TWI445123B - 適於承載平面顯示器之承座、製作承座之方法以及具有承座之化學汽相沉積裝置 - Google Patents

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Description

適於承載平面顯示器之承座、製作承座之方法以及具有承座之化學汽相沉積裝置
本發明是有關於一種適於承載平面顯示器之承座、一種製作承座之方法以及一種具有承座之化學汽相沉積裝置，且特別是此承載平面顯示器之承座，可在沉積製程之後可平滑地將玻璃基板自此承座分離，並在沉積製程中有效率地將熱傳導至玻璃基板，與一種製作承座之方法以及一種具有承座之化學汽相沉積裝置。
平面顯示器(flat display)已廣泛應用在個人攜帶用終端器或是螢幕，而使用於電視以及電腦中。平面顯示器具有許多種類樣式，諸如液晶顯示器(liquid crystal display,LCD)、電漿顯示器(plasma display panel,PDP)以及有機電激發光顯示器(organic light emitting diode,OLED)。
在平面顯示器中，液晶顯示器的製作方式是將液晶注入上下兩片薄玻璃基板中間，而液晶是一種介於固態於液態之間的中間物質。液晶顯示器乃利用光學開關現象之特性以顯示出影像或數字，而藉由上下玻璃基板的電極之間的電壓差來改變液晶分子的轉向以產生亮暗狀態。液晶顯示器乃廣泛應用於電子裝置，諸如電子鐘、電子計算機、電視、膝上型輕便電腦(laptops)以及用作汽車與飛機之轉速計與操作系統。
典型的液晶電視(LCD TV)之螢幕尺寸是介於20~30英吋之間，而顯示器(monitor)之螢幕尺寸是17英吋或更 小。近來，消費者更加喜愛大於40英吋之大螢幕電視以及大於20英吋或更多之大螢幕顯示器。如此一來，液晶顯示器製作商便開發出更大的玻璃基板。近來，俗稱八代玻璃基板之大型產物便具有約2公尺x2公尺的尺寸，並正在發展而於不久後便要量產。
最終流通到市場的液晶顯示器是經過多道製程製作而成，而這些製程包括薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)製程、晶胞製程(cell process)與模組製程(module process)，其中薄膜電晶體製程是不斷重複沉積、顯影、蝕刻、化學氣相沉積，而晶胞製程是結合上下玻璃基板，且模組製程是完成整個產品。
化學氣相沉積製程乃是眾多製程中的其中一道，而在化學氣相沉積製程中，矽基化合物離子是在超高頻功率的電漿中而具有高能，而矽基化合物離子是經由電極而從氣體擴散平板射入並沉積在玻璃基板上。沉積過程是在腔體(chamber)內操作以完成化學氣相沉積製程。
腔體包括上腔室與下腔室，而上腔室與下腔室是可分離地而耦接在一起。亦即，當執行維護與維修工作時，上腔室是從下腔室分離，而當藉由倒轉而完成維護與維修工作後，再將上腔室耦接至下腔室。
下腔室包括基板進出部、承座以及多個起模頂銷(lift pin)。基板是經由基板進出部進入下腔室或自下腔室抽離。承座是作為如沉積平台之工作件以承載玻璃基板。起模頂銷是耦接至穿孔，且穿孔是以承座之厚長方向(thicknesswise direction)而形成於承座中。起模頂銷是在承 座上平穩地支撐玻璃基板，並將玻璃基板自承座分離。
承座是直接承載玻璃基板之部件，而承座之上表面是製作成金屬平板，且加熱器是裝配於承座中。如此一來，在沉積製程的過程中，熱會傳導至玻璃基板以加速沉積製程。
在前述傳統裝配之化學氣相沉積裝置中，當完成沉積製程後，靜電會使得玻璃基板與承座之上表面緊密強烈地接觸在一起，使得很難利用起模頂銷而將玻璃基板自承座分離。當以過度力量而將玻璃基板自承座分離，會使得玻璃基板破碎。當玻璃基板破碎後，會產生許多粒子遺留在沉積空間，使得沉積製程信賴度下降。
