JP2005048259A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板等に対するプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理装置内における上記基板の搬送に関するトラブルの発生を低減させながら、実験用や開発用や少量生産用に適したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室と、上記処理室の中心軸に対して傾斜された方向に配置され、上記処理室と遮断可能に連通された予備室と、その上面に上記基板を載置可能な基板載置面を有する基板電極部と、上記処理室内におけるプラズマ処理位置と、上記予備室内における基板受渡し位置との間で、上記基板載置面を略水平に保ちながら上記基板電極部を移動させる基板電極移動装置と、上記予備室に開閉可能に備えられた蓋部とを備え、上記基板電極移動装置が、上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間において、上記基板電極部を上記傾斜された方向に沿って移動可能である。
【選択図】図2
【解決手段】 処理室と、上記処理室の中心軸に対して傾斜された方向に配置され、上記処理室と遮断可能に連通された予備室と、その上面に上記基板を載置可能な基板載置面を有する基板電極部と、上記処理室内におけるプラズマ処理位置と、上記予備室内における基板受渡し位置との間で、上記基板載置面を略水平に保ちながら上記基板電極部を移動させる基板電極移動装置と、上記予備室に開閉可能に備えられた蓋部とを備え、上記基板電極移動装置が、上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間において、上記基板電極部を上記傾斜された方向に沿って移動可能である。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体等の薄膜回路や電子部品の製造に利用されるドライエッチング装置、プラズマCVD装置又はスパッタ装置などのプラズマ処理装置に関する。
(従来のプラズマ処理装置1)
従来、この種のプラズマ処理装置としては、様々な種類のものが知られている。このような従来のプラズマ処理装置の一例として、プラズマ処理装置500の模式的な構成を示す模式図を図11に示す。
従来、この種のプラズマ処理装置としては、様々な種類のものが知られている。このような従来のプラズマ処理装置の一例として、プラズマ処理装置500の模式的な構成を示す模式図を図11に示す。
図11に示すように、プラズマ処理装置500においては、基板(ワーク)の一例であるウェハ501に対して、プラズマ処理を施す密閉可能な室である処理室502と、この処理室502と大気空間である上記装置の外部との間に介在される室であって、処理室502と遮断可能に連通されたロードロック室503とが備えられている。
処理室502には、ウェハ501が載置される載置面504aを備える下部電極504と、処理室502内の空間を排気して真空化する真空排気装置の一例である第1ロータリーポンプ516と、処理室502内に反応ガスを供給するガス導入口514と、処理室502の外壁の一部を形成し、載置面504aの上方に配置された石英窓512とが備えられている。下部電極504内には、温冷媒の循環部分(図示せず)を備えて、基板載置面504aを温度コントロールしている。さらに、基板載置面504aには、He等の伝熱ガスを下部電極504内より供給する配管(図示せず)が備えられ、基板501と基板載置面504aの伝熱を促進している。
また、処理室502の外部における石英窓512の上方には、高周波電源508及びマッチャー510に接続されて、高周波電力が印加可能とされたコイル506が、処理室502内の下部電極504と対向するように配置されている。
また、ロードロック室503は、処理室502の図示右側に配置されており、開閉可能な真空側ゲート524を通して、処理室502と遮断可能に連通されている。さらに、ロードロック室503には、装置外部空間との間で開閉可能な大気側ゲート526が設けられている。また、大気側ゲート526の近傍における装置外部には、大気側ゲート526を通して、ロードロック室503との間で受渡し可能にウェハ501を載置するウェハリフタ534が備えられている。また、ロードロック室503内には、このウェハリフタ534に載置されているウェハ501をそのロボットアーム530にて保持し、大気側ゲート526を通じてロードロック室503内に搬送するとともに、真空側ゲート524を通して処理室502内にウェハ501を搬送し、載置面504aにこのウェハ501を載置する搬送ロボット528が備えられている。また、この搬送ロボット528は、プラズマ処理が施されたウェハ501を載置面504aからロボットアーム530にて取り出して、真空側ゲート524及び大気側ゲート526を通して、装置外部に搬出することが可能となっている。さらに、ロードロック室503には、ロードロック室503内の空間を排気して真空化する真空排気装置の一例である第2ロータリーポンプ532が備えられている。
また、処理室502の下部電極504には、その載置面504aに載置された状態のウェハ501を、その下面側から突上げて、ウェハ501を載置面504aから浮き上がらせる突上げ装置518が備えられている。突上げ装置518は、ウェハ501の下面を突上げる複数の突上げピン522と、これらの突上げピン522の昇降動作を行うシリンダ部520とを備えている。
このような従来のプラズマ処理装置500においては、ロボットアーム530により搬送されて、下部電極504の載置面504aの上に載置された状態のウェハ501に対して、プラズマ処理を施すことができるとともに、当該処理が施されたウェハ501を、突上げ装置518により載置面504aから浮き上げさせ、ロボットアーム530によりすくい上げて搬送し、処理室502より取り出すことができる(例えば、特許文献1参照)。
(従来のプラズマ処理装置2)
次に、さらに別の従来の例にかかるプラズマ処理装置600の模式的な構成を示す模式図を図12に示す。
次に、さらに別の従来の例にかかるプラズマ処理装置600の模式的な構成を示す模式図を図12に示す。
図12に示すように、プラズマ処理装置600は、処理室602とロードロック室603とを備えている点においては、プラズマ処理装置500と同様であるが、下部電極604が処理室602とロードロック室603との間で移動(昇降移動)可能となっている点において、プラズマ処理装置500とは、異なった構造となっている。
具体的には、図12に示すように、処理室602には、処理室602内を真空排気するターボポンプ616aと第1ロータリーポンプ616bと、処理室602の上部に配置され、処理室602の外壁の一部を形成する誘電体ベルジャー612とが備えられている。また、下部電極604は、その上面をウェハ601の載置面604aとし、処理室602におけるウェハ601へのプラズマ処理位置と、その下方におけるロードロック室603内の位置であって、搬送ロボット628のロボットアーム630によるウェハ601の載置面604aへの供給取出し位置との間で、この載置面604aを昇降移動させる電極リフタ620が備えられている。また、下部電極604の下部には、載置面604aが上記プラズマ処理位置に位置された状態にて、処理室602の外壁の一部と当接することにより、処理室602とロードロック室603との連通を遮断可能な遮断部604bが備えられている。これにより、電極リフタ620により下部電極604を上記プラズマ処理位置に移動させることで、処理室602とロードロック室603との連通を遮断することができ、一方、上記供給取出し位置に移動させることで、上記遮断を解除することができる。
また、ロードロック室603には、ロードロック室603内を真空排気する第2ロータリーポンプ632と、複数のウェハ601を取出し可能に収納するウェハカセット636とが備えられており、さらに、このウェハカセット636に収納されているウェハ601より、所望のウェハ601をロボットアーム630により取出し可能とさせるために、ウェハカセット636を昇降させるカセットリフタ634が備えられている。
また、下部電極604及び電極リフタ620には、載置面604aに載置されたウェハ601をその下面より突上げる突上げ装置618が備えられており、この突上げ装置618の機能は、プラズマ処理装置500における突上げ装置518と同様なものとなっている(例えば、特許文献2参照)。さらに、下部電極604内には、温冷媒の循環部分(図示せず)を備えて、基板載置面604aを温度コントロールしている。また、基板載置面604aには、He等の伝熱ガスを下部電極604内より供給する配管(図示せず)が備えられ、基板601と基板載置面604aの伝熱を促進している。
近年、ウェハ等の基板の技術開発が盛んに行われており、その技術開発の過程においては基板等に対するプラズマ処理が行なわれることが多く、従来の大量生産用の用途だけでなく、実験用や開発用や少量生産用の用途を主として、このようなプラズマ処理装置が用いられることも多くなりつつある。
このような実験用や開発用や少量生産用の用途においては、処理が施されるウェハは必ずしも円盤状のものに限られるものではなく、円盤を細分したウェハやその他特殊な形状のワーク(基板)が用いられることも多い。
そのため、従来のプラズマ処理装置500や600において、このような異形ウェハ(ワーク)に対して、プラズマ処理を施す際には、搬送ロボット528、628による上記異形ウェハの搬送における取扱い性が考慮されて、例えば、当該異形ウェハを別の円盤状のウェハの上面に貼り付けた状態で、搬送ロボットによる搬送が行なわれて、その状態にて、上記異形ウェハに対するプラズマ処理を行う場合がある。
このような場合にあっては、プラズマ処理の際に、当該ウェハを別の円盤状ウエハに接着、剥離する手間がかかると共に異形ウェハが別の円盤状ウェハの表面に貼り付けられていることにより、下部電極504、604に対するその熱伝導性が低下して、適切なプラズマ処理を行うことができない場合があるという問題がある。
また、従来のプラズマ処理装置500及び600において、プラズマ処理が施された処理後は往々にして、ウェハが帯電して、載置面に密着しているウェハを載置面504a、604a上から浮上らせるように突上げるという動作を行う突上げ装置518、618では、薄くてその強度が弱いという特性を有する例えば化合物半導体ウェハ501、601を、100%確実に損傷させることなく機械的に突上げるということが難しかった。また真空室内で動作する搬送ロボットアーム530、630は、その搬送する対象物の材質、膜質、大きさ、残留電荷等の微小な影響を受け易く、継続使用に伴って、搬送する対象物がロボットから落下する等の動作エラーの発生が避けられないという問題がある。
真空プラズマ処理装置にあっては、一度上述のような、ウェハ突上げ時のウェハ破損やロボットアームの搬送トラブルによるウェハ落下等が起こると、常時真空であるべき処理室502、602にガス導入口を介して窒素ガスを吹込んで大気圧にし、その後石英窓512又はベルジャー612を外して、処理室を大気開放し、ウェハ破片を回収する必要があった。さらにこのような場合には、処理室502又は602内壁を水やアルコールでクリーニングし、酸素や水分を吸収した内壁付着物を除去し、再び真空引き、ベーキング、空放電を行って処理室雰囲気を元の状態に戻す必要がある。このようなトラブル復帰手順は、2〜3時間から半日を要するのが常であり、その時間的、金銭的ロスは莫大なものとなるという問題がある。
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、基板等に対するプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理装置内における上記基板の搬送に関するトラブルの発生を低減させながら、実験用や開発用として用いられる特殊な形状を有する基板に対しても、プラズマ処理に適した温度に基板を保つことのでき、そのための別円盤ウェハへの基板接着等の手間のいらないプラズマ処理装置を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
