CN104508180A - 粗糙化的基板支撑件 - Google Patents

粗糙化的基板支撑件 Download PDF

Info

Publication number
CN104508180A
CN104508180A CN201380037798.0A CN201380037798A CN104508180A CN 104508180 A CN104508180 A CN 104508180A CN 201380037798 A CN201380037798 A CN 201380037798A CN 104508180 A CN104508180 A CN 104508180A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate support
nozzle
technique
scanned
make
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201380037798.0A
Other languages
English (en)
Inventor
D·李
W·N·斯特林
朴范洙
崔寿永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Priority to CN201911423044.4A priority Critical patent/CN111485226A/zh
Publication of CN104508180A publication Critical patent/CN104508180A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/06—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for producing matt surfaces, e.g. on plastic materials, on glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本发明一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。一粗糙化的基板支撑件减少在腔体内的电弧且亦提供均匀沉积于基板上。粗糙化可以两个步骤执行。于一第一步骤中，基板支撑件是进行喷珠以初步地粗糙化表面。接着，粗糙化的表面是以较细的磨粒进行喷珠，以产生一具有介于约707微英寸及约837微英寸间的表面粗糙度的基板支撑件。在表面粗糙化之后，基板支撑件进行阳极处理。

Description

粗糙化的基板支撑件
发明的背景
技术领域
本发明的实施例一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。
相关技术的描述
等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)一般是用于沉积薄膜于一基板上，例如是平板或是半导体晶圆。PECVD通常是通过导入一前驱气体(precursor gas)至包含一基板的一真空腔体内来完成。前驱气体一般是导引通过一分布板，此分布板靠近腔体的顶部。在腔体内的前驱气体通过从一或多个射频(RF)源提供RF电力至腔体来提供能量(例如是激发(excited))而成为等离子体，RF源耦接于腔体。激发气体反应而形成一材料层于基板的一表面上，所述基板摆置于一温度控制基板支撑件上。
在处理期间，可能对装置的制造造成不利的小部分的膜厚变化已观察出来，所述小部分的膜厚变化时常以成为较薄的膜厚的点(spots)的方式显现。一般认为，沿着一平滑基板支撑表面，在玻璃的厚度及平坦度的变化是在跨基板的特定位置产生局部电容变化，因而产生了局部的等离子体不均匀性，所述离子体不均匀性导致沉积变化，例如是薄点。