為解決此問題，可考慮於承座之上表面上形成多個凹痕以降低玻璃基板與承座之間的接觸區域，藉以減少玻璃基板與承座之間的靜電。
然而，在採用此方式之化學氣相沉積裝置中，儘管有利於減少靜電而在沉積製程後可平順地將玻璃基板自承座分離，但是在沉積製程中，熱無法有效地傳導至玻璃基板，使得玻璃基板無法適當地完成沉積製程。此外，玻璃基板的背面可能因為凹痕之間的突出部份之尖銳處而刮傷。另外，當電荷集中在尖銳處時，亦會於承座之表面產生電弧放電。因此，需要一種具有改良結構之承座以解決前述問題。
為解決上述及/或其他問題，本發明提供一種用於承載 平面顯示器之承座，其可在沉積製程中有效率地將熱傳導至玻璃基板，降低電弧放電的產生以及玻璃基板後表面的損壞，並在沉積製程後促使玻璃基板與承座之間的平滑分離，藉此以避免玻璃基板損壞，並在玻璃基板上完成可高信賴的沉積製程。本發明另提供一種承座之製作方法以及一種具有承座之化學汽相沉積裝置，而承座適於承載玻璃基板。
依據本發明之一個概念，此適於承載玻璃基板之承座包括承座主體、第一粗糙面以及第二粗糙面。承座主體是是由金屬材料構成。第一粗糙面形成第一粗糙圖案，並位於承座主體之表面上。第二粗糙面形成第二粗糙圖案，並位於承座主體之第一粗糙面上。第二粗糙面之該第二粗糙圖案之寬度與深度相對小於第一粗糙面之該第一粗糙圖案之寬度與深度，而負載於承座上之玻璃基板實質上接觸第二粗糙面，且玻璃基板是用於平面顯示器。
依據本發明之一個概念，用於承載玻璃基板之承座之製作方式包括下列步驟：準備承座主體，而承座主體是由金屬材料構成；進行第一製程操作而於承座主體之表面上形成第一粗糙面之第一粗糙圖案；以及進行第二製程操作，包括於承座主體之第一粗糙面上形成第二粗糙面之第二粗糙圖案，第二粗糙面之該第二粗糙圖案之寬度與深度相對小於該第一粗糙面之第一粗糙圖案之寬度與深度，而負載於承座上之玻璃基板實質上接觸第二粗糙面，且玻璃基板是用於平面顯示器。
依據本發明之一個概念，化學氣相沉積裝置包括腔體 與承座。玻璃基板是在腔體內進行沉積製程，且玻璃基板是用於平面顯示器。承座是於沉積製程中承載玻璃基板，而承座包括承座主體、第一粗糙面以及第二粗糙面。承座主體是是由金屬材料構成。第一粗糙面形成第一粗糙圖案，並位於承座主體之表面上。第二粗糙面形成第二粗糙圖案，並位於承座主體之第一粗糙面上。第二粗糙面之該第二粗糙圖案之寬度與深度相對小於第一粗糙面之該第一粗糙圖案之寬度與深度，而負載於承座上之玻璃基板實質上接觸第二粗糙面，且玻璃基板是用於平面顯示器。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖1為依據本發明一實施例之化學氣相沉積裝置的剖面圖。圖2為圖1之化學氣相沉積裝置的爆炸圖而分解為上腔室與下腔室。圖3為圖2中用於承載玻璃基板之承座之透視圖，並將承座之上表面的部份區域放大，而此承座之上表面是經過第一次的細珠噴射表面處理。圖4為此用於承載玻璃基板之承座的放大垂直剖面圖，且承座之上表面是在圖3之一次的細珠噴射表面處理之後，再經過第二次的細珠噴射表面處理。
平面顯示器可為如前所述之液晶顯示器、電漿顯示器以及有機電激發光顯示器。然而，在本發明之後的敘述中，用於液晶顯示器之大型玻璃基板便意指對應平板顯示器， 而『大型』這個用語僅是表示八代玻璃基板的尺寸，且平板顯示器可意指對應玻璃基板G。
請參考圖1與圖2，依據本發明一實施例之化學氣相沉積裝置1包括腔體3、電極40、氣體提供部15、高頻功率部12以及承座30。腔體3具有上腔室10與下腔室20，而玻璃基板G是在腔體3內進行沉積製程。電極40是配置於上腔室10中，並將沉積材質朝玻璃基板G射入，其中沉積材質為預訂之矽基化合離子，亦即為電漿化反應氣體，而玻璃基板G為沉積的標的物。氣體提供部15與高頻功率部12是耦接至上腔室10之上平板部13，並將電極40所產生的電漿化反應氣體提供至沉積空間S。承座30是用於承載玻璃基板G，並配設於下腔室20中，且玻璃基板G是裝入下腔室20中。
