KR20160105320A - 표면들을 코팅하기 위한 방법 - Google Patents

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KR20160105320A
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리화 리 황
에반 이. 패튼
아란 포피올카우스키
브렛 씨. 리차드슨
홍 시
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법이 제공된다. 세라믹층이 기판 위에 증착되고, 세라믹층은 다공성을 갖는다. 기판에 대미지를 주지 않고 세라믹층이 용융하게 하는 온도로 세라믹층의 영역의 국부화된 가열이 제공되고, 세라믹층을 용융하는 것은 다공성을 감소시키거나 균열들 또는 원주형 입자 경계들을 시일링한다. 국부화된 가열에 의해 가열된 세라믹층의 영역은 세라믹층 위에 주사된다 (scanned).

Description

표면들을 코팅하기 위한 방법{METHOD FOR COATING SURFACES}
본 발명은 반도체 디바이스들의 제작에 관련된다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 디바이스들을 제작하는데 사용된 챔버 표면들을 코팅하는 것에 관련된다.
반도체 웨이퍼 프로세싱 동안, 플라즈마 프로세싱 챔버들은 반도체 디바이스들을 프로세싱하는데 사용된다. 챔버 표면들을 보호하기 위해 코팅들이 사용된다.
전술한 바를 달성하기 위해, 그리고 본 발명의 목적에 따라, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법이 제공된다. 세라믹층이 기판 위에 증착되고, 세라믹층은 다공성을 갖는다. 기판에 대미지를 주지 않고 세라믹층이 용융되게 하는 온도로 세라믹층의 영역의 국부화된 가열이 제공되고, 세라믹층의 용융은 다공성을 감소시키거나 균열들 (fissures) 또는 원주형 입자 경계들을 시일링한다. 세라믹층 위에서 국부화된 가열에 의해 가열된 세라믹층의 영역이 스캐닝된다.
본 발명의 또 다른 현상에서, 플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트를 형성하기 위한 방법이 제공된다. 세라믹층은 플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트 위에 열적으로 스프레이되고, 세라믹층은 다공성을 갖는다. 세라믹층의 영역의 국부화된 가열은 컴포넌트에 대미지를 주지 않고 세라믹층이 용융하게 하는 온도로 제공되고, 세라믹층을 용융시키는 것은 다공성을 감소시키거나 균열들 또는 원주형 입자 경계들을 시일링한다. 세라믹층 위에서 국부화된 가열에 의해 가열된 세라믹층의 영역이 스캐닝된다. 컴포넌트는 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 장착된다.
본 발명의 이들 및 다른 특징들은 본 발명의 상세한 기술 및 이하의 도면들과 함께 보다 상세히 이하에서 기술될 것이다.
본 발명은 예로서 그리고 비한정적인 방식으로, 유사한 참조 번호들이 유사한 엘리먼트들을 참조하는, 첨부된 도면들의 도면들에 예시된다.
도 1은 본 발명의 실시예의 고레벨 흐름도이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 실시예에 따라 프로세싱된 기판의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에서 사용될 수도 있는 국부화된 가열 시스템의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 사용될 수도 있는 에칭 반응기의 개략도이다.
본 발명은 이제 첨부된 도면들에 예시된 바와 같이, 몇몇 바람직한 실시예들을 참조하여 상세히 기술될 것이다. 이하의 기술에서, 본 발명의 전체적인 이해를 제공하기 위해 다수의 구체적인 상세들이 언급된다. 그러나, 본 발명은 이들 구체적인 상세들 일부 또는 전부가 없이도 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 이해될 것이다. 다른 예들에서, 공지의 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다.
이해를 용이하게 하기 위해, 도 1은 본 발명의 실시예에서 사용된 프로세스의 고레벨 흐름도이다. 세라믹층은 기판 위에 증착되고, 세라믹층은 다공성 및/또는 연약한 경계 입자들을 갖는다 (단계 104). 세라믹층은 다공성 감소 프로세스를 겪는다 (단계 108). 다공성 감소 프로세스 (단계 108) 는 기판에 대미지를 주지 않고 세라믹층이 용융하게 하는 온도로 세라믹층의 영역의 국부화된 가열을 제공하는 단계들 (단계 112) 을 포함하고, 용융은 세라믹층 위의 국부화된 가열에 의해 가열된 세라믹층의 다공성을 감소시킨다 (단계 116). 프로세스를 반복할 지 여부에 대한 결정이 이루어진다 (단계 120). 프로세스가 반복되면, 다공성 감소 프로세스 (단계 108) 가 반복된다. 프로세스가 더 반복되지 않으면, 기판은 라이너 또는 또 다른 챔버 컴포넌트의 커버와 같은 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 컴포넌트가 되거나 전극으로서 기판이 이용된다 (단계 124). 나중에 기판은 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 사용된다 (단계 128).
