CN101353786A - 承座及其制造方法以及具有该承座的化学气相沉积装置 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种承座及其制造方法以及具有该承座的化学气相沉积装置，此承座包括承座主体、第一粗糙面以及第二粗糙面。承座主体是是由金属材料构成。第一粗糙面形成第一粗糙图案，并位于承座主体的表面上。第二粗糙面形成第二粗糙图案，并位于承座主体的第一粗糙面上。第二粗糙面的宽度与深度是相对小于第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的宽度与深度，而负载在承座上的玻璃基板实质上接触第二粗糙面，且玻璃基板是用于平面显示器。在沉积制程的过程中，热可有效传导至玻璃基板，并可减少电弧放电的产生以及对于玻璃基板背面的损坏。在完成沉积制程后，玻璃基板与承座可相互平稳分离，以避免玻璃基板损坏，可对玻璃基板进行高信赖度的沉积制程。

Description

承座及其制造方法以及具有该承座的化学气相沉积装置
技术领域
本发明是涉及一种适于承载平面显示器的承座、一种制作承座的方法以及一种具有承座的化学气相沉积装置，且特别是此承载平面显示器的承座，可在沉积制程的后可平滑地将玻璃基板自此承座分离，并在沉积制程中有效率地将热传导至玻璃基板，与一种制作承座的方法以及一种具有承座的化学气相沉积装置。
背景技术
平面显示器(flat display)已广泛应用于个人携带用终端器或是屏幕，而使用于电视以及电脑中。平面显示器具有许多种类样式，诸如液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、等离子显示器(plasma display panel，PDP)以及有机电激发光显示器(organic light emitting diode，OLED)。
在平面显示器中，液晶显示器的制作方式是将液晶注入上下两片薄玻璃基板中间，而液晶是一种介于固态与液态之间的中间物质。液晶显示器乃利用光学开关现象的特性以显示出影像或数字，而凭借上下玻璃基板的电极之间的电压差来改变液晶分子的转向以产生亮暗状态。液晶显示器乃广泛应用于电子装置，诸如电子钟、电子计算机、电视、膝上型轻便电脑(laptops)以及用作汽车与飞机的转速计与操作系统。
典型的液晶电视(LCD TV)的屏幕尺寸是介于20～30英时之间，而显示器(monitor)的屏幕尺寸是17英时或更小。近来，消费者更加喜爱大于40英时的大屏幕电视以及大于20英时或更多的大屏幕显示器。如此一来，液晶显示器制作商便开发出更大的玻璃基板。近来，俗称八代玻璃基板的大型产物便具有约2公尺x2公尺的尺寸，并正在发展而在不久后便要量产。
最终流通到市场的液晶显示器是经过多道制程制作而成，而这些制程包括薄膜电晶体(thin film transistor，TFT)制程、晶胞制程(cell process)与模块制程(module process)，其中薄膜电晶体制程是不断重复沉积、显影、蚀刻、化学气相沉积，而晶胞制程是结合上下玻璃基板，且模块制程是完成整个产品。
化学气相沉积制程乃是众多制程中的其中一道，而在化学气相沉积制程中，硅基化合物离子是在超高频功率的等离子中而具有高能，而硅基化合物离子是经由电极而从气体扩散平板射入并沉积在玻璃基板上。沉积过程是在腔体(chamber)内操作以完成化学气相沉积制程。
腔体包括上腔室与下腔室，而上腔室与下腔室是可分离地而耦接在一起。也即，当执行维护与维修工作时，上腔室是从下腔室分离，而当凭借倒转而完成维护与维修工作后，再将上腔室耦接至下腔室。
下腔室包括基板进出部、承座以及多个起模顶销(lift pin)。基板是经由基板进出部进入下腔室或自下腔室抽离。承座是作为如沉积平台的工作件以承载玻璃基板。起模顶销是耦接至穿孔，且穿孔是以承座的厚长方向(thicknesswise direction)而形成在承座中。起模顶销是在承座上平稳地支撑玻璃基板，并将玻璃基板自承座分离。
承座是直接承载玻璃基板的部件，而承座的上表面是制作成金属平板，且加热器是装配在承座中。如此一来，在沉积制程的过程中，热会传导至玻璃基板以加速沉积制程。
在前述传统装配的化学气相沉积装置中，当完成沉积制程后，静电会使得玻璃基板与承座的上表面紧密强烈地接触在一起，使得很难利用起模顶销而将玻璃基板自承座分离。当以过度力量而将玻璃基板自承座分离，会使得玻璃基板破碎。当玻璃基板破碎后，会产生许多粒子遗留在沉积空间，使得沉积制程信赖度下降。
