JP3189432B2 - 微粒子噴射加工方法 - Google Patents
微粒子噴射加工方法Info
- Publication number
- JP3189432B2 JP3189432B2 JP31658392A JP31658392A JP3189432B2 JP 3189432 B2 JP3189432 B2 JP 3189432B2 JP 31658392 A JP31658392 A JP 31658392A JP 31658392 A JP31658392 A JP 31658392A JP 3189432 B2 JP3189432 B2 JP 3189432B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distance
- nozzle
- fine particle
- moving
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
- B24C3/32—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks
- B24C3/322—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks for electrical components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/04—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for treating only selected parts of a surface, e.g. for carving stone or glass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ノズルから微粒子を被
加工物の被加工面に噴射して加工を行う微粒子噴射加工
方法に関する。
加工物の被加工面に噴射して加工を行う微粒子噴射加工
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】微粒子噴射加工装置において使用される
ノズルは、通常図5に示すような開口部が矩形状の矩形
ノズル51が用いられている。この矩形ノズル51から
微粒子52を被加工物の被加工面53に噴射した場合、
図5に示すように加工深さのバラツキが発生する。この
ときの深さの均一部分の範囲Aは、ノズル51によって
異なるが、通常0.5mm乃至5mmである。一方、ノズル
51から噴射される微粒子52の噴射量は、図6に示す
ように噴射時間の経過とともに変動する。例えば、目標
の噴射量を10g/minとした場合、10g±2g程度の
幅で変動する。すなわち±20%程度の変動がある。
ノズルは、通常図5に示すような開口部が矩形状の矩形
ノズル51が用いられている。この矩形ノズル51から
微粒子52を被加工物の被加工面53に噴射した場合、
図5に示すように加工深さのバラツキが発生する。この
ときの深さの均一部分の範囲Aは、ノズル51によって
異なるが、通常0.5mm乃至5mmである。一方、ノズル
51から噴射される微粒子52の噴射量は、図6に示す
ように噴射時間の経過とともに変動する。例えば、目標
の噴射量を10g/minとした場合、10g±2g程度の
幅で変動する。すなわち±20%程度の変動がある。
【0003】上記のような加工深さの変動を少なくする
ために、従来は図7に示すように、ノズル51を走査と
ピッチ送りをくり返して、被加工物の被加工面53の全
面を加工した後、再び同じ軌跡上を走査開始点まで移動
させ、往復で加工を行っていた。この結果、加工深さの
均一性は±14%程度まで改善された。
ために、従来は図7に示すように、ノズル51を走査と
ピッチ送りをくり返して、被加工物の被加工面53の全
面を加工した後、再び同じ軌跡上を走査開始点まで移動
させ、往復で加工を行っていた。この結果、加工深さの
均一性は±14%程度まで改善された。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら被加工物
の微細加工を行う場合、±10%以下の加工深さの均一
性を要求されるものが多く、従来の加工方法ではこの要
求を満足することができなかった。この結果、微粒子噴
射加工を適用する対称が制約されていた。
の微細加工を行う場合、±10%以下の加工深さの均一
性を要求されるものが多く、従来の加工方法ではこの要
求を満足することができなかった。この結果、微粒子噴
射加工を適用する対称が制約されていた。
【0005】本発明はこのような状況を鑑みてなされた
もので、加工深さの均一性を向上させることのできる微
粒子噴射加工方法を提供することを目的とする。
もので、加工深さの均一性を向上させることのできる微
粒子噴射加工方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の微粒子噴射加工
方法は、ノズルが、被加工面と平行な面内の第1の軸に
沿った第1の方向に、第1の距離だけ移動した後、第1
の軸と直交する、被加工面と平行な面内の第2の軸に沿
った第2の方向に、第2の距離だけ移動し、その後さら
に、第1の方向と向きが逆の第3の方向に、第1の距離