本発明の第1態様によれば、(高周波電力や直流電力を印加することにより)電力を印加してプラズマを発生させ、基板(特に、異形の基板等)に対しプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
上記プラズマ処理が行われる処理室と、
上記処理室と上記装置の外部との間に介在される(室であって、上記処理室と遮断可能に1つの連通孔にて連通された)予備室と、
上記処理室内及び上記予備室内を夫々排気して真空化する真空排気装置(あるいは、上記処理室内を排気して真空化する第1真空排気装置と、上記予備室内を排気して真空化する第2真空排気装置)と、
上記処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
その上面に上記基板を(基板搬送用別基板等を用いることなく直接的に)載置し、上記基板の温度制御が可能な基板載置面を有する基板電極部と、
上記処理室内において上記プラズマ処理が行われるプラズマ処理位置と、上記予備室内において上記装置外部との間で上記基板の受渡しが行われる基板受渡し位置との間で、上記基板電極部を(略水平に保ちながら)往復移動させる基板電極移動装置と、
上記電力を印加可能であって、上記処理室に備えられたコイル又は電極に、高周波電力又は直流電力を印加する電力印加装置と、
その閉止により上記予備室を密閉可能であって、その開放により、上記基板の供給及び排出を可能とさせる上記予備室の蓋部とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
上記プラズマ処理が行われる処理室と、
上記処理室と上記装置の外部との間に介在される(室であって、上記処理室と遮断可能に1つの連通孔にて連通された)予備室と、
上記処理室内及び上記予備室内を夫々排気して真空化する真空排気装置(あるいは、上記処理室内を排気して真空化する第1真空排気装置と、上記予備室内を排気して真空化する第2真空排気装置)と、
上記処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
その上面に上記基板を(基板搬送用別基板等を用いることなく直接的に)載置し、上記基板の温度制御が可能な基板載置面を有する基板電極部と、
上記処理室内において上記プラズマ処理が行われるプラズマ処理位置と、上記予備室内において上記装置外部との間で上記基板の受渡しが行われる基板受渡し位置との間で、上記基板電極部を(略水平に保ちながら)往復移動させる基板電極移動装置と、
上記電力を印加可能であって、上記処理室に備えられたコイル又は電極に、高周波電力又は直流電力を印加する電力印加装置と、
その閉止により上記予備室を密閉可能であって、その開放により、上記基板の供給及び排出を可能とさせる上記予備室の蓋部とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第2態様によれば、上記予備室は、上記処理室の中心軸に対して傾斜された方向に配置され、
上記基板電極移動装置は、上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間において、上記傾斜された方向に配置された移動軸に沿って、上記基板電極部を移動可能である第1態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
上記基板電極移動装置は、上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間において、上記傾斜された方向に配置された移動軸に沿って、上記基板電極部を移動可能である第1態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第3態様によれば、上記傾斜の角度は、30度〜60度の範囲のいずれかの角度である第2態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第4態様によれば、上記予備室は、上記処理室の中心軸に略直交する方向である略水平方向に配置され、
上記基板電極移動装置は、上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間において、上記略水平方向に配置された移動軸に沿って、上記基板電極部を移動可能である第1態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
上記基板電極移動装置は、上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間において、上記略水平方向に配置された移動軸に沿って、上記基板電極部を移動可能である第1態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第5態様によれば、上記蓋部は、その開放状態において、上記基板受渡し位置に位置された状態の上記基板電極部の上記基板載置面を上記装置外部から目視可能、かつ、上記基板載置面に上記基板を上記装置外部より直接的に(例えば、作業者による手作業にて)載置可能に配置されている第1態様から第4態様のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第6態様によれば、上記処理室と上記予備室との間の連通を行い、上記基板が載置された状態の上記基板電極部が通過可能であって、上記処理室と上記予備室との間の連通を行なう連通用ゲート部と、
上記基板電極部と一体的に移動可能であって、上記基板電極部が上記プラズマ処理位置に位置されることで、上記連通用ゲート部を閉止して、上記処理室と上記予備室との間の遮断を行い、上記基板電極部が上記基板受渡し位置に位置されることで、上記連通用ゲート部を開放して、上記処理室と上記予備室との上記遮断を解除して互いを連通させる処理室遮断部とを備える第1態様から第4態様のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を提供する。
上記基板電極部と一体的に移動可能であって、上記基板電極部が上記プラズマ処理位置に位置されることで、上記連通用ゲート部を閉止して、上記処理室と上記予備室との間の遮断を行い、上記基板電極部が上記基板受渡し位置に位置されることで、上記連通用ゲート部を開放して、上記処理室と上記予備室との上記遮断を解除して互いを連通させる処理室遮断部とを備える第1態様から第4態様のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第7態様によれば、上記基板受渡し位置に上記基板電極部が位置された状態で、上記連通用ゲート部を閉止して上記処理室と上記予備室との連通を遮断する開閉可能なゲート蓋を有する遮断装置をさらに備える第5態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第8態様によれば、1つの上記処理室に連通された少なくとも2つの上記予備室と、
上記各々の予備室における上記基板受渡し位置と上記処理室における上記プラズマ処理室との間を往復移動可能な少なくとも2つの上記基板電極部と、
上記処理室と上記各々の予備室とを連通する少なくとも2つの上記連通用ゲート部とを備え、
上記基板電極移動装置は、上記夫々の基板電極部のうちより選択された一の上記基板電極部を上記プラズマ処理位置に、かつ、他の上記基板電極部を上記基板受渡し位置に、夫々位置させることが可能であって、
上記遮断装置は、上記一の基板電極部が位置されている上記処理室と上記他の基板電極部が位置されている上記予備室とを連通する上記連通用ゲートを閉止して遮断可能である第7態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
上記各々の予備室における上記基板受渡し位置と上記処理室における上記プラズマ処理室との間を往復移動可能な少なくとも2つの上記基板電極部と、
上記処理室と上記各々の予備室とを連通する少なくとも2つの上記連通用ゲート部とを備え、
上記基板電極移動装置は、上記夫々の基板電極部のうちより選択された一の上記基板電極部を上記プラズマ処理位置に、かつ、他の上記基板電極部を上記基板受渡し位置に、夫々位置させることが可能であって、
上記遮断装置は、上記一の基板電極部が位置されている上記処理室と上記他の基板電極部が位置されている上記予備室とを連通する上記連通用ゲートを閉止して遮断可能である第7態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第9態様によれば、上記基板電極移動装置による上記基板電極部の移動軸をおよその回転中心として、上記基板電極部を回転させる基板電極回転装置をさらに備え、
上記基板載置面に載置された上記基板に対して、上記基板受渡し位置におけるその載置姿勢と、上記プラズマ処理位置におけるその処理姿勢とが異なる(当該異なる処理姿勢にてプラズマ処理を行なう)第1態様から第8態様のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を提供する。
上記基板載置面に載置された上記基板に対して、上記基板受渡し位置におけるその載置姿勢と、上記プラズマ処理位置におけるその処理姿勢とが異なる(当該異なる処理姿勢にてプラズマ処理を行なう)第1態様から第8態様のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第10態様によれば、上記基板受渡し位置に位置された状態の上記基板電極部の上記基板載置面と、上記装置外部との間で、上記基板の受渡しを行なう基板受渡し装置をさらに備える第1態様から第9態様のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第11態様によれば、上記基板載置面への上記基板の載置位置の保持は、上記基板と上記基板載置面との間に介在されて、上記真空排気装置により上記予備室内が真空化されることで上記基板と上記基板載置面との密着が促進され、上記プラズマ処理のための上記基板と上記基板載置面との間の伝熱を可能とする接着材料により行なわれる第1態様から第10態様のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第12態様によれば、上記基板電極部は、上記基板載置面を加熱可能な加熱装置をさらに備え、
上記加熱装置は、上記接着材料を加熱することで、当該接着材料による上記基板と上記基板載置面との接着、固定、及び密着の解除を補助可能である第11態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
より詳細には、上記基板電極部は、上記処理室における上記基板の温度制御が可能であるとともに、上記基板載置面を加熱可能な加熱装置をさらに備え、
上記加熱装置は、上記接着材料を加熱することで、当該接着材料を溶融又は軟化させて、上記基板と上記基板載置面とを密着させ、上記処理室における上記基板の処理にあたっては、上記加熱の温度を下降させて、上記基板と上記基板載置面との密着を固化するとともに、上記基板の温度制御を行ない、上記予備室における上記基板の排出にあたっては、再度上記接着材料を上記加熱することで、当該接着材料による上記基板と上記基板載置面との密着の解除を補助可能である第11態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
上記加熱装置は、上記接着材料を加熱することで、当該接着材料による上記基板と上記基板載置面との接着、固定、及び密着の解除を補助可能である第11態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
