KR20150036607A - 조면화된 기판 지지부 - Google Patents

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KR20150036607A
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Abstract

본 발명은 일반적으로, 기판 프로세싱 챔버에서의 사용을 위한 기판 지지부에 관한 것이다. 조면화된 기판 지지부는 챔버 내의 아킹을 감소시키고 그리고 또한, 기판 상의 균일한 증착에 기여한다. 조면화는 2개의 단계들로 일어날 수 있다. 제 1 단계에서, 기판 지지부는 비드 블라스팅되어 표면들을 초기 조면화한다. 그런 다음에, 조면화된 표면은 약 707 마이크로-인치 내지 약 837 마이크로-인치의 표면 거칠기를 갖는 기판 지지부를 생산하기 위해서 더 미세한 그릿으로 비드 블라스팅된다. 표면 조면화 이후에, 기판 지지부는 아노다이징된다.

Description

조면화된 기판 지지부{ROUGHENED SUBSTRATE SUPPORT}
본 발명의 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 챔버에서의 사용을 위한 기판 지지부에 관한 것이다.
플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 일반적으로, 플랫 패널 또는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 얇은 필름들을 증착하는데 채용된다. PECVD는 일반적으로, 기판을 포함하는 진공 챔버 내에 전구체 가스를 도입하는 것에 의해서 달성된다. 전구체 가스는 전형적으로, 챔버의 정상부 부근에 위치된 분배 플레이트를 통해 지향된다. 챔버에 커플링된 하나 또는 그 초과의 RF 소스들로부터 챔버에 RF 전력을 인가함으로써 챔버 내의 전구체 가스는 플라즈마로 에너자이징(energized)된다(예를 들어, 여기된다(excited)). 여기된 가스는 반응하여, 온도 제어된 기판 지지부 상에 포지셔닝된 기판의 표면 상에 물질의 층을 형성한다.
프로세싱 동안, 종종 더 얇은 필름 두께의 스폿들(spots)로서 나타나는, 필름 두께의 작은 국부적 변화들은 생산되는 디바이스에 해로울 수 있는 것으로 관찰되었다. 매끄러운(smooth) 기판 지지 표면과 함께, 변화는 유리 두께 및 편평도(flatness)이고, 기판에 걸친 특정 위치들에서 국부적인 캐패시턴스(capacitance) 변화를 생성하며, 이에 의해 증착 변화들, 예를 들어 얇은 스폿들을 주도하는(lead) 국부적인 플라즈마 불-균일성들을 생성하는 것으로 여겨진다.
따라서, 개선된 기판 지지부에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명은 일반적으로, 기판 프로세싱 챔버에서의 사용을 위한 기판 지지부에 관한 것이다. 조면화된(roughened) 기판 지지부는 챔버 내의 아킹(arcing)을 감소시키고 그리고 또한, 기판 상의 균일한 증착에 기여한다. 조면화는 2개의 단계들로 일어날 수 있다. 제 1 단계에서, 기판 지지부는 비드 블라스팅되어(bead blasted) 표면들을 초기 조면화한다. 그런 다음에, 조면화된 표면은 약 707 마이크로-인치 내지 약 837 마이크로-인치의 표면 거칠기를 갖는 기판 지지부를 생산하기 위해서 더 미세한 그릿(grit)으로 비드 블라스팅된다. 표면 조면화 이후에, 기판 지지부는 아노다이징된다(anodized).
일 실시예에서, 조면화된 기판 지지부를 형성하는 방법은 제 1 프로세스에서 기판 지지부의 표면을 비드 블라스팅하는 단계 － 비드들은 제 1 그릿 크기를 가짐 － 및 제 2 프로세스에서 기판 지지부의 표면을 비드 블라스팅하는 단계 － 비드들은 제 1 그릿 크기보다 더 작은 제 2 그릿 크기를 가짐 － 를 포함한다.
다른 실시예에서, 조면화된 기판 지지부를 형성하는 방법은 제 1 프로세스에서 기판 지지부의 표면을 비드 블라스팅하는 단계를 포함한다. 제 1 프로세스는 노즐을 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 스캐닝(scanning)하는 단계, 노즐을 기판 지지부의 표면을 따라서 제 1 방향과 수직인 제 2 방향으로 시프팅(shifting)하는 단계, 및 노즐을 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향과 반대인 제 3 방향으로 스캐닝하는 단계를 포함한다. 방법은 제 2 프로세스에서 기판 지지부의 표면을 비드 블라스팅하는 단계를 더 포함한다. 제 2 프로세스는 노즐을 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 제 1 스캐닝하는 단계, 노즐을 기판 지지부의 표면을 따라서 제 2 방향으로 시프팅하는 단계, 노즐을 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 3 방향으로 제 2 스캐닝하는 단계, 기판 지지부를 약 90도 반시계 방향으로 회전시키는 단계, 및 제 1 스캐닝, 시프팅, 제 2 스캐닝 및 회전을 반복하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 기판 지지부는 약 707 마이크로-인치 내지 약 834 마이크로-인치의 표면 거칠기를 갖는 기판 지지 본체 및 기판 지지부 상의 아노다이징된 코팅부를 포함한다.