为解决此问题，可考虑在承座的上表面上形成多个凹痕以降低玻璃基板与承座之间的接触区域，以减少玻璃基板与承座之间的静电。
然而，在采用此方式的化学气相沉积装置中，尽管有利于减少静电而在沉积制程后可平顺地将玻璃基板自承座分离，但是在沉积制程中，热无法有效地传导至玻璃基板，使得玻璃基板无法适当地完成沉积制程。此外，玻璃基板的背面可能因为凹痕之间的突出部分的尖锐处而刮伤。另外，当电荷集中在尖锐处时，也会在承座的表面产生电弧放电。因此，需要一种具有改良结构的承座以解决前述问题。
发明内容
为解决上述以及/或其他问题，本发明提供一种用于承载平面显示器的承座，其可在沉积制程中有效率地将热传导至玻璃基板，降低电弧放电的产生以及玻璃基板后表面的损坏，并在沉积制程后促使玻璃基板与承座之间的平滑分离，如此以避免玻璃基板损坏，并在玻璃基板上完成可高信赖的沉积制程。本发明另提供一种承座的制作方法以及一种具有承座的化学气相沉积装置，而承座适于承载玻璃基板。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案包括：
一种承座，适于承载一玻璃基板，所述的玻璃基板是用于制造一平面显示器，其特征在于，所述的承座包括：
一承座主体，是由一金属材料构成；
一第一粗糙面，形成有一第一粗糙图案，第一粗糙面并位于所述的承座主体的表面上；以及
一第二粗糙面，形成有一第二粗糙图案，第二粗糙面并位于所述的承座主体的所述的第一粗糙面上，所述的第二粗糙面的宽度与深度是相对小于所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的宽度与深度，而负载在所述的承座上的所述的玻璃基板实质上接触所述的第二粗糙面。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案还包括：
一种承座的制造方法，所述的承座用来承载一玻璃基板，且所述的玻璃基板是用于制造一平面显示器；其特征在于，所述的方法包括：
准备一承座主体，而所述的承座主体是由一金属材料构成；
进行一第一制程操作而在所述的承座主体的表面上形成一第一粗糙面的一第一粗糙图案；以及
进行一第二制程操作，包括在所述的承座主体的所述的第一粗糙面上形成一第二粗糙面的一第二粗糙图案，使得负载在所述的承座上的所述的玻璃基板实质上接触所述的第二粗糙面，且所述的第二粗糙面的宽度与深度是相对小于所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的宽度与深度。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案还包括：
一种化学气相沉积装置，包括一腔体与一承座，所述的腔体可供一玻璃基板在其内进行一沉积制程，且所述的玻璃基板是用于制造一平面显示器；所述的承座用来在所述的沉积制程中承载所述的玻璃基板；
其特征在于，所述的承座包括：
一承座主体，是由一金属材料构成；
一第一粗糙面，形成有一第一粗糙图案，并位于所述的承座主体的表面上；以及
一第二粗糙面，形成有一第二粗糙图案，并位于所述的承座主体的所述的第一粗糙面上，所述的第二粗糙面的宽度与深度是相对小于所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的宽度与深度，而负载在所述的承座上的所述的玻璃基板实质上接触所述的第二粗糙面。
与现有技术相比较，采用上述技术方案的本发明具有的优点在于：在沉积制程的过程中，热可有效传导至玻璃基板，并可减少电弧放电的产生以及对于玻璃基板背面的损坏。此外，在完成沉积制程后，玻璃基板与承座可相互平稳分离，以避免玻璃基板损坏。也即，可对玻璃基板进行高信赖度的沉积制程。
附图说明
图1为依据本发明一实施例的化学气相沉积装置的剖面图；
图2为图1的化学气相沉积装置的爆炸图而分解为上腔室与下腔室；
图3为图2中用于承载玻璃基板的承座的透视图，并将承座的上表面的部分区域放大，而此承座的上表面是经过第一次的细珠喷射表面处理；
图4为此用于承载玻璃基板的承座的放大垂直剖面图，且承座的上表面是在图3的一次的细珠喷射表面处理之后，再经过第二次的细珠喷射表面处理；
图5是依据本发明一实施例的制作承座的解说流程图，而承座是用于承载玻璃基板；
