CN111276426B - 基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。本发明在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制在载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕。

Description

基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法
技术领域
本发明涉及基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法。
背景技术
专利文献1公开了一种静电吸盘，其在基材上具有由氧化铝热喷涂膜形成的第1绝缘层和第2绝缘层，在第2绝缘层上形成有由具有与基材的线膨胀系数之差的绝对值在规定值以下的线膨胀系数的陶瓷热喷涂膜形成的第3绝缘层。作为陶瓷热喷涂膜的材质，在基材为铝的情况下，能够使用例如YF3、MgO、2MgO·SiO2等。利用专利文献1公开的静电吸盘和具有该静电吸盘的基片处理装置，能够抑制绝缘层的裂缝的产生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4994121号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供在平板显示器(Flat Panel Display，以下称为“FPD”)的制造过程中对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕的基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式提供一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其中：
包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，
在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，
上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，
上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。
发明效果
依照本发明，能够提供在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕的基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。
图2是表示第1实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图3是表示第2实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图4是表示第3实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图5是表示第4实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图6是表示第5实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图7是表示第6实施方式的基片载置台的一例的截面图。
附图标记说明
10 处理容器
60 基片载置台
63 基材
66 静电吸盘
67 覆盖层
67a 载置面
100 基片处理装置
G 基片。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的实施方式的基片载置台、基片处理装置和基片载置台的制造方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的构成要素，存在标注相同的附图标记而省略重复的说明的情况。
[实施方式的基片处理装置]
首先，参照图1，说明本发明的实施方式的基片处理装置的一例。此处，图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。