본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 PECVD 장치의 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 기판 지지부의 부분 단면도이다.
도 3a는 일 실시예에 따른 조면화의 제 1 단계 후의 기판 지지부의 개략적인 단면도이다.
도 3b는 일 실시예에 따른 조면화의 제 2 단계 후의 도 3a의 기판 지지부의 개략적인 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 기판 지지부에 대한 조면화 기구(instrument)의 개략도이다.
도 5a는 일 실시예에 따른 제 1 단계에서 조면화되는 기판 지지부의 개략도이다.
도 5b-5e는 일 실시예에 따른 제 2 단계에서 조면화되는 도 5a의 기판 지지부의 개략도들이다.
이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 요소들을 나타내는데 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들이 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에서 유리하게 사용될 수 있는 것으로 고려된다.
본 발명은 일반적으로, 기판 프로세싱 챔버에서의 사용을 위한 기판 지지부에 관한 것이다. 조면화된 기판 지지부는 챔버 내의 아킹을 감소시키고 그리고 또한, 기판 상의 균일한 증착에 기여한다. 조면화는 2개의 단계들로 일어날 수 있다. 제 1 단계에서, 기판 지지부는 비드 블라스팅되어 표면들을 초기 조면화한다. 그런 다음에, 조면화된 표면은 약 707 마이크로-인치 내지 약 837 마이크로-인치의 표면 거칠기를 갖는 기판 지지부를 생산하기 위해서 더 미세한 그릿으로 비드 블라스팅된다. 표면 조면화 이후에, 기판 지지부는 아노다이징된다.
본원의 설명은 캘리포니아 산타 클라라 소재의 Applied Materials, Inc. 의 자회사인 AKT America, Inc. 로부터 입수 가능한 PECVD 챔버를 참조해서 이루어질 것이다. 본원의 실시예들이, 다른 제조업자들에 의해 판매되는 프로세싱 챔버들을 포함하여 다른 프로세싱 챔버들에 또한 동등하게 적용 가능하다는 것이 이해되어야 한다.
도 1은 본원에 설명되는 기판 지지부를 사용할 수 있는 PECVD 장치의 단면도이다. 장치는 하나 또는 그 초과의 필름들이 기판(120) 상에 증착될 수 있는 챔버(100)를 포함한다. 챔버(100)는 일반적으로, 프로세스 용적을 정의하는 벽들(102), 바닥부(104) 및 샤워헤드(106)를 포함한다. 기판 지지부(118)는 프로세스 용적 내에 배치된다. 프로세스 용적은, 기판(120)이 챔버(100)의 안과 밖으로 이송될 수 있도록 슬릿 밸브 개구부(slit valve opening)(108)를 통해서 액세스된다. 기판 지지부(118)를 상승 및 하강시키기 위해서 기판 지지부(118)는 액추에이터(116)에 커플링될 수 있다. 리프트 핀들(122)은 기판 지지부(118)를 통해 이동 가능하게 배치되어 기판을 기판 수용 표면으로 및 기판 수용 표면으로부터 이동시킨다. 기판 지지부(118)를 원하는 온도에서 유지하기 위해서, 기판 지지부(118)는 또한, 가열 및/또는 냉각 요소들(124)을 포함할 수 있다. 기판 지지부(118)의 주변의 RF 복귀 경로를 제공하기 위해서, 기판 지지부(118)는 또한, RF 복귀 스트랩들(return straps)(126)을 포함할 수 있다.
샤워헤드(106)는 파스닝 메커니즘(150)에 의해서 백킹 플레이트(112)에 커플링된다. 처짐(sag)을 방지하는 것을 돕기 위해서 그리고/또는 샤워헤드(106)의 직진성(straightness)/곡률을 제어하기 위해서 샤워헤드(106)는 하나 또는 그 초과의 파스닝 메커니즘들(150)에 의해서 백킹 플레이트(112)에 커플링될 수 있다.