在本發明之承座30中，第一粗糙面之第一粗糙圖案35與第二粗糙面之第二粗糙圖案36是在承座30之表面上形成預訂之粗糙圖案，以使得玻璃基板G可輕易自承座30分離，且同時熱亦能有效傳導，而這些將會於後詳述。
當對玻璃基板G進行沉積製程時，上腔室10與下腔室20會如圖1所示而保持在結合的狀態。然而在某些情況，舉例而言，當上腔室10與下腔室20需要維護與維修時，則上腔室10便會自下腔室20分離。亦即，為進行沉積製程，上腔室10與下腔室20需要利用單獨的起重機而互相耦接以形成單體。同樣地，在維護與維修時，上腔室10亦是利用起重機而自下腔室20分離。
當上腔室10與下腔室20形成單體後，則施加於玻璃 基板G的沉積製程便會在沉積空間S中進行，而沉積空間S必須要保持在真空氣壓下。由於這個緣故，在沉積製程中，沉積空間S必須要與外界隔離。
首先，如圖1與圖2所示，上平板部13是配設於上腔室10之一端，而上平板部13屏蔽上腔室10之上半部，且上平板部13之上表面是作為安裝氣體提供部15與高頻功率部12的地方。
電極40是水平配設於上腔室10中，且電極40包括氣體擴散板45以及背板41。氣體擴散板45是排列成面向下腔室20，且背板41是排列至氣體擴散板45的後方，而使緩衝空間B是形成於氣體擴散板45與背板41之間。
氣體擴散板45規律地散佈(分散)電漿化反應氣體至由腔體3構成之沉積空間S。多個細孔(未繪示)是以精密加工而以厚長方向(thicknesswise direction)穿過氣體擴散板45。因此在沉積製程中，當承座30上昇而接近氣體擴散板45至約10毫米時，則如電漿化反應氣體之沉積材質便會穿越細孔而沉積於玻璃基板G之上表面。
背板41在其中央處具有開口，以讓氣體提供部15所提供之反應氣體通過，而氣體進氣導管18是耦接此開口。背板41以及耦接至背板41之氣體擴散板45是藉由連接線11而連接至高頻功率部12，以使得氣體提供部15所提供之反應氣體可被電漿化。
懸架支撐件43是配設於氣體擴散板45與背板41之間。懸架支撐件43不僅預防緩衝空間B中的電漿化反應氣體滲漏至外界，更懸吊支撐氣體擴散板45，而氣體擴散板 45是加重數百公斤的重量於背板41上。另外，懸架支撐件43會在沉積製程中以任何之X軸、Y軸或Z軸方向補償氣體擴散板45約280℃之熱膨脹。此外，如圖1與圖所示，為防止氣體擴散板45與背板41電性傳導至上腔室10之外壁，以鐵氟龍(Teflon)材質製成之絕緣體17是配設於背板41與上腔室10之外壁之間以及氣體擴散板45與上腔室10之外壁之間。
下腔室20是實質對玻璃基板G進行沉積製程的部件，而沉積空間S是形成於下腔室20中。基板進出部21是形成於下腔室20之外壁中，而玻璃基板G是藉由預定之工作機器人(robot)(未繪示)而從基板進出部進入下腔室20或自下腔室20抽離。基板進出部21是藉由閘門24而可選擇開啟或關閉，且門閥24是安裝在基板進出部21的附近。此外，增強外壁部26更配設於下腔室20之外壁之一側，而增強外壁部26是用於補強下腔室20之側壁之厚度以及上腔室10之側壁之厚度。儘管並未繪示，另外有一個氣體擴散板是配設在下腔室20之下表面，而此氣體擴散板是用於將位於沉積空間S中的反應氣體再擴散回沉積空間S。
承座30是水平配設於下腔室20之沉積空間S中，並用於承載已載入之玻璃基板G。承座30的結構會大於玻璃基板G的尺寸，而玻璃基板G是沉積的目標物。多個起模頂銷(lift pin)31更配設於承座30中，而無論玻璃基板G是被載入或是取出，起模頂銷31是用於平穩支撐玻璃基板G之下表面，以將玻璃基板G載入就位於承座30之上表面 或是將玻璃基板G自承座30之上表面取出。這些起模頂銷31是安裝在承座30中，並穿過承座30。