图6为依据本发明另一实施例的承座的局部垂直放大剖面图，而承座是用于承载玻璃基板。
附图标记说明：1-化学气相沉积装置；3-腔体；10-上腔室；11-连接线；12-高频功率部；13-上平板部；15-气体提供部；17-绝缘体；20-下腔室；21-基板进出部；24-闸门；26-增强外壁部；30、30a-承座；31-起模顶销；32-圆柱；33-承座支撑部；34、34a-承座主体；35、35a-第一粗糙表面；36、36a-第二粗糙表面；40-电极；41-背板；43-悬架支撑件；45-气体扩散板；50-升降模块；51-风箱管；B-缓冲空间；G-玻璃基板；S-沉积空间；S10～S40-步骤。
具体实施方式
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图1为依据本发明一实施例的化学气相沉积装置的剖面图。图2为图1的化学气相沉积装置的爆炸图而分解为上腔室与下腔室。图3为图2中用于承载玻璃基板的承座的透视图，并将承座的上表面的部分区域放大，而此承座的上表面是经过第一次的细珠喷射表面处理。图4为此用于承载玻璃基板的承座的放大垂直剖面图，且承座的上表面是在图3的一次的细珠喷射表面处理之后，再经过第二次的细珠喷射表面处理。
平面显示器可为如前所述的液晶显示器、等离子显示器以及有机电激发光显示器。然而，在本发明的后的叙述中，用于液晶显示器的大型玻璃基板便意指对应平板显示器，而大型这个用语仅是表示八代玻璃基板的尺寸，且平板显示器可意指对应玻璃基板G。
请参考图1与图2，依据本发明一实施例的化学气相沉积装置1包括腔体3、电极40、气体提供部15、高频功率部12以及承座30。腔体3具有上腔室10与下腔室20，而玻璃基板G是在腔体3内进行沉积制程。电极40是配置在上腔室10中，并将沉积材质朝玻璃基板G射入，其中沉积材质为预订的硅基化合离子，也即为等离子化反应气体，而玻璃基板G为沉积的标的物。气体提供部15与高频功率部12是耦接至上腔室10的上平板部13，并将电极40所产生的等离子化反应气体提供至沉积空间S。承座30是用于承载玻璃基板G，并配设在下腔室20中，且玻璃基板G是装入下腔室20中。
在本发明的承座30中，第一粗糙面35与第二粗糙面36是在承座30的表面上形成预订的粗糙图案，以使得玻璃基板G可轻易自承座30分离，且同时热也能有效传导，而这些将会在后详述。
当对玻璃基板G进行沉积制程时，上腔室10与下腔室20会如图1所示而保持在结合的状态。然而在某些情况，举例而言，当上腔室10与下腔室20需要维护与维修时，则上腔室10便会自下腔室20分离。也即，为进行沉积制程，上腔室10与下腔室20需要利用单独的起重机而互相耦接以形成单体。同样地，在维护与维修时，上腔室10也是利用起重机而自下腔室20分离。
当上腔室10与下腔室20形成单体后，则施加在玻璃基板G的沉积制程便会在沉积空间S中进行，而沉积空间S必须要保持在真空气压下。由于这个缘故，在沉积制程中，沉积空间S必须要与外界隔离。
首先，如图1与图2所示，上平板部13是配设在上腔室10的一端，而上平板部13屏蔽上腔室10的上半部，且上平板部13的上表面是作为安装气体提供部15与高频功率部12的地方。
电极40是水平配设在上腔室10中，且电极40包括气体扩散板45以及背板41。气体扩散板45是排列成面向下腔室20，且背板41是排列至气体扩散板45的后方，而使缓冲空间B是形成在气体扩散板45与背板41之间。
气体扩散板45规律地散布(分散)等离子化反应气体至由腔体3构成的沉积空间S。多个细孔(未绘示)是以精密加工而以厚长方向(thicknesswisedirection)穿过气体扩散板45。因此在沉积制程中，当承座30上升而接近气体扩散板45至约10毫米时，则如等离子化反应气体的沉积材质便会穿越细孔而沉积在玻璃基板G的上表面。
背板41在其中央处具有开口，以让气体提供部15所提供的反应气体通过，而气体进气导管18是耦接此开口。背板41以及耦接至背板41的气体扩散板45是凭借连接线11而连接至高频功率部12，以使得气体提供部15所提供的反应气体可被等离子化。
悬架支撑件43是配设在气体扩散板45与背板41之间。悬架支撑件43不仅预防缓冲空间B中的等离子化反应气体渗漏至外界，更悬吊支撑气体扩散板45，而气体扩散板45是加重数百公斤的重量在背板41上。另外，悬架支撑件43会在沉积制程中以任何的X轴、Y轴或Z轴方向补偿气体扩散板45约280℃的热膨胀。此外，如图1与图所示，为防止气体扩散板45与背板41电性传导至上腔室10的外壁，以铁氟龙(Teflon)材质制成的绝缘体17是配设在背板41与上腔室10的外壁之间以及气体扩散板45与上腔室10的外壁之间。