가스 소스(132)는 샤워헤드(106)의 가스 통로들을 통해서 샤워헤드(106)와 기판(120) 사이의 프로세싱 구역에 가스를 제공하기 위해서 백킹 플레이트(112)에 커플링된다. 진공 펌프(110)는 프로세스 용적을 원하는 압력으로 제어하기 위해서 챔버(100)에 커플링된다. RF 소스(128)는 RF 전류를 샤워헤드(106)에 제공하기 위해서 정합(match) 네트워크(190)를 통해서 백킹 플레이트(112) 및/또는 샤워헤드(106)에 커플링된다. 샤워헤드(106)와 기판 지지부(118) 사이에서 가스들로부터 플라즈마가 생성될 수 있도록 RF 전류는 샤워헤드(106)와 기판 지지부(118) 사이에 전기장을 형성한다.
유도 결합(inductively coupled) 원격 플라즈마 소스(130)와 같은 원격 플라즈마 소스(130)는 또한, 가스 소스(132)와 백킹 플레이트(112) 사이에 커플링될 수 있다. 기판들을 프로세싱하는 사이에, 원격 플라즈마가 생성되도록, 세정 가스가 원격 플라즈마 소스(130)에 제공될 수 있다. 원격 플라즈마로부터의 라디칼들은 챔버(100) 컴포넌트들을 세정하기 위해 챔버(100)에 제공될 수 있다. 세정 가스는 샤워헤드(106)에 제공된 RF 소스(128)에 의해 추가로 여기될 수 있다.
샤워헤드(106)는 샤워헤드 서스펜션(134)에 의해서 백킹 플레이트(112)에 부가적으로 커플링될 수 있다. 일 실시예에서, 샤워헤드 서스펜션(134)은 가요성 금속 스커트(skirt)이다. 샤워헤드 서스펜션(134)은 샤워헤드(106)가 위에 놓일 수 있는 립(lip)(136)을 가질 수 있다. 백킹 플레이트(112)는 챔버(100)를 밀봉하기 위해서 챔버 벽들(102)과 커플링된 렛지(ledge)(114)의 상부 표면 상에 놓일 수 있다.
도 2는 기판 지지부(118)의 부분 단면도이다. 기판 지지부(118)는 아노다이징된 코팅부(210)로 실질적으로 커버된 본체(202)를 포함한다. 본체(202)는 하나 또는 그 초과의 커플링된 부재들로 구성될 수 있거나 또는 본체에 내장된(embedded) 가열 및/또는 냉각 요소들(124)을 갖는 단일 주조된(casted) 본체로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 본체(202)는 알루미늄을 포함할 수 있다.
본체(202)는 일반적으로, 기판 지지 표면(204) 및 대향 마운팅 표면(opposing mounting surface)(206)을 포함한다. 아노다이징된 코팅부(210)는 적어도 본체(202)의 지지 표면(204)을 커버하고 그리고 기판(120)과 지지 표면(204) 사이에 분리 층(separating layer)을 제공한다.
코팅부(210)는 외측 표면(212) 및 내측 표면(214)을 포함한다. 내측 표면(214)은 일반적으로, 본체(202) 상에 직접 배치된다. 일 실시예에서, 아노다이징된 코팅부는 약 23㎛ 내지 약 27㎛, 예컨대 약 25㎛의 두께를 갖는다. 아노다이징된 코팅부(210)로 전이되는(translate) 내측 표면(214)은 표면 거칠기를 갖는다. 기판 지지 표면(204) 위에 포지셔닝된 외측 표면(212)의 부분(218)은 그 위에 기판(120)을 지지하도록 구성된 기하학적 구조를 갖는다. 외측 표면(212)의 부분(218)은 기판(140) 상에 증착되는 필름들의 균일한 두께를 촉진시키는 미리 정의된 거칠기의 표면 마감(216)을 갖는다. 표면 마감(216)은 약 707 마이크로-인치 내지 약 847 마이크로-인치, 예컨대 약 777 마이크로-인치의 거칠기를 갖는다. 표면 마감(216)은 유리하게, 개선된 필름 두께 균일성을 초래한다.
아노다이징된 코팅부(210)의 표면 마감(216)은 기판(140) 아래에 있는 외측 기판 지지 표면(204)의 적어도 일부분(220)을 이하에서 논의되는 바와 같이 처리함으로써 달성될 수 있다. 기판 지지 표면(204)의 표면 마감(208)은, 비드 블라스팅, 연마 블라스팅, 그라인딩, 엠보싱, 샌딩, 텍스쳐링, 에칭 또는 미리 정의된 표면 거칠기를 제공하기 위한 다른 방법을 포함하여, 수많은 방식들로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 본체(202)의 지지 표면(204)의 표면 마감(208)은 약 707 마이크로-인치 내지 약 847 마이크로-인치, 예컨대 약 777 마이크로-인치이다.
