JP4620766B2

JP4620766B2 - はがし装置及びはがし方法

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Publication number: JP4620766B2
Application number: JP2008198361A
Authority: JP
Inventors: 喜之播磨; 裕司小野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-07-31
Filing date: 2008-07-31
Publication date: 2011-01-26
Anticipated expiration: 2028-07-31
Also published as: JP2010040565A; KR20100014114A; KR101085830B1

Description

本発明は、被処理体及びマスクのはがし装置及びそのはがし方法に関する。

静電チャックは、基材上に誘電体を設け、誘電体と誘電体上に載置された基板との間に直流電圧を印加し、両者の間に発生した力（たとえば、クーロン力等）によって基板をステージに吸着する機構である。静電チャックは、機械的な保持具を使用しないため、基板全体を均一に加工できることから、基板の吸着固定用デバイスとして広く普及している。静電チャックは、一般的には、基板と静電チャックの間に不活性ガスを流して基板を冷却させたり、ヒータと組み合わせて基板を加熱したりと、加工中の基板の温度を制御する目的と併せて使用することが多い。

基板をエッチングや成膜後，基板を搬出可能とするために除電が行われる。除電は、ステージに逆電圧をかけた後電圧をオフすることにより、基板全体がたとえばマイナスに帯電していた状態からプラスの電荷と反応させることで中和させる。これにより，ステージに対する基板の吸着を失わせることができる。

しかしながら、除電によっても中和が不充分となる場合がある。たとえば、絶縁部分を有する基板の場合、基板表面の絶縁部分が帯電して基板とステージの間が充分に中和されない場合である。その場合、プッシャーピンを使用して基板をステージから無理にはがそうとすると、基板が跳躍し破損するおそれがある。

そこで、このような不充分な中和に対して、不活性ガスから生成されたプラズマ中のイオン（＋）を用いて、基板全体がマイナス（−）に帯電していた状態を中和しつつ，プッシャーピンを駆動することにより，ステージから基板を剥離することも考えられる（たとえば、特許文献１参照）。

特開２００２−１３４４８９号公報

しかしながら、これは、あくまで不活性ガスからプラズマを生成することができるプラズマ処理装置の場合に実行可能な除電方法であり、プラズマの生成機構を有しない装置には使えない。

一方、静電チャックは、前述したように、機械的な保持具を使用しないため、基板全体を均一に加工できるだけでなく、パーティクルの低減、膜の純度の向上などの効果を有する。近年、基板の大型化が進んでいることから、プロセス処理時には、静電チャックを用いて大面積の基板を確実にステージに保持しながら、搬出時には、処理容器内を汚染せずにスムーズにステージからはがす方法が望まれる。

特に、被処理体の微細加工にマスクを使用する装置では、被処理体に隣接した状態でマスクもステージに保持しなければならない。その場合、被処理体を微細加工後、まず、マスクをステージからスムーズに剥離させ、さらに被処理体をステージからスムーズに剥離させる必要がある。

上記課題を解消するために、本発明では、マスク用のはがし機構および被処理体用のはがし機構を用いて、マスク及び被処理体をステージからスムーズにはがすことが可能なはがし装置及びはがし方法を提供する。

すなわち、上記課題を解決するために、本発明のある態様によれば、ステージを挟んでマスク及び被処理体の反対側に前記ステージに離隔して配設された第１のプレートと、第１のタイミングに前記第１のプレートを前記ステージ側に向けて押圧する第１の押圧手段と、前記第１のプレートの前記ステージ側の面に固定され、前記第１の押圧手段による押圧に応じて前記ステージに載置されたマスクを押動する複数の第１のピンと、を有するマスク用はがし機構と、前記第１のプレートと同じ側に前記ステージに離隔して配設された第２のプレートと、第２のタイミングに前記第２のプレートを前記ステージ側に向けて押圧する第２の押圧手段と、前記第２のプレートの前記ステージ側の面に固定され、前記第２の押圧手段による押圧に応じて前記ステージに載置された被処理体を押動する複数の第２のピンと、を有する被処理体用はがし機構と、を備えるはがし装置が提供される。

マスクをはがすための第１のピンと被処理体をはがすための第２のピンとが一つのプレートに固定されている場合、まず、プレートをある中間位置まで押圧することにより、第１のピンがマスクを押圧して、マスクがステージからはがれる。マスク剥離後、プレートを先程の中間位置からさらに奥まで押圧することにより、第２のピンが被処理体を押圧して、被処理体がステージからはがれる。

一つの機構で二段階の処理をすることにより、マスクはがしと被処理体はがしとの二つの動作をスムーズかつ精度よく実行することは難しい。近年、基板が大面積化していることに鑑みれば、多数のピンを均等にマスクおよび被処理体に当接させて均等に押圧する必要があり、上記二つの動作の連携を良好にすることはますます難しくなっている。

