スライダ１
上の一対のフィルム基板２−１，２−２に向けて下降
し、同時的に吸着保持したのち、上昇する（参照）。
【００４０】次いで、移動装置４により基板搬送方向Ｆ
沿いに次の動作位置まで移動するとともに（参照）、
プラズマ処理が終了した第２チャンバー８Ｂの蓋８ａが
開かれる（参照）。なお、第２チャンバー８Ｂ内でプ
ラズマ処理された一対のフィルム基板２，２が既にある
場合には、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第
２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，７により、プ
ラズマ処理された一対のフィルム基板２，２が吸着保持
されて第２チャンバー８Ｂから取り出される（参
照）。この動作の前に、基板搬出スライダ９は基板搬出
位置Ｄから基板搬出準備位置Ｃに戻っている（参
照）。また、基板搬入スライダ１は、基板搬入位置Ｂか
ら基板搬入準備位置Ａに戻って、次の新しいフィルム基
板２−３，２−４を載置したのち、基板搬入位置Ｂに戻
る（参照及び図１７参照）。
【００４１】その後、移動装置４により基板搬送方向Ｆ
沿いに移動したのち（参照）、第１搬送アーム装置３
Ａが基板搬入スライダ１の上方から、蓋８ａが開かれた
第２チャンバー８Ｂ内に臨む上方位置まで移動して、第
１搬送アーム装置３Ａの一対の吸着部７，７が第２チャ
ンバー８Ｂの上方位置から下降して、図１６に示すよう
に第２チャンバー８Ｂ内の基板電極８ｂに一対のフィル
ム基板２−１，２−２を載置したのち、上昇し、初期位
置まで戻る（（１０）参照）。第２チャンバー８Ｂで
は、一対のフィルム基板２−１，２−２が基板電極８ｂ
に載置されたのち、蓋８ａを閉じて（（１１）参照）第
２チャンバー８Ｂ内を排気して１０５Ｐａから１Ｐａに
減圧にするとともに、所定の反応ガスを１Ｐａから１０
Ｐａになるまで流入させて、１０Ｐａの所定の圧力状態
を維持して高周波電力が印加されてプラズマが発生させ
られてプラズマ処理が行われる。プラズマ処理後、窒素
ガスが流入されて、２０Ｐａから１０５Ｐａとなり、第
２チャンバー８Ｂの蓋８ａが開かれる（参照）。
【００４２】一方、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿
いにさらに移動したのち（（１２）参照）、一対の搬送
アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第２搬送アーム装置３Ｂ
の一対の吸着部７，７に吸着保持していたプラズマ処理
済みの一対のフィルム基板２，２を、基板搬入位置Ｂに
位置した基板搬入スライダ１上に載置する（（１３）参
照）。その後、基板搬出スライダ９は、その上に一対の
フィルム基板２，２が載置されたのち、基板搬出準備位
置Ｃから基板搬出位置Ｄに移動する（（１４）参照）。
【００４３】次いで、移動装置４により基板搬送方向Ｆ
とは反対方向沿いに移動したのち（（１５）参照）、図
１７に示すように、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂの
うちの第１搬送アーム装置３Ａの一対の吸着部７，７が
基板搬入位置Ｂに位置した基板搬入スライダ１上の一対
のフィルム基板２−２，２−３に向けて下降し、同時的
に吸着保持したのち、上昇する（（１６）参照）。
【００４４】次いで、移動装置４により基板搬送方向Ｆ
沿いに次の動作位置まで移動するとともに（（１７）参
照）、プラズマ処理が終了した第１チャンバー８Ａの蓋
８ａが開かれる（（１８）参照）。なお、第１チャンバ
ー８Ａ内でプラズマ処理された一対のフィルム基板２，
２が既にある場合には、一対の搬送アーム装置３Ａ，３
Ｂのうちの第２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，
７により、プラズマ処理された一対のフィルム基板２，
２が吸着保持されて第１チャンバー８Ａから取り出され
る（（１９）参照）。この動作の前に、基板搬出スライ
ダ９は基板搬出位置Ｄから基板搬出準備位置Ｃに戻って
いる（（１４）参照）。また、基板搬入スライダ１は、
基板搬入位置Ｂから基板搬入準備位置Ａに戻って、次の
新しいフィルム基板２，２を載置したのち、基板搬入位
置Ｂに戻る（（１）参照）。
【００４５】その後、移動装置４により基板搬送方向Ｆ
沿いに移動したのち（（２０）参照）、第１搬送アーム
装置３Ａが基板搬入スライダ１の上方から、蓋８ａが開