だけ移動した後、第2の方向に、第2の距離だけ移動す
るように、ノズルを被加工物に対して相対的に移動させ
る処理を、連続して第1の回数だけ繰り返す第1の移動
処理を実行することで、このときノズルから噴射された
微粒子によって、被加工面上に、第1の微粒子孔跡を形
成する第1の形成行程と、第1の形成行程の処理で、第
1の微粒子孔跡が形成された後、第1の微粒子孔跡と異
なる第2の微粒子孔跡を形成するように、ノズルが、第
1の方向または第3の方向に、第1の距離だけ移動した
後、第2の方向と向きが逆の第4の方向に、第2の距離
だけ移動し、その後さらに、第3の方向または第1の方
向に、第1の距離だけ移動した後、第4の方向に、第2
の距離だけ移動するように、ノズルを被加工物に対して
相対的に移動させる処理を、連続して第2の回数だけ繰
り返す第2の移動処理を実行し、このときノズルから噴
射された微粒子によって、被加工面上に、第2の微粒子
孔跡を形成する第2の形成行程とを含むことを特徴とす
る。
方法は、ノズルが、被加工面と平行な面内の第1の軸に
沿った第1の方向に、第1の距離だけ移動した後、第1
の軸と直交する、被加工面と平行な面内の第2の軸に沿
った第2の方向に、第2の距離だけ移動し、その後さら
に、第1の方向と向きが逆の第3の方向に、第1の距離
だけ移動した後、第2の方向に、第2の距離だけ移動す
るように、ノズルを被加工物に対して相対的に移動させ
る処理を、連続して第1の回数だけ繰り返す第1の移動
処理を実行することで、このときノズルから噴射された
微粒子によって、被加工面上に、第1の微粒子孔跡を形
成する第1の形成行程と、第1の形成行程の処理で、第
1の微粒子孔跡が形成された後、第1の微粒子孔跡と異
なる第2の微粒子孔跡を形成するように、ノズルが、第
1の方向または第3の方向に、第1の距離だけ移動した
後、第2の方向と向きが逆の第4の方向に、第2の距離
だけ移動し、その後さらに、第3の方向または第1の方
向に、第1の距離だけ移動した後、第4の方向に、第2
の距離だけ移動するように、ノズルを被加工物に対して
相対的に移動させる処理を、連続して第2の回数だけ繰
り返す第2の移動処理を実行し、このときノズルから噴
射された微粒子によって、被加工面上に、第2の微粒子
孔跡を形成する第2の形成行程とを含むことを特徴とす
る。
【0007】第2の距離は、0.5mm乃至5mmの範囲と
することができる。
することができる。
【0008】第1の移動処理は、ノズルが、第1の方向
に、第1の距離だけ移動した後、第2の方向に、第2の
距離の整数倍の第3の距離だけ移動し、その後さらに、
第3の方向に、第1の距離だけ移動した後、第2の方向
に、第3の距離だけ移動するように、ノズルまたは被加
工物を移動させる処理を、連続して第1の回数だけ繰り
返す処理であり、第2の移動処理は、ノズルが、第1の
方向または第3の方向に、第1の距離だけ移動した後、
第4の方向に、第3の距離だけ移動し、その後さらに、
第3の方向または第1の方向に、第1の距離だけ移動し
た後、第4の方向に、第3の距離だけ移動するように、
ノズルまたは被加工物を移動させる処理を、連続して第
2の回数だけ繰り返す処理であり、第1の形成行程およ
び第2の形成行程のそれぞれは、整数倍と同一の回数だ
け、先に形成された第1の微粒子孔跡および先に形成さ
れた第2の微粒子孔跡と異なる新たな第1の微粒子孔跡
または第2の微粒子孔跡を形成するように、第1の移動
処理または第2の移動処理を交互に実行し、このとき前
記ノズルから噴射された前記微粒子によって、前記加工
面上に、新たな第1の微粒子孔跡および第2の微粒子孔
跡を形成することができる。
に、第1の距離だけ移動した後、第2の方向に、第2の
距離の整数倍の第3の距離だけ移動し、その後さらに、
第3の方向に、第1の距離だけ移動した後、第2の方向
に、第3の距離だけ移動するように、ノズルまたは被加
工物を移動させる処理を、連続して第1の回数だけ繰り
返す処理であり、第2の移動処理は、ノズルが、第1の
方向または第3の方向に、第1の距離だけ移動した後、
第4の方向に、第3の距離だけ移動し、その後さらに、
第3の方向または第1の方向に、第1の距離だけ移動し
た後、第4の方向に、第3の距離だけ移動するように、
ノズルまたは被加工物を移動させる処理を、連続して第
2の回数だけ繰り返す処理であり、第1の形成行程およ
び第2の形成行程のそれぞれは、整数倍と同一の回数だ
け、先に形成された第1の微粒子孔跡および先に形成さ
れた第2の微粒子孔跡と異なる新たな第1の微粒子孔跡
または第2の微粒子孔跡を形成するように、第1の移動
処理または第2の移動処理を交互に実行し、このとき前
記ノズルから噴射された前記微粒子によって、前記加工
面上に、新たな第1の微粒子孔跡および第2の微粒子孔
跡を形成することができる。
【0009】第3の距離は、0.5mm乃至5mmの範囲と
することができる。 ノズルが第1の方向または第3の方
向に移動する速度は、10mm/sec乃至100mm/secの
範囲とすることができる。
することができる。 ノズルが第1の方向または第3の方
向に移動する速度は、10mm/sec乃至100mm/secの
範囲とすることができる。
【0010】
【作用】本発明の微粒子噴射加工方法においては、ノズ