因此，对基板支撑件做改善是有需要的。
发明内容
本发明一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。一粗糙化的基板支撑件是减少在腔体内的电弧且亦提供均匀沉积于基板上。粗糙化可以两个步骤执行。于一第一步骤中，基板支撑件进行喷珠以初步地粗糙化表面。接着，粗糙化的表面以较细的磨粒进行喷珠，以产生一具有介于约707微英寸及约837微英寸间的表面粗糙度的基板支撑件。在表面粗糙化之后，基板支撑件进行阳极处理。
于一个实施例中，一种形成一粗糙化的基板支撑件的方法，包括于一第一工艺中对一基板支撑件的一表面进行喷珠，其中此些珠体具有一第一磨粒(grit)尺寸；以及于一第二工艺中对基板支撑件的表面进行喷珠，其中此些珠体具有一第二磨粒尺寸，所述第二磨粒尺寸小于第一磨粒尺寸。
于另一实施例中，一种形成一粗糙化的基板支撑件的方法，包括于一第一工艺中对一基板支撑件的一表面进行喷珠。第一工艺包括于一第一方向中使喷嘴扫描过基板支撑件的表面；沿着基板支撑件的表面转换喷嘴于一第二方向中，第二方向垂直于第一方向；以及于一第三方向中使喷嘴扫描过基板支撑件的表面，第三方向相反于第一方向。此方法更包括于一第二工艺中对基板支撑件的表面进行喷珠。第二工艺包括于第一方向中使喷嘴第一次扫描过基板支撑件的表面；沿着基板支撑件的表面转换喷嘴于第二方向中；于第三方向中使喷嘴第二次扫描过基板支撑件的表面；逆时针转动基板支撑件约90度；以及重复第一次扫描、转换、第二次扫描及转动。
于另一实施例中，一种基板支撑件包括一基板支撑件主体，具有一表面粗糙度，此表面粗糙度介于约707微英寸及约834微英寸之间；以及一阳极处理涂布层，位于基板支撑件上。
附图说明
为了可详细地了解本发明上述的特性，简要摘录于上的本发明的更特有的说明可参照实施例。一些实施例是绘示于所附的附图中。然而，值得注意的是，由于本发明可承认其他等效实施例，所附的附图仅为本发明的代表性实施例，因此并非用以限制本发明的范围。
图1绘示根据本发明的一个实施例的PECVD设备的剖面图。
图2绘示根据一个实施例的基板支撑件的局部剖面图。
图3A绘示根据一个实施例的基板支撑件在粗糙化的第一步骤后的示意性剖面图。
图3B绘示根据一个实施例的图3A的基板支撑件在粗糙化的第二步骤后的示意性剖面图。
图4绘示根据一个实施例的粗糙化机相对于基板支撑件的示意图。
图5A绘示根据一个实施例的在基板支撑件于第一步骤中进行粗糙化的示意图。
图5B-5E绘示根据一个实施例的图5A的基板支撑件于第二步骤中进行粗糙化的示意图。
为了便于了解，在可行之处，相同的参考编号是使用来表示通用于附图的相同的元件。可预期的是，揭露于一个实施例中的元件可在无需特别说明的情况下，有助益地使用于其他实施例中。
具体实施方式
本发明一般是有关于一基板支撑件，用于使用于一基板处理腔体内。一粗糙化的基板支撑件减少在腔体内的电弧，且亦有助于均匀沉积于基板上。粗糙化可以两个步骤执行。在一第一步骤中，基板支撑件是进行喷珠(bead blasted)以初步地粗糙化表面。接着，粗糙化的表面是以一较细的磨粒(grit)进行喷珠，以产生具有一表面粗糙度介于约707微英寸及约837微英寸之间的一基板支撑件。在表面粗糙化之后，基板支撑件进行阳极处理(anodized)。
此处的说明是有关于一PECVD腔体，此PECVD腔体可取自美商业凯科技股份有限公司(AKT America,Inc.)，AKT America,Inc.为位于加州圣塔克拉拉的应用材料公司(Applied Materials,Inc.,Santa Clara,CA)的子公司。可理解的是，此处的实施例亦可同样应用于其他处理腔体，包括由其他制造商所贩售的处理腔体。