かれた第１チャンバー８Ａ内に臨む上方位置まで移動し
て、第１搬送アーム装置３Ａの一対の吸着部７，７が第
１チャンバー８Ａの上方位置から下降して、図１８に示
すように第１チャンバー８Ａ内の基板電極８ｂに一対の
フィルム基板２−３，２−４を載置したのち、上昇し、
初期位置まで戻る（（２１）参照）。第１チャンバー８
Ａでは、一対のフィルム基板２−３，２−４が基板電極
８ｂに載置されたのち、蓋８ａを閉じて（（２２）参
照）第１チャンバー８Ａ内を排気して１０ ５Ｐａから１
Ｐａに減圧にするとともに、所定の反応ガスを１Ｐａか
ら１０Ｐａになるまで流入させて、１０Ｐａの所定の圧
力状態を維持して高周波電力が印加されてプラズマが発
生させられてプラズマ処理が行われる。プラズマ処理
後、窒素ガスが流入されて、２０Ｐａから１０５Ｐａと
なり、第１チャンバー８Ａの蓋８ａが開かれる（（１
８）参照）。
【００４６】一方、移動装置４により基板搬送方向Ｆ沿
いにさらに移動したのち（（２３）参照）、図１８に示
すように、一対の搬送アーム装置３Ａ，３Ｂのうちの第
２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，７に吸着保持
していたプラズマ処理済みの一対のフィルム基板２−
１，２−２を、基板搬出準備位置Ｃに位置した基板搬出
スライダ９上に載置する（（２５）参照）。その後、基
板搬出スライダ９は、その上に一対のフィルム基板２，
２が載置されたのち、基板搬出準備位置Ｃから基板搬出
位置Ｄに移動する（参照）。その後、図２３に示すよ
うに、上記動作を繰り返す。
【００４７】なお、上記プラズマ処理装置とこれに隣接
配置されるＩＣボンダ４２との関係について主として説
明する。
【００４８】次いで、図１９に示すように、基板搬出位
置Ｄに位置した基板搬出スライダ９の一対のフィルム基
板２−１，２−２のうちの一方のフィルム基板２−１を
取り出して、下流側に隣接する部品実装装置例えばＩＣ
ボンダ４２の基板供給取出し位置Ｉに搬入させる。
【００４９】次いで、図２０に示すように、ＩＣボンダ
４２の基板保持装置４２ａを９０度間欠的に回転させ
て、基板供給取出し位置Ｉに供給されたフィルム基板２
−１をＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置させてＡＣＦ（異
方性導電フィルム）をフィルム基板２−１に貼り付け開
始する。このとき同時に、基板搬出位置Ｄに位置した基
板搬出スライダ９の一対のフィルム基板２−１，２−２
のうちの残りのフィルム基板２−２を取り出して、下流
側に隣接するＩＣボンダ４２の基板供給取出し位置Ｉに
搬入させる。この動作の間、第１チャンバー８Ａでの一
対のフィルム基板２−３，２−４のプラズマ処理が終了
し、第２搬送アーム装置３Ｂの一対の吸着部７，７によ
り、一対のフィルム基板２−１，２−２を、第１チャン
バー８Ａから取り出して基板搬出準備位置Ｃに位置した
基板搬出スライダ９上に載置する。
【００５０】次いで、図２１に示すように、ＩＣボンダ
４２の基板保持装置４２ａを９０度間欠的にさらに回転
させて、ＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置されたフィルム
基板２−１を検査位置ＩＩＩに位置させて検査を開始す
ると同時に、基板供給取出し位置Ｉに供給されたフィル
ム基板２−２をＡＣＦ貼り付け位置ＩＩに位置させてＡ
ＣＦをフィルム基板２−２に貼り付け開始する。このと
き同時に、基板搬出位置Ｄに位置した基板搬出スライダ
９の一対のフィルム基板２−３，２−４のうちの一方の
フィルム基板２−３を取り出して、下流側に隣接するＩ
Ｃボンダ４２の基板供給取出し位置Ｉに搬入させる。
【００５１】次いで、図２２に示すように、ＩＣボンダ
４２の基板保持装置４２ａを９０度間欠的にさらに回転
させて、検査位置ＩＩＩに位置されたフィルム基板２−
１をＩＣ装着位置ＩＶに位置させてＩＣチップをＡＣＦ
を介してフィルム基板２−１に装着し、ＡＣＦ貼り付け
位置ＩＩに位置されたフィルム基板２−２を検査位置Ｉ
ＩＩに位置させて検査を開始すると同時に、基板供給取
出し位置Ｉに供給されたフィルム基板２−３をＡＣＦ貼
り付け位置ＩＩに位置させてＡＣＦをフィルム基板２−
３に貼り付け開始する。このとき同時に、基板搬出位置
Ｄに位置した基板搬出スライダ９の一対のフィルム基板
２−３，２−４のうちの残りのフィルム基板２−４を取
り出して、下流側に隣接するＩＣボンダ４２の基板供給