ルが、被加工面と平行な面内の第1の軸に沿った第1の
方向に、第1の距離だけ移動した後、第1の軸と直交す
る、被加工面と平行な面内の第2の軸に沿った第2の方
向に、第2の距離だけ移動し、その後さらに、第1の方
向と向きが逆の第3の方向に、第1の距離だけ移動した
後、第2の方向に、第2の距離だけ移動するように、ノ
ズルを被加工物に対して相対的に移動させる処理を、連
続して第1の回数だけ繰り返す第1の移動処理を実行す
ることで、このときノズルから噴射された微粒子によっ
て、被加工面上に、第1の微粒子孔跡が形成され、第1
の微粒子孔跡が形成された後、第1の微粒子孔跡と異な
る第2の微粒子孔跡を形成するように、ノズルが、第1
の方向または第3の方向に、第1の距離だけ移動した
後、第2の方向と向きが逆の第4の方向に、第2の距離
だけ移動し、その後さらに、第3の方向または第1の方
向に、第1の距離だけ移動した後、第4の方向に、第2
の距離だけ移動するように、ノズルを被加工物に対して
相対的に移動させる処理を、連続して第2の回数だけ繰
り返す第2の移動処理が実行され、このときノズルから
噴射された微粒子によって、被加工面上に、第2の微粒
子孔跡が形成される。
ルが、被加工面と平行な面内の第1の軸に沿った第1の
方向に、第1の距離だけ移動した後、第1の軸と直交す
る、被加工面と平行な面内の第2の軸に沿った第2の方
向に、第2の距離だけ移動し、その後さらに、第1の方
向と向きが逆の第3の方向に、第1の距離だけ移動した
後、第2の方向に、第2の距離だけ移動するように、ノ
ズルを被加工物に対して相対的に移動させる処理を、連
続して第1の回数だけ繰り返す第1の移動処理を実行す
ることで、このときノズルから噴射された微粒子によっ
て、被加工面上に、第1の微粒子孔跡が形成され、第1
の微粒子孔跡が形成された後、第1の微粒子孔跡と異な
る第2の微粒子孔跡を形成するように、ノズルが、第1
の方向または第3の方向に、第1の距離だけ移動した
後、第2の方向と向きが逆の第4の方向に、第2の距離
だけ移動し、その後さらに、第3の方向または第1の方
向に、第1の距離だけ移動した後、第4の方向に、第2
の距離だけ移動するように、ノズルを被加工物に対して
相対的に移動させる処理を、連続して第2の回数だけ繰
り返す第2の移動処理が実行され、このときノズルから
噴射された微粒子によって、被加工面上に、第2の微粒
子孔跡が形成される。
【0011】
【0012】
【0013】
【0014】
【実施例】以下、本発明の微粒子噴射加工方法の一実施
例を図面を参照して説明する。
例を図面を参照して説明する。
【0015】図2に本実施例において使用される微粒子
噴射加工装置の一例の構成を示す。
噴射加工装置の一例の構成を示す。
【0016】この加工装置は、大別して、圧縮空気を供
給するエアコンプレッサ1と、このエアコンプレッサ1
から送り出された圧縮空気に極微粒子2を混合する混合
室3と、圧縮空気とともに極微粒子2を被加工物4に噴
射する噴射室5と、噴射室5から極微粒子2を回収吸引
する排風機6とから構成されている。
給するエアコンプレッサ1と、このエアコンプレッサ1
から送り出された圧縮空気に極微粒子2を混合する混合
室3と、圧縮空気とともに極微粒子2を被加工物4に噴
射する噴射室5と、噴射室5から極微粒子2を回収吸引
する排風機6とから構成されている。
【0017】上記のように構成された加工装置におい
て、エアコンプレッサ1から送り出された圧縮空気は、
第1の空気供給管7と第2の空気供給管8に分流され、
第1の空気供給管7に分流された圧縮空気は混合室3の
底部に設けられたフィルタ9または空気吹き出し口10
から混合室3内へ流入される。このとき圧縮空気が極微
粒子2内を通ることにより、エアバイブレータ効果によ
って極微粒子2が攪拌され、その一部が混合室3内に設
けれた集粉器11の下面凹部11aによって送出管12
の入口12aの近傍に集められる。
て、エアコンプレッサ1から送り出された圧縮空気は、
第1の空気供給管7と第2の空気供給管8に分流され、
第1の空気供給管7に分流された圧縮空気は混合室3の
底部に設けられたフィルタ9または空気吹き出し口10
から混合室3内へ流入される。このとき圧縮空気が極微
粒子2内を通ることにより、エアバイブレータ効果によ
って極微粒子2が攪拌され、その一部が混合室3内に設
けれた集粉器11の下面凹部11aによって送出管12
の入口12aの近傍に集められる。
【0018】この攪拌に際しては混合室3の内部底面に
設けられた振動部材13により、極微粒子2の機械的な
分散も行なわれ、前記エアバイブレータ効果が効果的に
持続される。また集粉器11に接続される導出管14の
中途部に設けられた電磁弁15と、混合室3の上部の極
微粒子供給部16の蓋部17に接続された排気管18の
中途部に設けられた電磁弁19とは、一定の周期で互い
に開閉状態が逆になるように制御される。この結果、こ
れらの開閉操作による圧力差によって、混合室3内の極
微粒子2が一層攪乱されるようになっている。
設けられた振動部材13により、極微粒子2の機械的な
分散も行なわれ、前記エアバイブレータ効果が効果的に
持続される。また集粉器11に接続される導出管14の
中途部に設けられた電磁弁15と、混合室3の上部の極
微粒子供給部16の蓋部17に接続された排気管18の