선택적으로, 기판(120) 아래에서 벗어나서(out from) 포지셔닝되고 부분(220)과 경계를 이루는(bounding), 지지 표면(204)의 스트립(224)은 제조 비용들을 최소하하기 위해서 미처리된 채로 남겨질 수 있다. 이는, 미처리된 스트립(224) 위의 아노다이징된 코팅부(210)의 스트립(222)이, 마감(216)과 상이한 마감을 가질 수 있다는 점을 초래하지만, 스트립(222)은 기판(120) 너머에 있기 때문에, 스트립(222)의 표면 마감은 필름 증착 균일성에 대해 영향을 주지 않는다. 일 실시예에서, 아노다이징된 코팅부(210)의 스트립(222)은, 스트립(222)이 경계를 이루는, 코팅부(210)의 부분(218)보다 더 매끄러운 표면 마감을 갖는다.
기판 지지부(118)를 조면화하기 위해서, 2단계의 프로세스가 일어날 수 있다. 도 3a는 일 실시예에 따른 조면화의 제 1 단계 후의 기판 지지부(118)의 개략적인 단면도이다. 프로세스의 제 1 단계에서, 기판 지지부는 제 1 비드 블라스팅 프로세스에 노출되어 기판 지지부(118) 내의 밸리들(valleys)(302)을 형성하고 밸리들은 플래토들(plateaus)(304)에 의해 분리된다. 기판 지지부(118)를 노즐(402)로부터 배출되는(ejected) 비드들에 노출시킴으로써 비드 블라스팅이 일어날 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 기판 지지부(118)에 대한 조면화 기구(예를 들어, 노즐(402))의 개략도이다. 노즐(402)은 비드 블라스팅될 기판 지지부(118)의 표면에 대해 각도(α)로 배치될 수 있다. 각도(α)는 약 85도 내지 약 95도, 예를 들어 90도일 수 있다. 노즐(402)은 기판 지지부(118)로부터 약 400mm 내지 약 600mm의 거리("A")만큼 이격될 수 있다. 비드 블라스팅을 위한 비드들은 약 23그릿 내지 약 25그릿, 예를 들어 24그릿의 제 1 그릿 크기를 가질 수 있다. 사용되는 비드들은 구체 비드들이다.
작동 시에, 노즐(402)이 기판 지지부(118) 위를 스캐닝하지만, 기판 지지부(118)가 노즐(402)에 대해 이동할 수 있거나 또는 노즐(402) 및 기판 지지부(118) 양쪽 모두가 이동할 수 있는 것으로 고려된다. 도 5a는 일 실시예에 따른 제 1 단계에서 조면화되는 기판 지지부(118)의 개략도이다. 도시된 바와 같이, 기판 지지부(118)는 4개의 측들(sides)(501-504)이 존재하도록 일반적으로 직사각형 형상을 갖는다.
노즐(402)은 화살표들("E")에 의해서 도시된 바와 같이 측면으로(laterally) 이동하고, 기판 지지부(118)의 표면(505)에 걸쳐, 화살표("B")에 의해 도시된 바와 같은, 제 1 측(501)으로부터 제 2 측(502)으로의 제 1 방향으로 스캐닝한다. 그 후에, 노즐(402)은, 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은, 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 시프팅한다. 그런 다음에, 화살표("D")에 의해 도시된 바와 같이, 제 1 방향과 반대인, 제 2 측(502)으로부터 제 1 측(501)으로의 제 3 방향으로 노즐(402)이 이동할 때, 노즐(402)은 표면(505)을 향해 비드들을 배출한다. 그런 다음에 노즐(402)은, 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 다시 시프팅한다. 노즐(402)이 시프팅할 때, 노즐은 약 20mm 내지 약 40mm의 거리를 시프팅한다. 따라서, 노즐(402)은 비드 블라스팅을 하기 위해서 전체 표면(505)을 노출시키도록 사형(serpentine) 패턴을 따른다.