そこで、上記本発明の構成では、マスクをはがすためのはがし機構と被処理体をはがすためのはがし機構とを別々に設ける。これによれば、二つの機構がマスクの剥離及び被処理体の剥離を別々に実行する。具体的には、まず、マスク用はがし機構が、第１のプレートを最終位置までしっかりと押圧することにより、複数の第１のピンをマスクに均等に当接させ、これによりマスクをステージからスムーズにはがす。次に、被処理体用はがし機構が、第２のプレートを最終位置までしっかりと押圧することにより、複数の第２のピンを被処理体に均等に当接させ、これにより被処理体をステージからスムーズにはがす。このように、二つの機構を設けることにより、一つの機構でマスクはがしと被処理体はがしの二つの動作を２段階に分けて制御する場合に比べて、マスクはがしと被処理体はがしという２つの動作の連携が良好になり、マスク及び基板をスムーズにステージから剥離することができる。

前記ステージには、複数の第１の貫通孔が設けられ、前記第１のピンは、前記複数の第１の貫通孔を貫通することにより、前記ステージに載置されたマスクを剥離させてもよい。

また、前記ステージには、複数の第２の貫通孔が設けられ、前記第２のピンは、前記複数の第２の貫通孔を貫通することにより、前記ステージに載置された被処理体を剥離させてもよい。

前記複数の第１の貫通孔及び前記複数の第１のピンは、前記複数の第２の貫通孔及び前記複数の第２のピンより外側に設けられていてもよい。

これによれば、異なる二つのはがし機構を使用することにより、第１のタイミングに外側に設けられた複数の第１のピンによりマスクがステージから剥離され、その後、第２のタイミングに内側に設けられた複数の第２のピンにより被処理体がステージから剥離される。これにより、機械的な精度が良くなり、被処理体が跳躍し破損することなく、マスク及び基板をスムーズにステージから剥離することができる。

前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段は、押圧によって前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンをマスク及び被処理体に接触させることにより、前記ステージにマスク及び被処理体を静電吸着させている電荷をグラウンド側に逃がしながら、マスク及び被処理体を前記ステージから剥離させてもよい。

これによれば、機械的な保持具を使用しないため、被処理体全体を均一に加工することができる。また、パーティクルの低減、微細加工の純度の向上などの効果を奏することができる。これとともに、二つのはがし機構により、被処理体を微細加工後、まず、マスクをステージからスムーズに剥離させ、さらに被処理体をステージからスムーズに剥離させることができる。

前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンの先端は、導電性物質から形成され、上記前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段は、押圧によって前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンの先端をマスク及び被処理体に接触させることにより、前記ステージにマスク及び被処理体を静電吸着させている電荷をグラウンド側に逃がしながら、マスク及び被処理体を前記ステージから剥離させてもよい。

前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンの先端は、導電性樹脂、導電性ゴム、導電性物質のコーティングにより形成されてもよい。

これによれば、各ピンの先端を導電性樹脂又は導電性ゴムにより形成するか、各ピンをテフロン等の導電性物質にてコーティングすることにより、各ピンがマスクや基板と接触した際にステージとマスク又は基板との間の電荷を各ピンを通してグラウンド側に逃がすことができる。なお、各ピンがマスク及び基板に接触した際にマスク及び基板を傷つけないように、各ピンの先端は、ビッカースの低い導電性物質を使用することが好ましい。

前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンとマスク及び被処理体との接触時間は、１〜２秒の間のいずれかの時間であってもよく、０．５〜１秒の間であればさらに好ましい。

前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段は、ガスにより前記第１のプレート及び前記第２のプレートをそれぞれ押圧してもよい。このとき、前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段は、エアーシリンダにエアーを封入することにより前記第１のプレート及び前記第２のプレートをそれぞれ押圧してもよい。

これによれば、たとえば、一つのはがし機構に含まれた一つの押圧手段により、マスク、被処理体の順にステージから剥離させる場合に比べて、上述のように制御を容易にすることができる。この結果、処理にバラツキが生じにくく、マスク及び被処理体をステージから着実にはがすことができる。

上記課題を解決するために、本発明の他の態様によれば、上記二つのはがし機構を有するはがし装置を有機成膜装置の処理容器内に取り付けることにより、有機成膜時に用いたマスクおよび有機成膜した被処理体を順に前記ステージから剥離する有機成膜装置が提供される。

前記はがし装置は、前記ステージのマスク及び被処理体の載置面が前記処理容器の底面に対向するように前記処理容器内に取り付けられていてもよい。

前記有機蒸着装置は、複数層の有機層を連続成膜する装置であってもよい。

これによれば、マスク用のはがし機構と被処理体用のはがし機構とを別々に備えたはがし装置により、プラズマ中の電荷によって除電する方法をとることができない有機成膜装置においても、ステージに静電吸着されたマスク及び被処理体をステージから着実かつスムーズにはがすことができる。

なお、マスク及び被処理体を静電吸着によりステージに固定する方法では、機械的な保持具を使用しないため、基板全体を均一に加工することができるだけでなく、パーティクルの低減、膜の純度の向上などの効果を奏することができる。