中途部に設けられた電磁弁19とは、一定の周期で互い
に開閉状態が逆になるように制御される。この結果、こ
れらの開閉操作による圧力差によって、混合室3内の極
微粒子2が一層攪乱されるようになっている。
【0019】一方、第2の空気供給管8に分流された圧
縮空気は、送出管12に直接送り込まれ、その空気流に
よって負圧となることにより、出口8a付近に集められ
た極微粒子2が吸い込まれ、送出管12内で圧縮空気と
混合される。そしてこの圧縮空気と極微粒子2との混合
物が送出管12を通って、噴射室5内のノズル20から
噴射され、被加工物4の被加工面に吹きつけられて加工
が行なわれる。使用済の極微粒子2は噴射室5に接続さ
れた反送管21,22を介して供給部16に戻され、再
使用に供される。
縮空気は、送出管12に直接送り込まれ、その空気流に
よって負圧となることにより、出口8a付近に集められ
た極微粒子2が吸い込まれ、送出管12内で圧縮空気と
混合される。そしてこの圧縮空気と極微粒子2との混合
物が送出管12を通って、噴射室5内のノズル20から
噴射され、被加工物4の被加工面に吹きつけられて加工
が行なわれる。使用済の極微粒子2は噴射室5に接続さ
れた反送管21,22を介して供給部16に戻され、再
使用に供される。
【0020】被加工物4はホルダ24に支持され、ホル
ダ24はX−Yステージ23により直交する2方向に移
動される。図3にX−Yステージ23の構成を示す。図
3において、矢印B−Cの方向に移動するX軸テーブル
31上には、X軸テーブル31に対して直角の方向に水
平に移動するY軸テーブル32が設けられている。さら
に、Y軸テーブル32には、垂直方向に移動するZ軸テ
ーブル33が設けられている。また、Z軸テーブル33
には、水平方向のテーブルアーム34の一端が固定され
ており、テーブルアーム34の他端には、被加工物4を
載置するホルダ24が取り付けられている。なお、各テ
ーブル31、32、33は図示しない駆動部によって駆
動制御される。
ダ24はX−Yステージ23により直交する2方向に移
動される。図3にX−Yステージ23の構成を示す。図
3において、矢印B−Cの方向に移動するX軸テーブル
31上には、X軸テーブル31に対して直角の方向に水
平に移動するY軸テーブル32が設けられている。さら
に、Y軸テーブル32には、垂直方向に移動するZ軸テ
ーブル33が設けられている。また、Z軸テーブル33
には、水平方向のテーブルアーム34の一端が固定され
ており、テーブルアーム34の他端には、被加工物4を
載置するホルダ24が取り付けられている。なお、各テ
ーブル31、32、33は図示しない駆動部によって駆
動制御される。
【0021】次に本実施例の動作を図1を参照して説明
する。ノズル20は、被加工物4の一辺から外れた走査
開始点DからX軸テーブル31の移動によって、破線4
1に示すように走査され、所定のストロークの走査が終
わるとY軸テーブル32の移動によって所定のピッチP
1だけ送られ、さらに反転して走査が行われる。この動
作をくり返しつつノズル20から微粒子2を噴射して加
工が行われる。ノズル20が被加工物4の反対側の一辺
から離れた位置に到達すると、反対方向の移動を開始
し、1点鎖線42で示すように復路の走査及びピッチ送
りがくり返され、走査開始点Dに復帰する。このとき復
路42は、往路41の軌跡の間を通過するようにする。
する。ノズル20は、被加工物4の一辺から外れた走査
開始点DからX軸テーブル31の移動によって、破線4
1に示すように走査され、所定のストロークの走査が終
わるとY軸テーブル32の移動によって所定のピッチP
1だけ送られ、さらに反転して走査が行われる。この動
作をくり返しつつノズル20から微粒子2を噴射して加
工が行われる。ノズル20が被加工物4の反対側の一辺
から離れた位置に到達すると、反対方向の移動を開始
し、1点鎖線42で示すように復路の走査及びピッチ送
りがくり返され、走査開始点Dに復帰する。このとき復
路42は、往路41の軌跡の間を通過するようにする。
【0022】本実施例によれば、ノズル20を往路と復
路とで異なる軌跡上を移動するようにしたので、加工深
さの均一性を±8%程度に改善することができる。ここ
で図5に示す加工深さの均一部分Aの範囲はノズル20
の種類により異なり、0.5mm乃至5mmとなるので、ノ
ズル20の送りピッチP1も0.5mm乃至5mmの範囲で対応
して変えることにより、加工深さの均一性を向上させる
ことができる。また、走査速度を10mm/sec以上とする
ことにより、微粒子2の噴射量のバラツキを平均化する
ことができ、100mm/sec以下とすることにより被加工
物4を支持するホルダ24が脱調することを防止でき
る。
路とで異なる軌跡上を移動するようにしたので、加工深
さの均一性を±8%程度に改善することができる。ここ
で図5に示す加工深さの均一部分Aの範囲はノズル20
の種類により異なり、0.5mm乃至5mmとなるので、ノ
ズル20の送りピッチP1も0.5mm乃至5mmの範囲で対応
して変えることにより、加工深さの均一性を向上させる
ことができる。また、走査速度を10mm/sec以上とする
ことにより、微粒子2の噴射量のバラツキを平均化する
ことができ、100mm/sec以下とすることにより被加工
物4を支持するホルダ24が脱調することを防止でき