제 1 비드 블라스팅 프로세스 이후에, 기판 지지부(118)는 도 3a에 도시된 바와 같이 조면화되지만, 표면(505)은 충분하게 거칠지 않다. 부가적으로, 기판 지지부(118) 상으로의 기판(120) 배치 동안에 그리고 프로세싱 동안에, 플래토들(304)이 기판(120)에 접촉하고 그리고 가스가 밸리들(302)로부터 빠져나가는 것을 막기 때문에, 가스는 밸리들(302) 내에 포획되고(trapped) 빠져나갈 수 없을 수 있다. 그러므로, 기판 지지부(118)는 플래토들(304)을 조면화하고 밸리들(302)을 더 조면화하기 위해서 제 2 프로세스에서 비드 블라스팅된다. 도 3b는 일 실시예에 따른 조면화의 제 2 단계 이후의 도 3a의 기판 지지부(118)의 개략적인 단면도이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 플래토들(304)은 더이상 존재하지 않고, 그보다는, 조면화된 표면(306)이 존재한다. 제 2 비드 블라스팅 프로세스 이후에, 기판 지지부(118)의 표면 거칠기는 약 707 마이크로-인치 내지 약 837 마이크로-인치, 예를 들어 777 마이크로-인치일 수 있다. 약 58그릿 내지 약 61그릿, 예컨대 60그릿의 그릿 크기가 사용되기 때문에, 기판 지지부(118) 상의 러프 피크들/엣지들(rough peaks/edges)은 매우 드물다. 피크들/엣지들은 기판(120)이 기판 지지부(118)에 접촉할 날카로운 지점들이고, 기판(120)과 기판 지지부(118) 사이의 아킹 뿐만 아니라 기판(120)의 스크래칭으로 이어질 수 있다. 부가적으로, 편평하지 않은 표면과 플래토들의 부재에 기인하여, 그렇지 않았으면 기판 지지부(118)와 기판(120) 사이에 포획되었을 가스는 기판 지지부(118)와 기판(120) 사이에서 자유롭게 진공배기될(evacuated) 수 있다. 사용되는 비드들은 구체 비드들이다.
도 5b-5e는 일 실시예에 따른 제 2 프로세스에서 조면화되는 도 5a의 기판 지지부(118)의 개략도들이다. 제 2 프로세스는 제 1 프로세스에서와 같은 동일한 거리만큼 그리고 동일한 각도로 기판 지지부(118)로부터 노즐(402)을 이격시킨다. 제 2 프로세스는 직사각형 형상의 기판 지지부(118)의 경우에 4개의 개별 단계들을 갖는다.
도 5b에 도시된, 제 2 프로세스의 제 1 단계에서, 노즐(402)은 제 1 프로세스와 유사한 방식으로 기판 지지부(118)에 걸쳐 스캐닝한다. 즉, 노즐(402)은, 화살표("B")에 의해 도시된 바와 같은, 제 1 측(501)으로부터 제 2 측(502)으로의 제 1 방향으로 스캐닝한다. 그런 다음에, 노즐은, 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 제 3 측(503)을 향하여 시프팅한다. 그 후에, 노즐은, 화살표("D")에 의해 도시된 바와 같은, 제 2 측(502)으로부터 제 1 측(501)으로의 제 3 방향으로 스캐닝한다. 그런 다음에 노즐(402)은 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 다시 시프팅한다. 노즐(402)이 시프팅할 때, 노즐은 약 20mm 내지 약 40mm의 거리를 시프팅한다. 따라서, 노즐(402)은 비드 블라스팅을 하기 위해서 전체 표면(505)을 노출시키도록 사형 패턴을 따른다.
도 5c에 도시된, 제 2 단계에서, 기판 지지부(118)는 반시계 방향으로 약 90도 회전된다. 반시계 방향 대신에, 기판 지지부(118)가 시계 방향으로 회전될 수 있음이 이해되어야 한다. 회전 이후에, 노즐(402)은, 화살표("B")에 의해 도시된 바와 같은, 제 4 측(504)으로부터 제 3 측(503)으로의 제 1 방향으로 스캐닝한다. 그런 다음에, 노즐은, 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 제 1 측(501)을 향하여 시프팅한다. 그 후에, 노즐은, 화살표("D")에 의해 도시된 바와 같은, 제 3 측(503)으로부터 제 4 측(504)으로의 제 3 방향으로 스캐닝한다. 그런 다음에 노즐(402)은 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 다시 시프팅한다. 노즐(402)이 시프팅할 때, 노즐은 약 20mm 내지 약 40mm의 거리를 시프팅한다. 따라서, 노즐(402)은 비드 블라스팅을 하기 위해서 전체 표면(505)을 노출시키도록 사형 패턴을 따른다.