下腔室20是实质对玻璃基板G进行沉积制程的部件，而沉积空间S是形成在下腔室20中。基板进出部21是形成在下腔室20的外壁中，而玻璃基板G是凭借预定的工作机器人(robot)(未绘示)而从基板进出部进入下腔室20或自下腔室20抽离。基板进出部21是凭借闸门24而可选择开启或关闭，且门阀24是安装在基板进出部21的附近。此外，增强外壁部26更配设在下腔室20的外壁的一侧，而增强外壁部26是用于补强下腔室20的侧壁的厚度以及上腔室10的侧壁的厚度。尽管并未绘示，另外有一个气体扩散板是配设在下腔室20的下表面，而此气体扩散板是用于将位于沉积空间S中的反应气体再扩散回沉积空间S。
承座30是水平配设在下腔室20的沉积空间S中，并用于承载已载入的玻璃基板G。承座30的结构会大于玻璃基板G的尺寸，而玻璃基板G是沉积的目标物。多个起模顶销(lift pin)31更配设在承座30中，而无论玻璃基板G是被载入或是取出，起模顶销31是用于平稳支撑玻璃基板G的下表面，以将玻璃基板G载入就位于承座30的上表面或是将玻璃基板G自承座30的上表面取出。这些起模顶销31是安装在承座30中，并穿过承座30。
当承座30下降时，起模顶销31的下端便会压抵在下腔室20的下表面，以使得起模顶销31的上端会突出在承座30的上表面。这些突出的起模顶销31的上端会向上顶起玻璃基板G，以将玻璃基板G自承座30分离。当承座30上升时，起模顶销31会相对承座30的上表面而向下移动，使得玻璃基板G可紧密接触在承座30的上表面。也即，起模顶销31制造出玻璃基板G与承座30之间的空隙，以使机器手臂(未绘示)可抓取负载在承座30上的玻璃基板G。
圆柱32更耦接至承座30以支撑承座30上下移动。圆柱32的上端是固定至承座30背面之中央区域，而圆柱32的下端是向下暴露在下腔室20的外部。
如前所述，由于八代玻璃基板的承座30既重且大，承座30可能会弯折，导致负载在承座30上表面上的玻璃基板也同样弯折。如图1与图2所示，承座支撑部33是配设在圆柱32的上半部，以平稳支撑承座30。
承座30可在下腔室20的沉积空间S中上下移动。也即，当载入玻璃基板G时，承座30是位于下腔室20的下表面。当玻璃基板G紧密接触承座30的上表面，并进行沉积制程时，则承座30是被举起以使得玻璃基板G可紧密接近气体扩散板45，而此将会在后详述。为达此目的，升降模块50更配设在圆柱32上，而圆柱32是耦接承座30，以使升降模块50可举升起承座30。
当承座30凭借升降模块50而上下移动时，绝对不可在圆柱32与下腔室20之间产生间隙。因此，风箱管51是配设在下腔室20中且圆柱32会通过的区域，以用于围绕圆柱32的外表面。当承座30下降时，风箱管51会扩展，而当承座30上升时，风箱管51会紧密收缩。
如前所述，承座30是用于承载玻璃基板G，以使平稳进行沉积制程，而承座30一般是以铝金属构成，并以电镀形成。
然而，如前所述而在现有的承座(未绘示)中，由于其上表面是制作成平面形状，所以会在玻璃基板(未绘示)与承座之间产生强大的静电力。如此一来，当完成沉积制程后，便不易凭借多个起模顶销(未绘示)而将玻璃基板自承座分离，使得玻璃基板容易产生损坏。
因此面对此问题，而为减少产生玻璃基板与承座之间的静电力，可考虑以细珠喷射表面处理(bead blasting)制程在承座的上表面形成精细凹痕。当以相对较大直径的细珠进行细珠喷射表面处理，则可减少玻璃基板与承座之间的接触区域，以使玻璃基板可轻易自承座分离。然而，如此却无法有效将热传导至玻璃基板，使得无法对玻璃基板完成可信赖的沉积制程。此外，玻璃基板的背面可能因为细珠喷射表面处理所产生的凹痕之间的突出部分的尖锐处而刮伤，且电荷容易聚集在尖锐处以产生电弧放电。从另一角度而言，当以相对较小直径的细珠进行细珠喷射表面处理，则会增加玻璃基板与承座之间的接触区域，使得热传导更有效率。然而，此造成的问题便是玻璃基板不易自承座分离。
如此一来，在本实施例中，为使不损坏玻璃基板G而自承座30分离，并有效将热传导至玻璃基板G，以进行高信赖的沉积制程与避免产生电弧放电，则承座30的上表面首先可利用相对较大直径的细珠进行第一次的细珠喷射表面处理，接着再利用相对较小直径的细珠进行第二次的细珠喷射表面处理，因此形成规则的粗糙图案。