る。
【0023】図4に本発明の他の実施例によるノズル2
0の走査方法を示す。本実施例では、ノズル20のピッ
チ送りのピッチP2を図1に示すピッチP1の2倍とし、
ノズル20を2往復させた。そして、2回目の往復走査
の長破線で示す往路43及び点線で示す復路44を、1
回目の往路41と復路42との間を通過させた。
0の走査方法を示す。本実施例では、ノズル20のピッ
チ送りのピッチP2を図1に示すピッチP1の2倍とし、
ノズル20を2往復させた。そして、2回目の往復走査
の長破線で示す往路43及び点線で示す復路44を、1
回目の往路41と復路42との間を通過させた。
【0024】本実施例によれば、送りピッチP2を大き
くしたので、片道の走査時間を短縮することができ、微
粒子2の噴射量のバラツキを少なくすることができる。
この結果、加工深さの均一性を±6%程度に改善するこ
とができる。
くしたので、片道の走査時間を短縮することができ、微
粒子2の噴射量のバラツキを少なくすることができる。
この結果、加工深さの均一性を±6%程度に改善するこ
とができる。
【0025】上記実施例では、ノズル20を2往復させ
る場合について説明したが、送りピッチP2をP1の複数
倍とし、ノズル20の往復回数をこの倍数と同じ回数と
することにより、さらに加工深さの均一性を改善するこ
とができる。また、上記各実施例では、ノズル20を固
定し被加工物4を移動させる場合について説明したが、
被加工物4を固定しノズル20を移動させてもよく、ノ
ズル20及び被加工物4を共に移動させてもよい。
る場合について説明したが、送りピッチP2をP1の複数
倍とし、ノズル20の往復回数をこの倍数と同じ回数と
することにより、さらに加工深さの均一性を改善するこ
とができる。また、上記各実施例では、ノズル20を固
定し被加工物4を移動させる場合について説明したが、
被加工物4を固定しノズル20を移動させてもよく、ノ
ズル20及び被加工物4を共に移動させてもよい。
【0026】
【発明の効果】本発明の微粒子噴射加工方法によれば、
ノズルが、被加工面と平行な面内の第1の軸に沿った第
1の方向に、第1の距離だけ移動した後、第1の軸と直
交する、被加工面と平行な面内の第2の軸に沿った第2
の方向に、第2の距離だけ移動し、その後さらに、第1
の方向と向きが逆の第3の方向に、第1の距離だけ移動
した後、第2の方向に、第2の距離だけ移動するよう
に、ノズルを被加工物に対して相対的に移動させる処理
を、連続して第1の回数だけ繰り返す第1の移動処理を
実行することで、このときノズルから噴射された微粒子
によって、被加工面上に、第1の微粒子孔跡を形成し、
第1の微粒子孔跡が形成された後、第1の微粒子孔跡と
異なる第2の微粒子孔跡を形成するように、ノズルが、
第1の方向または第3の方向に、第1の距離だけ移動し
た後、第2の方向と向きが逆の第4の方向に、第2の距
離だけ移動し、その後さらに、第3の方向または第1の
方向に、第1の距離だけ移動した後、第4の方向に、第
2の距離だけ移動するように、ノズルを被加工物に対し
て相対的に移動させる処理を、連続して第2の回数だけ
繰り返す第2の移動処理を実行し、このときノズルから
噴射された微粒子によって、被加工面上に、第2の微粒
子孔跡を形成するようにしたので、例えば、加工深さが
均一になるように、被加工面を加工することができる。
ノズルが、被加工面と平行な面内の第1の軸に沿った第
1の方向に、第1の距離だけ移動した後、第1の軸と直
交する、被加工面と平行な面内の第2の軸に沿った第2
の方向に、第2の距離だけ移動し、その後さらに、第1
の方向と向きが逆の第3の方向に、第1の距離だけ移動
した後、第2の方向に、第2の距離だけ移動するよう
に、ノズルを被加工物に対して相対的に移動させる処理
を、連続して第1の回数だけ繰り返す第1の移動処理を
実行することで、このときノズルから噴射された微粒子
によって、被加工面上に、第1の微粒子孔跡を形成し、
第1の微粒子孔跡が形成された後、第1の微粒子孔跡と
異なる第2の微粒子孔跡を形成するように、ノズルが、
第1の方向または第3の方向に、第1の距離だけ移動し
た後、第2の方向と向きが逆の第4の方向に、第2の距
離だけ移動し、その後さらに、第3の方向または第1の
方向に、第1の距離だけ移動した後、第4の方向に、第
2の距離だけ移動するように、ノズルを被加工物に対し
て相対的に移動させる処理を、連続して第2の回数だけ
繰り返す第2の移動処理を実行し、このときノズルから
噴射された微粒子によって、被加工面上に、第2の微粒
子孔跡を形成するようにしたので、例えば、加工深さが
均一になるように、被加工面を加工することができる。
【図1】本発明の微粒子噴射加工方法の一実施例による
ノズルの移動軌跡を示す説明図である。
ノズルの移動軌跡を示す説明図である。
【図2】本実施例において使用される微粒子噴射加工装
置の一例の構成を示す断面図である。
置の一例の構成を示す断面図である。
【図3】図2のX−Yステージの構成を示す斜視図であ
る。
る。
【図4】本発明の他の実施例によるノズルの移動軌跡を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図5】本実施例で使用されるノズルの一例による加工
形状を示す説明図である。