도 5d에 도시된, 제 3 단계에서, 기판 지지부(118)는 반시계 방향으로 약 90도 회전된다. 반시계 방향 대신에, 제 3 단계 동안의 회전이, 제 2 단계에서와 같은 방향인 한, 기판 지지부(118)가 시계 방향으로 회전될 수 있음이 이해되어야 한다. 회전 이후에, 노즐(402)은, 화살표("B")에 의해 도시된 바와 같은, 제 2 측(502)으로부터 제 1 측(501)으로의 제 1 방향으로 스캐닝한다. 그런 다음에, 노즐은, 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 제 4 측(504)을 향하여 시프팅한다. 그 후에, 노즐은, 화살표("D")에 의해 도시된 바와 같은, 제 1 측(501)으로부터 제 2 측(502)으로의 제 3 방향으로 스캐닝한다. 그런 다음에 노즐(402)은 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 다시 시프팅한다. 노즐(402)이 시프팅할 때, 노즐은 약 20mm 내지 약 40mm의 거리를 시프팅한다. 따라서, 노즐(402)은 비드 블라스팅을 하기 위해서 전체 표면(505)을 노출시키도록 사형 패턴을 따른다.
도 5e에 도시된, 제 4 단계에서, 기판 지지부(118)는 반시계 방향으로 약 90도 회전된다. 반시계 방향 대신에, 제 3 단계 동안의 회전이, 제 2 단계에서와 같은 방향인 한, 기판 지지부(118)가 시계 방향으로 회전될 수 있음이 이해되어야 한다. 회전 이후에, 노즐(402)은, 화살표("B")에 의해 도시된 바와 같은, 제 3 측(503)으로부터 제 4 측(504)으로의 제 1 방향으로 스캐닝한다. 그런 다음에, 노즐은, 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 제 2 측(502)을 향하여 시프팅한다. 그 후에, 노즐은, 화살표("D")에 의해 도시된 바와 같은, 제 4 측(504)으로부터 제 3 측(503)으로의 제 3 방향으로 스캐닝한다. 그런 다음에 노즐(402)은 화살표("C")에 의해 도시된 바와 같은 제 2 방향으로 다시 시프팅한다. 노즐(402)이 시프팅할 때, 노즐은 약 20mm 내지 약 40mm의 거리를 시프팅한다. 따라서, 노즐(402)은 비드 블라스팅을 하기 위해서 전체 표면(505)을 노출시키도록 사형 패턴을 따른다.
이제 제 2 비드 블라스팅 프로세스가 완료되고, 기판 지지부(118)는 약 707 마이크로-인치 내지 약 837 마이크로-인치, 예를 들어 777 마이크로-인치의 거칠기를 갖는 표면(505)을 갖는다. 비드 블라스팅 프로세스 이후에, 기판 지지부(118)는 아노다이징되어 기판 지지부 위에 약 23㎛ 내지 약 27㎛, 예를 들어 25㎛의 두께로 아노다이징된 코팅부(210)를 형성한다.
조면화된 기판 지지부(118)는 기판 지지부(118)와 기판(120) 사이의 아킹을 감소시키거나 또는 제거한다. 부가적으로, 조면화된 기판 지지부(118)는 실질적으로 균일한 두께의 층이 기판(120) 상에 증착될 수 있도록, 기판(120) 상으로의 증착 동안에, 얇은 스폿들을 감소시키거나 또는 제거한다. 기판 지지부(118)가 조면화되더라도, 기판 지지부(118)는 실질적으로 기판을 스크래칭하지 않는다.