上記課題を解決するために、本発明の他の態様によれば、ステージを挟んでマスク及び被処理体の反対側に前記ステージに離隔して配設された第１のプレートを第１のタイミングに前記ステージ側に向けて押圧するステップと、前記第１のタイミングの押圧に応じて、前記第１のプレートの前記ステージ側の面に固定された複数の第１のピンにより前記ステージに載置されたマスクを剥離させるステップと、前記第１のプレートと同じ側にて前記ステージに離隔して配設された第２のプレートを前記第１のタイミングより遅い第２のタイミングに前記ステージ側に向けて押圧するステップと、前記第２のタイミングの押圧に応じて、前記第２のプレートの前記ステージ側の面に固定された複数の第２のピンにより前記ステージに載置された被処理体を剥離させるステップと、を含むはがし方法が提供される。

これによれば、一つの機構でマスクはがしと被処理体はがしの二つの動作を制御する場合に比べて、マスクはがしと被処理体はがしという２つの動作の連携が良好になり、マスク及び基板をスムーズにステージから剥離することができる。

以上説明したように本発明によれば、マスク用のはがし機構および被処理体用のはがし機構を用いて、マスク及び被処理体をステージからスムーズにはがすことができる。

発明を実施するための形態

以下の添付図面を参照しながら、本発明の一実施形態にかかるはがし装置について説明する。以下では、はがし装置が取り付けられた有機成膜装置を例に挙げて説明する。なお、以下の説明及び添付図面において、同一の構成及び機能を有する構成要素については同一符号を付することにより重複説明を省略する。

図１に有機成膜装置１０および有機成膜装置１０に装着されたはがし装置４００の縦断面を模式的に示す。有機成膜装置１０は、処理容器１００および蒸着容器２００を有していて、第１の処理容器１００内にて６層の有機膜が連続的に成膜される。処理容器１００は直方体の形状であり、その内部に基板を載置するステージ１１０、６つの吹き出し機構１２０ａ〜１２０ｆおよび７つの隔壁１３０を有している。

ステージ１１０は、支持体１１０ａを介してスライド機構１１０ｂに取り付けられている。ステージ１１０は、高電圧電源１５０から印加された直流電圧により基板Ｇを静電吸着する機構を有している。スライド機構１１０ｂは、処理容器１００の天井部に装着されるとともに接地されていて、ステージ１１０に静電吸着された基板Ｇを処理容器１００の長手方向に摺動させ、これにより、各吹き出し機構１２０のわずか上空にて基板Ｇを平行移動させるようになっている。

６つの吹き出し機構１２０ａ〜１２０ｆは、形状および構造がすべて同一であって、互いに平行して等間隔に配置されている。吹き出し機構１２０ａ〜１２０ｆは、その内部が中空の矩形形状をしていて、その上部中央に設けられた開口から有機分子を吹き出すようになっている。

各吹き出し機構１２０の間には隔壁１３０がそれぞれ設けられている。隔壁１３０は、各吹き出し機構１２０を仕切ることにより、各吹き出し機構１２０の開口から吹き出される有機分子が隣接する吹き出し機構１２０から吹き出される有機分子に混入することを防止するようになっている。処理容器１００の側壁には、基板Ｇを搬入及び搬出するゲートバルブ１４０が設けられている。

蒸着容器２００には、形状および構造が同一の６つのるつぼ２１０ａ〜２１０ｆが内蔵されている。るつぼ２１０ａ〜２１０ｆは、各種有機材料をそれぞれ収納していて、各るつぼ２１０ａ〜２１０ｆを高温にすることにより各有機材料を気化させるようになっている。なお、気化とは、液体が気体に変わる現象だけでなく、固体が液体の状態を経ずに直接気体に変わる現象（すなわち、昇華）も含んでいる。

るつぼ２１０ａ〜２１０ｆは、連結管２２０ａ〜２２０ｆにそれぞれ連結されている。連結管２２０ａ〜２２０ｆは、大気中のバルブ２３０によりその開閉を制御される。るつぼ２１０ａ〜２１０ｆにて気化された有機分子は、連結管２２０ａ〜２２０ｆを通って吹き出し機構１２０ａ〜１２０ｆの開口から処理容器１００の内部に放出される。蒸着容器２００は、図示しない排気機構により所望の真空度まで減圧される。

ゲートバルブ１４０の近傍には、処理容器外にマスクアライナ機構３００及び基板上下ピン機構３１０が配設されるとともに、処理容器１００の天井面にはがし装置４００が取り付けられている。マスクアライナ機構３００及び基板上下ピン機構３１０は、矩形状のプレート３００ａ，３１０ａのコーナーにそれぞれにピン３００ｂ、３１０ｂがそれぞれ上向きに取り付けられている。

ピン３００ｂ、３１０ｂは、処理容器１００の底面から処理容器内に貫通している。矩形状のプレート３００ａ，３１０ａの外部周縁には、ベローズ３２０、３３０の一端がそれぞれ装着されている。ベローズ３２０，３３０の他端は、処理容器１００の外部底面に固着されている。処理容器内は、ベローズ３２０，３３０およびプレート３００ａ，３１０ａにより密閉されている。