當承座30下降時，起模頂銷31之下端便會壓抵於下腔室20之下表面，以使得起模頂銷31之上端會突出於承座30之上表面。這些突出之起模頂銷31之上端會向上頂起玻璃基板G，以將玻璃基板G自承座30分離。當承座30上昇時，起模頂銷31會相對承座30之上表面而向下移動，使得玻璃基板G可緊密接觸於承座30之上表面。亦即，起模頂銷31製造出玻璃基板G與承座30之間的空隙，以使機器手臂(未繪示)可抓取負載於承座30上之玻璃基板G。
圓柱32更耦接至承座30以支撐承座30上下移動。圓柱32之上端是固定至承座30背面之中央區域，而圓柱32之下端是向下暴露在下腔室20之外部。
如前所述，由於八代玻璃基板之承座30既重且大，承座30可能會彎折，導致負載於承座30上表面上之玻璃基板亦同樣彎折。如圖1與圖2所示，承座支撐部33是配設於圓柱32之上半部，以平穩支撐承座30。
承座30可於下腔室20之沉積空間S中上下移動。亦即，當載入玻璃基板G時，承座30是位於下腔室20之下表面。當玻璃基板G緊密接觸承座30之上表面，並進行沉積製程時，則承座30是被舉起以使得玻璃基板G可緊密接近氣體擴散板45，而此將會於後詳述。為達此目的，升降模組50更配設於圓柱32上，而圓柱32是耦接承座30，以使升降模組50可舉昇起承座30。
當承座30藉由升降模組50而上下移動時，絕對不可於圓柱32與下腔室20之間產生間隙。因此，風箱管51是配設在下腔室20中且圓柱32會通過之區域，以用於圍繞圓柱32之外表面。當承座30下降時，風箱管51會擴展，而當承座30上昇時，風箱管51會緊密收縮。
如前所述，承座30是用於承載玻璃基板G，以使平穩進行沉積製程，而承座30一般是以鋁金屬構成，並以電鍍形成。
然而，如前所述而在習知之承座(未繪示)中，由於其上表面是製作成平面形狀，所以會於玻璃基板(未繪示)與承座之間產生強大的靜電力。如此一來，當完成沉積製程後，便不易藉由多個起模頂銷(未繪示)而將玻璃基板自承座分離，使得玻璃基板容易產生損壞。
因此面對此問題，而為減少產生玻璃基板與承座之間的靜電力，可考慮以細珠噴射表面處理(bead blasting)製程於承座之上表面形成精細凹痕。當以相對較大直徑之細珠進行細珠噴射表面處理，則可減少玻璃基板與承座之間的接觸區域，以使玻璃基板可輕易自承座分離。然而，如此卻無法有效將熱傳導至玻璃基板，使得無法對玻璃基板完成可信賴的沉積製程。此外，玻璃基板的背面可能因為細珠噴射表面處理所產生的凹痕之間的突出部份之尖銳處而刮傷，且電荷容易聚集在尖銳處以產生電弧放電。從另一角度而言，當以相對較小直徑之細珠進行細珠噴射表面處理，則會增加玻璃基板與承座之間的接觸區域，使得熱傳導更有效率。然而，此造成的問題便是玻璃基板不易自承 座分離。
如此一來，在本實施例中，為使不損壞玻璃基板G而自承座30分離，並有效將熱傳導至玻璃基板G，以進行高信賴的沉積製程與避免產生電弧放電，則承座30之上表面首先可利用相對較大直徑之細珠進行第一次之細珠噴射表面處理，接著再利用相對較小直徑之細珠進行第二次之細珠噴射表面處理，因此形成規則之粗糙圖案。
詳細而言，如圖3與圖4所示之依據本發明一實施例之化學氣相沉積裝置之承座30是由鋁金屬構成，並包括承座主體34、第一粗糙表面之第一粗糙圖案35以及第二粗糙表面之第二粗糙圖案36。承座30大部份的厚度是由承座主體34所充據。第一粗糙表面之第一粗糙圖案35形成預訂之粗糙圖案，亦即對承座主體34之表面進行製程而形成第一粗糙圖案。第二粗糙表面之第二粗糙圖案36是於第一粗糙表面之第一粗糙圖案35上形成第二粗糙圖案，亦即第二粗糙圖案是不同於第一粗糙表面之第一粗糙圖案35。如此一來，承座主體34之表面形成第一與第二粗糙圖案，而使得第一粗糙面之第一粗糙圖案35與第二粗糙面之第二粗糙圖案36是規則地遍佈形成於承座主體34之所有表面。