전술한 내용들은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있고, 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (15)

  1. 조면화된 기판 지지부를 형성하는 방법으로서,
    제 1 프로세스에서 기판 지지부의 표면을 비드 블라스팅(bead blasting)하는 단계 － 비드들은 제 1 그릿(grit) 크기를 가짐 －; 및
    제 2 프로세스에서 상기 기판 지지부의 표면을 비드 블라스팅하는 단계 － 비드들은 제 1 그릿 크기보다 더 작은 제 2 그릿 크기를 가짐 － 를 포함하는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스는 상기 비드들을 노즐로부터 상기 기판 지지부로 전달하는 단계를 포함하고, 상기 노즐은 상기 기판 지지부의 표면에 대해 약 85도 내지 95의 각도로 배치되는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 그릿 크기는 약 23그릿 내지 약 25그릿인,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 노즐은 상기 제 1 프로세스 동안 상기 기판 지지부의 표면으로부터 약 400mm 내지 약 600mm 이격되는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 프로세스는,
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면을 따라서 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 시프팅(shifting)하는 단계; 및
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 상기 제 1 방향과 반대인 제 3 방향으로 스캐닝하는 단계를 더 포함하는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 시프팅 단계는 상기 노즐을 제 2 방향으로 약 20mm 내지 약 40mm의 거리동안 이동시키는 단계를 포함하는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 프로세스는 상기 비드들을 노즐로부터 상기 기판 지지부로 전달하는 단계를 포함하고, 상기 노즐은 상기 기판 지지부의 표면에 대해 약 85도 내지 95의 각도로 배치되는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 그릿 크기는 약 58그릿 내지 약 61그릿인,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    노즐은 제 2 프로세스 동안 상기 기판 지지부의 표면으로부터 약 400mm 내지 약 600mm 이격되는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 프로세스는,
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면을 따라서 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 시프팅하는 단계; 및
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 상기 제 1 방향과 반대인 제 3 방향으로 스캐닝하는 단계를 더 포함하는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 시프팅 단계는 상기 노즐을 제 2 방향으로 약 20mm 내지 약 40mm의 거리동안 이동시키는 단계를 포함하는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 프로세스는,
    상기 기판 지지부를 90도 반시계 방향으로 회전시키는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면을 따라서 제 2 방향으로 시프팅하는 단계; 및
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 3 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 기판 지지부를 90도 반시계 방향으로 회전시키는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면을 따라서 제 2 방향으로 시프팅하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 3 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 기판 지지부를 90도 반시계 방향으로 회전시키는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면을 따라서 제 2 방향으로 시프팅하는 단계; 및
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 3 방향으로 스캐닝하는 단계를 더 포함하는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  13. 조면화된 기판 지지부를 형성하는 방법으로서,
    노즐을 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 스캐닝하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면을 따라서 상기 제 1 방향에 수직인 제 2 방향으로 시프팅하는 단계; 및
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 상기 제 1 방향과 반대인 제 3 방향으로 스캐닝하는 단계를 포함하는,
    제 1 프로세스에서 상기 기판 지지부의 표면을 비드 블라스팅하는 단계; 및
    노즐을 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 1 방향으로 제 1 스캐닝하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면을 따라서 제 2 방향으로 시프팅하는 단계;
    상기 노즐을 상기 기판 지지부의 표면에 걸쳐 제 3 방향으로 제 2 스캐닝하는 단계;
    상기 기판 지지부를 약 90도 반시계 방향으로 회전시키는 단계; 및
    상기 제 1 스캐닝 단계, 시프팅 단계, 제 2 스캐닝 단계 및 회전 단계를 반복하는 단계를 포함하는,
    제 2 프로세스에서 상기 기판 지지부의 표면을 비드 블라스팅하는 단계를 포함하는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반복 단계는 3회 일어나고, 상기 제 1 프로세스는 약 23그릿 내지 약 25그릿의 그릿 크기를 갖는 비드들로 표면을 비드 블라스팅하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 프로세스는 약 58그릿 내지 61그릿의 그릿 크기를 갖는 비드들로 표면을 비드 블라스팅하는 단계를 포함하는,
    조면화된 기판 지지부 형성 방법.
  15. 기판 지지부로서,
    약 707 마이크로-인치 내지 약 834 마이크로-인치의 표면 거칠기를 갖는 기판 지지 본체; 및
    상기 기판 지지부 상의 아노다이징된 코팅부를 포함하는,
    기판 지지부.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170071448A (ko) * 2015-12-14 2017-06-23 (주)위지트 서셉터 표면 처리방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107405180B (zh) * 2015-01-22 2020-03-24 尼奥西斯股份有限公司 用于外科手术机器人系统的交互式引导和操纵检测安排、以及相关联方法
CN107932340A (zh) * 2017-11-01 2018-04-20 福建晶安光电有限公司 一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法
TWI709459B (zh) * 2019-11-06 2020-11-11 大陸商福暘技術開發有限公司 玻璃基板表面粗糙化的方法
JP7259773B2 (ja) * 2020-01-14 2023-04-18 新東工業株式会社 ブラスト加工装置及びブラスト加工方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3189432B2 (ja) * 1992-10-30 2001-07-16 ソニー株式会社 微粒子噴射加工方法
KR200418119Y1 (ko) * 2005-01-18 2006-06-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다층 코팅된 내식성 알루미늄 부품
CN101312225A (zh) * 2007-05-23 2008-11-26 应用材料股份有限公司 在适用于太阳能电池应用的激光划线透明导电氧化层上沉积硅层的方法