より詳細には、上記基板電極部は、上記処理室における上記基板の温度制御が可能であるとともに、上記基板載置面を加熱可能な加熱装置をさらに備え、
上記加熱装置は、上記接着材料を加熱することで、当該接着材料を溶融又は軟化させて、上記基板と上記基板載置面とを密着させ、上記処理室における上記基板の処理にあたっては、上記加熱の温度を下降させて、上記基板と上記基板載置面との密着を固化するとともに、上記基板の温度制御を行ない、上記予備室における上記基板の排出にあたっては、再度上記接着材料を上記加熱することで、当該接着材料による上記基板と上記基板載置面との密着の解除を補助可能である第11態様に記載のプラズマ処理装置を提供する。
本発明の上記第1態様によれば、基板電極部が、処理室内のプラズマ処理位置と、予備室内の基板受渡し位置との間で往復移動可能とされていることにより、上記基板受渡し位置にて供給される基板を、上記基板電極部の基板載置面に載置させた状態で、上記基板電極部とともに上記基板の上記プラズマ処理位置への搬送を行なうことができる。また、逆に、上記プラズマ処理位置にてプラズマ処理が施された状態の上記基板を、上記基板電極部とともに上記基板受渡し位置への搬送を行なうことができる。このような搬送が可能となることにより、例えば、上記基板受渡し位置に位置された状態の上記基板電極部に対して、作業者の手で直接的に上記基板を上記基板載置面に載置させて供給することができ、また、上記作業者の手で上記載置された基板を装置外へ取り出すことが可能となる。
また、上記予備室における上記基板受渡し位置に位置された状態の上記基板載置面と装置外部との間で、上記基板の受渡しを可能とする蓋部が備えられていることにより、上記基板載置面と装置外部との間で、上記基板の供給及び排出を直接的に行なうことができる。
従って、例えば、薄くてその強度が弱いという特性を有する上記基板(例えば、化合物半導体ウェハ等)を、従来のプラズマ処理装置に用いられていた搬送ロボット等を介在させることなく、搬送することができるため、ウェハの落下等の搬送トラブルの発生を未然に防止することができるとともに、搬送ロボット介在に伴うウェハ形状の種々制約を無くすことができる。
特に、従来のプラズマ処理装置においては、基板電極部上に載置された状態の基板をすくい上げて搬送するために必要であった突上げ装置を、本態様のプラズマ処理装置によれば不要とすることができる。これにより、上記搬送トラブルとして従来発生していた基板電極上での突上げピンによるウェハの破損やウェハの落下を未然に防止することができ、基板の確実な搬送を行なうことができる。
また、上記搬送ロボット介在に伴う制約であった主に円盤状の基板だけしか搬送することができないという問題を、上記基板を直接的に上記基板載置面に載置して搬送可能とされていることで、化合物半導体ウェハに代表されるような円盤を細分した基板や異形基板の搬送等にも対応することが可能となり、当該問題を解決することができる。特に、このような異形基板は、実験用や開発用として用いられることが多いため、このような実験用・開発用の用途に適したプラズマ処理装置を提供することができる。
また、上記異形基板を例えば円盤状のウェハ等の上に貼り付けることなく、直接的に上記基板載置面上に載置させた状態で、上記異形基板に対するプラズマ処理が実施可能であることより、上記異形基板の基板電極部に対する熱伝導性を損なうことなくプラズマ処理を行なうことができる。従って、このような特殊形状の基板に対して基板温度を最適に保つプラズマ処理を行なうことができる実験用・開発用や少量生産用の用途に適したプラズマ処理装置を提供することができる。
本発明の上記第2態様によれば、プラズマ処理装置において、上記予備室が上記処理室の中心軸に対して傾斜された方向に配置に配置され、上記傾斜された方向、例えば、上記基板載置面に直交する方向に対して傾斜された方向に沿って、上記基板電極部が上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間で移動可能、すなわち、上記基板電極部を「斜めに移動」可能であることにより、当該移動を行なうことで実質的に「水平移動」と「垂直移動」とを同時的に実現することができる。
これにより、「水平移動」によって上記基板を、上記予備室内の上記基板受渡し位置から、上記処理室内へ搬送することができる。また、「垂直移動」によって、プラズマ処理すべき上記基板を、上記処理室のコイル又は電極に近づけることができ、上記基板を強いプラズマにさらすことができる。従来、特に、「水平移動」のみを行なう装置にあっては、基板を処理室におけるプラズマ発生部分から遠い位置にしか運ぶことができないという問題がある場合があるが、上記プラズマ処理装置においては、基板の搬送という要件と、基板を強いプラズマにさらすという要件との2つの要件を同時に満足する装置を提供できる。
また、このように上記基板電極部が上記傾斜された方向に沿って移動される構成においては、「水平移動」のみが行なわれるような場合に比べて、上記基板載置面の上方に大きな空間を確保することができる。これにより、上記基板載置面には円盤状のウェハ等のその形状高さが低い基板のみならず、形状高さが高い基板や基板の固定治具を載置することができ、より多様な形状の基板(ワーク)に対するプラズマ処理を実現することができる。
本発明の上記第3態様によれば、上記傾斜の角度が、30度〜60度の範囲のいずれかの角度であることにより、上記「水平移動」と上記「垂直移動」とを同時的に実現する上記夫々の効果を有効に得ることが可能となる。
本発明の上記第4態様によれば、上記基板電極移動装置による上記基板電極部の移動軸が、略水平方向に配置されているような場合であっても、上記第1態様による効果を得ることができるプラズマ処理装置を提供することができる。
本発明の上記第5態様によれば、上記予備室の蓋部が、その開放状態において、上記基板受渡し位置に位置された状態の上記基板電極部の上記基板載置面を、上記装置外部から目視可能に配置されていることにより、上記蓋部を開放して、上記基板載置面を確実に視認することができる。例えば、上記予備室が上記傾斜された方向に配置されているような場合にあっては、上記傾斜を利用して、上記予備室において、上記基板受渡し位置の上方にあたる上記予備室の側面に上記蓋部を設けることができる。このような場合にあっては、上記蓋部を開放することで、上記基板載置面をその上方から確実に視認可能とすることができる。従って、上記基板の載置による供給動作や取出し動作の際に、上記基板の状態(載置状態やプラズマ処理結果等)を視認しながら、上記基板の確実な供給又は再処理や処理済み基板の排出動作の判断を行なうことができる。このような効果は、特に異形ウェハ等が用いられることが多いという実験用・開発用の用途に適したものであると言える。
本発明の上記第6態様によれば、上記基板電極部と一体的に移動可能であって、上記基板電極部が上記プラズマ処理位置に位置されることで、連通用ゲート部を閉止して上記処理室と上記予備室との遮断を行なうことができ、また、上記基板受渡し位置に位置されることで上記連通用ゲート部を開放して上記遮断を解除することができる処理室遮断部が備えられていることにより、上記処理室の遮断(すなわち密閉)及び上記遮断の解除(上記密閉解除)動作を上記基板の搬送動作により行なうことができる。よって、よりプラズマ処理装置の構成をより簡素化することができ、処理室内のガスや放電が予備室に回りこむことがなく故障等の発生頻度を低減させた確実なプラズマ処理を可能とすることができる。
本発明の上記第7態様によれば、上記基板処理位置に上記基板電極部が位置された状態においては、上記処理室と上記予備室とを遮断する遮断装置がさらに備えられている。これにより、上記予備室が上記基板の供給又は排出のために開放されるような場合であっても、上記処理室を密閉状態に保つことができる。よって、上記処理室内を例えば常にプラズマ処理に適した雰囲気(圧力、温度、壁面付着物の状態等)に保つことができ、複数の上記基板等に対して連続的にプラズマ処理を行なう際に、効率的な処理を実現することができる。
本発明の上記第8態様によれば、1つの上記処理室に対して、少なくとも2つの上記予備室、上記基板電極部、及び連通用ゲート部が備えられていることにより、一の上記基板電極部を上記プラズマ処理位置に位置させて、他の上記基板電極部を上記基板受渡し位置に位置させた状態で、上記連通用ゲート部を閉止して上記処理室と上記予備室とを遮断することにより、上記一の基板電極部に載置された上記基板に対してはプラズマ処理を行ないながら、上記他の基板電極部に対しては基板の受渡し等を行なうことができる。従って、効率的なプラズマ処理を行なうことができるプラズマ処理装置を提供することができる。
本発明の上記第9態様によれば、上記基板電極部の移動軸をおよその回転中心として、上記基板電極部を回転させる基板電極回転装置がさらに備えられていることにより、上記基板載置面に載置された上記基板に対して、上記基板受渡し位置におけるその載置姿勢と、上記プラズマ処理位置におけるその処理姿勢とが異なることが可能となる。
これにより、例えば、上記基板電極移動装置による上記基板電極部の移動軸が、上記処理室の中心軸に対して、傾斜角度45度で傾斜されているプラズマ処理装置においては、上記予備室の上記基板受渡し位置において上記基板載置面が略水平状態の姿勢とさせて、当該基板載置面に上記基板を確実に載置させることができる。また、このように載置された基板を、例えば静電吸着等の手段を用いてその載置位置の保持を行ない、さらに、上記基板電極回転装置により上記基板電極部を上記移動軸回りに180度回転させるとともに、上記基板電極移動装置により上記基板電極部を上記プラズマ処理位置に位置させることにより、上記処理室内において上記基板載置面を略鉛直方向に配置させることができ、当該配置姿勢にて上記基板を保持しながらプラズマ処理を行なうことができる。これにより、上記基板の表面へのダスト等の沈着を低減させることができ、当該プラズマ処理により、上記基板の表面に良質のエッチング面や成膜面を形成することが可能となる。
本発明の上記第10態様によれば、上記基板受渡し位置に位置された状態の上記基板電極部の上記基板載置面と、上記装置外部との間で、上記基板の受渡しを行なう基板受渡し装置がさらに備えられていることにより、上記基板載置面と上記装置外部との間の上記基板の受渡しを、作業者等の手作業により行なうことなく、自動的に行なうことができ、無人連続処理が可能となる。
本発明の上記第11態様によれば、上記基板が上記接着材料を介在させて上記基板載置面に載置されることにより、当該載置の後、上記予備室内を真空化することで、上記伝熱性接着材料に含まれている気泡を除去しながら、上記接着材料と上記基板及び上記基板載置面とを密着させることができる。これにより、上記基板載置面への上記基板の載置位置を確実に保持することができるとともに、上記気泡が多数残留することによる上記基板と上記基板載置面との間の伝熱性の低下の発生を未然に防止して、プラズマ処理に必要な伝熱性を確保することができる。従って、確実かつ効率的なプラズマ処理を行なうことができるプラズマ処理装置を提供することができる。
本発明の上記第12態様によれば、上記基板電極部が、上記基板載置面を加熱可能な加熱装置をさらに備えることで、自在に上記接着材料の加熱や冷却(加熱温度を下降させることによる冷却)を行なって、例えば、上記接着材料を溶融若しくは軟化又は再固化させること等で、当該伝熱性接着材料による上記基板と上記基板載置面との接着、固定及び密着の解除作業をより容易なものとすることができる。
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(第1実施形態)
(プラズマ処理装置の構成)
本発明の第1の実施形態にかかるプラズマ処理装置100の模式的な構成を示す模式図(一部断面図)を図1に示す。
(プラズマ処理装置の構成)
本発明の第1の実施形態にかかるプラズマ処理装置100の模式的な構成を示す模式図(一部断面図)を図1に示す。