取出し位置Ｉに搬入させる。なお、この後、ＩＣボンダ
４２の基板保持装置４２ａを９０度間欠的にさらに回転
させられて、ＩＣチップがＡＣＦを介して装着されたフ
ィルム基板２−１が基板供給取出し位置Ｉに位置する
と、フィルム基板２−１が基板保持装置４２ａから取り
出されて次の工程に搬送される一方、次にＩＣチップを
装着すべきフィルム基板２が基板供給取出し位置Ｉに搬
入される。
【００５２】以降、上記した動作が繰り返されて、フィ
ルム基板２，…，２のプラズマ処理、及び、プラズマ処
理後のＡＣＦを介してのＩＣチップ実装処理が自動的に
連続して行われる。
【００５３】一例として、プラズマ処理条件を以下に記
載する。
【００５４】プラズマ処理変更条件としては、酸素ガス
流量は０〜２０ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量は０〜２０ｓｃ
ｃｍ、、高周波電力は０〜３００Ｗ、真空度は１０〜１
００Ｐａ、ガス導入系は図示したように３系統（一例と
して、Ａｒガスは５０ｓｃｃｍ、酸素ガスは５０ｓｃｃ
ｍ、予備ガスは５０ｓｃｃｍ、）とする。直結用の連通
管６０は１系統とする。
【００５５】真空排気系は、排気ポンプＲｐの一例とし
てロータリーポンプを使用し、図８のＣｖである手動コ
ンダクタンスバルブ（自動排気制御バルブＡＰＣでもよ
い。）を使用する。
【００５６】到達真空度の一例としては、９Ｐａ以下と
する。
【００５７】基板電極用の冷却水の流量は１５リットル
／ｍｉｎ、圧力は１１２７．８〜２９４．２ｋＰａ（１
１．５〜３ｋｇｆ／ｃｍ２）（背圧無きこと）、水温は
１５〜３０℃（結露しないように室温以上が良い。）と
する。
【００５８】供給配管系としては、以下の通りである。
圧縮空気の流量は１０リットル／ｍｉｎ、圧力は４９
０．３ｋＰａ（５ｋｇｆ／ｃｍ２）以上。パージ用窒素
ガスの流量は１０リットル／ｍｉｎ、圧力は１９．６ｋ
Ｐａ（２ｋｇｆ／ｃｍ２）以上。Ａｒガスの流量は５０
ｃｃ／ｍｉｎ、圧力は１４７．１ｋＰａ（１．５ｋｇｆ
／ｃｍ２）以上。酸素ガスの流量は５０ｃｃ／ｍｉｎ、
圧力は１４７．１ｋＰａ（１．５ｋｇｆ／ｃｍ２）以
上。予備ガスの流量は５０ｃｃ／ｍｉｎ、圧力は１４
７．１ｋＰａ（１．５ｋｇｆ／ｃｍ２）以上。窒素ガス
はパージ用に１種類のみ使用する。圧縮空気は、移載ア
ームやチャンバ蓋の上下などに使用するシリンダ用であ
る。パージは窒素ガスのみであり、プロセスガスはＡ
ｒ、Ｏ２、予備の３つである。
【００５９】上記実施形態によれば、２対のフィルム基
板２，…，２をプラズマ処理装置本体１０外からプラズ
マ処理装置本体内の基板搬送位置Ｂに搬入し、上記基板
搬送位置に位置した上記一対のフィルム基板２，２ずつ
をチャンバー８Ａ，８Ｂ内にそれぞれ独立して搬入し、
上記チャンバー８Ａ，８Ｂ内をそれぞれ排気しつつ反応
ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマ
を発生させて上記一対のフィルム基板２，２から有機物
を除去するプラズマ処理を行い、上記プラズマ処理され
た一対のフィルム基板２，２を上記チャンバー８Ａ，８
Ｂからそれぞれ独立して取り出して上記プラズマ処理装
置本体内の基板搬出位置Ｃに位置させ、上記基板搬出位
置Ｃに位置した上記一対のフィルム基板２，２を上記プ
ラズマ処理装置本体外に搬出するようにしている。従っ
て、一対のフィルム基板２，２毎に、搬入、プラズマ処
理、搬出動作をそれぞれ独立して自動的に行うことがで
き、フィルム基板２，…，２の減圧プラズマ洗浄処理を
全自動化することによって人の介在を無くし、フィルム
基板２，…，２の実装工程におけるインライン化が可能
となる。
【００６０】また、減圧プラズマ洗浄処理を全自動化す
ることができて、スループットを向上させることがで
き、フィルム基板２，…，２の汚染が効果的に防止で
き、フィルム基板２，…，２の管理が容易に行うことが
できる。
【００６１】また、一対のフィルム基板２，２を同時に
搬送し、かつ、２枚同時にプラズマ処理することができ
る。言いかえれば、ダブルチャンバーすなわち第１チャ
ンバー８Ａと第２チャンバー８Ｂとによる２つのチャン
バー８の並列かつ独立したプラズマ処理が行える結果と
して、高スループットを達成することができる。
【００６２】また、窒素パージ開始時に、第１チャンバ
ー８Ａと第２チャンバー８Ｂとを連通する連通管６０の
直結弁ＳＨｖを開けて、プラズマ処理を行っていたチャ
