CN111902917A - 对用于半导体器件制造的处理部件的陶瓷表面进行激光抛光 - Google Patents
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Abstract
本公开内容的实施方式提供了对陶瓷基板或陶瓷涂布的基板进行激光辅助改性(亦即，激光抛光)以期望地降低其表面粗糙度及孔隙度的方法。在一个实施方式中，一种激光抛光工件表面的方法包括用脉冲激光光束扫描工件表面的至少一部分。激光光束具有约50kHz或更大的脉冲频率以及约10mm2或更小的光斑大小，并且工件表面包含陶瓷材料。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式大体涉及半导体器件制造。特定而言，本文的实施方式涉及对与等离子体处理腔室一起使用或在等离子体处理腔室中使用的部件的表面进行激光抛光。
背景技术
通常，半导体器件显示设备(诸如等离子体辅助处理腔室及与其相关的处理部件)由陶瓷材料或其上沉积有保护性陶瓷材料涂层的基板形成。陶瓷材料提供对化学腐蚀或基于等离子体的侵蚀的期望抗性，否则化学腐蚀或基于等离子体的侵蚀会缩短处理部件的使用寿命。
遗憾的是，与已经在其上沉积有陶瓷涂层的下层部件材料相比，所沉积的陶瓷涂层经常具有比所需表面粗糙度及孔隙度更大的表面粗糙度及孔隙度。具有不期望的高表面粗糙度及孔隙度的保护性陶瓷涂层容易断裂及脱落，并且因此在处理腔室中产生颗粒，在该处理腔室中这些颗粒可以最终转移到设置在其中的基板的器件侧表面。在基板上制造器件期间的基板的颗粒污染将经常使得器件损坏，从而由受污染的基板导致被抑制的器件良率。
由此，在本领域中需要对陶瓷处理部件及处理部件的陶瓷涂布表面的改进的表面处理方法。
发明内容
本公开内容的实施方式提供了对陶瓷基板或陶瓷涂布的基板进行激光辅助改性(亦即，激光抛光)以期望地降低其表面粗糙度及孔隙度的方法。
在一个实施方式中，一种激光抛光工件表面的方法包括用脉冲激光光束扫描工件表面的至少一部分。激光光束具有约50kHz或更大的脉冲频率以及约10mm2或更小的光斑大小，并且工件表面包含陶瓷材料。
在一个实施方式中，一种激光抛光工件表面的方法包括用具有约50kHz或更大的脉冲频率以及约10mm或更小的光斑大小的脉冲激光光束扫描工件表面的至少一部分。在本文中，工件表面包含陶瓷材料，并且工件是与等离子体处理腔室一起使用的处理部件，处理部件包含气体注入器、喷头、基板支撑件、支撑轴件、门、内衬、屏蔽件或机器人终端受动器中的一个。
在一个实施方式中，一种激光抛光工件表面的方法包括用具有约50kHz或更大的脉冲频率以及约10mm2或更小的光斑大小的脉冲激光光束扫描工件表面的至少一部分。在本文中，工件表面包含石英或铝、钛、钽或钇的氮化物、氟化物、氧化物、氮氧化物或氟氧化物，并且工件是与等离子体处理腔室一起使用的处理部件，工件包含气体注入器、喷头、基板支撑件、支撑轴件、门、内衬、屏蔽件或机器人终端受动器中的一个。
附图说明
为了能够详细理解本公开内容的上述特征所用方式，可参考实施方式进行上文所简要概述的本公开内容的更特定描述，其中一些实施方式在附图中示出。然而，要注意，附图仅示出示例性实施方式，并且由此不被认为限制其范围，本发明可允许其他等效的实施方式。
图1是根据一个实施方式的具有一或多个处理部件的处理腔室的截面示意图，所述处理部件已经使用本文描述的激光辅助表面改性(激光抛光)方法抛光。
图2A是根据一个实施方式的具有使用本文描述的激光抛光方法抛光的一或多个表面的基板支撑件的示意性等角视图。
图2B是图2A所示的基板支撑件的一部分的近观等角截面图。
图3是根据一个实施方式的可用于实践本文阐述的方法的激光抛光系统的示意性表示。
图4阐述使用图3所绘示的激光抛光系统来激光抛光工件表面的方法。