图1所示的基片处理装置100是对FPD用的俯视时呈矩形的基片G(以下简称为“基片”)执行各种基片处理方法的感应耦合型等离子体(Inductive Coupled Plasma：ICP)处理装置。作为基片的材料，主要使用玻璃，也能够根据用途的不同而使用透明的合成树脂等。此处，基片处理包括蚀刻处理、使用了CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法的成膜处理等。作为FPD，能够例示出液晶显示器(Liquid Crystal Display：LCD)、电致发光(Electro Luminescence：EL)、等离子体显示器面板(Plasma Display Panel；PDP)等。基片除了在其表面图案化有电路的方式之外，也包括支承基片。另外，FPD用基片的平面尺寸随着一代代的发展而大规模化，由基片处理装置100处理的基片G的平面尺寸例如至少包括从第6代的1500mm×1800mm程度的尺寸至第10代的2800mm×3000mm程度的尺寸。另外，基片G的厚度为0.5mm至数mm程度。
图1所示的基片处理装置100包括长方体状的箱型的处理容器10、配置在处理容器10内用于载置基片G的俯视时呈矩形的外形的基片载置台60，和控制部90。此外，以下对多个实施方式的基片载置台进行详细说明。
处理容器10由电介质板11划分为上下2个空间，上侧空间成为形成天线室的天线室12，下方空间成为形成处理室的腔室13。在处理容器10中，在成为腔室13与天线室12的边界的位置，矩形环状的支承框14以向处理容器10的内侧突出设置的方式配置，在支承框14载置着电介质板11。处理容器10由接地线13c接地。
处理容器10由铝等金属形成，电介质板11由氧化铝(Al2O3)等陶瓷、石英形成。
在腔室13的侧壁13a开设有用于对腔室13送入送出基片G的送入送出口13b。送入送出口13b利用闸阀20而成为可开闭的。腔室13与内置输送机构的输送室(均未图示)相邻，对闸阀20进行开闭控制，利用输送机构经由送入送出口13b而能够进行基片G的送入送出。
另外，在腔室13的底部开设有多个排气口13d，排气口13d与气体排气管51连接，气体排气管51经开闭阀52与排气装置53连接。由气体排气管51、开闭阀52和排气装置53形成气体排气部50。排气装置53具有涡轮分子泵等真空泵，在处理中能够将腔室13内抽真空至规定的真空度。此外，在腔室13的适当位置设置压力计(未图示)，使得能够将压力计的监测信息发送到控制部90。
在电介质板11的下表面，设置有用于支承电介质板11的支承梁，支承梁兼作为喷淋头30。喷淋头30由铝等金属形成，可以实施过阳极氧化的表面处理。在喷淋头30内形成有在水平方向延伸设置的气体流路31，气体流路31与气体排出孔32连通，该气体排出孔32向下方延伸设置而面对处于喷淋头30下方的处理空间S。
与气体流路31连通的气体供给管41从电介质板11的上侧向下侧延伸地连接着喷淋头30的上表面，气体供给管41气密地贯通处理容器10的顶板，与处理气体供给源44连接。在气体供给管41的中途位置设置有开闭阀42和质量流量控制器那样的流量控制器43。由气体供给管41、开闭阀42、流量控制器43和处理气体供给源44形成处理气体供给部40。此外，气体供给管41在中途分支，各分支管与开闭阀、流量控制器以及和处理气体种类相应的处理气体供给源连通(未图示)。在等离子体处理中，从处理气体供给部40供给的处理气体经由气体供给管41被供给到喷淋头30，经由气体排出孔32被排出到处理空间S。
在天线容器12内配置有高频天线15。高频天线15通过将由铜、铝等良导电性的金属形成的天线导线15a卷绕成环状或者旋涡状而形成。例如，可以将环状的天线导线15a配置多重。
天线导线15a的端子与向天线容器12的上方延伸设置的供电部件16连接，供电部件16的上端与供电线17连接，供电线17经进行阻抗匹配的匹配器18与高频电源19连接。通过对高频天线15从高频电源19施加例如13.56MHz的高频电力，而在腔室13内形成感应电场。利用该感应电场，将从喷淋头30供给到处理空间S的处理气体等离子体化而生成感应耦合型等离子体，等离子体中的离子被供给到基片G。高频电源19是等离子体产生用的生成源，如以下详细说明的那样，与基片载置台60连接的高频电源73(电源的一例)是吸引所产生的离子而对其赋予动能的偏置源。这样一来，离子生成源通过感应耦合生成等离子体，将作为其他电源的偏置源与基片载置台60连接来进行离子能的控制，能够独立地进行等离子体的生成和离子能的控制，能够提高处理的自由度。从高频电源19输出的高频电力的频率优选在0.1至500MHz的范围设定。