如圖3所示之第一粗糙面之第一粗糙圖案35是對承座主體34之表面進行第一次之細珠噴射表面處理而形成。亦即，藉由朝向承座主體34之表面噴射多個細珠，便可於承座主體34之表面上形成第一粗糙面之第一粗糙圖案35，而第一粗糙面之第一粗糙圖案35是規則產生多個凹痕的 地方。儘管本發明之第一粗糙面之第一粗糙圖案35是以細珠噴射表面處理製程而形成，不過本發明可採用於承座主體34表面上規則形成第一粗糙面之第一粗糙圖案35的任何製程。
第一粗糙面之第一粗糙圖案35之寬度與深度相對大於第二粗糙表面之第二粗糙圖案36，並將於後敘述。為達此目的，用於形成第一粗糙面之第一粗糙圖案35之細珠之直徑相對大於用於形成第二粗糙面之第二粗糙圖案36之細珠之直徑。亦即，這些噴向承座主體34表面以形成第一粗糙面之第一粗糙圖案35的細珠具有介於2.54μm~12.70μm之間的直徑。這些噴射完的細珠是藉由清洗製程而自承座主體34分離，而於此省略敘述。
如此一來，藉由前述製程所形成之第一粗糙面之第一粗糙圖案35便可顯著地減少玻璃基板G與承座30之間所產生的靜電力。亦即，如同第一粗糙面之第一粗糙圖案35於承座主體34表面形成之鋸齒凹口狀，則可降低玻璃基板G與承座30之間的接觸表面，藉此以減少玻璃基板G與承座30因接觸而產生的靜電力。如此一來，當完成沉積製程後，便可輕易將玻璃基板G自承座30分離。
由於第一粗糙面之第一粗糙圖案35是配設在承座主體34之表面上，而得以減少玻璃基板G與承座30之間所產生的靜電力。不過，由於玻璃基板G與承座30之間的接觸區域減少，會使得熱無法有效地傳導至玻璃基板G。此外，第一粗糙面之第一粗糙圖案35之尖銳處可能會損壞玻璃基板G之背面。另外，電荷容易聚集在尖銳處而產生 電弧放電。為解決此問題而在本實施例中，在以第一次之細珠噴射表面處理製程而於承座主體34之表面上形成第一粗糙面之第一粗糙圖案35之後，便可對第一粗糙面之第一粗糙圖案35進行第二次之細珠噴射表面處理製程，以形成第二粗糙面之第二粗糙圖案36。
如圖4所示，玻璃基板G是直接接觸第二粗糙面之第二粗糙圖案36之部分。除了第二粗糙面之第二粗糙圖案36之寬度與深度外，第二粗糙面之第二粗糙圖案36之形狀實質上與第一粗糙面之第一粗糙圖案35之形狀相同。為形成第二粗糙面之第二粗糙圖案36，乃以多個細珠噴向第一粗糙面之第一粗糙圖案35之表面，而這些細珠之尺寸是小於前述用於形成第一粗糙面之第一粗糙圖案35之細珠之尺寸。
這些用於形成第二粗糙面之第二粗糙圖案36之細珠之直徑是介於0.0254μm~2.5400μm之間，因此第二粗糙面之第二粗糙圖案36是形成於第一粗糙面之第一粗糙圖案35上，而於第一粗糙面之第一粗糙圖案35上留下多個凹痕。為方便解說，當以直徑2.54μm之細珠為例而噴向承座主體34之表面時，則對應細珠尺寸之第一粗糙面之第一粗糙圖案35會形成於承座主體34之表面上。之後，如圖4所示，當以直徑0.254μm之細珠為例而噴向第一粗糙面之第一粗糙圖案35之表面時，而直徑0.254μm之細珠尺寸是小於直徑2.54μm之細珠，則第二粗糙面之第二粗糙圖案36是規則地形成於第一粗糙面之第一粗糙圖案35之表面上。
相較於僅配設第一粗糙面之第一粗糙圖案35於承座主體34之情況，當第二粗糙面之第二粗糙圖案36規則地形成於第一粗糙面之第一粗糙圖案35之表面上時，會增加玻璃基板G與承座30之間的接觸區域。因此可更有效率地將熱從承座30傳導至玻璃基板G，而對玻璃基板G進行高信賴度之沉積製程。此外，亦可減少玻璃基板G背面的損壞以及電弧放電的產生。
當第一粗糙面之第一粗糙圖案35與第二粗糙面之第二粗糙圖案36均形成於承座30之上表面後，接著便將承座30之上表面進行電鍍，而電鍍是一種於金屬表面形成氧化層的方式，藉以保護內層之金屬。亦即，藉由電鍍承座30之上表面，而承座30是由如鋁之金屬所構成，則可避免承座30在腔體3中被氧氣氧化。