ンバー８Ａ又は８Ｂと、蓋８ａを閉じてプラズマ処理用
の排気動作を開始した直後のチャンバー８Ｂ又は８Ａと
を連通させるようにしている。このため、プラズマ処理
を行っていたチャンバー８Ａ又は８Ｂの減圧状態を迅速
にかつ効率良く同じ圧力状態にすることができる。
【００６３】また、各チャンバー８の容積を、プラズマ
処理すべきフィルム基板２の最大寸法を基準に設計して
最適化することにより、各チャンバー８の容積を最小化
し、排気時間を最短にすることができる。
【００６４】また、各チャンバー８での基板電極８ｂに
対するフィルム基板２の保持を静電吸着により行うよう
にしているため、フィルム基板２の形状が異なっても基
板電極８ｂを交換する必要はなく、フィルム基板２の品
種切り替え時の基板電極８ｂの交換ロスを削減すること
ができる。また、チャンバー内にフィルム基板保持ジグ
も不要とすることができる。また、駆動部をワーク面よ
り下部に配置するとともに、ワーク上面やチャンバー内
に摺動部が存在しないため、ダストの発生を防止するこ
とができる。また、設定したフィルム基板枚数ごとに、
チャンバー内にフィルム基板を入れずにプラズマをたて
て、チャンバー内や電極に付着した汚染物質を飛ばすこ
とことにより、チャンバー内の自動クリーニングを行う
ことができる。
【００６５】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【００６６】例えば、図２４に示すように、ＩＣボンダ
４２の基板保持装置４２ａに保持されてＡＣＦ貼り付け
位置ＩＩに位置させられたフィルム基板２にＡＣＦを貼
り付けたのち、検査位置ＩＩＩで検査装置４２ｃで検査
したとき、コントローラ４２ｂによりＡＣＦの貼り付け
異常が検出されたときには、その旨の信号がコントロー
ラ４２ｂからプラズマ処理装置のコントローラ２０に入
力されて、フィルム基板２に対するプラズマ処理が不充
分であると仮定して、プラズマ処理のための高周波電力
を大きくするか、又は、プラズマ処理時間を長くするこ
とができる。また、検査位置ＩＩＩで検査装置４２ｃで
検査したとき、コントローラ４２ｂによりフィルム接合
部の断線などの異常を認識したときには、その旨の信号
がコントローラ４２ｂからプラズマ処理装置のコントロ
ーラ２０に入力されて、フィルム基板２に対するプラズ
マ処理が過度であると仮定して、プラズマ処理のための
高周波電力を小さくするか、又は、プラズマ処理時間を
短くすることができる。
【００６７】また、各チャンバー８内でフィルム基板２
を基板電極８ｂに保持するとき、静電吸着するものに限
らず、他の手段、例えば、係止部材などで保持できるよ
うにしてもよい。具体的には、図２５及び図２６に示す
ように、フィルム基板２の移動を規正する絶縁性の規正
ピン２２，…，２２をフィルム基板２の周囲に立設し
て、フィルム基板２の移動を規正することにより、フィ
ルム基板２を基板電極８ｂに保持するようにしてもよ
い。この場合、フィルム基板２の形状が異なれば、フィ
ルム基板２の形状に対応して絶縁性の規正ピン２２，
…，２２が配置されたものに交換するようにしてもよ
い。
【００６８】また、図２７に示すように、フィルム基板
２がチャンバー８内に位置しており、上記プラズマ処理
装置に隣接する次工程の装置がトラブルなどで停止して
いる場合、チャンバー８内を減圧にしたままフィルム基
板２を真空保管し、次工程の装置のトラブルなどが解消
されたのち、減圧状態を大気圧状態に戻してチャンバー
８内からフィルム基板２を取り出すようにしてもよい。
【００６９】また、図２８に示すように、フィルム基板
２が基板搬出スライダ９又は基板搬入スライダ１に位置
しており、上記プラズマ処理装置に隣接する次工程の装
置がトラブルなどで停止している場合、基板搬出スライ
ダ９又は基板搬入スライダ１に位置しているフィルム基
板２をチャンバー８内に入れて、減圧状態として、真空
保管できるようにする。必要に応じて、短時間のプラズ
マ処理を行うようにしてもよい。そして、次工程の装置
のトラブルなどが解消されたのち、減圧状態を大気圧状
態に戻してチャンバー８内からフィルム基板２を取り出
すようにしてもよい。
【００７０】また、搬送アーム装置３Ａ，３Ｂの吸着部
７，７は、必要に応じて、フィルム基板２の形状などに
応じて交換したり、位置を変更したりするようにしても
よい。
【００７１】また、プラズマ処理条件中、フィルム基板
２の品種が異なる毎に変わるパラメータ（例えば、高周
波電力値、プラズマ処理時間Ｔ１、ガス排気時間Ｔ２、