図1に示すように、プラズマ処理装置100は、密閉可能な室であって、基板の一例であるウェハ1をその内部に配置させることで、当該ウェハ1に対する所定のプラズマ処理が施される処理室2と、この処理室2とプラズマ処理装置100の外部との間に介在され、かつ、密閉可能な室であって、処理室2と遮断可能に、例えば、1つの連通孔にて連通された予備室3とを備えている。
処理室2は、互いに略直交してV字状に接続された2つの平面部5a及び5bと、円筒と円錐状の底部を持った処理室容器5と、処理室容器5の上部全体を覆うように形成され、緩やかな曲面状の天板部分を有するベルジャー12とにより、その内部に形成されている。なお、ベルジャー12は、例えば石英やセラミックス等の誘電体により形成することができる。
また、処理室2における略中央部分の位置であるプラズマ処理位置Aには、ウェハ1を載置可能な載置面4aをその上面に有する基板電極部の一例である下部電極4を位置させることが可能となっている。また、処理室2には、処理室2内の空間を排気して、所望の圧力に保ちながら真空排気するターボポンプ17が備えられている。このターボポンプ17は、処理室容器5を形成する上記2つの平面部5a及び5bの内の一方の平面部5a(図示左側)の外側に、圧力コントロールバルブ18(例えば、スイスVAT社製のコントロールバルブ)を介して、処理室2内部の空間と連通するように設置されている。また、このターボポンプ17には、第1ロータリーポンプ16が直列接続されており、処理室2内を真空排気することが可能となっている。なお、本第1実施形態においては、ターボポンプ17及び第1ロータリーポンプ16が、第1真空排気装置の一例となっている。また、処理室2には、その内部の空間に反応ガスを供給する反応ガス供給部の一例であるガス導入口14が備えられている。なお、ガス導入口14には、反応ガス(Process Gas)と窒素ガス(N2)を選択的に供給可能に、開閉弁が設けられた反応ガス供給管及び窒素ガス供給管が接続されている。
さらに、処理室2におけるベルジャー12の外部周囲には、多重に巻回されたコイルの一例であるコイル6が配置されており、このコイル6に接続された電力印加装置の一例である高周波電源8とマッチャー10とを通じて、コイル6に高周波電力を印可し、ベルジャー12を介して処理室2内にプラズマを励起することが可能となっている。例えば、高周波電源8は、周波数13.56MHz、電力1kWの高周波電力を印加することが可能となっている。なお、このようにコイル6が備えられているような場合に代えて、ベルジャー12の外部周囲又は内部に電極が備えられ、電力印加装置により当該電極に高周波又は直流電力が印加されるような場合であってもよい。
また、図1に示すように、処理室容器5における他方の平面部5b(図示右側)には処理室2と予備室3とを連通する上記1つの連通孔(開口部)である連通用ゲート部の一例である連通用ゲート28が形成されている。予備室3は、大略中空角柱形状の予備室容器7により形成されており、当該角柱形状の上部に連通用ゲート28が配置されている。このように予備室3が配置されていることにより、処理室2の中心軸である処理室中心軸Pに対して、予備室3の上記角柱形状の中心軸である予備室中心軸Qが、傾斜角度θだけ傾斜された状態で予備室3が配置されている。なお、この傾斜角度θは、例えば、30〜60度程度の範囲のいずれかの角度とすることが好ましく、45度程度の角度とすることがより好ましい。
また、下部電極4は、プラズマ処理位置Aと、プラズマ処理位置Aより予備室中心軸B沿いに移動された予備室3の略中央付近の位置であって、予備室3と装置外部との間でウェハ1の受渡しが行なわれる基板受渡し位置の一例であるウェハ受渡し位置Bとの間で、載置面4aを略水平に保ちながら移動することが可能となっている。また、予備室3の上記傾斜された角柱形状の側面における図示上部には、ウェハ受渡し位置Bに位置された状態の載置面4aと装置外部との間でウェハ1を受渡し可能とする開口部であるウェハ受渡し用ゲート23が形成されており、さらに、このウェハ受渡し用ゲート23を開閉可能な蓋部の一例である蓋22が備えられている。この蓋22を閉止させることにより、予備室3の内部空間を密閉することができ、一方、開放させることにより、ウェハ受渡し用ゲート23を通して、ウェハ1の供給又は排出を行なうことが可能となる。また、この蓋22は、例えば、透明材料であるアクリル等により形成されており、閉止された状態においても、ウェハ受渡し位置Bに位置された状態の載置面4aを蓋22を通して装置外部より視認することが可能、すなわち、蓋22全体が視認窓の一例となっている。なお、この蓋22は、その全部が上記透明材料で形成されているような場合に代えて、その一部が窓状に上記透明材料により形成されているような場合であってもよい。
さらに、予備室3には、下部電極4がその上部先端に設置された軸部であって、プラズマ処理位置Aとウェハ受渡し位置Bとの間で載置面4aを移動可能に、予備室中心軸Q(移動軸の一例である)に沿ってスライド移動するスライドシャフト32と、このスライドシャフト32の上記移動を行なうエアシリンダ34とが備えられている。なお、本第1実施形態においては、スライドシャフト32とエアシリンダ34とが基板電極移動装置の一例となっている。また、予備室3内におけるスライドシャフト32の外周には、ベローズ36が設置されている。また、エアシリンダ34によるスライドシャフト32のプラズマ処理位置A及びウェハ受渡し位置Bへの移動位置の位置決めは、例えば、ストッパ等を用いて機械的に行なうことができる。さらに、移動されたスライドシャフト32がプラズマ処理位置A又はウェハ受渡し位置Bに停止する際に発生する衝撃を緩和するため、例えば、スライドシャフト32に緩衝部材(ショックアブゾーバ)が備えられていることが好ましい。
また、下部電極4とスライドシャフト32の接続部分には、下部電極4の外周よりも突出して形成されたフランジ形状の鍔部の一例である遮断部30(処理室遮断部の一例である)が形成されている。これにより、載置面4aをプラズマ処理位置Aに位置させたときに、当該遮断部30の周部を、連通用ゲート28の周囲に当接させて、処理室2を密閉する(すなわち、処理室2と予備室3とを遮断する)ことが可能であり、一方、載置面4aをウェハ受渡し位置Bに向けて移動させることで、遮断部30の上記周部と連通用ゲート28の上記周囲との当接を解除して、処理室2の上記密閉を解除する(すなわち、上記遮断を解除する)ことが可能となっている。なお、このような機能を担保するため、下部電極4が連通用ゲート28と当接することなく通過可能に、連通用ゲート28の開口部分よりも下部電極4の外周が小さくなるように形成され、遮断部30の周部が確実に連通用ゲート28の周部に当接するように、遮断部30の外周が連通用ゲート28の開口部分よりも大きくなるように形成されている。
また、予備室3には、予備室3の内部空間を独自に真空排気して、所定の圧力に保つことができる第2真空排気装置の一例である第2ロータリーポンプ20が備えられている。
ここで、プラズマ処理装置100における下部電極4の上記移動状態を示す模式図を図2に示す。
図2に示すように、下部電極4の載置面4aは、処理室2内のプラズマ処理位置A(図示破線にて示す)と、予備室3内のウェハ受渡し位置B(図示実線にて示す)との間で移動可能となっている。また、載置面4aがウェハ受渡し位置Bに位置された状態では、下部電極4全体を予備室3内に収めることが可能なように、ウェハ受渡し位置Bの配置が決定されている。
また、図2に示すように、下部電極4の載置面4aがウェハ受渡し位置Bに位置された状態においては、処理室2と予備室3との連通部分である連通用ゲート28が開放された状態とされる。このような状態においても、処理室2を密閉可能とするため、予備室3には、連通用ゲート28を開閉可能なゲート蓋24と、このゲート蓋24の開閉動作を行なうゲート蓋開閉装置26とが備えられている。上記状態において、ゲート蓋24により連通用ゲート28を閉止させることによって、処理室2と予備室3とを遮断して、処理室2を密閉することができる。例えば、このようにゲート蓋24を用いて処理室2を密閉することで、図2に示すように、予備室3を開放してウェハ1の供給又は排出を行なうような場合においても、処理室2内を装置外部の雰囲気に侵すことなく、密閉された状態を保つことができる。なお、本第1実施形態においては、ゲート蓋24及びゲート蓋開閉装置26とが遮断装置の一例となっている。
ここで、図3に処理室2及び下部電極4の拡大模式図を示し、下部電極4等の構成についてさらに詳細に説明する。
図3に示すように、下部電極4の内部には、載置面4a上に載置されたウェハ1を解除可能に静電的に保持(チャック)するための電極であるESC層41と、このESC層41の下方に配置され、高周波電力が印加される電極である高周波層42とが内蔵して備えられている。ESC層は、載置面4aの図示右側と左側とに分割して形成されており、中空状のスライドシャフト32の内側に設置された電気配線を通じて、一方が静電チャックプラス極48に、他方が静電チャックマイナス極47に接続されている。また、高周波層42は、スライドシャフト32の内側に設置された電気配線を通じて、バイアス高周波電源49に接続されている。バイアス高周波電源49により、例えば、ウェハ1に対するプラズマ処理の際に、周波数13.56MHz、電力200Wの高周波電力が、高周波層42に印加される。
また、下部電極4における高周波層42のさらに下方には、下部電極4を加熱又は冷却するためのウォータジャケット43が設置されている。このウォータジャケット43の内部には、冷温媒流体が流通可能な複数の冷温媒流路44aが形成されており、これらの冷温媒流路44aに冷温媒流体を流通可能に、冷温媒流体を供給又は排出する複数の冷温媒配管44が、スライドシャフト32の内側に設置されている。
また、載置面4aに載置された状態のウェハ1の下面と、載置面4aとの間に、伝熱ガスを供給するための伝熱ガス供給孔45aが、載置面4aの略中央付近に形成されており、この伝熱ガス供給孔45aは、スライドシャフト32の内側に設置された伝熱ガス供給配管45に接続されて、伝熱ガスが供給可能とされている。このように載置面4aに伝熱ガス供給孔45aが形成されていることにより、プラズマ処理の際に真空排気される処理室2の内部雰囲気中において、ウェハ1の下面と載置面4aとの間に存在する微小な隙間に伝熱ガスを充填することが可能となり、その結果、下部電極4からウェハ1に対して、伝熱ガスを介して熱伝導による必要な加熱又は冷却を行なうことが可能となる。なお、上記伝熱ガスとしては、例えば、圧力1000Pa程度(約1/100気圧)のヘリウムガスが用いられる。
また、下部電極4は、略円筒状の電極支持部46により支持されており、この電極支持部46の下部には、遮断部30が形成されている。さらに、図3に示すように、スライドシャフト32が進退移動されることにより、下部電極4が連通用ゲート28を通過するような場合であっても、処理室中心軸Pと予備室中心軸Qとが傾斜角度θでもって傾斜されていることにより、載置面4aの上方には、他の装置構成部分と接触されることがない所定の空間が常に確保されている。そのため、例えば、図3に示すように、平板状のウェハ1に代えて、比較的その形成高さが高いワーク1a(又は基板取付治具)を載置することも可能となっている。
また、ここで、プラズマ処理装置100におけるゲート蓋開閉装置26とゲート蓋24の構成を示す図として、図2におけるC−C線矢視断面図を図4に示す。なお、図4においては、予備室3の蓋22がウェハ受渡し用ゲート23を閉止している状態を示している。