详细而言，如图3与图4所示的依据本发明一实施例的化学气相沉积装置的承座30是由铝金属构成，并包括承座主体34、第一粗糙表面35以及第二粗糙表面36。承座30大部分的厚度是由承座主体34所充据。第一粗糙表面35形成预订的粗糙图案，也即对承座主体34的表面进行制程而形成第一粗糙图案。第二粗糙表面36是在第一粗糙表面35上形成第二粗糙图案，也即第二粗糙图案是不同在第一粗糙表面35的第一粗糙图案。如此一来，承座主体34的表面形成第一与第二粗糙图案，而使得第一粗糙面35与第二粗糙面36是规则地遍布形成在承座主体34的所有表面。
如图3所示的第一粗糙面35是对承座主体34的表面进行第一次的细珠喷射表面处理而形成。也即，凭借朝向承座主体34的表面喷射多个细珠，便可在承座主体34的表面上形成第一粗糙面35，而第一粗糙面35是规则产生多个凹痕的地方。尽管本发明的第一粗糙面35是以细珠喷射表面处理制程而形成，不过本发明可采用于承座主体34表面上规则形成第一粗糙面35的任何制程。
第一粗糙面35的宽度与深度是相对大于第二粗糙表面36，并将在后叙述。为达此目的，用于形成第一粗糙面35的细珠的直径会相对大于用于形成第二粗糙面36的细珠的直径。也即，这些喷向承座主体34表面以形成第一粗糙面35的细珠具有介于2.54μm～12.70μm之间的直径。这些喷射完的细珠是凭借清洗制程而自承座主体34分离，而在此省略叙述。
如此一来，凭借前述制程所形成的第一粗糙面35便可显着地减少玻璃基板G与承座30之间所产生的静电力。也即，如同第一粗糙面35在承座主体34表面形成的锯齿凹口状，则可降低玻璃基板G与承座30之间的接触表面，如此以减少玻璃基板G与承座30因接触而产生的静电力。如此一来，当完成沉积制程后，便可轻易将玻璃基板G自承座30分离。
由于第一粗糙面35是配设在承座主体34的表面上，而得以减少玻璃基板G与承座30之间所产生的静电力。不过，由于玻璃基板G与承座30之间的接触区域减少，会使得热无法有效地传导至玻璃基板G。此外，第一粗糙面35的尖锐处可能会损坏玻璃基板G的背面。另外，电荷容易聚集在尖锐处而产生电弧放电。为解决此问题而在本实施例中，在以第一次的细珠喷射表面处理制程而在承座主体34的表面上形成第一粗糙面35之后，便可对第一粗糙面35进行第二次的细珠喷射表面处理制程，以使得第二粗糙图案形成在第二粗糙面36上。
如图4所示，玻璃基板G是直接接触第二粗糙面36的部分。除了第二粗糙面36的宽度与深度外，第二粗糙面36的形状实质上与第一粗糙面35的形状相同。为形成第二粗糙面36，乃以多个细珠喷向第一粗糙面35的表面，而这些细珠的尺寸是小于前述用于形成第一粗糙面35的细珠的尺寸。
这些用于形成第二粗糙面36的细珠的直径是介于0.0254μm～2.5400μm之间，因此第二粗糙面36是形成在第一粗糙面35上，而在第一粗糙面35上留下多个凹痕。为方便解说，当以直径2.54μm的细珠为例而喷向承座主体34的表面时，则对应细珠尺寸的第一粗糙面35会形成在承座主体34的表面上。之后，如图4所示，当以直径0.254μm的细珠为例而喷向第一粗糙面35的表面时，而直径0.254μm的细珠尺寸是小于直径2.54μm的细珠，则第二粗糙面36是规则地形成在第一粗糙面35的表面上。
相较于仅配设第一粗糙面35在承座主体34的情况，当第二粗糙面36规则地形成在第一粗糙面35的表面上时，会增加玻璃基板G与承座30之间的接触区域。因此可更有效率地将热从承座30传导至玻璃基板G，而对玻璃基板G进行高信赖度的沉积制程。此外，也可减少玻璃基板G背面的损坏以及电弧放电的产生。
当第一粗糙面35与第二粗糙面36均形成在承座30的上表面后，接着便将承座30的上表面进行电镀(形成电镀层)，而电镀是一种在金属表面形成氧化层的方式，以保护内层的金属。也即，凭借电镀承座30的上表面，而承座30是由如铝的金属所构成，则可避免承座30在腔体3中被氧气氧化。
如前所述的化学气相沉积装置1的操作方式以及在承座30的上表面上形成粗糙图案的方式将会在下叙述。
首先，当承座30凭借升降模块50而下降至下腔室20较低的区域时，机器手臂会经由基板进出部21而将玻璃基板G送入腔体3内。在玻璃基板G负载在承座30的上表面的前，玻璃基板G是负载在起模顶销31上端，而起模顶销31是以承座30的厚长方向而耦接至承座30。