搬送パラメータ、ガス流量、ガス種など）を、例えば、
コントローラ２０に接続されるメモリにフィルム基板２
の品種情報と関連させて記憶させて一括管理するように
すれば、フィルム基板２の品種が決まれば、プラズマ処
理条件の上記パラメータを自動的に設定してコントロー
ラ２０により制御させることができる。よって、フィル
ム基板２の品種が異なる毎に、作業員の手でパラメータ
の変更入力を行う必要がなくなる。なお、メインバルブ
のオン圧力Ｐ１、バックグランド圧力Ｐ２、パージ安定
時間Ｔ３はプラズマ処理装置固有のマシンデータとし
て、上記メモリに記憶させておく。
【００７２】また、フィルム基板の例として、四角形、
Ｌ型、Ｃ型、Ｉ型などの種々の形状の場合があり、各形
状のフィルム基板においては、スルーホールと接合面を
避けた場所を吸着するのが好ましい。例えば、図３０
（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すように、Ｌ型フィルム基
板、Ｃ型フィルム基板、Ｉ型フィルム基板では、それぞ
れ、スルーホールと接合面を避けて一定距離離れた黒丸
の２箇所を吸着するのが好ましい。
【００７３】なお、上記様々な実施形態のうちの任意の
実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有
する効果を奏するようにすることができる。
【００７４】
【発明の効果】本発明によれば、フィルム基板をプラズ
マ処理装置本体外からプラズマ処理装置本体内の基板搬
送位置に搬入し、上記基板搬送位置に位置した上記フィ
ルム基板をチャンバー内に搬入し、上記チャンバー内を
排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印
加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機
物を除去するプラズマ処理を行い、上記プラズマ処理さ
れたフィルム基板を上記チャンバーから取り出して上記
プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置に位置させ、上
記基板搬出位置に位置した上記フィルム基板を上記プラ
ズマ処理装置本体外に搬出するようにしている。従っ
て、フィルム基板毎に、搬入、プラズマ処理、搬出動作
をそれぞれ独立して自動的に行うことができ、フィルム
基板の減圧プラズマ洗浄処理を全自動化することによっ
て人の介在を無くし、フィルム基板の実装工程における
インライン化が可能となる。
【００７５】また、減圧プラズマ洗浄処理を全自動化す
ることができて、スループットを向上させることがで
き、フィルム基板の汚染が効果的に防止でき、フィルム
基板の管理が容易に行うことができる。
【００７６】また、一対のフィルム基板を同時に搬送
し、かつ、２枚同時にプラズマ処理するようにすれば、
ダブルチャンバーすなわち第１チャンバーと第２チャン
バーとによる２つのチャンバーの並列かつ独立したプラ
ズマ処理が行える結果として、高スループットを達成す
ることができる。
【００７７】また、窒素パージ開始時に、第１チャンバ
ーと第２チャンバーとを連通する連通管の直結弁を開け
て、プラズマ処理を行っていたチャンバーと、プラズマ
処理用の排気動作を開始した直後のチャンバーとを連通
させるようにすれば、プラズマ処理を行っていたチャン
バーの減圧状態を迅速にかつ効率良く同圧状態に戻すこ
とができる。
【００７８】また、チャンバーでの基板電極に対するフ
ィルム基板の保持を静電吸着により行うようにすれば、
フィルム基板の形状が異なっても基板電極を交換する必
要はなく、フィルム基板の品種切り替え時の基板電極の
交換ロスを削減することができる。また、チャンバー内
にフィルム基板保持ジグも不要とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施形
態にかかる減圧プラズマ処理装置の概略説明図及び上記
減圧プラズマ処理装置による減圧プラズマ処理の原理を
説明するための説明図である。
【図２】 上記プラズマ処理装置の概略模式図である。
【図３】 上記プラズマ処理装置の基板電極の断面図で
ある。
【図４】 上記プラズマ処理装置の吸着部から基板電極
にフィルム基板を受け渡すときの各装置の動作を示すタ
イミングチャートである。
【図５】 図４の上記プラズマ処理装置の吸着部から基
板電極にフィルム基板を受け渡すときの各装置の動作を
示す説明図である。
【図６】 上記プラズマ処理装置の基板電極から吸着部
にフィルム基板を受け渡すときの各装置の動作を示すタ
イミングチャートである。
【図７】 図６の上記プラズマ処理装置の基板電極から
吸着部にフィルム基板を受け渡すときの各装置の動作を
示す説明図である。
【図８】 上記プラズマ処理装置の配管系の図である。
【図９】 上記プラズマ処理装置の配管系の各装置の動
作や弁の開閉動作を示すタイミングチャートである。
【図１０】 上記プラズマ処理装置の詳細な正面図であ
る。
【図１１】 上記プラズマ処理装置の詳細な平面図であ
る。
【図１２】 上記プラズマ処理装置の詳細な右側面図で
ある。
【図１３】 上記プラズマ処理装置の詳細な背面図であ
る。
【図１４】 部品実装基板の製造ライン内での上記プラ
ズマ処理装置の配置の一例を示す斜視図である。
【図１５】 上記プラズマ処理装置の一連の動作を示す
説明図である。
【図１６】 図１５に続く上記プラズマ処理装置の一連
の動作を示す説明図である。
【図１７】 図１６に続く上記プラズマ処理装置の一連
の動作を示す説明図である。
【図１８】 図１７に続く上記プラズマ処理装置の一連
の動作を示す説明図である。
【図１９】 図１８に続く上記プラズマ処理装置の一連
の動作を示す説明図である。
【図２０】 図１９に続く上記プラズマ処理装置の一連
の動作を示す説明図である。
【図２１】 図２０に続く上記プラズマ処理装置の一連
の動作を示す説明図である。
【図２２】 図２１に続く上記プラズマ処理装置の一連
の動作を示す説明図である。
【図２３】 上記プラズマ処理装置の一連の動作のタイ
ミングチャートである。
【図２４】 本発明の上記実施形態の変形例において、
ＩＣボンダの検査でＡＣＦの貼り付け異常が検出された
ときのプラズマ処理装置のコントローラの動作を説明す
る説明図である。
【図２５】 本発明の上記実施形態の一変形例であっ
て、各チャンバー内でのフィルム基板の基板電極に対す
る保持機構を示す平面図である。
【図２６】 図２５の上記変形例での保持機構によりフ
ィルム基板が保持された状態での一部断面側面図であ
る。
【図２７】 本発明の上記実施形態の別の変形例であっ
て、フィルム基板がチャンバー内に位置しており、上記
プラズマ処理装置に隣接する次工程の装置がトラブルな
どで停止している場合のチャンバー内のフィルム基板の
取扱いを説明する説明図である。
【図２８】 本発明の上記実施形態のさらに別の変形例
であって、フィルム基板がスライダに位置しており、上
記プラズマ処理装置に隣接する次工程の装置がトラブル
などで停止している場合のスライダ上のフィルム基板の
取扱いを説明する説明図である。
【図２９】 本発明の上記実施形態のプラズマ処理での
プロセスフローを示す図である。
【図３０】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は、それぞれ、本
発明の上記実施形態のプラズマ処理で処理可能なＬ型フ
ィルム基板、Ｃ型フィルム基板、Ｉ型フィルム基板の概
略図である。
【符号の説明】
１…基板搬入スライダ、２…フィルム基板、３Ａ，３Ｂ
…搬送アーム装置、４…移動装置、４ａ…移動体、４ｂ
…ガイド部材、４ｃ…サーボモータ、６…アーム部、６
ａ…アーム部駆動装置、７…吸着部、７ａ…吸着部昇降
装置、８…プラズマ処理チャンバー、８Ａ…第１チャン
バー、８Ｂ…第２チャンバー、８ａ…蓋、８ｂ…基板電
極、８ｃ…高周波電源、８ｅ…カバー、８ｇ…絶縁材、
８ｈ…冷却水流路、８ｉ…冷却水用配管、８ｋ…インシ
ュレータ、８ｍ…チャンバーの側壁、８ｎ…チャンバー
のベース、８ｐ…静電吸着用のＤＣ電極、８ｑ…水冷ジ
ャケット、８ｒ…高周波印加電極、８ｔ…基板静電吸着
用のＤＣ電源、９…基板搬出スライダ、１０…プラズマ
処理装置本体、２０…コントローラ、４０…プラズマ処
理装置、４１…ローダ、４２…ＩＣボンダ、４２ａ…基
板保持装置、４３…接着剤塗布装置、４４…部品実装装
置、４５…ＦＰＣボンダ、４６…検査装置、４７…アン
ローダ、６０…連通管、ＳＨｖ…直結弁、Ａ…基板搬入
準備位置、Ｂ…基板搬入位置、Ｃ…基板搬出準備位置、
Ｄ…基板搬出位置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 研 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E343 AA33 EE08 EE36 GG11 5F044 CC01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フィルム基板（２）を保持する搬送アー