图1绘示可利用此处所述的基板支撑件的PECVD设备的剖面图。此设备包括一腔体100，于腔体100中，一或数个膜可沉积于一基板120上。腔体100一般包括数个墙102、一底部104及一莲蓬头(showerhead)106，莲蓬头106决定一工艺容积(processvolume)。一基板支撑件118是设置于工艺容积内。工艺容积是经由一狭缝阀开口(slitvalve opening)108可被存取，使得基板120可传送至腔体100内及传送出腔体100外。基板支撑件118可耦接于一致动器116，以升高及降低基板支撑件118。举栓122可移动地设置贯穿基板支撑件118，以移动一基板至基板接收表面且自基板接收表面移动基板。基板支撑件118亦可包括加热及/或冷却元件124，以保持基板支撑件118于一所需的温度。基板支撑件118亦可包括射频返回带(RF return strap)126，以在基板支撑件118的周围提供RF返回路径。
莲蓬头106通过一固定机构150耦接于一背板112。莲蓬头106可通过一或数个固定机构150耦接于背板112，以有助于避免下弯(sag)及/或控制莲蓬头106的平直度(straightness)/曲率。
一气体源132耦接于背板112，以经由莲蓬头106中的气体通道提供气体到一处理面积，所述处理面积位于莲蓬头106与基板120之间。一真空泵110耦接于腔体100，以控制工艺容积于一所需的压力。一RF源128经由一匹配网络190耦接于背板112及/或耦接于莲蓬头106，以提供一RF电流至莲蓬头106。RF电流在莲蓬头106及基板支撑件118之间产生一电场，使得一等离子体可自莲蓬头106及基板支撑件118之间的气体产生。
一远程等离子体源130，诸如是感应式耦合的远程等离子体源130，亦可耦接于气体源132与背板112之间。在处理基板之间，一清洁气体可提供到远程等离子体源130，使得一远程等离子体产生。来自远程等离子体的自由基(radicals)可提供至腔体100，以清洁腔体100部件。清洁气体可进一步通过提供至莲蓬头106的RF源128激发。
莲蓬头106可额外地通过莲蓬头悬架134来耦接于背板112。于一个实施例中，莲蓬头悬架134可为一挠性金属裙板(flexible metal skirt)。莲蓬头悬架134可具有一唇部136，莲蓬头106可置于唇部136上。背板112可置于一架体114的上表面上，所述架体114耦接于腔体墙102，以密封腔体100。
图2绘示基板支撑件118的局部剖面图。基板支撑件118包括一主体202，本质上覆盖有一阳极处理涂布层210。主体202可由一或数个耦接的元件或一单一铸成体(casted body)所组成，其具有加热及/或冷却元件124内嵌于其中。于一个实施例中，主体202可包括铝。
主体202一般包括一基板支撑表面204及一相对固定表面206。阳极处理涂布层210覆盖至少主体202的支撑表面204，且提供一分离层于基板120与支撑表面204之间。
涂布层210包括一外表面212及一内表面214。内表面214一般直接设置于主体202上。于一个实施例中，阳极处理涂布层具有一厚度，介于约23μm至约27μm之间，例如是约25μm。内表面214具有一表面粗糙度，其转变成阳极处理涂布层210。位于基板支撑表面204上的外表面212的一部分218具有配置来支撑基板120于其上的一几何形状。外表面212的部分218具有一预定粗糙度的一表面抛光216，其促进沉积于基板140上的膜厚的均匀度。表面抛光216具有约707微英寸至约847微英寸的粗糙度，例如是777微英寸。表面抛光216有利地改善了膜厚的均匀度。