接着，升降模块50会将承座30提升至较高的区域，也即相较于承座30而言，气体扩散板45与起模顶销31是往不同的方向移动。因此，负载在起模顶销31上的玻璃基板G便会靠放至承座30的上表面上。气体提供部15与高频功率部12所产生的等离子化反应气体会穿过气体扩散板45的气体通过孔(细孔)(未绘示)，而均匀地沉积在玻璃基板G上，其中气体提供部15与高频功率部12是耦接至上腔室10的上平板部13，而玻璃基板G是负载在承座30的上表面上。
为加速对玻璃基板G的沉积制程，则需要加热玻璃基板G。为达此目的，加热器(未绘示)是配设在承座30中以用于产生热，而产生的热便会经由承座30的上表面而传导至玻璃基板G。详细而言，玻璃基板G是负载在承座30的上表面上，以使得形成在承座30上表面上的第二粗糙面36是直接接触玻璃基板G。通过第二粗糙面36而将热传导至玻璃基板G，可将玻璃基板G加热至特定温度，以使顺利进行对玻璃基板G的沉积制程。
当对玻璃基板G的沉积制程完成后，便将承座30下降。接着负载在承座30上的玻璃基板G便会由起模顶销31上端所承载，而起模顶销31是由下腔室20的下表面所承载。也即，玻璃基板G便自承座30分离而由起模顶销31承载。
在从承座30分离玻璃基板G的过程中，凭借形成在承座30的上表面上的第一粗糙面35与第二粗糙面36而得以轻易完成。特别是形成在承座30上表面上的第一粗糙面35具有较大的宽度与深度，而得以降低承座30与玻璃基板G之间的接触区域。如此一来，便会减少承座30与玻璃基板G之间的静电力，而使玻璃基板G可轻易自承座30分离。
在承座30上表面形成粗糙图案的方法乃在的后搭配图5说明。图5是依据本发明一实施例的制作承座30的解说流程图，而承座30是用于承载玻璃基板。
首先，如步骤S10所示，准备承座主体34，而承座主体34是由金属材质构成。如步骤S20所示，以多个具有预订直径的细珠喷向承座主体34表面，而在第一粗糙面35形成第一粗糙图案。接着，如步骤S30所示，以多个细珠喷向已形成第一粗糙面35的承座主体34表面，而在第二粗糙面36形成第二粗糙图案，其中这些细珠具有的预设直径是小于形成第一粗糙图案的细珠的直径。再来，如步骤S40所示，将承座30的表面电镀以避免承座30的第一粗糙面35与第二粗糙面36在腔体3中反应氧化。
依据本实施例，由于第一粗糙面35是形成在承座主体34的上表面上，而第二粗糙面36是形成在第一粗糙面35的上表面上，所以在沉积制程中，热可以有效地传导至玻璃基板G，并可降低玻璃基板G背面的损坏以及电弧放电的产生。此外，在沉积制程后，由于玻璃基板G可轻易自承座30分离，如此以避免玻璃基板G损坏。如此一来，则有利于对玻璃基板G进行高信赖度的沉积制程。
请参考图6，其为依据本发明另一实施例的承座，而此用于承载玻璃基板G的承座将在后叙述。在的后的叙述中，与图4的承座30相同的构件便不再赘述。
图6为依据本发明另一实施例的承座30a的局部垂直放大剖面图，而承座30a是用于承载玻璃基板。请参考图6，类似前述的实施例，在依据本实施例的承座30a的上表面中，第一粗糙面35a是形成在承座主体34a的表面上，而第二粗糙面36a是形成在第一粗糙面35a的表面上。第二粗糙面36a并非完全形成在第一粗糙面35a的所有表面上，而是仅形成在第一粗糙面35a的突起部上。
第一粗糙面35a与第二粗糙面36a是凭借适当调整细珠喷射表面处理机台(未绘示)而制成。在某些情况下，第一粗糙面35a与第二粗糙面36a也可由精密结构设备(未绘示)而制成。
在前述的实施例中，尽管第一粗糙面与第二粗糙面是以预定制程而形成在承座主体的上表面，而此预定制程可例如为细珠喷射表面处理制程。不过也可将独立薄膜耦贴在承座主体的上表面上，其中独立薄膜是具有第一粗糙面与第二粗糙面，特别是在非常容易制作独立薄膜时。
如前所述而依据本发明的内容，在沉积制程的过程中，热可有效传导至玻璃基板，并可减少电弧放电的产生以及对于玻璃基板背面的损坏。此外，在完成沉积制程后，玻璃基板与承座可相互平稳分离，以避免玻璃基板损坏。也即，可对玻璃基板进行高信赖度的沉积制程。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种承座，适于承载一玻璃基板，所述的玻璃基板是用于制造一平面显示器，其特征在于，所述的承座包括：
一承座主体，是由一金属材料构成；
一第一粗糙面，形成有一第一粗糙图案，所述的第一粗糙面并位于所述的承座主体的表面上；以及