形状を示す説明図である。
【図6】微粒子の噴射時間と噴射量との関係を示す線図
である。
である。
【図7】従来のノズルの移動軌跡の一例を示す説明図で
ある。
ある。
2 微粒子 4 被加工物 20 ノズル
Claims (5)
- 【請求項1】 ノズルから噴射される微粒子を被加工物
の被加工面に吹き付けることで、前記被加工面を加工す
る微粒子噴射加工方法において、 前記ノズルが、前記被加工面と平行な面内の第1の軸に
沿った第1の方向に、第1の距離だけ移動した後、前記
第1の軸と直交する、前記被加工面と平行な前記面内の
第2の軸に沿った第2の方向に、第2の距離だけ移動
し、その後さらに、前記第1の方向と向きが逆の第3の
方向に、前記第1の距離だけ移動した後、前記第2の方
向に、前記第2の距離だけ移動するように、前記ノズル
を前記被加工物に対して相対的に移動させる処理を、連
続して第1の回数だけ繰り返す第1の移動処理を実行す
ることで、このとき前記ノズルから噴射された前記微粒
子によって、前記被加工面上に、第1の微粒子孔跡を形
成する第1の形成行程と、 前記第1の形成行程の処理で、前記第1の微粒子孔跡が
形成された後、前記第1の微粒子孔跡と異なる第2の微
粒子孔跡を形成するように、前記ノズルが、前記第1の
方向または前記第3の方向に、第1の距離だけ移動した
後、前記第2の方向と向きが逆の第4の方向に、前記第
2の距離だけ移動し、その後さらに、前記第3の方向ま
たは前記第1の方向に、前記第1の距離だけ移動した
後、前記第4の方向に、前記第2の距離だけ移動するよ
うに、前記ノズルを前記被加工物に対して相対的に移動
させる処理を、連続して第2の回数だけ繰り返す第2の
移動処理を実行し、このとき前記ノズルから噴射された
前記微粒子によって、前記被加工面上に、前記第2の微
粒子孔跡を形成する第2の形成行程と を含む ことを特徴
とする微粒子噴射加工方法。 - 【請求項2】 前記第2の距離は、0.5mm乃至5mmの
範囲である ことを特徴とする請求項1に記載の微粒子噴
射加工方法。 - 【請求項3】 前記第1の移動処理は、前記ノズルが、
前記第1の方向に、前記第1の距離だけ移動した後、前
記第2の方向に、前記第2の距離の整数倍の第3の距離
だけ移動し、その後さらに、前記第3の方向に、前記第
1の距離だけ移動した後、前記第2の方向に、前記第3
の距離だけ移動するように、前記ノズルまたは前記被加
工物を移動させる処理を、連続して前記第1の回数だけ
繰り返す処理であり、 前記第2の移動処理は、前記ノズルが、前記第1の方向
または前記第3の方向に、前記第1の距離だけ移動した
後、前記第4の方向に、前記第3の距離だけ移動し、そ
の後さらに、前記第3の方向または前記第1の方向に、
前記第1の距離だけ移動した後、前記第4の方向に、前
記第3の距離だけ移動するように、前記ノズルまたは前
記被加工物を移動させる処理を、連続して前記第2の回
数だけ繰り返す処理であり、 前記第1の形成行程および前記第2の形成行程のそれぞ
れは、前記整数倍と同一の回数だけ、先に形成された前
記第1の微粒子孔跡および先に形成された前記第2の微
粒子孔跡と異なる新たな前記第1の微粒子孔跡または前
記第2の微粒子孔跡を形成するように、前記第1の移動
処理または前記第2の移動処理を交互に実行し、このと
き前記ノズルから噴射された前記微粒子によって、前記
被加工面上に、新たな前記第1の微粒子孔跡および前記
第2の微粒子孔跡を形成する ことを特徴とする請求項1
に記載の微粒子噴射加工方法。 - 【請求項4】 前記第3の距離は、0.5mm乃至5mmの
範囲である ことを特徴とする請求項3に記載の微粒子噴
射加工方法。 - 【請求項5】 前記ノズルが前記第1の方向または前記
第3の方向に移動する速度は、10mm/sec乃至100m
m/secの範囲であることを特徴とする請求項1または請
求項3に記載の微粒子噴射加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31658392A JP3189432B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 微粒子噴射加工方法 |
US08/138,269 US5423713A (en) | 1992-10-30 | 1993-10-20 | Powder beam etching method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31658392A JP3189432B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 微粒子噴射加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06143143A JPH06143143A (ja) | 1994-05-24 |
JP3189432B2 true JP3189432B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=18078707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31658392A Expired - Fee Related JP3189432B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 微粒子噴射加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5423713A (ja) |