예들
본 발명의 바람직한 실시예의 예에서, 세라믹층이 기판 위에 증착된다 (단계 104). 도 2a는 기판 (204) 위에 세라믹층 (208) 을 갖는 기판 (204) 의 개략적인 단면도이다. 세라믹층 (208) 은 음영으로 나타낸 다공성을 갖는다. 이 실시예에서, 세라믹층 (208) 은 열적 스프레이 증착에 의해 증착된다. 다른 실시예들에서, 세라믹층은 플라즈마 스프레이, 서스펜션 스프레이, PVD (plasma vapor deposition), CVD (chemical vapor deposition), 또는 에어로졸 증착에 의해 증착될 수도 있다. 이 실시예에서 기판은 알루미늄이다. 다른 실시예들에서, 기판은 알루미나, 실리콘 카바이드, 양극산화된 알루미늄, 이트리아 또는 AlN이다. 이 실시예에서, 세라믹층 (208) 은 이트륨 옥사이드 (이트리아) 를 포함한다. 다른 실시예들에서, 세라믹층 (208) 은 이트륨 플루오라이드, 이트륨 옥시플루오라이드 (YOF), 이트리아 안정화 지르코니아 (YSZ), 이트륨, 세륨 옥사이드, 알루미늄 플루오라이드, 희토류 옥사이드, 또는 세라믹 코팅들의 다른 조합들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 세라믹층은 옥사이드로 이루어진다.
열적 스프레이는 플라즈마 스프레이, 아크 스프레이, 불꽃/연소 스프레이, 및 플라즈마 스프레이와 같은 다양한 코팅 프로세스들을 기술하기 위해 사용된 일반적인 용어이다. 모든 열적 스프레이는 고체를 용융된 상태 또는 가소화된 상태로 가열하기 위해 에너지를 사용한다. 용융된 재료 또는 가소화된 재료는, 용융된 재료 또는 가소화된 재료가 기판의 표면을 코팅하고 냉각하도록 기판을 향해 가속된다. 바람직하게, 플라즈마 스프레이는 이트리아 코팅을 제공하기 위해 사용된다. 이들 프로세스들은, 용융된 재료 대신 기화된 재료를 사용하는, 증기 증착 프로세스들과 구별된다.
세라믹층은 다공성 감소 프로세스를 겪는다 (단계 108). 이 프로세스에서, 기판 (204) 에 대미지를 주지 않고 국부화된 영역에서 세라믹 코팅층을 용융시키는 온도로 국부화된 영역을 가열하기 위해, 세라믹층 (208) 의 영역의 국부화된 가열이 제공된다 (단계 112). 에너지는 표면으로부터 100 ㎛를 초과하는 재료는 용융되지 않도록, 세라믹 코팅의 상단 100 ㎛ 이하에서 주로 소산된다. 보다 바람직하게 표면으로부터 20 ㎛를 초과하는 재료는 용융되지 않는다. 이는 세라믹 코팅층에 의해 흡수된 에너지 소스의 선택을 필요로 한다. 세라믹층의 용융은 다공성을 감소시킨다. 세라믹의 용융은 목표된 재료 특성들 (예를 들어, 용융 깊이, 표면 마감) 을 달성하기 위해 복수회 노출들로 세라믹의 재용융 및 에너지 레벨들을 변화시키는 것을 또한 포함할 수도 있다.
도 3은 세라믹층 (208) 의 국부화된 가열 (단계 112) 을 제공하기 위한 국부화된 가열 시스템 (300) 의 개략도이다. 국부화된 가열 시스템 (300) 은 원주 (320) 를 포함한다. 캐소드 (306) 를 둘러싸는 바이어스 컵 (316) 이 원주 (320) 에 위치된다. 예를 들어, 캐소드 (306) 는 텅스텐과 같은 재료를 포함하는 필라멘트일 수도 있다. 고전압 케이블 (322) 이 캐소드 (306) 에 커플링된다.
애노드 (308) 및 2 쌍의 고속 디플렉터 (deflector) 코일들 (312a, 312b) 캐캐소드 (306) 로부터 이격되고 캐소드 (306) 밑에 있다. 패스 쓰루홀 (318) 이 애노드 (308) 내에 형성된다. 통상적으로 설계상 원형이고 원주 (320) 와 중심이 같은, 고속 포커싱 코일 (310) 이 애노드 (308) 밑에 위치된다. 2 쌍의 고속 디플렉터 코일들 (312a, 312b) 은 고속 포커싱 코일 (310) 밑에 존재한다. 상단 표면 (314t) 을 갖는 작업 챔버 (314) 가 원주 (320) 에 커플링되고 원주 (320) 아래에 존재한다. 작업 챔버 (314) 는 일반적으로 기판 지지부 (340) 를 포함한다. 기판 지지부 (340) 는 방향 및 y 방향으로 기판 지지부 (340) 를 독립적으로 이동시키기 위해 2차원 병진 시스템 (342) 에 커플링될 수도 있다. 이 예에서, 병진 시스템 (342) 은 x 방향으로 기판 지지부 (340) 를 이동시키기 위한 x 스테이지 (343) 및 y 방향으로 기판 지지부 (340) 를 이동시키기 위한 y 스테이지 (344) 를 포함한다. 2차원 병진 시스템 (342) 은 전자기 빔 (302) 에 대해 기판을 이동시킨다. 기판 지지부 (340) 는 예를 들어, 저항 가열기와 같은 가열 엘리먼트 (350), 및/또는 프로세스 동안 기판 온도를 제어하기 위한 수 냉각 플레이트 (water cooled plate) 와 같은 히트 싱크를 더 포함할 수도 있다. 격리 밸브 (328) 는, 작업 챔버 (314) 가 격리 밸브 (328) 위의 원주 (320) 부분과 상이한 압력으로 유지되도록, 애노드 (308) 와 고속 포커싱 코일 (310) 사이에 배치되고 대체로 원주 (320) 를 분할한다. 제 1 펌프 (324) 는 원주 (320) 와 유체로 연통한다. 제 2 펌프 (330) 는 작업 챔버 (314) 와 유체로 연통한다.