かかる構成により、マスクアライナ機構３００及び基板上下ピン機構３１０は、制御装置６００から出力された制御信号に基づくモータＭ１及びモータＭ２の駆動に応じて昇降し、ゲートバルブ１４０から搬入及び搬出されるマスクＭ及び基板Ｇを一時的に待避させる。

（はがし装置）
はがし装置４００は、図２にその斜視図を示したように、二つのエアーシリンダ４０５ａ、４０５ｂ、固定部材４１０、押圧部材４２０ａ、４２０ｂ、第１のプレート４２５ａ、第２のプレート４２５ｂ、複数の第１のピン４３０ａ及び複数の第２のピン４３０ｂを有している。なお、エアーシリンダ４０５ａ及び押圧部材４２０ａは、第１のタイミングに第１のプレート４２５ａをステージ１１０側に向けて押圧する第１の押圧手段に相当する。また、エアーシリンダ４０５ｂ及び押圧部材４２０ｂは、第２のタイミングに第２のプレート４２５ｂをステージ１１０側に向けて押圧する第２の押圧手段に相当する。また、以下の説明では、エアーシリンダ４０５ａ、押圧部材４２０ａ、第１のプレート４２５ａ及び複数の第１のピン４３０ａをマスク用はがし機構４００Ａとも称呼し、エアーシリンダ４０５ｂ、押圧部材４２０ｂ、第２のプレート４２５ｂ及び複数の第２のピン４３０ｂを基板用はがし機構４００Ｂ（被処理体用はがし機構に相当）とも称呼する。

エアーシリンダ４０５ａ、４０５ｂには、エアーの流入口ＩＮ及びエアーの流出口ＯＵＴがそれぞれ一つずつ設けられている。エアーシリンダ４０５ａ、４０５ｂは図１に示したエアー供給源５００に接続され、所定のタイミングに制御装置６００から出力される制御信号にしたがって、エアー供給源５００からエアーシリンダ４０５ａ、４０５ｂ内に所定量のエアーが流入又は流出されることにより、エアーシリンダ４０５ａ、４０５ｂに連結された押圧部材４２０ａ，４２０ｂをそれぞれピストン運動させるようになっている。

固定部材４１０は、処理容器１００の外部上面に固定される。固定部材４１０と処理容器１００との接触面は図１に示したＯリング４３５，４４０によりそれぞれ真空封止されている。押圧部材４２０ａ、４２０ｂは、処理容器１００の天井面を貫通して処理容器内に挿入されている。

ステージ１１０には、基板ＧやマスクＭの載置面と反対側に第１のプレート４２５ａ及び第２のプレート４２５ｂが取り付けられている。第１のプレート４２５ａは、コの字状に形成された第２のプレート４２５ｂの間に配置されている。

第１のプレート４２５ａのステージ側の面には、複数の第１のピン４３０ａが第１のプレート４２５ａにねじ止めされている。各第１のピン４３０ａは、ステージ１１０に設けられた各第１の貫通孔Ｏｐ１に挿入されている。

エアーシリンダ４０５ａにエアーが流入すると、押圧部材４２０ａが第１のプレート４２５ａに当接して、図３（ａ）に示したように、第１のプレート４２５ａをステージ側に押圧する（ＰＡ）。これにより、各第１のピン４３０ａが各第１の貫通孔Ｏｐ１を貫通してマスクＭに当接し、マスクＭを押動させる。これにより、マスクＭがステージ１１０から剥離する。

再び図２に戻って、第２のプレート４２５ｂのステージ側の面にも、複数の第２のピン４３０ｂが第２のプレート４２５ｂにねじ止めされている。各第２のピン４３０ｂは、ステージ１１０に設けられた各第２の貫通孔Ｏｐ２に挿入されている。

エアーシリンダ４０５ｂにエアーが流入すると、押圧部材４２０ｂが第２のプレート４２５ｂに当接して、図３（ｂ）に示したように、第２のプレート４２５ｂをステージ側に押圧する（ＰＢ）。これにより、複数の第２のピン４３０ｂが第２の貫通孔Ｏｐ２を貫通して基板Ｇに当接し、基板Ｇを押動させる。これにより、基板Ｇがステージ１１０から剥離する。

第１のピン４３０ａは、棒状金属４３０ａ１の先端に導電性物質４３０ａ２が取り付けられた構成である。同様に、第２のピン４３０ｂは、棒状金属４３０ｂ１の先端に導電性物質４３０ｂ２が取り付けられた構成である。各ピンの先端には、たとえば、導電性樹脂、導電性ゴムが用いられる。各ピンは、絶縁物に導電性物質のコーティングを施すことにより形成されていてもよい。棒状金属４３０ａ１、４３０ｂ１は、直径が４〜５ｍｍであり、先端の導電性物質４３０ａ、４３０ｂの高さは２〜３ｍｍである。