図4に示すように、ゲート蓋開閉装置26の回転中心に回転移動可能に固定された蓋支持部29の他端には、ゲート蓋24が固定されており、ゲート蓋開閉装置26により、蓋支持部29を正方向又は逆方向に回転移動させることにより、上記回転中心回りにゲート蓋24を正方向又は逆方向に回転移動させることができる。この回転移動により、連通用ゲート28を閉止することができる位置である閉止位置Rと、開放させることができる位置である開放位置Sとの間で、ゲート蓋24を回転移動させることができる。また、ゲート蓋開閉装置26は、上記回転を駆動する機能の他に、さらに、蓋支持部を予備室中心軸Qに沿って進退移動させる機能をも備えている。これにより上記閉止位置Rに位置された状態のゲート蓋24を連通用ゲート28に向けて押し付けるようにして移動させることができ、処理室2を密閉することができる。なお、このような予備室中心軸Qに沿った進退移動は、例えば、シリンダ等の機構を用いることにより行なうことができ、その進退移動の範囲は、リミットスイッチ検出により行なうことができる。具体的には、本第1実施形態においては、ゲート蓋開閉装置26としては、例えば、空気圧回転・伸縮アクチュエータが用いられている。また、図4に示すように、予備室3には、開放位置Sに位置された状態のゲート蓋24を収納可能な蓋収納室25が形成されている。
なお、図1から図4の夫々において示すように、プラズマ処理装置100においては、処理室2の密閉性及び予備室3の密閉性を担保するために、必要な箇所にはシール部材が備えられている。図中においては、特に符号を付してはいないが、黒丸図形にて表示している部分が上記シール部材に該当する。例えば、処理室2における平面部5aとコントロールバルブ18の接続部分、平面部5bと遮断部30若しくはゲート蓋24との当接部分、さらに、予備室3におけるウェハ受渡し用ゲート23と蓋22との当接部分等に上記シール部材が備えられている。
また、図2に示すように、予備室3におけるウェハ受渡し用ゲート23は、例えば、作業者がピンセット等を用いてウェハ1を予備室3内に搬入して、載置面4a上に確実に載置するために十分な大きさが確保可能なように形成されている。
また、プラズマ処理装置100において、下部電極4はスライドシャフト32に着脱可能に装備されており、異なる種類の下部電極4が交換可能に用意されているような場合であってもよい。このような場合にあっては、様々な形状のウェハ1等に対して、夫々の種類に適した下部電極4を選択して、スライドシャフト32に装備させて、プラズマ処理を行なうことができる。なお、予備室3におけるウェハ受渡し用ゲート23は、このような下部電極4の着脱による交換作業ができるような大きさに形成されている。
(プラズマ処理動作)
次に、このような構成を有するプラズマ処理装置100において、ウェハ1を供給してプラズマ処理を行ない、その後、処理されたウェハ1をプラズマ処理装置100より取り出すまでの一連の動作であるプラズマ処理動作について、以下に説明する。
次に、このような構成を有するプラズマ処理装置100において、ウェハ1を供給してプラズマ処理を行ない、その後、処理されたウェハ1をプラズマ処理装置100より取り出すまでの一連の動作であるプラズマ処理動作について、以下に説明する。
まず、図2に示すように、プラズマ処理装置100においては、下部電極4の載置面4aがウェハ受渡し位置Bに位置されて、ゲート蓋24が閉止位置Rに位置されて処理室2が密閉された状態とされている。このような状態において、予備室3の蓋22を開放し、例えば、作業者がピンセット等のウェハ保持手段を用いて保持したウェハ1を、ウェハ受渡し用ゲート23を通して予備室3内搬入し、載置面4a上に載置する。
一方、このとき、密閉された状態にある処理室2においては、ターボポンプ17及び第1ロータリーポンプ16が駆動されて、圧力コントロールバルブ18を開放して、処理室2内の真空排気を開始する(あるいは、既に開始されて、真空に保たれているような場合であってもよい)。
その後、載置面4a上にウェハ1が載置されると、図3に示すESC層に所定の電圧が印加されて、当該載置された状態のウェハ1が載置面4a上に静電チャックされる。この静電チャックにより確実にウェハ1が載置面4a上に載置されたことをウェハ受渡し用ゲート23を通して作業者が確認すると、蓋22を閉止して予備室3が密閉される。
当該予備室3の密閉が行なわれると、第2ロータリーポンプ20が駆動されて予備室3内の真空排気が開始される。この真空排気により予備室3内が所定の圧力以下になると、ゲート蓋開閉装置26によりゲート蓋24が開放位置Sに移動されて、処理室2と予備室3とが連通された状態とされる。
それとともに、図1に示すように、エアシリンダ34によりスライドシャフト32が予備室中心軸Qに沿って移動されて、ウェハ1が載置された状態の載置面4aがプラズマ処理位置Aに位置するように移動される。このように載置面4aが移動されることにより、遮断部30の周部と、連通用ゲート28の周部とが当接して、処理室2が再び密閉された状態とされる。
その後、処理室2において、ガス導入口14より所定の反応ガス(Process Gas)が供給されるとともに、圧力コントロールバルブ18が動作して、処理室2内を所定の圧力に保った後、下部電極4の高周波層42に所定の高周波電力が印加され、コイル6にも所定の高周波電力が印加される。なお、このとき、あるいはこれより以前から、下部電極4のウォータジャケット43には冷温媒流体が流通されて、下部電極4の載置面4aが所定の温度に保たれている。また、ウェハ1の下面と載置面4aとの間の微小な隙間には、伝熱ガス供給孔45aより、伝熱ガスが供給されている。このような状態とされることにより、ウェハ1に対してプラズマ処理が施されることとなる。
その後、所定の時間が経過すると、ガス導入口14よりの反応ガスの供給が停止され、コイル6への高周波電力の印加及び高周波層42への高周波電力の印加が停止されて、プラズマ処理が終了する。さらに、圧力コントロールバルブ18は開放されて、処理室2内は高真空となる。その後、エアシリンダ34によりスライドシャフト32が予備室中心軸Qに沿って下降されて、プラズマ処理が施されたウェハ1が載置された状態の載置面4aが、ウェハ受渡し位置Bに位置される。また、このスライドシャフト32の移動により、処理室2の密閉が解除されて、処理室2と予備室3とが互いに連通された状態とされる。
その後、ゲート蓋開閉装置26によりゲート蓋24が閉止位置Rに移動されて、ゲート蓋24により連通用ゲート28が閉止され、処理室2が再び密閉された状態とされる。このように処理室2が上記プラズマ処理後も再び密閉された状態とされることにより、処理室2内をプラズマ処理に必要な雰囲気状態(例えば、温度、圧力、壁面付着物の状態等)に保つことができ、次に供給されるウェハ1に対するプラズマ処理の均一化と処理を開始するまでに要する時間を短縮化することができる。
処理室2の上記密閉の後、図2に示すように、処理室2と遮断された状態の予備室3において、第2ロータリーポンプ20の配管上のバルブが閉じられ、真空状態を破壊させて、予備室3内が大気圧状態とされる。なお、例えば、このような真空状態の破壊は、予備室3内に窒素ガス(N2)を供給可能に接続された窒素ガス供給管上の開閉弁を開放させて、予備室3内に窒素ガスを供給することにより行なうことができる。その後、作業者により蓋22が開放されるとともに、載置面4a上への静電チャックが解除され、ピンセット等を用いて、ウェハ1の端部を保持することにより、プラズマ処理が施されたウェハ1が、プラズマ処理装置100の外部へと排出される。
その後、次のウェハ1に対してプラズマ処理を施す場合には、ウェハ受渡し用ゲート23を通じて、当該次のウェハ1を下部電極4の載置面4aに供給し、上述の夫々の動作を順次行なうことにより、次のウェハ1に対するプラズマ処理を行なうことができる。
なお、上記動作手順の説明においては、プラズマ処理が行われた後、載置面4aをウェハ受渡し位置Bに移動させて、予備室3内を大気圧状態とさせて扉22の開放によりウェハ1を装置より取り出す場合について説明したが、このような場合代えて、載置面4aをウェハ受渡し位置Bに移動させた後、予備室3を真空排気させた状態のまま、扉22を通して装置外部より、ウェハ1に対するプラズマ処理状態を目視確認し、必要に応じて、再度、載置面4aをプラズマ処理位置Aに移動させてプラズマ処理を実施するような場合であってもよい。特に、実験用や開発用の用途においては、プラズマ処理の途中でその処理状態を確認する必要がある場合もあるからである。
また、上記説明においては、プラズマ処理装置100において、ウェハ受渡し位置Bに位置された状態の載置面4aとの間で、作業者が手作業によりウェハ1の供給及び排出を行なうような場合について説明したが、本第1実施形態はこのような場合にのみ限定されるものではない。例えば、このような場合に代えて、図10に示すように、基板受渡し装置の一例である搬送ロボット90と、複数のウェハ1が取り出し可能に収容されたウェハカセット91と、このウェハカセット91を昇降移動させることにより搬送ロボット90により所望のウェハ1を取り出すことを可能とするカセットリフタ92とを備えさせることで、ウェハ1の自動的な供給作業及び収納作業を行なうことができる。なお、このような場合にあっては、予備室3の蓋22は搬送ロボット90との干渉を防止するため、スイライド式のものを採用することが好ましい。さらには、予備室3を拡大して、搬送ロボット90、ウェハカセット91、及びカセットリフタ92を当該拡大された予備室3の内部に収容し、予備室3を真空に保ったまま、ウェハ1の供給及び収納を真空中で自動的に行なってもよい。
(ウェハの載置位置の保持方法について)
次に、プラズマ処理装置100における下部電極4の載置面4aへのウェハ1の載置位置の保持方法について、いくつかの具体例として以下に説明する。
次に、プラズマ処理装置100における下部電極4の載置面4aへのウェハ1の載置位置の保持方法について、いくつかの具体例として以下に説明する。
まず、第1の載置位置の保持方法としては、上述のプラズマ処理動作の手順の説明において用いた静電チャックによりウェハ1の載置方法である。これは、図3に示すように下部電極4内に内蔵されたESC層41に所定の電圧が印加されることにより、ウェハ1を静電的に保持するものである。このような電圧の印加により静電チャックを行ない、電圧印加の解除により上記静電チャックを解除することができる。
次に、第2の載置位置の保持方法としては、ウェハ1あるいは載置面4aに予めワックスや粘着剤等の接着剤を供給しておき、ウェハ1を載置面4aに接着剤等を介して貼り付けることにより、ウェハ1の載置位置の保持を行なうという方法である。
ここで、このような本第2の載置位置の保持方法に適した基板電極部の一例である下部電極104の構成について、図13に示す模式断面図を用いて以下に説明する。なお、この下部電極104は、図3に示す下部電極4の変形例となっており、以下の説明の理解を容易なものとするため、図3に示す部品と同じ構成の部品には、同じ参照番号を付している。また、下部電極104は、その載置面104aの下方に加熱装置の一例であるヒータ電極層151を内蔵して備えている点において、図3に示す下部電極4と異なる構成となっており、それ以外の構成については下部電極4と同じである。
図13に示すように、下部電極104における載置面104aの下方には、ESC層41及び高周波層42が内蔵して備えられており、さらにその下方にはウォータジャケット43が備えられている。この高周波層42とウォータジャケット43との間には、高抵抗のヒータ電極層151が備えられており、このヒータ電極層151は、スライドシャフト32の内側に設置された電気配線を通じて、AC電源152(あるいは、直流電源)に接続されている。これにより、上記電気配線を通じてAC電源152より電力がヒータ電極層151に付加されることにより、このヒータ電極層151で載置面104aを加熱することが可能となっている。また、ヒータ電極層151への電力の印加量を制御することにより、載置面104aの加熱温度を任意の条件に保つこともできる。
このような構成の下部電極104を、図14に示すように、ウェハ受渡し位置Bに位置させて蓋22を開放し、下部電極104の載置面104aに作業者の手作業等により、ウェハ1を載置することができる。当該載置においては、図14において、予め、ヒータ電極層151に電力を付加して、載置面104aを所定の温度(例えば、100〜150℃程度の温度)に加熱した状態で、図示するように、当該加熱された状態の載置面104a上に、接着材料の一例であるワックス150を塗布供給する。