基片载置台60具有上方基材61和下方基材62层叠而成的基材63，在下方基材62设置有以覆盖矩形平面的整个区域的方式蛇行的温度调节介质流路62a。在温度调节介质流路62a的两端，连通有对温度调节介质流路62a供给温度调节介质的送出配管62b和排出在温度调节介质流路62a中流通而升温的温度调节介质的返回配管62c。如图1所示，送出配管62b和返回配管62c分别与送出流路82和返回流路83连通，送出流路82和返回流路83与冷却器81连通。冷却器81具有控制温度调节介质的温度、排出流量的主体部和加压输送温度调节介质的泵(均未图示)。此外，作为温度调节介质适宜使用致冷剂，该致冷剂能够使用Galden(注册商标)和Fluorinert(注册商标)等。图示例的温度调节方式是使温度调节介质在下方基材62中流通的方式，但是可以为下方基材62内置加热器等，利用加热器来进行温度调节的方式，也可以为利用温度调节介质和加热器这两者来进行温度调节的方式。此外，作为电阻体的加热器，由钨和钼或者上述金属的任一种，与氧化铝、钛等化合物形成。另外，图示例在下方基材62形成有温度调节介质流路62a，但是，例如也可以为静电吸盘66具有温度调节介质流路。
在基材63的上表面(基材上表面)形成有静电吸盘66，在静电吸盘66的上表面(静电吸盘上表面)形成有能够直接载置基片G的覆盖层67。在覆盖层67中，在载置基片G的载置面67a或者上方基材61中配置有热电偶等温度传感器的情况下，温度传感器的监测信息被实时发送到控制部90。然后，基于发送来的监测信息，由控制部90执行基片载置台60(的覆盖层67)或者上方基材61和基片G的温度调节控制。更具体而言，利用控制部90来调节从冷却器81供给到送出流路82的温度调节介质的温度、流量。然后，通过使进行了温度调节、流量调节的温度调节介质在温度调节介质流路62a中循环，来执行基片载置台60的温度调节控制。
如图1所示，由静电吸盘66和上方基材61的外周以及矩形部件68的上表面形成台阶部，在该台阶部载置有矩形框状的聚焦环69。在台阶部设置了聚焦环69的状态下，将聚焦环69的上表面设定得比静电吸盘66的上表面低。聚焦环69由氧化铝等陶瓷或者石英等形成。在基片G载置于覆盖层67的载置面67a和周边区域64b的表面的状态下，聚焦环69的上端面的内侧端部被基片G的外周缘部覆盖。
下方基材62的下表面与供电部件70连接。供电部件70的下端与供电线71连接，供电线71经进行阻抗匹配的匹配器72与作为偏置电源的高频电源73连接。通过对基片载置台60从高频电源73施加例如13.56MHz的高频电力，能够将用作为等离子体产生用的能够源的高频电源19生成的离子吸引到基片G。因此，在等离子体蚀刻处理中，能够使蚀刻速率和蚀刻选择比一同提高。此外，也可以在下方基材62开设贯通孔(未图示)，供电部件70贯通贯通孔与上方基材61的下表面连接。如上所述，能够将执行温度调节控制的由高频电源73供电的基片载置台60称为下部电极。
控制部90基于从基片处理装置100的各构成部例如冷却器81、高频电源19、73、处理气体供给部40、从压力计发送来的监测信息来控制气体排气部50等的动作。控制部90包括CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)和RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)。CPU按照保存于RAM等存储区域的方案(处理方案)，执行规定的处理。在方案中设定有与处理条件对应的基片处理装置100的控制信息。控制信息中包含例如气体流量、处理容器10内的压力、处理容器10内的温度、下方基材62的温度、处理时间等。
方案和控制部90使用的程序例如可以存储在硬盘、光盘、磁光盘等中。此外，方案等也可以为在收纳于CD-ROM、DVD、存储卡等移动式的计算机可读取存储介质的状态下设置在控制部90而被读取的方式。控制部90还可以具有进行指令的输入操作等的键盘和鼠标等输入装置、将基片处理装置100的工作状况可视化显示的显示器等显示装置、以及打印机等输出装置之类的用户接口。
[第1实施方式的基片载置台及其制造方法]
接着，参照图1和图2，说明第1实施方式的基片载置台及其制造方法。此处，图2是表示第1实施方式的基片载置台的一例的截面图。
如图1和图2所示，基片载置台60包括基材63和形成于基材63的上表面63a的静电吸盘66。
基材63由上方基材61和下方基材62的层叠体形成。上方基材61和下方基材62的俯视形状为矩形，例如，具有与载置的基片G相同程度的平面尺寸，长边的长度可设定为1800mm至3000mm程度，短边的长度可设定为1500mm至2800mm程度的尺寸。对于该平面尺寸，上方基材61和下方基材62的总厚度例如可以为50mm至100mm程度。
在下方基材62设置有以覆盖矩形平面的整个区域的方式蛇行的温度调节介质流路62a，由铝或者铝合金形成。另一方面，上方基材61由铝、铝合金或者不锈钢形成。此外，基材63也可以不如图示例的那样由上方基材61和下方基材62这二个部件的层叠体形成，而由铝或者铝合金等的一个部件形成。