これによれば、各ピンの先端を形成する導電性樹脂又は導電性ゴム、或いは各ピンをテフロン等の導電性物質にてコーティングすることにより、各ピン４３０ａ、４３０ｂがマスクＭや基板Ｇと接触した際に、ステージ１１０にマスクＭ及び基板Ｇを静電吸着させている電荷を、図２に示した各ピン４３０ａ、４３０ｂの先端の導電性物質を通して、各プレート４２５ａ、４２５ｂ、各押圧部材４２０ａ、４２０ｂから図１の接地されたスライド機構１１０ｂ及び処理容器１００（＝グラウンド）に逃がすことができる。なお、各ピン４３０ａ，４３０ｂがマスクＭ及び基板Ｇに接触した際にマスクＭ及び基板Ｇを傷つけないように、各ピンの先端はビッカースの低い導電性物質を使用することが好ましい。

前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンとマスクＭ及び基板Ｇとの接触時間は、１〜２秒の間のいずれかの時間であればよいが、０．５〜１秒の間であればより好ましい。

かかる構成の有機成膜装置１０では、ゲートバルブ１４０からマスクＭ及び基板Ｇが搬入される（ロード）。搬入されたマスクＭ及び基板Ｇは、図１に示したマスクアライナ機構３００及び基板上下ピン機構３１０に一時待避された後、ステージ１１０に静電吸着された状態にて吹き出し機構１２０ａ〜１２０ｆの上方をゲートバルブ１４０側から奥に向かって摺動する。その際、吹き出し機構１２０ａ〜１２０ｆから吹き出された有機分子が基板上に付着する。この結果、図４に示したように、基板Ｇ上のＩＴＯ（陽極）にホール輸送層（第１層）、非発光層（第２層）、青発光層（第３層）、赤発光層（第４層）、緑発光層（第５層）、電子輸送層（第６層）が階層的に連続成膜され、成膜後、はがし装置４００によりステージ１１０及びマスクＭ、基板Ｇの電荷をグラウンドに逃がしながら、マスクＭ、基板Ｇをステージ１１０からスムーズに剥離し、搬出する（アンロード）。

（ロード制御処理：マスク及び基板の搬入と載置）
つぎに、マスクＭ及び基板Ｇのロード制御処理について、図５〜図９を参照しながら詳しく説明する。図５は、ロード制御処理を示したフローチャートであり、図６〜図８は、各ステップ時の動作を示した図であり、図９はマスクＭと基板Ｇとのアライメントを説明するための図である。

なお、制御装置６００は、図示しないＣＰＵ、記憶領域（ＲＯＭ，ＲＡＭなど）、入出力インターフェース、データバス、アドレスバスを有していて、ロード制御処理及び後述するアンロード制御処理は、実際には制御装置のＣＰＵにより実行される。具体的には、ＣＰＵが記憶領域に格納したロード制御処理及びアンロード制御処理を実行するためのプログラムを起動し、記憶領域に記憶され、バスを介して得たデータや入出力インターフェースを介して外部から入力したデータを用いながらロード制御処理及びアンロード制御処理を実行する。

マスクＭの搬入指示があるとゲートバルブ１４０が開くとともに、図５のステップＳ５００からロード制御処理が開始され、ステップＳ５０５にてマスクＭを処理容器内に搬入する。これにより、マスクＭがピックＰｃ（エンドエフェクター）上に載置された状態でゲートバルブ１４０から処理容器内に搬入される（図６（ａ））。

つぎに、ステップＳ５１０にてマスクＭを位置決めする。これにより、図６（ａ）のＩ−Ｉ面にて処理容器１００を切断した図６（ｂ）に示したように、マスクＭは、ピックＰｃ上でラフアライナー７００を回動調整することにより位置決めされる。位置決め後、ラフアライナー７００は元の位置に戻る。

つぎに、ステップＳ５１５にてマスクアライナ機構３００を上昇させ、マスクアライナ機構３００によりピックＰｃ上のマスクＭを持ち上げる。その後、ピックＰｃは待避する（図６（ｃ））。ついで、マスクアライナ機構３００はマスクＭを保持したまま下降し、ステップＳ５２０にて基板ＧがピックＰｃ上に載った状態でゲートバルブ１４０から処理容器内に搬入される（図７（ａ））。

つぎに、ステップＳ５２５にて基板Ｇを位置決めする。すなわち、図７（ａ）のＩＩ−ＩＩ面にて処理容器１００を切断した図７（ｂ）に示したように、基板Ｇは、ピックＰｃ上でラフアライナー７００により位置決めされる。位置決め後、ラフアライナー７００は元の位置に戻る。

ついで、ステップＳ５３０に進んで、基板上下ピン機構３１０を上昇させ、基板上下ピン機構３１０によりピックＰｃ上の基板Ｇを持ち上げる。その後、ピックＰｃは待避する（図７（ｃ））。

次に、ステップＳ５３５にて、基板上下ピン機構３１０上の基板Ｇとマスクアライナ機構３００上のマスクＭとの位置関係を調整する。具体的には、図９に示したように、基板Ｇ上のアライメントマークＡｇとマスクＭの切欠き窓Ａｍとの位置関係をＣＣＤカメラ５１０にて検出しながら、アライメントマークＡｇ（×）の位置を画像認識し、アライメントマークＡｇ（×）を切欠き窓Ａｍの中心に合わせるようにマスクＭを移動させる。