KR20080103392A (ko) * 2007-05-23 2008-11-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 태양 전지 분야의 사용에 적합한 레이저 스크라이빙 처리된투명 도전성 산화물 층 위에 실리콘 층을 증착하는 방법
KR20090010625A (ko) * 2007-07-24 2009-01-30 주식회사 에스에프에이 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2276594A (en) * 1939-11-17 1942-03-17 George T Trundle Process of preparing printing members and product thereof
US2929120A (en) * 1957-12-04 1960-03-22 Gen Motors Corp Method of definning sand cores
JP3070139B2 (ja) * 1991-05-17 2000-07-24 ソニー株式会社 微粉体噴射加工処理装置
JPH08160229A (ja) * 1994-12-08 1996-06-21 Create Kk 導光板、導光板の製造方法、および面光源装置
CA2180503C (en) * 1996-07-04 1999-09-14 Charles Perry Elliott Rotatable blast cleaning conveying surface and apparatus
US6042151A (en) * 1998-08-11 2000-03-28 Ali; Terry Single sheet sandpaper delivery system with single sheet sandpaper having application coordinating indicia and legend
US6957511B1 (en) * 1999-11-12 2005-10-25 Seagate Technology Llc Single-step electromechanical mechanical polishing on Ni-P plated discs
US20020072306A1 (en) * 2000-06-14 2002-06-13 Carpenter Steven J. Chamber-type vibratory finisher with blasting nozzle
US6805952B2 (en) 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
US6777045B2 (en) 2001-06-27 2004-08-17 Applied Materials Inc. Chamber components having textured surfaces and method of manufacture
US6780787B2 (en) * 2002-03-21 2004-08-24 Lam Research Corporation Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components
JP4136799B2 (ja) * 2002-07-24 2008-08-20 富士フイルム株式会社 Ｅｌ表示素子の形成方法
US6902628B2 (en) * 2002-11-25 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a coated process chamber component
US7221553B2 (en) 2003-04-22 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Substrate support having heat transfer system
US20040221959A1 (en) * 2003-05-09 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Anodized substrate support
US8372205B2 (en) * 2003-05-09 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
US20050048876A1 (en) * 2003-09-02 2005-03-03 Applied Materials, Inc. Fabricating and cleaning chamber components having textured surfaces
CA2538261A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-28 Voorwood Company, Inc. Multiple cutting edged sanding wheel
KR20050054317A (ko) * 2003-12-04 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 블래스트 공정을 포함하는 서셉터 제조방법 및 이를 통해제조되는 서셉터
JP4417197B2 (ja) * 2004-07-30 2010-02-17 住友大阪セメント株式会社 サセプタ装置
US7713379B2 (en) * 2005-06-20 2010-05-11 Lam Research Corporation Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition
TWI375295B (en) * 2005-07-15 2012-10-21 Applied Materials Inc Reducing electrostatic charge by roughening the susceptor
ITPR20060103A1 (it) * 2006-11-22 2008-05-23 Turbocoating S P A Procedimento per la preparazione superficiale di componenti da sottoporre a rivestimento
DK2132001T3 (da) * 2007-02-23 2015-01-05 Tgc Technologie Beteiligungsgmbh Fremgangsmåde til slibning og polering af træmaterialer
US7972470B2 (en) * 2007-05-03 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Asymmetric grounding of rectangular susceptor
US7964430B2 (en) * 2007-05-23 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Silicon layer on a laser transparent conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications
JP2008307639A (ja) * 2007-06-14 2008-12-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウォータジェット加工方法
DE112009000924T9 (de) * 2008-04-17 2012-05-16 Mitsubishi Electric Corp. Oberflächenaufrauungsverfahren für ein Substrat und Herstellungsverfahren für eine Fotovoltaische Vorrichtung
US8308525B2 (en) * 2008-11-17 2012-11-13 Flow Internationl Corporation Processes and apparatuses for enhanced cutting using blends of abrasive materials
JP5669126B2 (ja) * 2009-06-18 2015-02-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光線反射防止用シボの形成方法および該方法によってシボが形成されたレンズ鏡筒

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3189432B2 (ja) * 1992-10-30 2001-07-16 ソニー株式会社 微粒子噴射加工方法
KR200418119Y1 (ko) * 2005-01-18 2006-06-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 다층 코팅된 내식성 알루미늄 부품
CN101312225A (zh) * 2007-05-23 2008-11-26 应用材料股份有限公司 在适用于太阳能电池应用的激光划线透明导电氧化层上沉积硅层的方法
KR20080103392A (ko) * 2007-05-23 2008-11-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 태양 전지 분야의 사용에 적합한 레이저 스크라이빙 처리된투명 도전성 산화물 층 위에 실리콘 층을 증착하는 방법
KR20090010625A (ko) * 2007-07-24 2009-01-30 주식회사 에스에프에이 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170071448A (ko) * 2015-12-14 2017-06-23 (주)위지트 서셉터 표면 처리방법

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