ここで、この「接着材料」とは、基板電極部104の載置面104aと、ウェハ1との間の必要な伝熱を行なう伝熱体としての機能と、ウェハ1の載置面104aへの載置位置を解除可能に保持する接着剤(あるいは仮接着剤)としての機能とを併せて備える伝熱性を有する接着材料である。また、上記伝熱とは、ウェハ1に対してプラズマ処理を施すために必要な伝熱であって、載置面104aの温度を制御することによりウェハ1の温度を所望の温度に制御するために必要な伝熱のことである。このような接着材料としては、例えば、熱可塑性接着剤、ワックス、粘着剤、伝熱グリス(例えば、アルミナ粉等を真空中で蒸発し難い油に混ぜたもの)、伝熱シート(例えば、アルミナ粉、銀粉等を柔らかい樹脂に混ぜたもの)、真空中で蒸発し難い真空グリス等を用いることができる。
その後、図14に示すように、このワックス150を間に介在させるようにウェハ1を載置面104a上に載置する。なお、載置面104aを通じてこのワックス150は加熱されているため、ワックス150を溶解(あるいは軟化)させた状態に保つことができ、載置面104aとワックス150、ウェハ1とワックス150との接着性を、当該加熱を行なっていない場合と比して良好なものとすることができる。
さらにその後、蓋22を閉止して、予備室3の真空化を行なう。この真空化により、ワックス150中に存在している気泡を減少させることができ、ウェハ1及び載置面104aとワックス150との密着性を良好なものとすることができる。また、このように気泡が取り除かれることにより、ワックス150の伝熱性能を高めることができ、ウェハ1の温度制御性を向上させることができる。
その後、図13に示すように、下部電極104をプラズマ処理位置Aに位置させるとともに、ヒータ電極層151の温度を例えば下降させることにより、載置面104aをプラズマ処理に必要な最適な温度に制御する。なお、この温度制御においては、冷温媒流路44aに冷媒あるいは温媒を流すこと等を併用するような場合であってもよい。また、このような温度制御は、ワックス150の伝熱性能が上述のように高められているため、その制御性が良好な状態でもって行なうことができる。このように載置面104aとワックス150を通じてウェハ1がプラズマ処理に適した温度に制御された状態でプラズマ処理が行なわれることにより、良好なプラズマ処理を行なうことができる。
当該プラズマ処理が終了した後、下部電極104をウェハ受渡し位置Bに位置させるとともに、ヒータ電極層151により載置面104aを通じてワックス150を加熱する。これにより、固化されている状態のワックス150を溶解(あるいは軟化)させることができ、ウェハ1の取り出しの際にワックス150からの剥離性を良好なものとすることができる。
また、このウェハ1の載置面104aへの載置位置の保持を解除する際、すなわち剥離をする際には、載置されているウェハ1の端部等をピンセット等の保持手段により保持して摘み上げることにより行なうことができる。すなわち、ワックス150としては、その上記溶融状態(あるいは上記軟化状態)において、ウェハ1等に外力を加えることで、上記貼り付け状態を容易に解除することができる(すなわち、ウェハ1を破壊することなく解除することができる)ようなものが用いられる。
このような方法は、上記静電チャックができないウェハ1や上記静電チャックによる電気的な影響を嫌うようなウェハ1の載置に適している。例えば、サファイヤ等の静電チャックがその機能を発揮することができないような材料により形成された基板の処理を行なう際に適したものとなる。また、大気圧下において、ウェハ1をワックス150を介在させて載置面104a上に載置させた後、上記真空化を図ることで、ワックス150に含まれている気泡の除去を行ない、ワックス150を介在させたウェハ1の載置面104aへの密着性を高めることができる。また、これにより、ワックス150の伝熱性能をも高めることができ、プラズマ処理に必要な伝熱を確実に行なうことができる。
なお、上記ワックス150の加熱の際には、ヒータ電極層151による加熱と併用して、冷温媒流路44aに冷媒又は温媒を流すことによる加熱若しくは冷却を行なうような場合であってもよく、あるいは、ヒータ電極層151による加熱に代えて、上記温媒による加熱・冷却のみが行なわれるような場合であってもよい。
また、図13に示す下部電極104においては、ESC層41及び伝熱ガス供給孔45aが備えられているが、接着材料を用いたウェハ1の処理を専門に行なう装置においては、ワックス150等によるウェハ1の載置位置の保持が行なえることより、ESC層41を無くすことができ、さらに、上述のようにワックス150による密着性が高められていることにより、伝熱ガス供給孔45aを不要とすることもでき、プラズマ処理装置の構成の簡素化を図ることができる。
さらに、第3の載置位置の保持方法としては、載置面4a上に載置された状態のウェハにさらに重りを載せて、当該重りによりウェハの載置位置を保持し、ウェハ1の裏面のHe圧力に抗するという載置方法である。この載置方法が行われている状態の下部電極4の載置面4aの模式斜視図を図5に示す。
図5に示すように、載置面4aには、4分の1の円盤状の異形ウェハ1bが載置されている。また、重り39としては、その内側に円孔39aが形成されたリング形状のものが用いられる。この重り39の重量としては、異形ウェハ1bの強度や載置位置の保持、及びウェハ1の裏面のHe圧力に対抗した保持に必要な力等を考慮して決定することができる。また、重り39の円孔39aの内径、及び重り39の外形は、異形ウェハ1bの外形及びプラズマ処理が施される領域を考慮して決定される。すらなち、異形ウェハ1bの上に重り39を載せた場合に、異形ウェハ1bの周部に重り39が確実に当接されて、その載置位置の保持を可能としながら、異形ウェハ1bの上面におけるプラズマ処理領域を重り39の円孔39a内に位置させて、円孔39aを通してのプラズマ処理を可能とさせるように、重り39の形状が決定される。もちろん、予め、複数の種類の形状の重り39を用意して、それらのうちより異形ウェハ1bに最適な重り39を選択することもできる。このような載置位置の保持方法は、上記静電チャックによる電気的な影響を嫌うようなウェハ1の載置に適しており、また、ワックス等を用いてウェハ1を貼り付けるような場合に比べて、載置が容易であるという利点がある。
上記夫々の載置位置の保持方法によれば、いずれの方法においてもウェハの載置位置を確実に保持可能で、ウェハ温度をプラズマ処理に最適な温度に保つことができる方法でありながら、ウェハの形状に影響されることがないため、様々な形状のウェハの載置位置の保持に対応でき、特に、実験用や開発用や少量生産用の用途に適している。
なお、上記夫々の載置位置の保持方法を行なうような場合に代えて、単にウェハ1を載置面4a上に載せるだけというような場合であってもよい。特に高精度なプラズマ処理が要求されないような場合にあっては、このような方法でも十分な場合があるからである。
(第1実施形態による効果)
上記第1実施形態によれば、以下のような種々の効果を得ることができる。
上記第1実施形態によれば、以下のような種々の効果を得ることができる。
まず、スライドシャフト32の先端に備えられた下部電極4が、処理室2内のプラズマ処理位置Aと、予備室3内のウェハ受渡し位置Bとの間で進退移動可能とされていることにより、ウェハ受渡し位置Bにて供給されるウェハ1を、下部電極4の載置面4aに載置された状態で、下部電極4をプラズマ処理位置Aに移動させることで、ウェハ1のプラズマ処理位置Aへの搬送を行なうことができる。また、逆に、プラズマ処理位置Aにてプラズマ処理が施された状態のウェハ1を、下部電極4をウェハ受渡し位置Bに移動させることで、ウェハ1のウェハ受渡し位置Bへの搬送を行なうことができる。
また、予備室3におけるウェハ受渡し位置Bに位置された状態の載置面4aと装置外部との間で、ウェハ1の受渡しを可能とするウェハ受渡し用ゲート23及び蓋22が備えられていることにより、載置面4aに対して、装置外部より直接的にウェハ1の供給及び排出を行なうことができる。
従って、薄くてその強度が弱いという特性を有するウェハを、従来のプラズマ処理装置に用いられていた搬送ロボット等を介在させることなく、搬送することができるため、搬送ロボット介在に伴う搬送トラブルの発生を防止することができるとともに、搬送ロボット介在に伴う基板の形状及び材質の制約を無くすことができる。
特に、従来のプラズマ処理装置においては、下部電極上に載置された状態のウェハをすくい上げて搬送するために必要であった突上げ装置を、本第1実施形態のプラズマ処理装置100においては不要とすることができる。これにより、上記搬送トラブルとして従来のプラズマ処理装置において発生していた基板の破損や落下等の上記突き上げ装置の動作不良発生を、プラズマ処理装置100においてはなくすことができ、ウェハ1の確実な搬送を行なうことができる。
また、上記搬送ロボット介在に伴う制約であった円盤状のウェハだけしか搬送することができないという問題を、ウェハ1を直接的に載置面4aに載置して搬送を行なうことが可能となっていることで、部分円盤状のウェハや異形ウェハ等の搬送にも対応することが可能となり、当該問題を解決することができる。特に、このような異形ウェハ(ウェハに限らずウェハを取り付けた治具であってもよい)は、実験用・開発用や少量生産用として用いられることが多いため、このような実験用・開発用や少量生産用の用途に適したプラズマ処理装置を提供することができる。
また、異形ウェハ1bを円盤状のウェハ上に貼り付けることなく、直接的に載置面4a上に載置させた状態で、異形ウェハ1bに対するプラズマ処理を行なうことができることより、異形ウェハ1bに対する熱伝導性を損なうことなくプラズマ処理を行なうことができる。従って、このような特殊形状のウェハに対して効率的・高精度なプラズマ処理を行なうことができる実験用・開発用や少量生産用の用途に適したプラズマ処理装置を提供することができる。
また、下部電極4とスライドシャフト32との接続部分近傍には、処理室2と予備室3との連通用開口部分である連通用ゲート28の周部に当接されることにより連通用ゲート28を遮断可能な遮断部30が設けられており、さらに、当該遮断は、載置面4aをプラズマ処理位置Aに位置させることにより行なうことができ、また、当該当接の解除は、載置面4aをウェハ受渡し位置Bに位置させることにより行なうことが可能となっていることにより、処理室2の密閉及び密閉の解除動作をウェハ1の搬送動作により行なうことができる。よって、よりプラズマ処理装置の構成をより簡素化することができ、故障等の発生頻度を低減させた確実なプラズマ処理を可能とすることができる。
また、プラズマ処理装置100において、処理室中心軸Pに対して、予備室中心軸Qが傾斜角度θでもって傾斜されるように、処理室2及び予備室3が配置されており、下部電極4が、載置面4aを水平に保ちながら予備室中心軸Qに沿って移動可能、すなわち「斜めに移動」可能であることにより、当該移動を行なうことで実質的に「水平移動」と「垂直移動」とを同時的に実現することができる。
また、このように下部電極4が傾斜された予備室中心軸Qに沿って移動される構成においては、「水平移動」のみが行なわれるような場合に比べて、載置面4aの上方に大きな空間を確保することができる。これにより、載置面4aには円盤状のウェハ1等のその形状高さが低いワークのみならず、形状高さが高いワークを載置することができ、より多様な形状のワークに対するプラズマ処理を実現することができる。
また、「垂直移動」のみが行なわれるような装置と比べては、予備室中心軸Qが傾斜されていることにより、ウェハ受渡し位置Bに位置された状態の載置面4aの上方における予備室3の側面に蓋22を設けることができ、この蓋22を通して、あるいは蓋22を開放することにより、載置面4aをその上方から確実に視認したり、ウェハを手で直接供給又は取出しすることができる。従って、ウェハ1の載置による供給動作や取出し動作の際に、ウェハ1の状態(載置状態やプラズマ処理状態等)を視認しながら、確実な供給又は排出動作を行なうことができる。このような効果は、特に異形ウェハ等が用いられることが多いという実験用・開発用や少量生産用の用途に適したものであると言える。