JP (1) | JP3189432B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014018285A1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | Applied Materials, Inc. | Roughened substrate support |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08160229A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Create Kk | 導光板、導光板の製造方法、および面光源装置 |
DE19529749C2 (de) * | 1995-08-12 | 1997-11-20 | Ot Oberflaechentechnik Gmbh | Verfahren zum schichtweisen Abtragen von Material von der Oberfläche eines Werkstückes sowie Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
JPH09234672A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Sony Corp | パウダービーム加工機におけるパウダーシール装置 |
JP2957492B2 (ja) * | 1996-03-26 | 1999-10-04 | 合資会社亀井鉄工所 | ワーク表面の研削方法 |
US5782673A (en) * | 1996-08-27 | 1998-07-21 | Warehime; Kevin S. | Fluid jet cutting and shaping system and method of using |
US7214126B1 (en) | 2000-07-17 | 2007-05-08 | Kamei Tekkosho Ltd. | Abrasive material |
JP2002144236A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-21 | Alps Engineering:Kk | ブラスト加工装置 |
JP4736287B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2011-07-27 | 新東工業株式会社 | グラデーションパターン形成法 |
KR100805519B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2008-02-20 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 미세 구조 소자의 제조 방법 |
FR2989621B1 (fr) * | 2012-04-20 | 2014-07-11 | Jedo Technologies | Procede et systeme d'usinage pli a pli d'une piece en materiau composite par apport d'energie |
CN205325427U (zh) * | 2016-02-02 | 2016-06-22 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种基板研磨装置 |
JP6734665B2 (ja) | 2016-02-25 | 2020-08-05 | 合資会社亀井鉄工所 | 砥材 |
JP6511009B2 (ja) * | 2016-05-11 | 2019-05-08 | 株式会社スギノマシン | ノズル装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4044505A (en) * | 1975-12-18 | 1977-08-30 | Marvin Glass & Associates | Etching device for glass or other etchable surfaces |
US4272612A (en) * | 1979-05-09 | 1981-06-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Erosion lithography to abrade a pattern onto a substrate |
US4281485A (en) * | 1979-11-26 | 1981-08-04 | Charity Herman T Iii | Portable substrate etching apparatus and process |