次に、ステップＳ５４０にて、基板上下ピン機構３１０を上昇させ、基板Ｇをステージ１１０に貼り付ける（図８（ａ））。ついで、ステップＳ５４５にて、マスクアライナ機構３００を上昇させ、基板Ｇを間に挟んだ状態でマスクＭをステージ１１０に貼り付ける（図８（ｂ））。次に、図９に示した基板Ｇ上のアライメントマークＡｇに有機膜を成膜してしまうと、次工程にてアライメント（位置決め）できなくなってしまうのでこれを避けるために、ステップＳ５５０にてマスククランプＭｃを回動させることによりマスクＭの切欠き窓Ａｍを塞ぐ（図８（ｃ））。

ついで、ステップＳ５５５にてステージ１１０に直流電圧を印加することにより、マスクＭと基板Ｇとをステージ１１０に静電吸着させ、ステップＳ５６０にてマスクアライナ機構３００及び基板上下ピン機構３１０を下降させ、ステップＳ５９５にてロード制御処理を一旦終了する。これにより、ロード動作は完了し、ステージ１１０が各吹き出し機構１２０に向けて移動する（図８（ｄ））。これにより、基板Ｇ及びマスクＭが図１に示した各吹き出し機構１２０のわずか上空を平行移動しながら、マスキングされた基板Ｇに所望の有機膜が積層される。

（アンロード制御処理：マスク及び基板の剥離と搬出）
つぎに、マスクＭ及び基板Ｇのアンロード制御処理について、図１０〜図１４を参照しながら詳しく説明する。図１０は、アンロード制御処理を示したフローチャートであり、図１１〜図１４は、各ステップ時の動作を示した図である。

基板Ｇに所望の有機膜が積層された後、図１０のステップＳ１０００からアンロード制御処理が開始され、ステップＳ１００５にてステージはゲートバルブ１４０近傍まで摺動する。この時点では、マスクＭ及び基板Ｇがステージ１１０に静電吸着した状態で搬入／搬出位置まで戻っている（図１１（ａ））。

次に、ステップＳ１０１０にて、基板上下ピン機構３１０及びマスクアライナ機構３００が上昇し、基板Ｇ及びマスクＭをそれぞれ保持する。この状態で、マスククランプＭｃをアンロックさせ、図示しない電源からステージ１１０に逆電圧を印加した後、停止する（図１１（ｂ））。

次に、ステップＳ１０１５にてマスク用はがし機構４００Ａが下降し、第１のタイミングに第１のプレートをステージ１１０側に向けて押圧する第１の押圧手段としての機能を発揮する。実際には、図１及び図２に示したようにマスク用はがし機構４００Ａのエアーシリンダ４０５ａにエアーが流入され、これに応じて押圧部材４２０ａが押圧されて、図２に示した第１のプレート４２５ａがステージ側に押動し、第１のピン４３０ａがマスクＭに当接するが、図１１では押圧部材４２０ａがマスクＭに当接するように省略して描かれている。図２に示した第１のピン４３０ａがマスクＭに接触している間に、ステージ１１０とマスクＭとの間の電荷を、第１のピン４３０ａを通して、第１のプレート４２５ａ、第１の押圧部材４２０ａから接地された処理容器１００（＝グラウンド）に逃がすことができる。このようにして、静電吸着されていたマスクＭを損傷させることなくスムーズにステージ１１０からはがすことができる（図１１（ｄ））。剥離時のストロークは、マスクアライナ機構３００のピン３００ｂの内部にそれぞれ内蔵された図示しないスプリングにより吸収される。

ついで、ステップＳ１０２５にて、マスクアライナ機構３００がマスクＭを保持したまま下降する（図１２（ａ））。次に、ステップＳ１０３０に進んで、基板用はがし機構４００Ｂが下降し（図１２（ｂ））、第２のタイミングに第２のプレートをステージ１１０側に向けて押圧する第２の押圧手段としての機能を発揮する。実際には、図１及び図２に示したように基板用はがし機構４００Ｂのエアーシリンダ４０５ｂにエアーを流入し、これに応じて押圧部材４２０ｂが押圧されて、第２のプレート４２５ｂがステージ側に押動し、第２のピン４３０ｂが基板Ｇに当接するが、図１２では押圧部材４２０ｂが基板Ｇに当接するように省略して描かれている。図２に示した第２のピン４３０ｂが基板Ｇに接触している間にステージ１１０と基板Ｇとの間の電荷を、第２のピン４３０ｂを通して、第２のプレート４２５ｂ、第２の押圧部材４２０ｂから接地された処理容器１００（＝グラウンド）に逃がすことができる。このようにして、静電吸着されていた基板Ｇを損傷させることなくスムーズにステージ１１０からはがすことができる（図１２（ｃ））。剥離時のストロークは、基板上下ピン機構３１０のピン３１０ｂの内部にそれぞれ内蔵された図示しないスプリングにより吸収される。