一第二粗糙面，形成有一第二粗糙图案，所述的第二粗糙面并位于所述的承座主体的所述的第一粗糙面上，所述的第二粗糙面的宽度与深度是相对小于所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的宽度与深度，而负载在所述的承座上的所述的玻璃基板实质上接触所述的第二粗糙面。
2.根据权利要求1所述的承座，其特征在于：所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案与所述的第二粗糙面的所述的第二粗糙图案是以细珠喷射表面处理而形成。
3.根据权利要求2所述的承座，其特征在于：用于以细珠喷射表面处理而形成所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的细珠的直径是介于2.54μm～12.70μm之间，且用于以细珠喷射表面处理而形成所述的第二粗糙面的所述的第二粗糙图案的细珠的直径是介于0.0254μm～2.5400μm之间。
4.根据权利要求1所述的承座，其特征在于：所述的承座主体是由铝金属构成，并在所述的第一粗糙图案与所述的第二粗糙图案上还设有电镀层。
5.根据权利要求4所述的承座，其特征在于：形成在所述的第一粗糙面上的所述的第一粗糙图案以及形成在所述的第二粗糙面上的所述的第二粗糙图案是规则地遍布在所述的承座主体的所有表面。
6.一种承座的制造方法，所述的承座用来承载一玻璃基板，且所述的玻璃基板是用于制造一平面显示器；其特征在于，所述的方法包括：
准备一承座主体，而所述的承座主体是由一金属材料构成；
进行一第一制程操作而在所述的承座主体的表面上形成一第一粗糙面的一第一粗糙图案；以及
进行一第二制程操作，包括在所述的承座主体的所述的第一粗糙面上形成一第二粗糙面的一第二粗糙图案，使得负载在所述的承座上的所述的玻璃基板实质上接触所述的第二粗糙面，且所述的第二粗糙面的宽度与深度是相对小于所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的宽度与深度。
7.根据权利要求6所述的承座的制造方法，其特征在于：所述的第一制程操作与所述的第二制程操作是以细珠喷射表面处理进行。
8.根据权利要求7所述的承座的制造方法，其特征在于：用于以细珠喷射表面处理而进行所述的第一制程操作的细珠的直径是介于2.54μm～12.70μm之间，且用于以细珠喷射表面处理而进行所述的第二制程操作的细珠的直径是介于0.0254μm～2.5400μm之间。
9.根据权利要求6所述的承座的制造方法，其特征在于：所述的承座主体是由铝金属构成，而所述的方法更包括在形成所述的第一粗糙图案与所述的第二粗糙图案后电镀所述的承座主体。
10.一种化学气相沉积装置，包括一腔体与一承座，所述的腔体可供一玻璃基板在其内进行一沉积制程，且所述的玻璃基板是用于制造一平面显示器；所述的承座用来在所述的沉积制程中承载所述的玻璃基板；
其特征在于，所述的承座包括：
一承座主体，是由一金属材料构成；
一第一粗糙面，形成有一第一粗糙图案，所述的第一粗糙面并位于所述的承座主体的表面上；以及
一第二粗糙面，形成有一第二粗糙图案，所述的第二粗糙面并位于所述的承座主体的所述的第一粗糙面上，所述的第二粗糙面的宽度与深度是相对小于所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的宽度与深度，而负载在所述的承座上的所述的玻璃基板实质上接触所述的第二粗糙面。
11.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案与所述的第二粗糙面的所述的第二粗糙图案是以细珠喷射表面处理而形成。
12.根据权利要求11所述的化学气相沉积装置，其特征在于：用于以细珠喷射表面处理而形成所述的第一粗糙面的所述的第一粗糙图案的细珠的直径是介于2.54μm～12.70μm之间，且用于以细珠喷射表面处理而形成所述的第二粗糙面的所述的第二粗糙图案的细珠的直径是介于0.0254μm～2.5400μm之间。
13.根据权利要求10所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述的承座主体是由铝金属构成，并在所述的第一粗糙图案与所述的第二粗糙图案上还形成有电镀层。