US4569720A (en) * | 1984-05-07 | 1986-02-11 | Allied Corporation | Copper etching system |
US4834833A (en) * | 1987-12-02 | 1989-05-30 | Palmer Alan K | Mask for etching, and method of making mask and using same |
US5031373A (en) * | 1989-10-27 | 1991-07-16 | Montgomery David W | Etching machine and method |
US5197234A (en) * | 1990-02-27 | 1993-03-30 | Gillenwater R Lee | Abrasive engraving process |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP31658392A patent/JP3189432B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-10-20 US US08/138,269 patent/US5423713A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014018285A1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | Applied Materials, Inc. | Roughened substrate support |
KR20150036607A (ko) * | 2012-07-27 | 2015-04-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 조면화된 기판 지지부 |
US10434629B2 (en) | 2012-07-27 | 2019-10-08 | Applied Materials, Inc. | Roughened substrate support |
KR102101192B1 (ko) * | 2012-07-27 | 2020-04-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 조면화된 기판 지지부 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5423713A (en) | 1995-06-13 |
JPH06143143A (ja) | 1994-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3189432B2 (ja) | 微粒子噴射加工方法 | |
KR100282206B1 (ko) | 블라스트 가공 방법 및 장치 | |
KR0162508B1 (ko) | 연마제 분사 가공 장치 및 그를 이용한 금형 완성 장치 | |
JP5737486B1 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
KR20130037140A (ko) | 블라스트 가공장치 | |
CN108714497A (zh) | 一种平面喷涂机及喷涂方法 | |
CN109922892A (zh) | 涂覆基底的喷涂方法 | |
CN113118974A (zh) | 喷丸加工装置以及喷丸加工方法 | |
US20040162009A1 (en) | Apparatus and process for surface treating interior of workpiece | |
JPH09299889A (ja) | 洗浄装置 | |
JP3519118B2 (ja) | 洗浄装置 | |
JP2527919B2 (ja) | 流体吹付装置 | |
JPH04343669A (ja) | 微粉体噴射加工処理装置 | |
JP3254663B2 (ja) | 微粒子噴射加工装置 | |
JP2006102908A (ja) | 研磨材噴射装置 | |
CN216830366U (zh) | 一种模板表面处理装置 | |
JPH11347942A (ja) | 微細形状の形成方法 | |
JPH0710602A (ja) | コーティングガラスの製造方法 | |
JPH06143148A (ja) | 微粒子噴射加工装置 | |
JP2004009174A (ja) | 面取り加工方法及びアブレシブジェット加工方法 | |
JP2000225568A (ja) | ブラスト加工装置におけるノズル | |
JPH0513490Y2 (ja) | ||
JP3017429U (ja) | 研磨材噴射ノズル | |
US20060249489A1 (en) | Method and device for producing a cavity in a workpiece | |
JPH03166058A (ja) | 遊離砥粒噴射式加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010417 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |