JP2003124612A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. フィルム基板を保持する搬送アーム装置と、
   プラズマ処理装置本体外の基板搬入準備位置と上記プラズマ処理装置本体内の基板搬入位置との間で上記搬送アーム装置を移動させるとともに、上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置と上記プラズマ処理装置本体外の基板搬出位置との間で上記搬送アーム装置を移動させる移動装置と、
   上記移動装置の駆動により上記搬送アーム装置が上記基板搬入準備位置から上記基板搬入位置に移動して、上記搬送アーム装置に保持された上記フィルム基板が搬入されたのち上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行うとともに、上記プラズマ処理されたフィルム基板が上記搬送アーム装置により保持されて上記基板搬出準備位置から上記基板搬出位置に搬出されるチャンバーとを備えることを特徴とする減圧プラズマ処理装置。
2. 上記フィルム基板を保持して上記チャンバーが配置されるプラズマ処理装置本体外からプラズマ処理装置本体内に搬入する基板搬入スライダと、
   上記プラズマ処理されたフィルム基板を保持して上記プラズマ処理装置本体内からプラズマ処理装置本体外に搬出する基板搬出スライダとをさらに備える請求項１に記載の減圧プラズマ処理装置。
3. 上記チャンバーは、第１チャンバーと第２チャンバーとを備えて上記フィルム基板を複数枚それぞれプラズマ処理し、上記フィルム基板がそれぞれ上記第１チャンバーと上記第２チャンバーに搬入されたのち上記各チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理をそれぞれ独立して行う請求項１又は２に記載の減圧プラズマ処理装置。
4. 上記第１チャンバーと上記第２チャンバーとを連通させる連通管と上記連通配管を開閉する開閉弁とを有して、上記第１チャンバーと上記第２チャンバーとのうち一方のチャンバーで上記フィルム基板の搬入及び取出しを行った後、大気圧から減圧状態にして同時に、他方のチャンバーで減圧状態から大気圧に戻して上記フィルム基板を取り出す準備を行うとき上記開閉弁を開けて上記連通配管により上記第１チャンバーと上記第２チャンバーと連通させて両チャンバーを同じ圧力にする請求項１〜３のいずれか１つに記載の減圧プラズマ処理装置。
5. 上記チャンバー内では、上記フィルム基板を、高周波電力が印加される基板電極に静電吸着により吸着保持する請求項１〜４のいずれか１つに記載の減圧プラズマ処理装置。
6. フィルム基板をプラズマ処理装置本体外からプラズマ処理装置本体内の基板搬送位置に搬入し、
   上記基板搬送位置に位置した上記フィルム基板をチャンバー内に搬入し、
   上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、
   上記プラズマ処理されたフィルム基板を上記チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置に位置させ、
   上記基板搬出位置に位置した上記フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたことを特徴とする減圧プラズマ洗浄方法。
7. 第１フィルム基板をプラズマ処理装置本体外から上記プラズマ処理装置本体内の基板搬送位置に搬入し、
   上記基板搬送位置に位置した上記第１フィルム基板を第１チャンバー内に搬入し、
   上記第１チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記第１フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、
   上記プラズマ処理された上記第１フィルム基板を上記第１チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置に位置させ、
   上記基板搬出位置に位置した上記第１フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出し、
   上記第１フィルム基板の上記第１チャンバー内での上記プラズマ処理動作中に、第２フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外から上記プラズマ処理装置本体内の上記基板搬送位置に搬入するとともに、上記基板搬送位置に位置した上記第２フィルム基板を第２チャンバー内に搬入し、
   上記第１チャンバー内から上記第１フィルム基板を取り出して上記プラズマ処理装置本体外に搬出するとき、上記第２チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記第２フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、
   その後、上記プラズマ処理された上記第２フィルム基板を上記第２チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置に位置させ、上記基板搬出位置に位置した上記第２フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたことを特徴とする減圧プラズマ洗浄方法。
8. 上記第１チャンバーと上記第２チャンバーとのうち一方のチャンバーで上記フィルム基板の搬入及び取出しを行っているとき、他方のチャンバーで減圧状態から大気圧に戻して上記フィルム基板を取り出す準備を行うとき、上記第１チャンバーと上記第２チャンバーと連通させる連通管の開閉弁を開けて上記連通配管により上記第１チャンバーと上記第２チャンバーと連通させて同じ圧力にする請求項７に記載の減圧プラズマ洗浄方法。
9. 上記チャンバー内では、上記フィルム基板を、高周波電力が印加される基板電極に静電吸着により吸着保持する請求項６〜８のいずれか１つに記載の減圧プラズマ処理方法。