14.根据权利要求13所述的化学气相沉积装置，其特征在于：形成在所述的第一粗糙面上的所述的第一粗糙图案以及形成在所述的第二粗糙面上的所述的第二粗糙图案是规则地遍布在所述的承座主体的所有表面。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104508180A (zh) * 2012-07-27 2015-04-08 应用材料公司 粗糙化的基板支撑件
CN104603926A (zh) * 2012-08-29 2015-05-06 夏普株式会社 基板处理装置和液晶显示面板制造装置
CN109881184A (zh) * 2019-03-29 2019-06-14 沈阳拓荆科技有限公司 具有静电力抑制的基板承载装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100975637B1 (ko) * 2010-03-10 2010-08-17 주식회사 포톤 탄소나노튜브를 이용한 고효율 서셉터 및 그 제조방법
KR101226159B1 (ko) * 2010-07-19 2013-01-24 주식회사 알지비하이텍 비통전 아노다이징 서셉터 표면 처리방법
KR101189398B1 (ko) * 2011-01-31 2012-10-10 엘지이노텍 주식회사 증착 장치
KR102320533B1 (ko) 2015-12-14 2021-11-03 (주)위지트 서셉터 표면 처리방법
JP6991043B2 (ja) * 2017-11-22 2022-02-03 東京エレクトロン株式会社 基板載置台
KR102080231B1 (ko) 2018-03-30 2020-02-21 (주)티티에스 유리 기판 지지용 서셉터
KR102426173B1 (ko) * 2020-09-13 2022-07-28 (주)티티에스 가이드 프레임이 일체화된 서셉터

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5531835A (en) 1994-05-18 1996-07-02 Applied Materials, Inc. Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber
JP3911902B2 (ja) * 1999-04-16 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び金属部品の表面処理方法
KR20050054317A (ko) * 2003-12-04 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 블래스트 공정을 포함하는 서셉터 제조방법 및 이를 통해제조되는 서셉터
US7663860B2 (en) * 2003-12-05 2010-02-16 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck
JP4657824B2 (ja) * 2005-06-17 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置および基板載置台の製造方法
TWI375295B (en) * 2005-07-15 2012-10-21 Applied Materials Inc Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104508180A (zh) * 2012-07-27 2015-04-08 应用材料公司 粗糙化的基板支撑件
US10434629B2 (en) 2012-07-27 2019-10-08 Applied Materials, Inc. Roughened substrate support
CN111485226A (zh) * 2012-07-27 2020-08-04 应用材料公司 粗糙化的基板支撑件
CN104603926A (zh) * 2012-08-29 2015-05-06 夏普株式会社 基板处理装置和液晶显示面板制造装置
CN109881184A (zh) * 2019-03-29 2019-06-14 沈阳拓荆科技有限公司 具有静电力抑制的基板承载装置

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