阳极处理涂布层210的表面抛光216可通过处理在基板140下的外部的基板支撑表面204的至少一部分220来达成，此将于下述中说明。基板支撑表面204的表面抛光208可以数种方式来形成，包括喷珠(bead blasting)、喷砂(abrasive blasting)、研磨(grinding)、压成型(embossing)、砂磨(sanding)、织构(texturing)、蚀刻或其他用以提供一预定义表面粗糙度的方法。于一个实施例中，主体202的支撑表面204的表面抛光208是约707微英寸至约847微英寸，例如是约777微英寸。
可选地，支撑表面204的一带部224可留下而不进行处理来最小化制造成本，带部224邻接于位于基板120下方之外的部分220。此是于未进行处理的带部224的上方产生阳极处理涂布层210的一带部222，而可能具有相异于表面抛光216的修饰度(finish)，但由于带部222是位于基板120的范围外，带部222的表面抛光对层沉积的均匀度并未有影响。于一个实施例中，相较于所邻接的涂布层210的部分218，阳极处理涂布层210的带部222具有一较平滑的表面抛光。
为了粗糙化基板支撑件118，可进行两个步骤的工艺。图3A绘示根据一个实施例的基板支撑件118在粗糙化的第一步骤后的示意性剖面图。于工艺的第一步骤中，基板支撑件是暴露于一第一喷珠工艺，以在基板支撑件118中形成数个凹部302，数个高原部304分离此些凹部302。喷珠是通过暴露基板支撑件118于从一喷嘴402所射出的珠体来进行。
图4绘示根据一个实施例的粗糙化机(例如是喷嘴402)相对于基板支撑件118的示意图。喷嘴402可设置于相对正进行喷珠的基板支撑件118的表面的一角度α。角度α可介于约85度及约95度之间，例如是90度。喷嘴402可相隔基板支撑件118一距离A，距离A介于约400mm及约600mm之间。用于喷珠的珠体可具有一第一磨粒(grit)尺寸，介于约23磨粒及约25磨粒之间，例如是24磨粒。使用的珠体为球状珠体。
于操作中，喷嘴402于基板支撑件118上扫描，然而，可预期的是，基板支撑件118可相对于喷嘴402移动，或者喷嘴402与基板支撑件118两者皆可移动。图5A绘示根据一实施例的基板支撑件118于第一步骤中进行粗糙化的示意图。如图所示，基板支撑件118具有一大略为矩形的形状，使得四个边501-504呈现出来。
喷嘴402横向地移动，如箭头E所示，且于第一方向中从第一个边501至第二个边502扫描过基板支撑件118的表面505，如箭头B所示。之后，喷嘴402转换至第二方向中，也就是垂直于第一方向，如箭头C所示。在喷嘴402于相反于第一方向的第三方向中从第二个边502移动至第一个边501时，喷嘴402接着朝向表面505喷射珠体，如箭头D所示。喷嘴402接着再度转换至第二方向中，如箭头C所示。当喷嘴402转换时，喷嘴转换一距离，此距离介于约20mm与约40mm之间。因此，喷嘴402依循蜿蜒(serpentine)的图案而暴露整个表面505于喷珠处理。
在第一喷珠工艺之后，基板支撑件118被粗糙化，如图3A中所示，但表面505还不够粗糙。此外，在基板120置放于基板支撑件118上的期间与进行处理的期间，气体可能会受困于凹部302中且无法脱离，因为高原部304接触基板120并阻止气体从凹部302脱离。因此，基板支撑件118在第二工艺中进行喷珠，以粗糙化高原部304且更粗糙化凹部302。图3B绘示根据一个实施例的图3A的基板支撑件118在粗糙化的第二步骤后的示意性剖面图。如图3B中所示，高原部304已不存在，但反而是粗糙化表面306存在。在第二喷珠工艺之后，基板支撑件118的表面粗糙度可介于约707微英寸与约837微英寸之间，例如是777微英寸。因为使用介于约58磨粒与约61磨粒之间的磨粒尺寸，例如是60磨粒，在基板支撑件118上的粗糙尖端(peak)/边缘稀少并且相距较远。尖端/边缘为基板120将接触基板支撑件118的尖角(sharppoint)，且可导引基板120与基板支撑件118之间的电弧以及基板120的刮痕。此外，由于不均匀表面及缺乏高原部，可能以其他方式受困于基板支撑件118与基板120之间的气体可自基板支撑件118与基板120之间自由地脱离。使用的珠体为球状珠体。