    ム装置（３Ａ，３Ｂ）と、 プラズマ処理装置本体（１０）外の基板搬入準備位置
    （Ａ）と上記プラズマ処理装置本体内の基板搬入位置
    （Ｂ）との間で上記搬送アーム装置を移動させるととも
    に、上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置
    （Ｃ）と上記プラズマ処理装置本体外の基板搬出位置
    （Ｄ）との間で上記搬送アーム装置を移動させる移動装
    置（４）と、 上記移動装置（４）の駆動により上記搬送アーム装置が
    上記基板搬入準備位置（Ａ）から上記基板搬入位置
    （Ｂ）に移動して、上記搬送アーム装置に保持された上
    記フィルム基板が搬入されたのち上記チャンバー内を排
    気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加
    してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物
    を除去するプラズマ処理を行うとともに、上記プラズマ
    処理されたフィルム基板が上記搬送アーム装置により保
    持されて上記基板搬出準備位置（Ｃ）から上記基板搬出
    位置（Ｄ）に搬出されるチャンバー（８）とを備えるこ
    とを特徴とする減圧プラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 上記フィルム基板を保持して上記チャン
    バー（８）が配置されるプラズマ処理装置本体（１０）
    外からプラズマ処理装置本体内に搬入する基板搬入スラ
    イダ（１）と、 上記プラズマ処理されたフィルム基板を保持して上記プ
    ラズマ処理装置本体内からプラズマ処理装置本体外に搬
    出する基板搬出スライダ（９）とをさらに備える請求項
    １に記載の減圧プラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 上記チャンバーは、第１チャンバー（８
    Ａ）と第２チャンバー（８Ｂ）とを備えて上記フィルム
    基板を複数枚それぞれプラズマ処理し、上記フィルム基
    板がそれぞれ上記第１チャンバー（８Ａ）と上記第２チ
    ャンバー（８Ｂ）に搬入されたのち上記各チャンバー内
    を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を
    印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有
    機物を除去するプラズマ処理をそれぞれ独立して行う請
    求項１又は２に記載の減圧プラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 上記第１チャンバー（８Ａ）と上記第２
    チャンバー（８Ｂ）とを連通させる連通管（６０）と上
    記連通配管を開閉する開閉弁（ＳＨｖ）とを有して、上
    記第１チャンバー（８Ａ）と上記第２チャンバー（８
    Ｂ）とのうち一方のチャンバーで上記フィルム基板の搬
    入及び取出しを行った後、大気圧から減圧状態にして同
    時に、他方のチャンバーで減圧状態から大気圧に戻して
    上記フィルム基板を取り出す準備を行うとき上記開閉弁
    を開けて上記連通配管により上記第１チャンバー（８
    Ａ）と上記第２チャンバー（８Ｂ）と連通させて両チャ
    ンバーを同じ圧力にする請求項１〜４のいずれか１つに
    記載の減圧プラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 上記チャンバー内では、上記フィルム基
    板を、高周波電力が印加される基板電極（８ｂ）に静電
    吸着により吸着保持する請求項１〜４のいずれか１つに
    記載の減圧プラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 フィルム基板（２）をプラズマ処理装置
    本体（１０）外からプラズマ処理装置本体内の基板搬送
    位置（Ｂ）に搬入し、 上記基板搬送位置に位置した上記フィルム基板をチャン