ついで、ステップＳ１０４０にて基板上下ピン機構３１０が基板Ｇを保持したまま下降し、ステップＳ１０４５にてマスク用はがし機構４００Ａ及び基板用はがし機構４００Ｂが上昇する（図１２（ｄ））。

その後、ステップＳ１０５０にてピックＰｃが処理容器内に挿入され（図１３（ａ））、ステップＳ１０５５にて基板上下ピン機構３１０が下降し、基板上下ピン機構３１０上の基板ＧはピックＰｃ上に載置され、ゲートバルブ１４０から搬出される（図１３（ｂ））。

次に、ステップＳ１０６０にてマスクアライナ機構３００が上昇し（図１３（ｃ））、ステップＳ１０６５にてピックＰｃが処理容器内に挿入され（図１３（ｄ））、ステップＳ１０７０にてピックＰｃが処理容器内に挿入され（図１３（ｄ））、マスクアライナ機構３００がマスクＭを保持したまま下降し、マスクアライナ機構３００上のマスクＭはピックＰｃ上に載置され、ゲートバルブ１４０から搬出され（図１４（ａ））、ステップＳ１０９５にてアンロード制御処理を一旦終了する（図１４（ｂ））。これにより、アンロード動作は完了する。

以上に説明した本実施形態に係るはがし装置４００によれば、マスクＭをはがすためのマスク用はがし機構４００Ａと基板Ｇをはがすための基板用はがし機構４００Ｂとが別々に設けられる。これにより、一つの機構でマスクはがしと基板はがしの二つの動作を制御する場合に比べて、マスクはがしと被処理体はがしという２つの動作の連携が良好になり、マスクＭ及び基板Ｇをスムーズにステージ１１０から剥離することができる。

（基板処理システム）
なお、以上に説明したはがし装置４００は、たとえば、図１５に示したクラスタ型の基板処理システムＳｙｓに使用することができる。基板処理システムＳｙｓは、有機成膜装置１０、エッチング装置２０、ＣＶＤ装置３０、スパッタリング装置４０、ロードロック室５０、クリーニング装置６０及び搬送装置ＴＭから構成されている。

はがし装置４００は、たとえば、有機成膜装置１０やスパッタリング装置２０等に使用することができる。たとえば、スパッタリング装置２０においても、基板Ｇをマスキングしながら処理する場合、基板の搬出に際して、はがし装置４００によりマスクＭ及び基板Ｇをスムーズにステージ１１０から剥離することができる。

上記実施形態において、各部の動作はお互いに関連しており、互いの関連を考慮しながら、一連の動作として置き換えることができる。そして、このように置き換えることにより、はがし装置の発明の実施形態をはがし方法の実施形態とすることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明の一実施形態に係るかかる有機成膜装置の縦断面図である。同実施形態にかかるはがし装置の斜視図である。同実施形態にかかる第１及び第２のプレートの動作を示した図である。同実施形態にかかる６層連続成膜処理により形成される有機ＥＬ素子を示した図である。同実施形態にかかるロード制御処理を示したフローチャートである。同実施形態にかかるロード動作を説明するための図である。同実施形態にかかるロード動作（続き）を説明するための図である。同実施形態にかかるロード動作（続き）を説明するための図である。同実施形態にかかる基板とマスクとの位置決めを説明するための図である。同実施形態にかかるアンロード制御処理を示したフローチャートである。同実施形態にかかるアンロード動作を説明するための図である。同実施形態にかかるアンロード動作（続き）を説明するための図である。同実施形態にかかるアンロード動作（続き）を説明するための図である。同実施形態にかかるアンロード動作（続き）を説明するための図である。同実施形態にかかる基板処理システムの概略構成図である。

符号の説明

１０有機成膜装置
１００処理容器
１１０ステージ
１２０吹き出し機構
１３０隔壁
１４０ゲートバルブ
２００蒸着容器
３００マスクアライナ機構
３１０基板上下ピン機構
４００はがし装置
４００Ａマスク用はがし機構
４００Ｂ基板用はがし機構
４０５ａ、４０５ｂエアーシリンダ
４１０固定部材
４２０ａ、４２０ｂ押圧部材
４２５ａ第１のプレート
４２５ｂ第２のプレート
４３０ａ第１のピン
４３０ｂ第２のピン
５００エアー供給源
５１０ＣＣＤカメラ
６００制御装置
７００ラフアライナー
Ｍマスク
Ｇ基板
Ｏｐ１第１の貫通孔
Ｏｐ２第２の貫通孔