基材63载置于由绝缘材料形成的矩形部件68上，如图1所示，矩形部件68固定于腔室13的底板上。矩形部件68在周缘部具有成为框状的起立部，由框状的起立部包围载置于矩形部件68上的基材63。
在上方基材61的上表面63a形成有能够直接载置基片G的静电吸盘66。静电吸盘66包括作为热喷涂氧化铝等陶瓷而形成的电介质层的陶瓷层64和埋设于陶瓷层64的内部的具有吸附功能的导电层65(电极)。如图1所示，导电层65经供电线74与直流电源75连接。由控制部90使设置在供电线74的开关(未图示)导通时，从直流电源75对导电层65施加直流电压来产生库仑力。利用该库伦力，基片G被静电吸附在静电吸盘67的上表面，以载置于上方基材61的上表面的状态被保持。这样一来，基片载置台60形成载置基片G的下部电极。
静电吸盘66的上表面64a包括俯视时呈矩形框状的周边区域64b和比周边区域64b向下方凹陷的俯视时呈矩形的中央区域64c。周边区域64b也能够称为堤部。在静电吸盘66的中央区域64c，在与周边区域64b之间具有俯视时呈矩形框状的槽R的状态下，形成有载置基片G的覆盖层67。
覆盖层67由连续的层形成，由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成。更具体而言，覆盖层67主要由Y2O3、YOF、MgF2、YF3、CaF2或者Bi2O3的任意者形成。此外，也可以对上述的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物添加ZnO等金属氧化物。
另外，在覆盖层67的全部区域中，能够直接载置基片G的载置面67a的表面粗糙度Ra被设定在2μm至10μm的范围。与此相对，静电吸盘66的周边区域64b的表面具有表面粗糙度Ra在1以下的研磨面，具有平滑的表面。
载置基片G的覆盖层67的维氏硬度在150Hv至500Hv的范围，由此，硬度比氧化铝(1000Hv)、无碱玻璃(530Hv至650Hv)低。因此，与在以氧化铝为材料的静电吸盘直接载置基片G的基片载置台相比，能够抑制基片G的背面中产生伤痕。尤其是，能够抑制在薄膜化的基片G的背面产生伤痕这一效果，有助于生产率的提高。此外，与例如铝(40Hv)、特氟龙(注册商标)(5Hv)等相比硬度高，因此覆盖层67的耐摩耗性提高。
另外，通过使用YOF、YF3等上述材料，能够实现上述的适合的维氏硬度，并且能够形成具有对例如氟系气体和氯系气体等的等离子体气体的耐等离子体性的覆盖层67。
另外，通过将表示覆盖层67的载置面67a的微小的凹凸状态的表面粗糙度Ra设定在2μm至10μm的范围，能够不在基片G的背面产生伤痕并抑制发生对基片G的处理不均。即，在覆盖层67附着了附着物(沉积物)时，在载置面67a的表面粗糙度Ra不到2μm的情况下，难以抑制因该附着物而发生对基片G的处理不均。通过载置面67a的表面粗糙度Ra为2μm以上，而能够在表面的凹部内陷入附着物，能够抑制发生对基片G的处理不均。
另一方面，在载置面67a的表面粗糙度Ra超过10μm时，难以抑制基片G的背面中产生伤痕。基于上述的理由，将覆盖层67的载置面67a的表面粗糙度Ra设定在2μm至10μm的范围。
在静电吸盘66与基片G之间，从导热气体供给部经供给流路(均未图示)供给例如He气体等导热气体。在静电吸盘66开设有多个贯通孔(未图示)，在上方基材61等埋设有供给流路(未图示)。经供给流路、贯通孔，对形成于静电吸盘66的上表面64a的俯视时呈矩形框状的槽R供给导热气体，由此温度调节介质流路62a中温度调节介质流通而被温度调节控制的基片载置台60的温度，经导热气体而被快速热传递至基片G，来进行基片G的温度调节控制。尤其是，能够利用充填于槽R的导热气体来有效地冷却基片G的外周区域。
另外，静电吸盘66的上表面64a的周边区域64b的表面具有平滑的研磨面，由此该研磨面和基片G的紧贴性良好，能够确保充填于槽R的导热气体的密封性。
此外，也可以在覆盖层67的载置面67a或者上方基材61配置热电偶(未图示)等温度传感器，使得温度传感器实时监测载置面67a或者上方基材61和基片G的温度。用于进行基片G的交接的多个升降销(未图示)以能够突入、没入基片载置台60的上表面(静电吸盘66的上表面)的方式设置于基片载置台60。
此处，概略说明基片载置台60的制造方法的一例。首先，制作基材63，在基材63的上表面63a中，热喷涂氧化铝等陶瓷来形成下方的陶瓷层，在其上配置导电层65。然后，再次热喷涂陶瓷来形成上方的陶瓷层，由此形成埋设有导电层65的陶瓷层64。在陶瓷层64的上表面64a中，对其中央进行挖掘，来形成周边区域64b和中央区域64c。或者，也可以以使上表面64a的中央形成掩模的方式进行热喷涂，由此形成周边区域64b和中央区域64c。通过研磨加工使周边区域64b的表面(上表面)成为平滑的表面，来形成静电吸盘66(形成静电吸盘的步骤)。