    バー（８）内に搬入し、 上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧
    下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フ
    ィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、 上記プラズマ処理されたフィルム基板を上記チャンバー
    から取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出
    位置（Ｃ）に位置させ、 上記基板搬出位置（Ｃ）に位置した上記フィルム基板を
    上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたこと
    を特徴とする減圧プラズマ洗浄方法。
  7. 【請求項７】 第１フィルム基板（２−１）をプラズマ
    処理装置本体（１０）外から上記プラズマ処理装置本体
    内の基板搬送位置（Ｂ）に搬入し、 上記基板搬送位置に位置した上記第１フィルム基板を第
    １チャンバー（８Ａ）内に搬入し、 上記第１チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して
    減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上
    記第１フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理
    を行い、 上記プラズマ処理された上記第１フィルム基板を上記第
    １チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体
    内の基板搬出位置（Ｃ）に位置させ、 上記基板搬出位置（Ｃ）に位置した上記第１フィルム基
    板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出し、 上記第１フィルム基板の上記第１チャンバー内での上記
    プラズマ処理動作中に、第２フィルム基板（２−２）を
    上記プラズマ処理装置本体（１０）外から上記プラズマ
    処理装置本体内の上記基板搬送位置（Ｂ）に搬入すると
    ともに、上記基板搬送位置に位置した上記第２フィルム
    基板を第２チャンバー（８Ａ）内に搬入し、 上記第１チャンバー内から上記第１フィルム基板を取り
    出して上記プラズマ処理装置本体外に搬出するとき、上
    記第２チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減
    圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記
    第２フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を
    行い、 その後、上記プラズマ処理された上記第２フィルム基板
    を上記第２チャンバーから取り出して上記プラズマ処理
    装置本体内の基板搬出位置（Ｃ）に位置させ、上記基板
    搬出位置（Ｃ）に位置した上記第２フィルム基板を上記
    プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたことを特
    徴とする減圧プラズマ洗浄方法。
  8. 【請求項８】 上記第１チャンバー（８Ａ）と上記第２
    チャンバー（８Ｂ）とのうち一方のチャンバーで上記フ
    ィルム基板の搬入及び取出しを行っているとき、他方の
    チャンバーで減圧状態から大気圧に戻して上記フィルム
    基板を取り出す準備を行うとき、上記第１チャンバー
    （８Ａ）と上記第２チャンバー（８Ｂ）と連通させる連
    通管（６０）の開閉弁（ＳＨｖ）を開けて上記連通配管
    により上記第１チャンバー（８Ａ）と上記第２チャンバ
    ー（８Ｂ）と連通させて同じ圧力にする請求項７に記載
    の減圧プラズマ洗浄方法。
  9. 【請求項９】 上記チャンバー内では、上記フィルム基
    板を、高周波電力が印加される基板電極（８ｂ）に静電
    吸着により吸着保持する請求項６〜８のいずれか１つに
    記載の減圧プラズマ処理方法。
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