为了便于理解，已尽可能使用相同元件符号标识图中共有的相同元件。可以预期，一个实施方式的元件及特征可有利地并入其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
本公开内容的实施方式提供了对陶瓷基板或陶瓷涂布的基板进行激光辅助改性(亦即，激光抛光)以期望地降低其表面粗糙度及孔隙度的方法。本文描述的激光抛光方法有利地允许对待抛光的表面面积进行精确的亚毫米尺度抛光控制，并且因此在期望进行材料抛光的表面区域与不期望进行材料抛光的相邻设置的表面区域或其中形成的开口之间提供期望的高分辨率。在一些实施方式中，本文描述的方法用于抛光可在电子器件制造(例如，半导体器件制造)领域中使用的陶瓷处理腔室部件、或处理腔室部件的陶瓷涂布的表面。可受益于本文描述的激光抛光方法的处理腔室部件的实例在图1以及图2A至图2B中图示并绘示。与机械抛光不同，本文提供的激光抛光方法有益地不需要从待抛光的表面移除大量材料。因此，本文提供的方法实现对图案化表面的凹陷表面及凸起特征二者的表面改性，而不具有不期望地平坦化来自图案化表面(诸如在图2A及图2B中进一步描述的基板支撑件的图案化表面)的凸起特征的风险。
图1是根据一个实施方式的具有一或多个处理部件的处理腔室100的截面示意图，所述处理部件已经使用本文描述的激光辅助表面改性(激光抛光)方法抛光。图1所示的处理腔室100是等离子体辅助蚀刻腔室。然而，可以预期，本文描述的激光抛光方法可用于抛光在任何等离子体辅助处理腔室中使用的处理部件或可用于期望高分辨率抛光的任何其他陶瓷表面。
处理腔室100具有腔室主体，腔室主体包括腔室盖101、一或多个侧壁102及腔室基部103。在本文中，处理腔室进一步包括基板支撑件112及喷头107，基板支撑件112及喷头107与一或多个侧壁102共同界定处理容积104。通常，经由穿过腔室盖101设置的入口105、经由穿过一或多个侧壁102设置的一或多个气体注入器106、或经由二者将处理气体输送到处理容积104。穿过其中设置有多个孔洞108的喷头107用于将处理气体均匀分配到处理容积104中。通常，孔洞108的直径为约5mm或更小，诸如约3mm或更小，例如约1mm更小。在一些实施方式中，孔洞108的各个孔洞间隔开，使得在喷头的面向等离子体的表面上设置在孔洞之间的材料的宽度为约10mm或更小。
处理腔室100具有通过由一或多个电感线圈109传递交流频率(诸如RF频率)产生的电感耦合等离子体(ICP)，一或多个电感线圈109在处理容积104外部邻近腔室盖101设置。腔室盖101及喷头107由介电材料(诸如石英)形成。腔室盖101及喷头107形成介电窗，由电感线圈109产生的电磁能量穿过该介电窗耦合到由处理容积104内的气体形成的等离子体110。从线圈上的交流功率施加在处理容积104中的气体上的电磁场用于使用惰性气体并且在一些情形中使用处理容积104中的处理气体点燃并且维持等离子体110。
在本文中，处理容积104通过真空出口111流体耦接到真空源，诸如一或多个专用真空泵，真空源将处理容积104维持在低于大气压条件下，并且从处理容积104抽出处理气体及其他气体。设置在处理容积104中的基板支撑件112设置在密封地延伸穿过腔室基部103(诸如由腔室基部103下方的区域中的波纹管(未图示)围绕)的可移动支撑轴件113上。通常，基板支撑件112包括嵌入其介电材料中的吸附电极(未图示)，该吸附电极通过在基板114与吸附电极之间提供电位来将基板114固定到基板支撑件112。
经常，基板支撑件112用于经由在基板支撑件112的介电材料与其上设置的基板114之间的热传递来将基板114维持在期望温度或在期望的温度范围内。例如，在一些实施方式中，基板支撑件112包括嵌入其介电材料中的加热元件(未图示)，该加热元件用于在处理之前将基板支撑件112以及因此基板114加热到期望温度并且在处理期间将基板114维持在期望温度。对于其他半导体制造工艺而言，期望在基板114的处理期间冷却基板114，因而基板支撑件112热耦接到冷却基座(未图示)，冷却基座通常包含具有流过其中的冷却流体的一或多个冷却通道。在一些情形中，基板支撑件112包括加热元件及冷却通道二者，其促进对基板支撑件112的温度的精细控制。