如前所述之化學氣相沉積裝置1之操作方式以及於承座30之上表面上形成粗糙圖案之方式將會於下敘述。
首先，當承座30藉由升降模組50而下降至下腔室20較低的區域時，機器手臂會經由基板進出部21而將玻璃基板G送入腔體3內。在玻璃基板G負載於承座30之上表面之前，玻璃基板G是負載於起模頂銷31上端，而起模頂銷31是以承座30之厚長方向而耦接至承座30。
接著，升降模組50會將承座30提昇至較高的區域，亦即相較於承座30而言，氣體擴散板45與起模頂銷31是往不同的方向移動。因此，負載於起模頂銷31上之玻璃基板G便會靠放至承座30之上表面上。氣體提供部15與高頻功率部12所產生的電漿化反應氣體會穿過氣體擴散板 45之氣體通過孔(細孔)(未繪示)，而均勻地沉積在玻璃基板G上，其中氣體提供部15與高頻功率部12是耦接至上腔室10之上平板部13，而玻璃基板G是負載於承座30之上表面上。
為加速對玻璃基板G之沉積製程，則需要加熱玻璃基板G。為達此目的，加熱器(未繪示)是配設於承座30中以用於產生熱，而產生的熱便會經由承座30之上表面而傳導至玻璃基板G。詳細而言，玻璃基板G是負載於承座30之上表面上，以使得形成於承座30上表面上之第二粗糙面之第二粗糙圖案36是直接接觸玻璃基板G。透過第二粗糙面之第二粗糙圖案36而將熱傳導至玻璃基板G，可將玻璃基板G加熱至特定溫度，以使順利進行對玻璃基板G之沉積製程。
當對玻璃基板G之沉積製程完成後，便將承座30下降。接著負載於承座30上之玻璃基板G便會由起模頂銷31上端所承載，而起模頂銷31是由下腔室20之下表面所承載。亦即，玻璃基板G便自承座30分離而由起模頂銷31承載。
在從承座30分離玻璃基板G的過程中，藉由形成於承座30之上表面上之第一粗糙面之第一粗糙圖案35與第二粗糙面之第二粗糙圖案36而得以輕易完成。特別是形成於承座30上表面上之第一粗糙面之第一粗糙圖案35具有較大的寬度與深度，而得以降低承座30與玻璃基板G之間的接觸區域。如此一來，便會減少承座30與玻璃基板G之間的靜電力，而使玻璃基板G可輕易自承座30分離。
於承座30上表面形成粗糙圖案之方法乃於之後搭配圖5說明。圖5是依據本發明一實施例之製作承座30的解說流程圖，而承座30是用於承載玻璃基板。
首先，如步驟S10所示，準備承座主體34，而承座主體34是由金屬材質構成。如步驟S20所示，以多個具有預訂直徑之細珠噴向承座主體34表面，而於第一粗糙面形成第一粗糙圖案35。接著，如步驟S30所示，以多個細珠噴向已形成第一粗糙面之第一粗糙圖案35之承座主體34表面，而於於第二粗糙面形成第二粗糙圖案36，其中這些細珠具有的預設直徑是小於形成第一粗糙圖案之細珠之直徑。再來，如步驟S40所示，將承座30之表面電鍍以避免承座30之第一粗糙面之第一粗糙圖案35與第二粗糙面之第二粗糙圖案36在腔體3中反應氧化。
依據本實施例，由於第一粗糙面之第一粗糙圖案35是形成於承座主體34之上表面上，而第二粗糙面之第二粗糙圖案36是形成於第一粗糙面之第一粗糙圖案35之上表面上，所以在沉積製程中，熱可以有效地傳導至玻璃基板G，並可降低玻璃基板G背面之損壞以及電弧放電之產生。此外，在沉積製程後，由於玻璃基板G可輕易自承座30分離，藉此以避免玻璃基板G損壞。如此一來，則有利於對玻璃基板G進行高信賴度之沉積製程。
請參考圖6，其為依據本發明另一實施例之承座，而此用於承載玻璃基板G之承座將於後敘述。在之後的敘述中，與圖4之承座30相同的構件便不再贅述。
圖6為依據本發明另一實施例之承座30a的局部垂直 放大剖面圖，而承座30a是用於承載玻璃基板。請參考圖6，類似前述之實施例，在依據本實施例之承座30a之上表面中，第一粗糙面之第一粗糙圖案35a是形成於承座主體34a之表面上，而第二粗糙面之第二粗糙圖案36a是形成於第一粗糙面之第一粗糙圖案35a之表面上。第二粗糙面之第二粗糙圖案36a並非完全形成在第一粗糙面之第一粗糙圖案35a之所有表面上，而是僅形成在第一粗糙面之第一粗糙圖案35a之突起部上。
第一粗糙面之第一粗糙圖案35a與第二粗糙面之第二粗糙圖案36a是藉由適當調整細珠噴射表面處理機台(未繪示)而製成。在某些情況下，第一粗糙面之第一粗糙圖案35a與第二粗糙面之第二粗糙圖案36a亦可由精密結構設備(未繪示)而製成。
在前述之實施例中，儘管第一粗糙面與第二粗糙面是以預定製程而形成於承座主體之上表面，而此預定製程可例如為細珠噴射表面處理製程。不過亦可將獨立薄膜耦貼於承座主體之上表面上，其中獨立薄膜乃具有第一粗糙面與第二粗糙面，特別是在非常容易製作獨立薄膜時。
如前所述而依據本發明的內容，在沉積製程的過程中，熱可有效傳導至玻璃基板，並可減少電弧放電的產生以及對於玻璃基板背面的損壞。此外，在完成沉積製程後，玻璃基板與承座可相互平穩分離，以避免玻璃基板損壞。亦即，可對玻璃基板進行高信賴度之沉積製程。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧化學氣相沉積裝置
3‧‧‧腔體
10‧‧‧上腔室
11‧‧‧連接線
12‧‧‧高頻功率部
13‧‧‧上平板部
15‧‧‧氣體提供部
17‧‧‧絕緣體
20‧‧‧下腔室
21‧‧‧基板進出部
24‧‧‧閘門
26‧‧‧增強外壁部
30、30a‧‧‧承座
31‧‧‧起模頂銷
32‧‧‧圓柱
33‧‧‧承座支撐部
34、34a‧‧‧承座主體
35、35a‧‧‧第一粗糙表面之第一粗糙圖案
36、36a‧‧‧第二粗糙表面之第二粗糙圖案
40‧‧‧電極
41‧‧‧背板
43‧‧‧懸架支撐件
45‧‧‧氣體擴散板
50‧‧‧升降模組
51‧‧‧風箱管
B‧‧‧緩衝空間
G‧‧‧玻璃基板
S‧‧‧沉積空間
S10~S40‧‧‧步驟
圖1為依據本發明一實施例之化學氣相沉積裝置的剖面圖。
圖2為圖1之化學氣相沉積裝置的爆炸圖而分解為上腔室與下腔室。
圖3為圖2中用於承載玻璃基板之承座之透視圖，並將承座之上表面的部份區域放大，而此承座之上表面是經過第一次的細珠噴射表面處理。
圖4為此用於承載玻璃基板之承座的放大垂直剖面圖，且承座之上表面是在圖3之一次的細珠噴射表面處理之後，再經過第二次的細珠噴射表面處理。
圖5是依據本發明一實施例之製作承座的解說流程圖，而承座是用於承載玻璃基板。
圖6為依據本發明另一實施例之承座的局部垂直放大剖面圖，而承座是用於承載玻璃基板。
30‧‧‧承座
34‧‧‧承座主體
35‧‧‧第一粗糙表面之第一粗糙圖案
36‧‧‧第二粗糙表面之第二粗糙圖案

Claims (14)

  1. 一種承座，適於承載一玻璃基板，該承座包括：一承座主體，是由一金屬材料構成；一第一粗糙面，形成一第一粗糙圖案，並位於該承座主體之表面上；以及一第二粗糙面，形成一第二粗糙圖案，並位於該承座主體之該第一粗糙面上，該第二粗糙面之該第二粗糙圖案之寬度與深度相對小於該第一粗糙面之該第一粗糙圖案之寬度與深度，而負載於該承座上之該玻璃基板實質上接觸該第二粗糙面，且該玻璃基板是用於一平面顯示器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之承座，其中該第一粗糙面之該第一粗糙圖案與該第二粗糙面之該第二粗糙圖案是以細珠噴射表面處理而形成。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之承座，其中用於以細珠噴射表面處理而形成該第一粗糙面之該第一粗糙圖案的細珠之直徑是介於2.54μm~12.70μm之間，且用於以細珠噴射表面處理而形成該第二粗糙面之該第二粗糙圖案的細珠之直徑是介於0.0254μm~2.5400μm之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之承座，其中該承座主體是由鋁金屬構成，並在形成該第一粗糙圖案與該第二粗糙圖案後進行電鍍。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之承座，其中形成於該第一粗糙面上之該第一粗糙圖案以及形成於該第二粗糙面上之該第二粗糙圖案是規則地遍佈形成於該承座主體之所有表面。
  6. 一種方法，適於製作一承座以承載一玻璃基板，該方法包括：準備一承座主體，而該承座主體是由一金屬材料構成；進行一第一製程操作而於該承座主體之表面上形成一第一粗糙面之一第一粗糙圖案；以及進行一第二製程操作，包括於該承座主體之該第一粗糙面上形成一第二粗糙面之一第二粗糙圖案，該第二粗糙面之該第二粗糙圖案之寬度與深度相對小於該第一粗糙面之該第一粗糙圖案之寬度與深度，而負載於該承座上之該玻璃基板實質上接觸該第二粗糙面，且該玻璃基板是用於一平面顯示器。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該第一製程操作與該第二製程操作是以細珠噴射表面處理進行。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中用於以細珠噴射表面處理而進行該第一製程操作的細珠之直徑是介於2.54μm~12.70μm之間，且用於以細珠噴射表面處理而進行該第二製程操作的細珠之直徑是介於0.0254μm~2.5400μm之間。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該承座主體是由鋁金屬構成，而該方法更包括在形成該第一粗糙圖案與該第二粗糙圖案後電鍍該承座主體。
  10. 一種化學氣相沉積裝置，包括：一腔體，而一玻璃基板是在該腔體內進行一沉積製程，且該玻璃基板是用於一平面顯示器；以及一承座，於該沉積製程中承載該玻璃基板，而該承座 包括：一承座主體，是由一金屬材料構成；一第一粗糙面，形成一第一粗糙圖案，並位於該承座主體之表面上；以及一第二粗糙面，形成一第二粗糙圖案，並位於該承座主體之該第一粗糙面上，該第二粗糙面之該第二粗糙圖案之寬度與深度相對小於該第一粗糙面之該第一粗糙圖案之寬度與深度，而負載於該承座上之該玻璃基板實質上接觸該第二粗糙面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之化學氣相沉積裝置，其中該第一粗糙面之該第一粗糙圖案與該第二粗糙面之該第二粗糙圖案是以細珠噴射表面處理而形成。。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之化學氣相沉積裝置，其中用於以細珠噴射表面處理而形成該第一粗糙面之該第一粗糙圖案的細珠之直徑是介於2.54μm~12.70μm之間，且用於以細珠噴射表面處理而形成該第二粗糙面之該第二粗糙圖案的細珠之直徑是介於0.0254μm~2.5400μm之間。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之化學氣相沉積裝置，其中該承座主體是由鋁金屬構成，並在形成該第一粗糙圖案與該第二粗糙圖案後進行電鍍。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之化學氣相沉積裝置，其中形成於該第一粗糙面上之該第一粗糙圖案以及形成於該第二粗糙面上之該第二粗糙圖案是規則地遍佈形成於該承座主體之所有表面，且該玻璃基板是用於一液晶顯示器。
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