接着，对静电吸盘66的中央区域64c热喷涂YOF、YF3等材料，由此形成覆盖层67。在该热喷涂时，选定或调整热喷涂材料的种类和粒径、每单位时间的热喷涂量，以及热喷涂角度。通过这样的选定或调整，能够形成维氏硬度在150Hv至500Hv的范围，载置面67a的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围的覆盖层67(形成覆盖层的步骤)。
通过以上的制造方法，能够制造图1和图2所示的基片载置台60。
[第2实施方式的基片载置台及其制造方法]
接着，参照图3，说明第2实施方式的基片载置台及其制造方法。此处，图3是表示第2实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图3所示的基片载置台60A具有与基片载置台60相同的静电吸盘66。在静电吸盘66的中央区域64c，在其与周边区域64b之间具有俯视时呈矩形框状的槽R的状态下，形成有用于载置基片G的覆盖层67A。
覆盖层67A包括由隔开间隔而断续的多个凸部67Aa(浮雕)形成的层，各凸部67Aa的维氏硬度在150Hv至500Hv的范围。
另外，在各凸部67Aa中能够直接载置基片G的载置面的表面粗糙度Ra被设定在2μm至10μm的范围。此外，形成覆盖层67A的多个凸部67Aa中，相邻的凸部67Aa在基部连续，覆盖静电吸盘66的上表面。
与基片载置台60同样，在具有覆盖层67A的基片载置台60A中，覆盖层67A具有优良的耐摩耗性和耐等离子体性，并且，能够抑制在基片G的背面中产生伤痕和发生对基片G的处理不均这两者。
此处，基片载置台60A的制造方法也实质上与基片载置台60的制造方法相同。虽然覆盖层67A具有多个凸部67Aa这一点与覆盖层67不同，但是例如将开设有规定间距的多个孔的金属掩模(未图示)配置在中央区域64c的上方，从金属掩模的上方实施热喷涂，由此能够形成覆盖层67A。此时，通过选定或调整热喷涂材料的种类和粒径、每单位时间的热喷涂量以及热喷涂角度，能够将凸部67Aa的表面粗糙度设定在上述所希望范围。凸部67Aa的凸形状也可以在面内进行全面热喷涂后，通过切削加工挖掘成圆柱或者棱柱状而形成。
[第3实施方式的基片载置台]
接着，参照图4，说明第3实施方式的基片载置台。此处，图4是表示第3实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图4所示的基片载置台60B与基片载置台60不同，具有静电吸盘66A，该静电吸盘66A的上表面64d具有整体平坦地形成的陶瓷层64A，在该平坦的上表面64d之上具有覆盖层67B。
覆盖层67B包括：由表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围且连续的层形成的中央层67Ba；和处于中央层67Ba的外周且表面平滑(表面粗糙度Ra在1以下)的外周层67Bb，中央层67Ba和外周层67Bb形成隔着槽R而连续的层。
与基片载置台60、60A同样，在具有覆盖层67B的基片载置台60B中，覆盖层67B具有优良的耐摩耗性和耐等离子体性，并且，能够在抑制基片G的背面中产生伤痕和产生对基片G的处理不均这两者。
另外，在基片载置台60、60A中，周边区域64b由氧化铝等陶瓷形成，与此相对，在基片载置台60B中，相应于周边区域64b的外周层67Bb由YOF、YF3等上述材料形成。因此，在载置在覆盖层67B的基片G之中与外周层67Bb对应的区域中，也能够抑制在基片G的背面产生伤痕，能够增加基片G的有效面积(作为产品可利用的面积)。
[第4实施方式的基片载置台]
接着，参照图5，说明第4实施方式的基片载置台。此处，图5是表示第4实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图5所示的基片载置台60C具有与基片载置台60B相同的静电吸盘66A，在平坦的上表面64d上具有覆盖层67C。
覆盖层67C包括：由表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围的、隔开间隔而断续的多个凸部(浮雕)形成的层构成的中央层67Ca；和处于中央层67Ca的外周的表面平滑的外周层67Cb。另外，处于中央层67Ca的外周的凸部和外周层67Cb形成隔着槽R而连续的层。此外，也可以为在中央层67Ca的多个凸部和处于中央层67Ca的外周的凸部中，相邻的凸部在基部连续，覆盖静电吸盘66A的上表面。
与基片载置台60B同样，在具有覆盖层67C的基片载置台60C中，覆盖层67C具有优良的耐摩耗性和耐等离子体性，并且能够抑制在基片G的背面中产生伤痕和发生对基片G的处理不均这两者。而且，在载置覆盖层67C的基片G之中与外周层67Cb对应的区域中，也能够抑制在基片G的背面产生伤痕，能够增加基片G的有效面积(作为产品可利用的面积)。