通常，在处理腔室的处理容积104中的低压气氛将导致在基板支撑件112的介电材料与基板114之间的不良导热性，这降低基板支撑件在加热或冷却基板114时的有效性。由此，在一些工艺中，将导热的惰性气体(通常为氦)引入在基板114的非器件侧表面与基板支撑件112之间设置的背侧容积(未图示)中以改进其间的热传递。背侧容积由基板支撑件112的图案化表面(诸如在图2A至图2B中绘示的图案化表面201)中的一或多个凹陷表面以及其上设置的基板114界定。在一些实施方式中，基板支撑件112的图案化表面201的至少部分使用本文描述的方法来激光抛光。
在本文中，处理腔室100被构造为促进穿过在一或多个侧壁102中的开口115将基板114传送到基板支撑件112以及从基板支撑件112传送基板114，所述开口115在基板处理期间用门116或阀密封。例如，在一些实施方式中，多个升降销(未图示)穿过对应的升降销开口221(在图2A及图2B中图示)可移动地设置以促进基板114到基板支撑件112以及从基板支撑件112的传送，这些升降销开口221穿过基板支撑件112而形成。当多个升降销处于升高的位置时，基板114从基板支撑件112提升以实现机器人搬运器到达基板114。当多个升降销处于降低的位置时，多个升降销的上表面与基板支撑件112的表面齐平或低于基板支撑件112的表面，并且基板放置在该表面上。
本文的处理腔室100包括在腔室主体的一或多个内表面118上并且从一或多个内表面118径向向内设置的一或多个可移除内衬117。处理腔室100进一步包括一或多个屏蔽件，诸如围绕基板支撑件112及支撑轴件113的第一屏蔽件119以及从一或多个侧壁102径向向内设置的第二屏蔽件120。在本文中，使用屏蔽件119及120来将等离子体110限制到处理容积104的期望区域，为处理容积104中的气体界定流动路径，保护腔室壁不受处理气体以及沉积产物或蚀刻剂、或其组合的影响。在一些实施方式中，使用机器人终端受动器(例如，机器人真空棒121)将基板114传送到处理容积中及传送出处理容积。
在本文的实施方式中，上文描述的一或多个处理部件的表面由陶瓷材料形成、其上设置有保护性陶瓷材料涂层或二者都有。用作处理部件或处理部件的保护性涂层的适宜陶瓷的实例包括碳化硅(SiC)、石英、或第Ⅲ族、第Ⅳ族、镧系元素的氟化物、氧化物、氟氧化物、氮化物、及氮氧化物，以及其组合。例如，在一些实施方式中，上文描述的一或多个处理部件的表面由下列形成：石英、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化钛(TiO)、氮化钛(TiN)、氧化钽(Ta2O5)、氮化钽(TaN)、氧化钇(Y2O3)、氟化钇(YF3)、氟氧化钇(YOF)、或钇稳定的氧化锆。
经常将陶瓷涂层沉积到处理部件的至少面向等离子体的表面，以保护下层部件材料不受化学腐蚀及基于等离子体的侵蚀影响。陶瓷涂层使用任何适宜的涂布方法(诸如热喷涂方法，例如，等离子体喷涂)来沉积，其中将陶瓷涂布材料加热到熔融或塑化状态并且喷涂到处理部件的表面上。例如，在一些实施方式中，处理部件是由石英基板形成并且具有沉积到至少其面向等离子体的表面上的基于钇的陶瓷涂层的喷头，诸如喷头107。在其他实施方式中，喷头107的面向等离子体的表面由石英形成，并且本文描述的激光抛光方法用于修复其等离子体诱发的侵蚀，因此延长喷头107的使用寿命。
在其他实施方式中，喷头由导电材料(诸如铝)形成，并且在喷头与腔室壁或基板支撑件112之间维持电容耦合等离子体(CCP)。在其他实施方式中，微波源用于使用惰性气体并且在一些情形中使用处理气体在处理容积中产生等离子体。在一些实施方式中，气体等离子体在被输送到处理容积104中之前使用远程等离子体源(未图示)远离处理容积104而产生。