Claims

ステージを挟んでマスク及び被処理体の反対側に前記ステージに離隔して配設された第１のプレートと、
第１のタイミングに前記第１のプレートを前記ステージ側に向けて押圧する第１の押圧手段と、
前記第１のプレートの前記ステージ側の面に固定され、前記第１の押圧手段による押圧に応じて前記ステージに載置されたマスクを押動する複数の第１のピンと、
を有するマスク用はがし機構と、
前記第１のプレートと同じ側に前記ステージに離隔して配設された第２のプレートと、
第２のタイミングに前記第２のプレートを前記ステージ側に向けて押圧する第２の押圧手段と、
前記第２のプレートの前記ステージ側の面に固定され、前記第２の押圧手段による押圧に応じて前記ステージに載置された被処理体を押動する複数の第２のピンと、
を有する被処理体用はがし機構と、を備え、
前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段に対向して設けられ、前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段が押圧する前記ステージ側の反対側から前記ステージに載置されたマスク及び被処理体を支持する基板上下ピン機構及びマスクアライナ機構と、
を処理容器内に取り付けることにより、マスクおよび被処理体を順に前記ステージから剥離するはがし装置。
前記ステージには、複数の第１の貫通孔が設けられ、
前記第１のピンは、前記複数の第１の貫通孔を貫通することにより、前記ステージに載置されたマスクを剥離させる請求項１に記載されたはがし装置。
前記ステージには、複数の第２の貫通孔が設けられ、
前記第２のピンは、前記複数の第２の貫通孔を貫通することにより、前記ステージに載置された被処理体を剥離させる請求項１又は請求項２のいずれかに記載されたはがし装置。
マスクを前記第１のタイミングに前記ステージから剥離させた後、被処理体を前記第２のタイミングに前記ステージから剥離させる請求項１〜３のいずれかに記載されたはがし装置。
前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段の押圧によって前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンをマスク及び被処理体に接触させることにより、前記ステージにマスク及び被処理体を静電吸着させている電荷をグラウンド側に逃がしながら、マスク及び被処理体を前記ステージから剥離させる請求項１〜４のいずれかに記載されたはがし装置。
前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンの先端は、導電性物質から形成され、
上記前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段の押圧によって前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンの先端をマスク及び被処理体に接触させることにより、前記ステージにマスク及び被処理体を静電吸着させている電荷をグラウンド側に逃がしながら、マスク及び被処理体を前記ステージから剥離させる請求項５に記載されたはがし装置。
前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンの先端は、導電性樹脂、導電性ゴム、導電性物質のコーティングにより形成されている請求項６に記載されたはがし装置。
前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンとマスク及び被処理体との接触時間は、１〜２秒の間のいずれかの時間である請求項５〜７のいずれかに記載されたはがし装置。
前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンとマスク及び被処理体との接触時間は、０．５〜１秒の間のいずれかの時間である請求項８に記載されたはがし装置。
前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段は、ガスにより前記第１のプレート及び前記第２のプレートをそれぞれ押圧する請求項１〜９のいずれかに記載されたはがし装置。
前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段は、エアーシリンダにエアーを封入することにより前記第１のプレート及び前記第２のプレートをそれぞれ押圧する請求項１０に記載されたはがし装置。
前記複数の第１の貫通孔及び前記複数の第１のピンは、前記複数の第２の貫通孔及び前記複数の第２のピンより外側に設けられている請求項１〜１１のいずれかに記載されたはがし装置。
請求項１〜１２のいずれかに記載されたはがし装置を有機成膜装置の処理容器内に取り付けることにより、有機成膜時に用いたマスクおよび有機成膜した被処理体を順に前記ステージから剥離する有機成膜装置。
前記はがし装置は、前記ステージのマスク及び被処理体の載置面が前記処理容器の底面に対向するように前記処理容器内に取り付けられる請求項１３に記載された有機成膜装置。
前記有機蒸着装置は、複数層の有機層を連続成膜する装置である請求項１３又は請求項１４のいずれかに記載された有機成膜装置。
第１の押圧手段及び第２の押圧手段に対向して設けられた基板上下ピン機構及びマスクアライナ機構により、前記第１の押圧手段及び前記第２の押圧手段が押圧するステージ側と反対側から前記ステージに載置されたマスク及び被処理体を支持するステップと、
前記第１の押圧手段により、ステージを挟んでマスク及び被処理体の反対側に前記ステージに離隔して配設された第１のプレートを第１のタイミングに前記ステージ側に向けて押圧するステップと、
前記第１のタイミングの押圧に応じて、前記第１のプレートの前記ステージ側の面に固定された複数の第１のピンにより前記ステージに載置されたマスクを剥離させるステップと、
前記第２の押圧手段により、前記第１のプレートと同じ側にて前記ステージに離隔して配設された第２のプレートを前記第１のタイミングより遅い第２のタイミングに前記ステージ側に向けて押圧するステップと、
前記第２のタイミングの押圧に応じて、前記第２のプレートの前記ステージ側の面に固定された複数の第２のピンにより前記ステージに載置された被処理体を剥離させるステップと、を含むはがし方法。
前記第１のタイミングの押圧及び前記第２のタイミングの押圧によって前記複数の第１のピン及び前記複数の第２のピンをマスク及び被処理体に接触させることにより、前記ステージにマスク及び被処理体を静電吸着させている電荷をグラウンド側に逃がしながら、マスク及び被処理体を前記ステージから剥離させる請求項１６に記載されたはがし方法。