图5B-5E绘示根据一个实施例的图5A的基板支撑件118于第二步骤中进行粗糙化的示意图。第二工艺通过相同于第一工艺中的距离与角度来分隔喷嘴402与基板支撑件118。在基板支撑件118为矩形的形状的情况中，第二工艺具有四个各别的步骤。
在第二工艺的第一步骤中，喷嘴402以类似于第一工艺的方式扫描过基板支撑件118，绘示于图5B中。也就是，喷嘴402于第一方向中从第一个边501扫描至第二个边502，如箭头B所示。接着，喷嘴转换至如箭头C所示的朝向第三个边503的第二方向中。然后，喷嘴在第三方向中从第二个边502扫描至第一个边501，如箭头D所示。喷嘴402接着再度转换至第二方向中，如箭头C所示。当喷嘴402转换时，喷嘴转换一距离，此距离介于约20mm与约40mm之间。因此，喷嘴402依循蜿蜒的图案而暴露整个表面505于喷珠处理。
在第二步骤中，基板支撑件118逆时针转动大约90度，绘示于图5C中。可理解的是，基板支撑件118可顺时针转动而不是逆时针。在转动之后，喷嘴402于第一方向中从第四个边504扫描至第三个边503，如箭头B所示。接着，喷嘴转换至如箭头C所示的朝向第一个边501的第二方向中。然后，喷嘴在第三方向中从第三个边503扫描至第四个边504，如箭头D所示。喷嘴402接着再度转换至第二方向中，如箭头C所示。当喷嘴402转换时，喷嘴转换一距离，此距离介于约20mm与约40mm之间。因此，喷嘴402依循蜿蜒的图案而暴露整个表面505于喷珠处理。
在第三步骤中，基板支撑件118逆时针转动大约90度，绘示于图5D中。可理解的是，基板支撑件118可顺时针转动而不是逆时针，只要在第三步骤的转动是与在第二步骤中相同方向。在转动之后，喷嘴402于第一方向中从第二个边502扫描至第一个边501，如箭头B所示。接着，喷嘴转换至如箭头C所示的朝向第四个边504的第二方向中。然后，喷嘴在第三方向中从第一个边501扫描至第二个边502，如箭头D所示。喷嘴402接着再度转换至第二方向中，如箭头C所示。当喷嘴402转换时，喷嘴转换一距离，此距离介于约20mm与约40mm之间。因此，喷嘴402依循蜿蜒的图案而暴露整个表面505于喷珠处理。
在第四步骤中，基板支撑件118逆时针转动大约90度，绘示于图5E中。可理解的是，基板支撑件118可顺时针转动而不是逆时针，只要在第三步骤的转动是与在第二步骤中相同方向。在转动之后，喷嘴402于第一方向中从第三个边503扫描至第四个边504，如箭头B所示。接着，喷嘴转换至如箭头C所示的朝向第二个边502的第二方向中。然后，喷嘴在第三方向中从第四个边504扫描至第三个边503，如箭头D所示。喷嘴402接着再度转换至第二方向中，如箭头C所示。当喷嘴402转换时，喷嘴转换一距离，此距离介于约20mm与约40mm之间。因此，喷嘴402依循蜿蜒的图案而暴露整个表面505于喷珠处理。
此刻第二喷珠工艺完成，基板支撑件118具有一表面505，此表面505具有介于约707微英寸至约837微英寸之间的粗糙度，例如是777微英寸。在喷珠工艺之后，基板支撑件118进行阳极处理，以形成一阳极处理涂布层210于其上，阳极处理涂布层210的厚度是介于约23μm至约27μm之间，例如是25μm。
粗糙化的基板支撑件118降低或消除于基板支撑件118与基板120之间的电弧。此外，粗糙化的基板支撑件118降低或消除在沉积于基板120上时的薄点，使得本质上均匀厚度的层可沉积于基板120上。虽然基板支撑件118粗糙化，但是基板支撑件118本质上不会刮伤基板。
虽然前述涉及本发明的诸实施例，但可以在不脱离本发明的基本范围的情况下设计出本发明的其他和进一步的实施例，且本发明的保护范围当由后附的权利要求书来确定。

Claims (15)

1.一种形成粗糙化的基板支撑件的方法，包括：
于第一工艺中对基板支撑件的表面进行喷珠，其中所述珠体具有第一磨粒尺寸；以及
于第二工艺中对所述基板支撑件的所述表面进行喷珠，其中所述珠体具有第二磨粒尺寸，所述第二磨粒尺寸小于所述第一磨粒尺寸。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺包括自喷嘴传送所述喷珠至所述基板支撑件，且其中所述喷嘴被设置为相对所述基板支撑件的所述表面呈一角度，所述角度介于约85度及约95度之间。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一磨粒尺寸介于约23磨粒及约25磨粒之间。
4.如权利要求3所述的方法，其中在所述第一工艺期间，所述喷嘴与所述基板支撑件的所述表面相隔介于约400mm及约600mm之间。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一工艺更包括：
使所述喷嘴于第一方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面；
沿着所述基板支撑件的所述表面转换所述喷嘴于第二方向中，所述第二方向垂直于所述第一方向；以及
使所述喷嘴于第三方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面，所述第三方向相反于所述第一方向。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述转换包括于所述第二方向中移动所述喷嘴一距离，所述距离介于约20mm及约40mm之间。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二工艺包括自喷嘴传送所述喷珠至所述基板支撑件，且其中所述喷嘴被设置为相对所述基板支撑件的所述表面呈一角度，所述角度介于约85度及约95度之间。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述第二磨粒尺寸介于约58磨粒及约61磨粒之间。
9.如权利要求8所述的方法，其中在所述第二工艺期间，所述喷嘴与所述基板支撑件的所述表面相隔介于约400mm及约600mm之间。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述第二工艺更包括：
使所述喷嘴于第一方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面；
沿着所述基板支撑件的所述表面转换所述喷嘴于第二方向中，所述第二方向垂直于所述第一方向；以及
使所述喷嘴于第三方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面，所述第三方向相反于所述第一方向。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述转换包括于所述第二方向中移动所述喷嘴一距离，所述距离介于约20mm及约40mm之间。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第二工艺更包括：
逆时针转动所述基板支撑件90度；
使所述喷嘴于所述第一方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面；
沿着所述基板支撑件的所述表面转换所述喷嘴于所述第二方向中；
使所述喷嘴于所述第三方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面；
逆时针转动所述基板支撑件90度；
使所述喷嘴于所述第一方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面；
沿着所述基板支撑件的所述表面转换所述喷嘴于所述第二方向中；
使所述喷嘴于所述第三方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面；
逆时针转动所述基板支撑件90度；
使所述喷嘴于所述第一方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面；
沿着所述基板支撑件的所述表面转换所述喷嘴于所述第二方向中；以及
使所述喷嘴于所述第三方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面。
13.一种形成粗糙化的基板支撑件的方法，包括：
于第一工艺中对基板支撑件的表面进行喷珠，所述第一工艺包括：
使所述喷嘴于第一方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面；
沿着所述基板支撑件的所述表面转换所述喷嘴于第二方向中，所述第二方向垂直于所述第一方向；以及
使所述喷嘴于第三方向中扫描过所述基板支撑件的所述表面，所述第三方向相反于所述第一方向；以及
于第二工艺中对所述基板支撑件的所述表面进行喷珠，所述第二工艺包括：
使所述喷嘴于所述第一方向中第一次扫描过所述基板支撑件的所述表面；
沿着所述基板支撑件的所述表面转换所述喷嘴于所述第二方向中；
使所述喷嘴于所述第三方向中第二次扫描过所述基板支撑件的所述表面；
逆时针转动所述基板支撑件约90度；以及
重复所述第一次扫描、所述转换、所述第二次扫描及所述转动。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述重复是执行三次，其中所述第一工艺包括利用数个具有介于约23磨粒及约25磨粒间的磨粒尺寸的珠体来对所述表面进行喷珠，且其中所述第二工艺包括利用数个具有介于约58磨粒及约61磨粒间的磨粒尺寸的珠体来对所述表面进行喷珠。
15.一种基板支撑件，包括：
基板支撑件主体，具有表面粗糙度，所述表面粗糙度介于约707微英寸及约834微英寸之间；以及
阳极处理涂布层，位于所述基板支撑件上。
CN201380037798.0A 2012-07-27 2013-07-12 粗糙化的基板支撑件 Pending CN104508180A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911423044.4A CN111485226A (zh) 2012-07-27 2013-07-12 粗糙化的基板支撑件

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261676790P 2012-07-27 2012-07-27
US61/676,790 2012-07-27
PCT/US2013/050365 WO2014018285A1 (en) 2012-07-27 2013-07-12 Roughened substrate support

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911423044.4A Division CN111485226A (zh) 2012-07-27 2013-07-12 粗糙化的基板支撑件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104508180A true CN104508180A (zh) 2015-04-08

Family

ID=49993810

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380037798.0A Pending CN104508180A (zh) 2012-07-27 2013-07-12 粗糙化的基板支撑件
CN201911423044.4A Pending CN111485226A (zh) 2012-07-27 2013-07-12 粗糙化的基板支撑件

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911423044.4A Pending CN111485226A (zh) 2012-07-27 2013-07-12 粗糙化的基板支撑件

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20140027289A1 (zh)
KR (1) KR102101192B1 (zh)
CN (2) CN104508180A (zh)
TW (1) TWI652145B (zh)
WO (1) WO2014018285A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107932340A (zh) * 2017-11-01 2018-04-20 福建晶安光电有限公司 一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3653162B1 (en) * 2015-01-22 2023-07-19 Neocis Inc. Interactive guidance and manipulation detection arrangements for a surgical robotic system, and associated method
KR102320533B1 (ko) * 2015-12-14 2021-11-03 (주)위지트 서셉터 표면 처리방법
TWI709459B (zh) * 2019-11-06 2020-11-11 大陸商福暘技術開發有限公司 玻璃基板表面粗糙化的方法
JP7259773B2 (ja) * 2020-01-14 2023-04-18 新東工業株式会社 ブラスト加工装置及びブラスト加工方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5423713A (en) * 1992-10-30 1995-06-13 Sony Corporation Powder beam etching method
CN101312225A (zh) * 2007-05-23 2008-11-26 应用材料股份有限公司 在适用于太阳能电池应用的激光划线透明导电氧化层上沉积硅层的方法
CN101353786A (zh) * 2007-07-24 2009-01-28 Sfa股份有限公司 承座及其制造方法以及具有该承座的化学气相沉积装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2276594A (en) * 1939-11-17 1942-03-17 George T Trundle Process of preparing printing members and product thereof
US2929120A (en) * 1957-12-04 1960-03-22 Gen Motors Corp Method of definning sand cores
JP3070139B2 (ja) * 1991-05-17 2000-07-24 ソニー株式会社 微粉体噴射加工処理装置
JPH08160229A (ja) * 1994-12-08 1996-06-21 Create Kk 導光板、導光板の製造方法、および面光源装置
CA2180503C (en) * 1996-07-04 1999-09-14 Charles Perry Elliott Rotatable blast cleaning conveying surface and apparatus
US6042151A (en) * 1998-08-11 2000-03-28 Ali; Terry Single sheet sandpaper delivery system with single sheet sandpaper having application coordinating indicia and legend
US6957511B1 (en) * 1999-11-12 2005-10-25 Seagate Technology Llc Single-step electromechanical mechanical polishing on Ni-P plated discs
US20020072306A1 (en) * 2000-06-14 2002-06-13 Carpenter Steven J. Chamber-type vibratory finisher with blasting nozzle
US6805952B2 (en) 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6777045B2 (en) 2001-06-27 2004-08-17 Applied Materials Inc. Chamber components having textured surfaces and method of manufacture
US6780787B2 (en) * 2002-03-21 2004-08-24 Lam Research Corporation Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components
JP4136799B2 (ja) * 2002-07-24 2008-08-20 富士フイルム株式会社 Ｅｌ表示素子の形成方法
US6902628B2 (en) * 2002-11-25 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a coated process chamber component
US7221553B2 (en) 2003-04-22 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Substrate support having heat transfer system
US20040221959A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Anodized substrate support
US8372205B2 (en) * 2003-05-09 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
US20050048876A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-03 Applied Materials, Inc. Fabricating and cleaning chamber components having textured surfaces
WO2005037486A2 (en) * 2003-10-14 2005-04-28 Voorwood Company, Inc. Multiple cutting edged sanding wheel
KR20050054317A (ko) * 2003-12-04 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 블래스트 공정을 포함하는 서셉터 제조방법 및 이를 통해제조되는 서셉터
JP4417197B2 (ja) * 2004-07-30 2010-02-17 住友大阪セメント株式会社 サセプタ装置
KR200418119Y1 (ko) * 2005-01-18 2006-06-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다층 코팅된 내식성 알루미늄 부품
US7713379B2 (en) * 2005-06-20 2010-05-11 Lam Research Corporation Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition
TWI375295B (en) * 2005-07-15 2012-10-21 Applied Materials Inc Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
ITPR20060103A1 (it) * 2006-11-22 2008-05-23 Turbocoating S P A Procedimento per la preparazione superficiale di componenti da sottoporre a rivestimento
WO2008102010A2 (de) * 2007-02-23 2008-08-28 Tgc Technologie Beteiligungsgesellschaft Mbh Verfahren und vorrichtung zum schleifen und polieren von holzwerkstoffen sowie entsprechende holzbauteile
US7972470B2 (en) * 2007-05-03 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Asymmetric grounding of rectangular susceptor
KR100927509B1 (ko) * 2007-05-23 2009-11-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 태양 전지 분야의 사용에 적합한 레이저 스크라이빙 처리된 투과 도전성 산화물 층 위에 실리콘 층을 증착하는 방법
US7964430B2 (en) * 2007-05-23 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Silicon layer on a laser transparent conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications
JP2008307639A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウォータジェット加工方法
CN102007582A (zh) * 2008-04-17 2011-04-06 三菱电机株式会社 基板的面粗糙化方法、光电动势装置的制造方法
US8308525B2 (en) * 2008-11-17 2012-11-13 Flow Internationl Corporation Processes and apparatuses for enhanced cutting using blends of abrasive materials
JP5669126B2 (ja) * 2009-06-18 2015-02-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光線反射防止用シボの形成方法および該方法によってシボが形成されたレンズ鏡筒

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5423713A (en) * 1992-10-30 1995-06-13 Sony Corporation Powder beam etching method
CN101312225A (zh) * 2007-05-23 2008-11-26 应用材料股份有限公司 在适用于太阳能电池应用的激光划线透明导电氧化层上沉积硅层的方法
CN101353786A (zh) * 2007-07-24 2009-01-28 Sfa股份有限公司 承座及其制造方法以及具有该承座的化学气相沉积装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107932340A (zh) * 2017-11-01 2018-04-20 福建晶安光电有限公司 一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201410388A (zh) 2014-03-16
US20140027289A1 (en) 2014-01-30
US10434629B2 (en) 2019-10-08
KR102101192B1 (ko) 2020-04-21
TWI652145B (zh) 2019-03-01
CN111485226A (zh) 2020-08-04
KR20150036607A (ko) 2015-04-07
WO2014018285A1 (en) 2014-01-30
US20150202739A1 (en) 2015-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100390922C (zh) 具有织构化的涂层的处理室部件的评估
CN104508180A (zh) 粗糙化的基板支撑件
JP2004523350A5 (zh)
CN101235482B (zh) 用于衬底处理腔室的工艺配件
KR101441858B1 (ko) 서셉터를 러프닝함으로써 정전하를 감소시키는 장치
KR101301507B1 (ko) 반도체 제조장치용 히터 제조방법 및 그에 따라 제조된 히터
KR102085409B1 (ko) 가스 공급 장치, 플라스마 처리 장치 및 가스 공급 장치의 제조 방법
US20130102156A1 (en) Components of plasma processing chambers having textured plasma resistant coatings
KR20010014842A (ko) 반도체 장치를 제조하기 위한 장치 및 방법
CN210156345U (zh) 用于处理腔室的腔室部件、用于处理腔室的屏蔽的设计膜以及处理腔室
US20170162422A1 (en) Amalgamated cover ring
CN111902917A (zh) 对用于半导体器件制造的处理部件的陶瓷表面进行激光抛光
CN111276426B (zh) 基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法
US11515129B2 (en) Radiation shield modification for improving substrate temperature uniformity
CN114188210A (zh) 一种用于金属刻蚀机的刻蚀腔内部沉积面表面处理方法
CN103132002A (zh) 一种黑色y2o3陶瓷涂层的制备方法
JPWO2019136396A5 (zh)
KR20050054317A (ko) 블래스트 공정을 포함하는 서셉터 제조방법 및 이를 통해제조되는 서셉터
TW202322178A (zh) 用於半導體處理腔室組件的釔鋁鈣鈦礦（ｙａｐ）基塗層
TW202215910A (zh) 抗蝕電漿處理腔室元件
TW202216637A (zh) 用於半導體處理腔室之匹配化學性的元件本體及塗層
KR200475446Y1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 낮은 경사의 엣지 링

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150408