图2A是基板支撑件112的示意性等角视图，所述基板支撑件112具有使用本文描述的激光抛光方法抛光的一或多个陶瓷表面。图2B是图2A所示的基板支撑件112的一部分的近观等角截面图。
在本文中，基板支撑件112具有含从一或多个凹陷表面216延伸的多个凸起特征的图案化表面201。凸起特征包括多个突起217、一或多个外部密封带(诸如第二外部密封带215及第一外部密封带213)以及多个内部密封带219。第一外部密封带213围绕图案化表面201的中心且邻近图案化表面201的外部周边同心地设置，并且第二外部密封带215邻近第一外部密封带213并且从第一外部密封带213径向向内地围绕图案化表面201的中心同心地设置。内部密封带219的每一个围绕穿过基板支撑件112形成的相应升降销开口221同轴地设置。当将基板114夹持到基板支撑件112时，凸起特征及一或多个凹陷表面216、以及基板114的非器件侧表面(图1所示)界定背侧容积的边界表面。
如图所示，多个突起217实质上为圆柱形，并且具有在约500μm与约5mm之间的平均直径D1、在约5mm与约20mm之间的中心到中心(center to center；CTC)间隔D2、以及在约3μm与约700μm之间的高度H。在其他实施方式中，多个突起217包含任何其他适宜形状，诸如方形或矩形方块、圆锥、楔状物、角锥、柱、圆柱体、或变化大小的其他突起、或其组合，所述形状延伸超出凹陷表面216以支撑基板114并且使用任何适宜方法形成。
在本文中，第一外部密封带213及第二外部密封带215具有实质上矩形的截面轮廓，该轮廓具有在约500μm与约5mm之间的宽度及高度H。多个内部密封带219(每个内部密封带围绕每个升降销开口)在其内径与外径之间通常具有实质上矩形的截面轮廓，该轮廓具有高度H及宽度W。当将基板114夹持到基板支撑件112时，多个突起217至少保持基板114与凹陷表面216间隔开，这允许导热惰性气体(本文中为氦)从气体入口流过基板114与基板支撑件112之间的背侧容积。当将基板114夹持到基板支撑件112(图1所示)时，密封带213、215及219防止或实质上减轻气体从背侧容积流动到处理腔室100的处理容积104中。
在其他实施方式中，多个突起217包含任何其他适宜形状，诸如方形或矩形方块、圆锥、楔状物、角锥、柱、圆柱体、或变化大小的其他突起、或其组合，所述形状延伸超出凹陷表面216以支撑基板114并且使用任何适宜方法形成。在一些实施方式中，在基板支撑件112的基板接触表面229与其上设置的基板的非器件侧表面之间的接触面积小于约30％，诸如小于约20％、诸如小于约15％、小于约10％、小于约5％，例如，小于约3％。
通常，基板支撑件112的图案化表面201使用加成制造工艺、减成制造工艺或其组合来形成。在常见的加成制造工艺中，将凸起特征穿过掩模沉积到基板支撑件112的预图案化表面上，所述掩模具有穿过其的对应开口。在沉积凸起特征之前，将形成基板支撑件112的凹陷表面216的预图案化表面通常被平坦化或以其他方式处理到期望表面修整度。然而，凸起表面的基板接触特征经常具有不期望的高表面粗糙度，并且因此，在一些实施方式中，使用本文描述的方法来激光抛光。
在典型减成制造工艺中，从穿过其上设置的而形成的对应开口从基板支撑件的预图案化表面移除(例如，通过喷砂)来自待形成的凹陷区域的材料。如同加成制造工艺，在移除来自待形成的凹陷区域的材料之前，将形成基板接触表面的预图案化表面经常被平坦化或以其他方式处理到期望表面修整度。然而，在凹陷区域中的表面216经常具有不期望的高表面粗糙度，并且因此，在一些实施方式中，使用本文描述的方法来激光抛光。