[第5实施方式的基片载置台]
接着，参照图6，说明第5实施方式的基片载置台。此处，图6是表示第5实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图6所示的基片载置台60D与基片载置台60B不同，覆盖层67D除了包括中央层67Da和外周层67Db(均在水平方向延伸)之外，还包括铅垂层67Dc。铅垂层67Dc是与外周层67Db连续并且在静电吸盘66A及基材63与矩形部件68之间的间隙64e在铅垂方向延伸的层。
与基片载置台60B、60C同样，在具有覆盖层67D的基片载置台60D中，覆盖层67D具有优良的耐摩耗性和耐等离子体性，并且能够抑制在基片G的背面中产生伤痕和发生对基片G的处理不均这两者。而且，在载置覆盖层67D的基片G之中与外周层67Db对应的区域中，也能够抑制在基片G的背面产生伤痕，能够增加基片G的有效面积。
另外，利用铅垂层67Dc，能够提高构成基片载置台60D的基材63、静电吸盘66A的侧面的耐等离子体性。
[第6实施方式的基片载置台]
接着，参照图7，说明第6实施方式的基片载置台。此处，图7是表示第6实施方式的基片载置台的一例的截面图。
图7所示的基片载置台60E与基片载置台60C不同，覆盖层67E除了包括中央层67Ea和外周层67Eb(均在水平方向延伸)之外，还包括铅垂层67DEc。铅垂层67Ec是与外周层67Eb连续且在静电吸盘66A及基材63与矩形部件68之间的间隙64e在铅垂方向延伸的层。另外，也可以与基片载置台60C同样，中央层67Ea的多个凸部和处于中央层67Ea的外侧的凸部断续地配置，此外，也可以为相邻的凸部在基部连续，覆盖静电吸盘66A的上表面。
与基片载置台60D同样，在具有覆盖层67E的基片载置台60E中，覆盖层67E具有优良的耐摩耗性和耐等离子体性，并且能够抑制在基片G的背面中产生伤痕和产生对基片G的处理不均这两者。而且，在载置覆盖层67E的基片G之中与外周层67Db对应的区域中，也能够抑制在基片G的背面产生伤痕，能够增加基片G的有效面积。另外，利用铅垂层67Ec，能够提高构成基片载置台60E的基材63、静电吸盘66A的侧面的耐等离子体性。
[验证耐等离子体性和基片的背面是否产生伤痕的实验]
本发明人等使用以下的表1所示的各比较例和各实施例的材料制作具有图1和图2所示的覆盖层的基片载置台，使用具有各基片载置台的基片处理装置，验证了覆盖层相对于氟系气体和氯系气体(均为等离子体气体)的耐等离子体性优良与否。并且，进行吸盘电压5kV下的基片吸附试验，验证了此时的基片的背面是否存在伤痕。以下的表1表示各材料种类及它们各自的维氏硬度、关于耐等离子体性的检验结果、以及关于基片的背面是否存在伤痕的验证结果。此外，实施例1至实施例6的覆盖层的表面粗糙度Ra设定在2μm至10μm的范围。
表1
在表1中、耐等离子体性中，在以Al2O3的削减量为1进行了标准化的情况下，“◎”意味着削减量与Al2O3的比为0.1以上不足1，“〇”意味着与Al2O3的比为1以上不到2，“×”意味着与Al2O3的比为2以上。在另一方面，在基片的背面是否存在伤痕中，“◎”意味着确认没有有伤，“〇”意味着确认稍微有伤，“×”意味着确认有较多的伤。另外，“—”意味着没有数据。
依照表1，在比较例1的氧化铝中，因硬度高而在基片的背面确认有较多的伤。另一方面，在实施例4和实施例6的材料中，实际验证了由于与比较例1的氧化铝、比较例2的无碱玻璃相比硬度低，在基片的背面不产生伤痕。另外，在具有与覆盖层的维氏硬度的适宜的数值范围的上限值相当的500Hv的实施例1中，确认稍微有伤，基于该结果，将维氏硬度500Hv规定为数值范围的上限值。
另一方面，关于耐等离子体性，在比较例3的铝中在氯系气体中，在比较例4的特氟龙中在氟系气体和氯系气体这两者中，分别确认了由剧烈的削减。对此，在实施例1至实施例4的材料中，在氟系气体和氯系气体的双方中，确认几乎没有削减，而在实施例5的材料中，在实验数据的某氟系气体中，确认几乎没有削减。另外，在实施例6的材料中，在氟系气体和氯系气体这两者中，确认有若干削减，基于该结果，将维氏硬度150Hv规定为数值范围的下限值。
对于上述实施方式中列举的构成等，可以为由其他构成要素组合等而成的其他实施方式，此外本发明不限于此处所示的构成。关于这点，在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行改变，能够根据其应用方式来适当决定。