また、載置面4aがウェハ受渡し位置Bに位置された状態にて開放状態とされる処理室2を密閉可能なゲート蓋24とゲート蓋開閉装置26が備えられていることにより、予備室3がウェハ1の供給又は排出のために開放されるような場合であっても、予備室3と別に処理室2を密閉状態に保つことができる。これにより、処理室2内を常にプラズマ処理に適した雰囲気(圧力、温度、壁面付着物の状態等)に保つことができ、複数のウェハ1等に対して連続的にプラズマ処理を行なう際に、効率的かつ均一な処理を実現することができる。
また、処理室2の下部形状を形成する処理室容器5が、予備室3との連通部分である平面部と、真空排気のためのターボポンプ17と連通される平面部との2つの平面部を互いにV字状に連結されるようにして備えていることにより、処理室2の容積を小さくすることができる。例えば、上記「水平移動」のみの場合や上記「垂直移動」のみの場合では、上記V字状の形状を形成することができず、その容積の小型化を図ることが困難であるが、上記「斜め移動」を採用して、上記V字状の処理室容器5を実現することにより、処理室2の小型化を図ることができ、コンパクトな装置を提供することができる。
また、このようなV字状に連結された2つの平面部を備える処理室容器5が用いられることにより、処理室2の小型化を図りながら、同時に真空排気におけるガス流路を確保し、効率的かつ大容量の真空排気が可能となり、高精度なプラズマ処理を実現可能とすることができる。
(第2実施形態)
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、本発明の第2の実施形態にかかるプラズマ処理装置200の模式的な構成を示す模式断面図を図6に示す。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、本発明の第2の実施形態にかかるプラズマ処理装置200の模式的な構成を示す模式断面図を図6に示す。
図6に示すように、プラズマ処理装置200においては、個々の構成部分の構造及び機能は、上記第1実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるものの、処理室中心軸Pと予備室中心軸Qとの傾斜角度θが略90度となるように、処理室202と予備室203とが配置されている点において、プラズマ処理装置100とは異なる構成となっている。
図6に示すように、処理室202は、略円筒状の有底体である処理室容器205と、その上部を蓋状に密閉可能である石英窓212とにより形成されており、その中央付近をプラズマ処理位置Aとして、下部電極204の載置面204aを位置させることが可能となっている。また、石英窓212の外部上方には、高周波電源208及びマッチャー210を介して高周波電力が印加されるコイル206が巻回された状態で配置されている。
また、処理室202には、処理室202の内部に所定の反応ガスを導入するガス導入口214と、処理室202の内部を真空排気するターボポンプ217とが備えられている。なお、ターボポンプ217は、処理室202にコントロールバルブ218を介して取り付けられているとともに、第2ロータリーポンプ216に接続されている。
また、図6に示すように、処理室202の図示右側には予備室203が隣接して配置されており、両室間を連通するように連通用ゲート228が形成されている。また、連通用ゲート228を開閉可能なゲート蓋224とゲート蓋開閉装置226と蓋収納室225とが備えられている。予備室203においては、その中央付近の位置であるウェハ受渡し位置Bに下部電極204を位置させることが可能となっており、当該位置された下部電極204と装置外部との間でウェハ1の受渡しを可能とさせるウェハ受渡し用ゲート223と、このウェハ受渡し用ゲート223を開閉可能な蓋222が、ウェハ受渡し位置Bの上方に配置されている。
また、下部電極204は、予備室中心軸Qに沿って配置されたスライドシャフト232の図示左端に固定されており、エアシリンダ234によりスライドシャフト232を予備室中心軸Qに沿って進退移動させることにより、下部電極204を予備室中心軸Qに沿って、プラズマ処理位置Aとウェハ受渡し位置Bとの間で進退移動させることが可能となる。
さらに、下部電極204とスライドシャフト232の接続部分には、下部電極204がプラズマ処理位置Aに位置されることで、連通用ゲート228の周部に当接されて、処理室202を解除可能に密閉する遮断部230が備えられている。
また、予備室203には、予備室203の内部を真空排気する第2ロータリーポンプ220が備えられている。なお、石英窓214及び蓋222(例えば、アクリル製)は、透明とされているため、処理室202の内部及び予備室203の内部を装置外部より視認することが可能となっている。
このようなプラズマ処理装置200においては、第1実施形態のプラズマ処理装置100と基本的に同様な動作手順にてプラズマ処理を行なうことができる。
(第2実施形態による効果)
上記第2実施形態によれば、上記第1実施形態による効果と同様に、予備室203にて、ウェハ受渡し用ゲート223を通して下部電極204の載置面204aを視認しながらウェハ1の供給又は排出を行なうことができる。また、下部電極204自体が移動する構成となっていることより、従来のプラズマ処理装置において必要であった搬送ロボットやウェハ突上げピン等を不要として動作不良の発生頻度を低減させることができるプラズマ処理装置を提供することができる。
上記第2実施形態によれば、上記第1実施形態による効果と同様に、予備室203にて、ウェハ受渡し用ゲート223を通して下部電極204の載置面204aを視認しながらウェハ1の供給又は排出を行なうことができる。また、下部電極204自体が移動する構成となっていることより、従来のプラズマ処理装置において必要であった搬送ロボットやウェハ突上げピン等を不要として動作不良の発生頻度を低減させることができるプラズマ処理装置を提供することができる。
また、搬送ロボットを介することなく、下部電極204の載置面204aに直接的にウェハ1を載置して、ウェハ1の搬送を行なうことができるため、特に、異形のワークに対するプラズマ処理に対応することができる。
また、下部電極204の移動方向を水平方向としているため、装置サイズを鉛直方向に小型化することができる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態にかかるプラズマ処理装置300の模式的な構成を示す模式断面図を図7に示し、また、図7に示すプラズマ処理装置300におけるD−O−D線矢視断面図を図8に示す。
次に、本発明の第3の実施形態にかかるプラズマ処理装置300の模式的な構成を示す模式断面図を図7に示し、また、図7に示すプラズマ処理装置300におけるD−O−D線矢視断面図を図8に示す。
図7及び図8に示すように、プラズマ処理装置300は、上記第1実施形態のプラズマ処理装置100において、さらにもう1つ別の予備室、基板電極部、及び基板電極移動装置を備えさせた、すなわち、1つの処理室に対して、複数の予備室、複数の基板電極部、及び複数の基板電極移動装置を備える構成のプラズマ処理装置である。なお、プラズマ処理装置300は、このように予備室と基板電極部と基板電極移動装置とを2つずつ備えるという構成及び当該構成に関係する構成を除いては、個々の構成部品自体の機能及び用途については、上記第1実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるため、その詳細な説明については省略するものとする。
図7に示すように、プラズマ処理装置300は、処理室302の処理室中心軸Pに対して傾斜角度45度にて傾斜された2つの予備室中心軸Q1、Q2を、処理室中心軸Pに対して対称となるように備えている。夫々の予備室中心軸Q1及びQ2には、上記第1実施形態のプラズマ処理装置100の例にならって、例えば、2つの予備室として予備室303A及び303Bと、2つの下部電極として下部電極304A及び304B、さらに、これらに付随する夫々の構成部品が備えられている。
また、図8に示すように、処理室302の真空排気を担うターボポンプ317は、処理室302における2つの予備室303A及び303Bとの接続部分をかわすようにして、接続されて備えられている。なお、処理室302と夫々の予備室303A及び303Bとの接続部分には、互いを連通する連通用ゲート328A及び328Bが夫々設けられている。
さらに、夫々の下部電極304A及び304Bは、個別にスイライドシャフト332A及び332Bに固定されており、各々のスライドシャフト32A及び32bは、夫々のエアシリンダ334A及び334Bにより個別に移動させることが可能となっている。また、夫々の予備室303A及び303Bには、夫々の連通用ゲート328A及び328Bを、個別に開閉させることができるゲート蓋324A及び324Bが備えられている。
このような構成のプラズマ処理装置300においては、例えば、下部電極304Aを処理室302内のプラズマ処理位置Aに位置させて、下部電極304Bを予備室303B内のウェハ受渡し位置Bに位置させた状態で、処理室302と予備室303Bとの連通部分である連通用ゲート328Bをゲート蓋324Bにて閉止させて、処理室302と予備室303Bとを遮断することができる。このような状態とすることで、処理室302内と予備室303B内において、互いに他方の室に対して影響を与えることなく、夫々独自の作業を行なうことを可能とすることができる。これにより、処理室302にて、下部電極304に載置されたウェハ1に対するプラズマ処理を施しながら、予備室303Bにおいて、蓋322Bを開放させて下部電極304Bと装置外部との間で、ウェハ1の受渡し等の作業を行なうことができる。よって、プラズマ処理装置300において、効率的なプラズマ処理を行なうことが可能となる。
また、例えば、下部電極304Aと下部電極304Bの種類を互いに異ならせるような場合にあっては、プラズマ処理が施されるウェハ1の種類等に応じて、夫々の下部電極304Aと304Bより最適な下部電極を選択するというような使い方をすることもできる。このような場合にあっては、より多様な基板の種類に容易かつ迅速に対応することができるプラズマ処理装置を提供することができ、特に、研究や開発用、又は少量生産用の用途に適したものとすることができる。
なお、上述の説明においてはプラズマ処理装置300が、2つの予備室と2つの基板電極部と2つの基板電極移動装置とを備える場合について説明したが、本第3実施形態はこのような場合にのみ限定されるものではない。このような場合に代えて、例えば、プラズマ処理装置が3つ以上の予備室、基板電極部及び基板電極移動装置を備えるような場合であってもよい。少なくとも2つ以上を備えることで、上述の効果を得ることができるからである。
また、上記複数の予備室(すなわち、2つ以上の予備室)が互いに連通されて、1つの予備室として、1つの処理室の周囲に配置されるとともに、当該1つの処理室と互いに連通された状態の上記1つの予備室との間を、個別に往復移動可能に複数の基板電極部及び基板電極移動装置を備えさせるという場合であっても、上述の効果を得ることができる。
また、プラズマ処理装置300において、2つの予備室303A及び303Bが互いに対称となるように配置されている場合について説明したが、このような対称配置にのみ限られるものではなく、その他様々な配置を取り得る。
(第4実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態にかかるプラズマ処理装置400の模式的な構成を示す模式断面図を図9に示す。図9に示すように、プラズマ処理装置400は、上記第1実施形態のプラズマ処理装置100における処理室中心軸Pを略水平な状態となるように、装置全体を横向きの状態としたものである。また、夫々の装置構成部品の機能及び用途はプラズマ処理装置100と同様なものとなっている。
次に、本発明の第4の実施形態にかかるプラズマ処理装置400の模式的な構成を示す模式断面図を図9に示す。図9に示すように、プラズマ処理装置400は、上記第1実施形態のプラズマ処理装置100における処理室中心軸Pを略水平な状態となるように、装置全体を横向きの状態としたものである。また、夫々の装置構成部品の機能及び用途はプラズマ処理装置100と同様なものとなっている。
ただし、図9に示すように、プラズマ処理装置400においては、プラズマ処理装置100が備える構成に追加して、下部電極404の移動動作を行なうスライドシャフト432をその移動軸である予備室中心軸Q回りに回転させる基板電極回転装置の一例である回転アクチュエータ450を備えている。なお、スイライドシャフト432と予備室403との間には、回転シール451が設けられて、予備室403の気密性が保たれている。
このように回転アクチュエータ450が備えられていることにより、例えば、図9に示すように、ウェハ受渡し位置Bにおいては、下部電極404の載置面404aが略水平な姿勢となるように下部電極404を回転させて位置決めした状態で、ウェハ1の受渡しを確実かつ容易に行なうことができる。一方、下部電極404をプラズマ処理位置Aに位置させて載置されているウェハ1に対して、プラズマ処理を行なうような場合にあっては、下部電極404を回転アクチュエータ450により180度回転させて、載置面404aを略垂直な姿勢状態とさせることができる。このような姿勢において、ウェハ1に対してプラズマ処理を行なうことにより、プラズマ処理の際にウェハ1の表面へのダスト等の沈着量を低減させることができ、良質のエッチング面や成膜面を形成することができる。また、このようなプラズマ処理装置400においては、ウェハ受渡し位置Bにおける下部電極404による基板の載置姿勢と、プラズマ処理位置Aにおける下部電極404による上記基板の処理姿勢とを、上記基板の形状や特性等に応じて異ならせることができ、より様々な形状や特性の基板に対して、プラズマ処理を行なうことが可能となる。
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
1…ウェハ、1a…形成高さが高いウェハ、1b…異形ウェハ、2…処理室、3…予備室、4…下部電極、4a…載置面、5…処理室容器、5a、5b…平面部、6…コイル、7…予備室容器、8…高周波電源、10…マッチャー、12…ベルジャー、14…ガス導入口、16…第1ロータリーポンプ、17…ターボポンプ、18…圧力コントロールバルブ、20…第2ロータリーポンプ、22…蓋、23…ウェハ受渡し用ゲート、24…ゲート蓋、25…蓋収納室、26…ゲート蓋開閉装置、28…連通用ゲート、29…蓋支持部、30…遮断部、32…スライドシャフト、34…エアシリンダ、39…重り、41…ESC層、42…高周波層、43…ウォータジャケット、44…冷温媒配管、44a…、冷温媒流路、45…伝熱ガス供給配管、45a…伝熱ガス供給孔、46…電極支持部、47…静電チャックマイナス極、48…静電チャックプラス極、49…バイアス高周波電源、100…プラズマ処理装置、200…プラズマ処理装置、A…プラズマ処理位置、B…ウェハ受渡し位置、P…処理室中心軸、Q…予備室中心軸、R…閉止位置、S…開放位置。
Claims (12)
- 電力を印加してプラズマを発生させ、基板(1、1a、1b)に対しプラズマ処理を行うプラズマ処理装置(100、200)において、
上記プラズマ処理が行われる処理室(2、202)と、
上記処理室と上記装置の外部との間に介在される予備室(3、203)と、
上記処理室内及び上記予備室内を夫々排気して真空化する真空排気装置(16及び17、216及び217、20、220)と、
上記処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給部(14、214)と、
その上面に上記基板を載置し、上記基板の温度制御が可能な基板載置面(4a、204a)を有する基板電極部(4、204)と、
上記処理室内において上記プラズマ処理が行われるプラズマ処理位置(A)と、上記予備室内において上記装置外部との間で上記基板の受渡しが行われる基板受渡し位置(B)との間で、上記基板電極部を往復移動させる基板電極移動装置(32及び34、232及び234)と、
上記電力を印加可能であって、上記処理室に備えられたコイル又は電極(6、206)に、高周波電力又は直流電力を印加する電力印加装置(8、208)と、
その閉止により上記予備室を密閉可能であって、その開放により、上記基板の供給及び排出を可能とさせる上記予備室の蓋部(22、222)とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 上記予備室は、上記処理室の中心軸(P)に対して傾斜された方向(Q)に配置され、
上記基板電極移動装置は、上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間において、上記傾斜された方向に配置された移動軸(Q)に沿って、上記基板電極部を移動可能である請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 上記傾斜の角度(θ)は、30度〜60度の範囲のいずれかの角度である請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 上記予備室は、上記処理室の中心軸(P)に略直交する方向である略水平方向に配置され、
上記基板電極移動装置は、上記プラズマ処理位置と上記基板受渡し位置との間において、上記略水平方向に配置された移動軸(Q)に沿って、上記基板電極部を移動可能である請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 上記蓋部は、その開放状態において、上記基板受渡し位置に位置された状態の上記基板電極部の上記基板載置面を上記装置外部から目視可能、かつ、上記基板載置面に上記基板を上記装置外部より直接的に載置可能に配置されている請求項1から4のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 上記処理室と上記予備室との間の連通を行い、上記基板が載置された状態の上記基板電極部が通過可能であって、上記処理室と上記予備室との間の連通を行なう連通用ゲート部(28、228)と、
上記基板電極部と一体的に移動可能であって、上記基板電極部が上記プラズマ処理位置に位置されることで、上記連通用ゲート部を閉止して、上記処理室と上記予備室との間の遮断を行い、上記基板電極部が上記基板受渡し位置に位置されることで、上記連通用ゲート部を開放して、上記処理室と上記予備室との上記遮断を解除して互いを連通させる処理室遮断部(30、230)とを備える請求項1から4のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 上記基板受渡し位置に上記基板電極部が位置された状態で、上記連通用ゲート部を閉止して上記処理室と上記予備室との連通を遮断する開閉可能なゲート蓋(24)を有する遮断装置(24、26及び29)をさらに備える請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 1つの上記処理室(302)に連通された少なくとも2つの上記予備室(303A、303B)と、
上記各々の予備室における上記基板受渡し位置と上記処理室における上記プラズマ処理室との間を往復移動可能な少なくとも2つの上記基板電極部(304A、304B)と、
上記処理室と上記各々の予備室とを連通する少なくとも2つの上記連通用ゲート部(328A、328B)とを備え、
上記基板電極移動装置(332A及び334A、332B及び334B)は、上記夫々の基板電極部のうちより選択された一の上記基板電極部を上記プラズマ処理位置に、かつ、他の上記基板電極部を上記基板受渡し位置に、夫々位置させることが可能であって、
上記遮断装置(326A、326B)は、上記一の基板電極部が位置されている上記処理室と上記他の基板電極部が位置されている上記予備室とを連通する上記連通用ゲートを閉止して遮断可能である請求項7に記載のプラズマ処理装置。 - 上記基板電極移動装置による上記基板電極部の移動軸(Q)をおよその回転中心として、上記基板電極部を回転させる基板電極回転装置(450)をさらに備え、
上記基板載置面に載置された上記基板に対して、上記基板受渡し位置におけるその載置姿勢と、上記プラズマ処理位置におけるその処理姿勢とが異なる請求項1から8のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 上記基板受渡し位置に位置された状態の上記基板電極部の上記基板載置面と、上記装置外部との間で、上記基板の受渡しを行なう基板受渡し装置(90)をさらに備える請求項1から9のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 上記基板載置面への上記基板の載置位置の保持は、上記基板と上記基板載置面との間に介在されて、上記真空排気装置により上記予備室内が真空化されることで上記基板と上記基板載置面との密着が促進され、上記プラズマ処理のための上記基板と上記基板載置面との間の伝熱を可能とする接着材料(150)により行なわれる請求項1から10のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 上記基板電極部は、上記処理室における上記基板の温度制御が可能であるとともに、上記基板載置面を加熱可能な加熱装置(151)をさらに備え、
上記加熱装置は、上記接着材料を加熱することで、当該接着材料を溶融又は軟化させて、上記基板と上記基板載置面とを密着させ、上記処理室における上記基板の処理にあたっては、上記加熱の温度を下降させて、上記基板と上記基板載置面との密着を固化するとともに、上記基板の温度制御を行ない、上記予備室における上記基板の排出にあたっては、再度上記接着材料を上記加熱することで、当該接着材料による上記基板と上記基板載置面との密着の解除を補助可能である請求項11に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003283394A JP2005048259A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | プラズマ処理装置 |
US10/901,121 US20050120956A1 (en) | 2003-07-31 | 2004-07-29 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003283394A JP2005048259A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005048259A true JP2005048259A (ja) | 2005-02-24 |
Family
ID=34268289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003283394A Pending JP2005048259A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050120956A1 (ja) |
JP (1) | JP2005048259A (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20050120956A1 (en) | 2005-06-09 |
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