图3是根据一个实施方式的可用于实践本文阐述的方法的激光抛光系统300的示意性表示。激光抛光系统300具有用于支撑和定位其上设置的工件304的平移平台302、以及扫描激光源306。在本文中，扫描激光源306设置在平台302上方，并且面向平台302以将脉冲激光光束308引导到待抛光工件304的表面上。在其他实施方式中，激光源306不设置在平台302上方，并且激光抛光系统300包括用于将激光光束308从激光源306引导到工件304的表面上的期望位置的一或多个镜子(未图示)。
在一些实施方式中，激光抛光系统300进一步包括影像传感器310，诸如3D扫描器，所述影像传感器用于绘制工件304的表面的图像并且产生其3D影像。在一些实施方式中，影像传感器310用于绘制基板支撑件的基板接触表面、基板支撑件的凹陷表面、或在穿过喷头的面向等离子体的表面形成的孔洞之间设置的喷头的材料表面的图像。将影像图像传送到系统控制器，其控制激光抛光系统的操作，包括平台302的移动以及激光源306的操作。影像图像被系统控制器用于选择性激光抛光工件上的期望表面而不使不期望进行激光抛光的其间的表面暴露于激光光束。
在本文中，激光源提供具有适用于本文描述的一或多个处理部件的特征或特征之间的高分辨率抛光的光斑大小(亦即，光束的横截面积)的脉冲激光光束。在本文中，光斑的直径为约10mm或更小，诸如约5mm或更小，或例如1mm或更小。在一些实施方式中，光斑大小为约500mm2或更小，诸如约150mm2或更小，或约100mm2或更小。在一些实施方式中，光斑大小在约0.001mm2与约10mm2之间，诸如在约0.001mm2与约5mm2之间、在约0.001mm2与约1mm2之间、在约0.001mm2与约0.5mm2之间，例如，在约0.001mm2与约0.1mm2之间。在一些实施方式中，光束的光斑大小为约10mm2或更小，诸如5mm2或更小、2.5mm2或更小、1mm2或更小、0.5mm2或更小、0.1mm2或更小、0.5mm2或更小，或例如约0.01mm2或更小。
在本文中，脉冲重复速率(亦即，激光光束的脉冲频率)为约500Hz或更大，诸如约1kHz或更大、约5kHz或更大、约10kHz或更大、约100kHz或更大、约500kHz或更大，例如，约1MHz或更大。在一些实施方式中，关于在约0.001mm2与约0.01mm2之间的光斑大小的脉冲频率为约100kHz或更大，例如约500kHz或更大。在一些实施方式中，关于在约0.01mm2与约0.1mm2之间的光斑大小的脉冲频率为约10kHz或更大，诸如约100kHz或更大。在一些实施方式中，关于在约0.1mm2与约1mm2之间的光斑大小的脉冲频率为约1kHz或更大。在一些实施方式中，关于大于约1mm2的光斑大小的脉冲频率为约1kHz或更大。在一些实施方式中，平均脉冲持续时间为约10μs或更小，诸如约1μs或更小、约0.5μs或更小、或例如约0.1μs或更小。通常，脉冲光束的接通占空比为约50％或更小，诸如约40％或更小、约30％或更小、约20％或更小、或例如约10％或更小。在一些实施方式中，每个激光脉冲的峰值能量在约4μJ与约500μJ之间，或例如大于约1μJ、大于约10μJ，诸如大于约50μJ、或大于约100μJ。在一些实施方式中，激光光束的脉冲能量密度为约6000mW/cm2或更小，诸如约1000mW/cm2或更小、约500mW/cm2或更小、约250mW/cm2或更小、约100mW/cm2或更小、约50mW/cm2或更小、或例如约10mW/cm2或更小。例如，在一些实施方式中，本文描述的光斑大小或直径中的任何一个的脉冲频率或者本文描述的光斑大小或直径的范围的任何一个的脉冲频率在约10kHz与约500kHz之间，诸如在约50kHz与约250kHz之间，每层脉冲的峰值能量在约50μJ与250μJ之间，并且脉冲能量密度为约100mW/cm2或更小，诸如约50mW/cm2或更小，例如约25mW/cm2或更小。
在本文中，激光光束308及平台302中的一个或两个在x及y方向上移动以达成跨工件304的表面扫描激光光束308，以便促进工件304的表面的激光抛光。控制激光光束308与工件304之间的相对移动以达成将待抛光的表面上的每个点暴露至3或更多个激光脉冲(激光照射(shot))，或例如在约3次与约300次之间的激光照射。
图4阐述了使用图3绘示的激光抛光系统来激光抛光工件的方法。在动作401，方法400包括用具有约500kHz或更大的脉冲频率以及约10mm2或更小的光斑大小的脉冲激光光束扫描(诸如以光栅图案)工件表面的至少一部分。在本文中，工件表面包含陶瓷材料。通常，跨工件表面扫描脉冲激光光束将激光光束被引导到的陶瓷材料的表面加热到大于材料的熔点但小于材料的蒸发点的温度。因此，跨工件表面的至少一部分扫描激光光束使陶瓷材料期望地重流(reflow)，以降低其表面粗糙度及孔隙度。
在一些实施方式中，本文描述的激光抛光方法将陶瓷涂层的表面粗糙度(Ra)降低了大于约10％，诸如大于约20％。在一些实施方式中，抛光方法将陶瓷涂层的孔隙度降低了大于约30％，诸如大于约40％，例如大于约50％。在一些实施方式中，陶瓷涂层包含钇并且本文描述的激光抛光方法将基于钇的涂层的表面粗糙度(Ra)降低了约20％或更大，并将基于钇的涂层的孔隙度降低了约50％或更大。
在一些实施方式中，工件是要与等离子体处理腔室(诸如图1中绘示的处理腔室)一起使用或要在等离子体处理腔室中使用的处理部件。在一些实施方式中，工件包含气体注入器、喷头、基板支撑件、支撑轴件、门、内衬、屏蔽件或机器人终端受动器中的一个。在一些实施方式中，陶瓷材料包含下列中的一个或其组合：碳化硅(SiC)或第Ⅲ族、第Ⅳ族、或镧系元素的氟化物、氧化物、氟氧化物、氮化物、或氮氧化物。在一些实施方式中，先前已经使用的处理部件是等离子体处理腔室，并且本文阐述的激光抛光方法用于重新修整处理部件以修复对其的化学腐蚀或等离子体诱发的侵蚀破坏。
在一些实施方式中，处理部件包含由石英基板形成的喷头，所述石英基板进一步包括在其面向等离子体的表面上设置的基于钇的保护性涂层。在穿过石英基板形成多个孔洞之前，将基于钇的保护性涂层沉积到石英基板的表面上。因此，孔洞的内表面包含暴露的石英。在本文中，激光抛光喷头包括跨在多个孔洞的各个孔洞之间设置的基于钇的保护性涂层扫描脉冲激光光束。在其他实施方式中，待激光抛光的表面包含具有或不具有保护性涂层的石英喷头的面向等离子体的表面，其中激光抛光用于修复等离子体诱发的对其表面的侵蚀破坏。与本文描述的方法一起使用的激光光斑大小有益地提供了足够的分辨率以激光抛光直到多个孔洞的边缘，而无激光光束行进到孔洞中。这种相对高的分辨率允许实质上完成对喷头的面向等离子体的表面的激光抛光，而不造成不期望的破坏或不期望的重流到在孔洞内部的暴露的石英表面或基于钇的涂层或石英表面重流到孔洞中。
在一些实施方式中，处理部件的待激光抛光的表面包含基板支撑件(诸如图2A图至2B中绘示的基板支撑件)的图案化表面。在一些实施方式中，抛光基板支撑件的图案化表面包含激光抛光在其间设置的凸起区域或凹陷区域的基板接触表面的一个而非两个。
可与本文描述的实施方式一起使用的示例性激光抛光参数在表1的栏A、栏B及栏C中列出。在栏A的实例中，方法提供了从5mW/cm2至25mW/cm2的激光光束脉冲能量密度。在栏B的实例中，方法提供了从50mW/cm2至250mW/cm2的激光光束脉冲能量密度。在栏C的实例中，方法提供了从1500mW/cm2至6000mW/cm2的激光光束脉冲能量密度。
尽管上述内容涉及本公开内容的实施方式，但可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其他及进一步实施方式，并且本公开内容的范围由随附权利要求书确定。
Claims (15)
1.一种激光抛光工件表面的方法，包含：
用具有约500kHz或更大的脉冲频率以及约10mm或更小的光斑大小的脉冲激光光束扫描所述工件表面的至少一部分，其中所述工件表面包含陶瓷材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述工件包含气体注入器、喷头、基板支撑件、支撑轴件、门、内衬、屏蔽件或机器人终端受动器中的一个。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述工件表面是基板支撑件的图案化表面，所述图案化表面包含从一或多个凹陷区域延伸的多个凸起特征。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述图案化表面的基板接触表面面积小于待设置在所述基板支撑件上的基板的非器件侧表面面积的约30％。
5.如权利要求2所述的方法，其中
其中所述工件包含具有面向等离子体的表面的石英喷头，所述面向等离子体的表面包含石英或基于钇的保护性涂层，并且
激光抛光所述工件表面包含跨在所述面向等离子体的表面中形成的孔洞之间设置的所述石英或基于钇的涂层扫描所述脉冲激光光束。
6.如权利要求5所述的方法，其中激光抛光所述工件表面不包含跨在所述面向等离子体的表面中形成的所述孔洞扫描所述脉冲激光光束。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述激光的所述光斑大小为约1mm或更小。
8.一种激光抛光工件表面的方法，包含：
用具有约500kHz或更大的脉冲频率以及约10mm或更小的光斑大小的脉冲激光光束扫描所述工件表面的至少一部分，其中
所述工件表面包含陶瓷材料，并且
所述工件是与等离子体处理腔室一起使用的处理部件，所述工件包含气体注入器、喷头、基板支撑件、支撑轴件、门、内衬、屏蔽件或机器人终端受动器中的一个。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述处理部件包含具有面向等离子体的表面的石英喷头，所述面向等离子体的表面包含石英或基于钇的保护性涂层，并且
激光抛光所述工件表面包含跨在所述面向等离子体的表面中形成的孔洞之间设置的所述石英或基于钇的涂层扫描所述脉冲激光光束。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述工件表面是基板支撑件的图案化表面，所述图案化表面包含从一或多个凹陷区域延伸的多个凸起特征。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述图案化表面的基板接触表面面积小于待设置在所述基板支撑件上的基板的非器件侧表面面积的约30％。
12.一种激光抛光工件表面的方法，包含：
用具有约500kHz或更大的脉冲频率以及约10mm或更小的光斑大小的脉冲激光光束扫描所述工件表面的至少一部分，其中
所述工件表面包含铝、钛或钇的氮化物、氟化物、氧化物、氮氧化物或氟氧化物，并且
所述工件是与等离子体处理腔室一起使用的处理部件，所述工件包含气体注入器、喷头、基板支撑件、支撑轴件、门、内衬、屏蔽件或机器人终端受动器中的一个。
13.如权利要求12所述的方法，其中
其中所述处理部件包含具有面向等离子体的表面的石英喷头，所述面向等离子体的表面包含石英或基于钇的保护性涂层，并且
激光抛光所述工件表面包含跨在所述面向等离子体的表面中形成的孔洞之间设置的所述石英或基于钇的涂层扫描所述脉冲激光光束。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述工件表面是基板支撑件的图案化表面，所述图案化表面包含从一或多个凹陷区域延伸的多个凸起特征。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述图案化表面的基板接触表面面积小于待设置在所述基板支撑件上的基板的非器件侧表面面积的约30％。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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