例如，图示例的基片处理装置100作为具有电介质窗的感应耦合型的等离子体处理装置进行了说明，但是，可以为代替电介质窗而具有金属窗的感应耦合型的等离子体处理装置，也可以为其他方式的等离子体处理装置。具体而言，可以举出电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron resonance Plasma；ECP)、螺旋波激发等离子体(Helicon WavePlasma；HWP)、平行平板等离子体(Capacitively coupled Plasma；CCP)。此外，可以举出微波激发表面波等离子体(Surface Wave Plasma；SWP)。上述等离子体处理装置包括ICP，都能够独立地控制离子流和离子能量，能够自由控制蚀刻形状和选择性，能够获得1011至1013cm-3程度的较高的电子密度。
另外，基片处理装置100是在基片G的相对面具有基于高频电源19的高频天线，在基片载置台60还具有基于高频电源73的高频电极的装置，不过也可以为仅将高频天线与高频电源19连接，基片载置台60接地的基片处理装置。
另外，基片处理装置100的下方基材62内置加热器，使用热CVD法进行成膜处理的情况下，并不一定需要生成等离子体。

Claims (6)

1.一种在处理容器内载置玻璃基片的基片载置台，其特征在于：
包括基材和形成于所述基材的基材上表面的静电吸盘，
在所述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置所述基片的覆盖层，
所述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，
所述覆盖层之中载置所述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围，
所述静电吸盘上表面包括周边区域和比所述周边区域向下方凹陷的中央区域，
所述覆盖层是连续的层，并在所述中央区域形成为中央层，所述中央层的全部区域具有所述表面粗糙度，
在所述周边区域与所述覆盖层之间具有槽，
所述覆盖层包含Y2O3、YOF、MgF2、YF3、CaF2或者Bi2O3的任一者地形成。
2.如权利要求1所述的基片载置台，其特征在于：
所述静电吸盘由陶瓷层和埋设于所述陶瓷层的内部的导电层形成。
3.一种基片处理装置，其特征在于：
包括处理容器和在所述处理容器内载置玻璃基片的基片载置台，
所述基片载置台包括基材和形成于所述基材的基材上表面的静电吸盘，
在所述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置所述基片的覆盖层，
所述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，
所述覆盖层之中载置所述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围，
所述静电吸盘上表面包括周边区域和比所述周边区域向下方凹陷的中央区域，
所述覆盖层是连续的层，并在所述中央区域形成为中央层，所述中央层的全部区域具有所述表面粗糙度，
在所述周边区域与所述覆盖层之间具有槽，
所述覆盖层包含Y2O3、YOF、MgF2、YF3、CaF2或者Bi2O3的任一者地形成。
4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述静电吸盘由陶瓷层和埋设于所述陶瓷层的内部的导电层形成。
5.一种在处理容器内载置玻璃基片的基片载置台的制造方法，其特征在于，包括：
在基材的基材上表面形成静电吸盘的步骤；和
在所述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成载置所述基片的覆盖层的步骤，
在形成所述静电吸盘的步骤中，所述静电吸盘被形成为所述静电吸盘上表面包括周边区域和比所述周边区域向下方凹陷的中央区域，
在形成所述覆盖层的步骤中，使所述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，并且使所述覆盖层之中载置所述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围，所述覆盖层被形成为是连续的层，且在所述中央区域形成为中央层，所述中央层的全部区域具有所述表面粗糙度，并被形成为在所述周边区域与所述覆盖层之间具有槽，所述覆盖层以包含Y2O3、YOF、MgF2、YF3、CaF2或者Bi2O3的任一者的方式形成。
6.如权利要求5所述的基片载置台的制造方法，其特征在于：
所述静电吸盘由陶瓷层和埋设于所述陶瓷层的内部的导电层形成。
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