JP2020092151A - 基板載置台、基板処理装置及び基板載置台の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
処理容器内において基板を載置する基板載置台であって、
基材と、前記基材の基材上面に形成されている静電チャックと、を有し、
前記静電チャックの静電チャック上面において、前記基板を載置する被覆層が形成されており、
前記被覆層は、ビッカース硬さが150Hv乃至500Hvの範囲にある、フッ化金属、酸化金属、もしくは酸フッ化金属により形成されており、
前記被覆層のうち、前記基板を載置する載置面の少なくとも一部の表面粗度Raが2μm乃至10μmの範囲にある。
はじめに、本開示の実施形態に係る基板処理装置の一例について、図1を参照して説明する。ここで、図1は、実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面図である。
次に、第1の実施形態に係る基板載置台とその製造方法について、図1及び図2を参照して説明する。ここで、図2は、第1の実施形態に係る基板載置台の一例を示す断面図である。
次に、第2の実施形態に係る基板載置台とその製造方法について、図3を参照して説明する。ここで、図3は、第2の実施形態に係る基板載置台の一例を示す断面図である。
次に、第3の実施形態に係る基板載置台について、図4を参照して説明する。ここで、図4は、第3の実施形態に係る基板載置台の一例を示す断面図である。
次に、第4の実施形態に係る基板載置台について、図5を参照して説明する。ここで、図5は、第4の実施形態に係る基板載置台の一例を示す断面図である。
次に、第5の実施形態に係る基板載置台について、図6を参照して説明する。ここで、図6は、第5の実施形態に係る基板載置台の一例を示す断面図である。
次に、第6の実施形態に係る基板載置台について、図7を参照して説明する。ここで、図7は、第6の実施形態に係る基板載置台の一例を示す断面図である。
本発明者等は、以下の表1に示す各比較例及び各実施例の材料を用いて図1及び図2に示す被覆層を有する基板載置台を製作し、各基板載置台を有する基板処理装置を用いて、フッ素系ガスと塩素系ガス(いずれもプラズマガス)に対する被覆層の耐プラズマ性の良否を検証した。さらに、チャック電圧5kVでの基板吸着試験を実施し、その際の基板の裏面の傷の有無を検証した。各材料種とそれぞれのビッカース硬さ、耐プラズマ性に関する検証結果、及び基板の裏面の傷の有無に関する検証結果を以下の表1に示す。尚、実施例1乃至実施例6による被覆層の表面粗度Raは、2μm乃至10μmの範囲に設定している。
60 基板載置台
63 基材
66 静電チャック
67 被覆層
67a 載置面
100 基板処理装置
G 基板
Claims (17)
- 処理容器内において基板を載置する基板載置台であって、
基材と、前記基材の基材上面に形成されている静電チャックと、を有し、
前記静電チャックの静電チャック上面において、前記基板を載置する被覆層が形成されており、
前記被覆層は、ビッカース硬さが150Hv乃至500Hvの範囲にある、フッ化金属、酸化金属、もしくは酸フッ化金属により形成されており、
前記被覆層のうち、前記基板を載置する載置面の少なくとも一部の表面粗度Raが2μm乃至10μmの範囲にある、基板載置台。 - 前記静電チャック上面は、周辺領域と、前記周辺領域よりも下方に窪んだ中央領域とを有し、
前記被覆層は前記中央領域に中央層として形成され、前記中央層の全ての領域が前記表面粗度を有している、請求項1に記載の基板載置台。 - 前記周辺領域と前記中央層の間に溝を有する、請求項2に記載の基板載置台。
- 前記静電チャック上面は平坦であり、
前記被覆層は、前記表面粗度を有している中央層と、前記中央層の外周にあって表面が平滑な外周層とを有し、
平坦な前記静電チャック上面に前記被覆層が形成されている、請求項1に記載の基板載置台。 - 前記中央層と前記外周層の間に溝を有する、請求項4に記載の基板載置台。
- 前記静電チャックの周囲には絶縁材料からなる矩形部材が配設されており、
前記被覆層は、前記上面において水平方向に延出し、さらに、前記静電チャックと前記矩形部材の間を鉛直方向に延出している、請求項4又は5に記載の基板載置台。 - 前記被覆層が連続した層である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板載置台。
- 前記中央層が離間して断続する複数の凸部により形成されている、請求項2乃至6のいずれか一項に記載の基板載置台。
- 前記中央層が基部において連続する複数の凸部により形成されている、請求項2乃至6のいずれか一項に記載の基板載置台。
- 前記被覆層は、主として、Y2O3、YOF、MgF2、YF3、CaF2、もしくはBi2O3のいずれかにより形成されている、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の基板載置台。
- 前記静電チャックは、セラミックス層と、前記セラミックス層の内部に埋設されている導電層とにより形成されている、請求項1乃至10のいずれか一項に記載の基板載置台。
- 処理容器と、前記処理容器内において基板を載置する基板載置台と、を有する基板処理装置であって、
前記基板載置台は、
基材と、前記基材の基材上面に形成されている静電チャックと、を有し、
前記静電チャックの静電チャック上面において、前記基板を載置する被覆層が形成されており、
前記被覆層は、ビッカース硬さが150Hv乃至500Hvの範囲にある、フッ化金属、酸化金属、もしくは酸フッ化金属により形成されており、
前記被覆層のうち、前記基板を載置する載置面の少なくとも一部の表面粗度Raが2μm乃至10μmの範囲にある、基板処理装置。 - 前記被覆層は、主として、Y2O3、YOF、MgF2、YF3、CaF2、もしくはBi2O3のいずれかにより形成されている、請求項12に記載の基板処理装置。
- 前記静電チャックは、セラミックス層と、前記セラミックス層の内部に埋設されている導電層とにより形成されている、請求項12又は13に記載の基板処理装置。
- 処理容器内で基板を載置する基板載置台の製造方法であって、
基材の基材上面に静電チャックを形成する工程と、
前記静電チャックの静電チャック上面において、前記基板を載置する被覆層を形成する工程と、を有し、
前記被覆層を形成する工程において、前記被覆層を、ビッカース硬さが150Hv乃至500Hvの範囲にある、フッ化金属、酸化金属、もしくは酸フッ化金属により形成し、かつ、前記被覆層のうち、前記基板を載置する載置面の少なくとも一部の表面粗度Raを2μm乃至10μmの範囲とする、基板載置台の製造方法。 - 前記被覆層を、主として、Y2O3、YOF、MgF2、YF3、CaF2、もしくはBi2O3のいずれかにより形成する、請求項15に記載の基板載置台の製造方法。
- 前記静電チャックを、セラミックス層と、前記セラミックス層の内部に埋設されている導電層とにより形成する、請求項15又は16に記載の基板載置台の製造方法。
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