도 3은 전자 빔 시스템과 같은 국부화된 가열 시스템 (300) 을 구체적으로 도시하지만, 국부화된 가열 시스템에 대한 다른 실시예들에서 양자들, 중성자들, X-레이들, 또는 광자들과 같은, 전자기 파들 또는 입자들의 다른 빔들을 사용하는 것이 본 발명의 범위 내에 있다. 국부화된 가열 시스템은 채용된 특정한 타입의 전자기 복사에 따라 스캐닝 시스템 및 포커싱 시스템을 포함한다.
세라믹층 (208) 을 갖는 기판 (204) 이 국부화된 가열 시스템 내에 위치된다. 세라믹층 (208) 의 국부적인 영역은 기판 (204) 에 대미지를 주지 않고 세라믹층이 용융하게 하는 온도로 가열되고, 용융은 다공성을 감소시킨다 (단계 112). 이 예에서, 작업 챔버 (314) 내의 압력은 대략 10-3 mbar로 감소된다. 전자 빔 (302) 은 캐소드 (306) 를 가열하고 전류를 캐소드에 인가함으로써 형성된다. 캐소드 (306) 로부터 전자들이 탈출하고 바이어스 컵 (316) 에 모인다. 애노드 (308) 에 대해 음의 고전압 전위가 케이블 (322) 을 통해 캐소드 (306) 에 인가된다. 전자 빔 (302) 은 세라믹층 (208) 의 국부화된 영역의 가열을 유발하도록 세라믹층 (208) 으로 지향된다. 바람직하게, 국부화된 가열 시스템 (300) 은 30 내지 150 Kv의 전자 가속 전압 및 0.1 내지 10 mA의 전류를 제공한다. 전자 빔은, 전자 빔으로부터의 전자들에 의해 직접 가열된 국부화된 가열 영역이 80 내지 200 ㎛의 직경을 갖도록, 80 내지 200 ㎛의 직경으로 세라믹층 (208) 상에 빔 스폿을 생성한다.
세라믹층 (208) 의 가열된 국부화된 영역은 세라믹층 (208) 위에서 스캐닝된다 (단계 116). 다양한 실시예들에서, 2차원 병진 시스템 (342) 또는 디플렉터 코일들 (312a, 312b) 은 스캐닝를 제공하기 위해 개별적으로 또는 조합하여 사용될 수도 있다. 이 실시예에서, 스캐닝는 x 방향 및 y 방향을 따라 행들 및 열들을 형성하는 직교좌표이다. 다른 실시예들에서, 스캐닝는 나선형 경로로 회전할 수도 있다. 국부적인 가열은 세라믹층 (208) 이 용융하고 재고형화되게 하는 세라믹층 (208) 의 용융 온도로 세라믹층 (208) 을 가열한다. 일부 실시예들에서, 세라믹층은 용융이 재용융이 되도록 이전에 용융되었다. 이 예에서, 국부화된 영역은 세라믹층 (208) 위에서 2회 스캐닝될 것이라고 결정된다 (단계 120). 이 실시예에서, 제 2 스캐닝는 제 1 스캐닝와 상이한 온도로 이루어질 것이다. 다른 실시예들에서, 제 2 스캐닝는 동일한 온도로 이루어질 것이다.
도 2b는 국부화된 영역이 세라믹층 (208) 위에서 2회 스캐닝된 후 기판 (204) 위에 세라믹층 (208) 을 갖는 기판 (204) 의 개략적인 단면도이다. 프로세스는 감소된 음영으로 나타낸 바와 같이, 다공성을 감소시킨다.
이어서 기판 (204) 은 플라즈마 프로세싱 챔버의 일부가 된다 (단계 124). 도 4는 기판이 장착된 플라즈마 프로세싱 챔버 (400) 의 개략도이다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (400) 는 한정 링들 (402), 상부 전극 (404), 하부 전극 (408), 가스 소스 (410), 라이너 (462), 및 배기 펌프 (420) 를 포함한다. 라이너 (462) 는 재용융된 세라믹층을 갖는 기판으로부터 형성된다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (400) 내에서, 웨이퍼 (466) 는 하부 전극 (408) 위에 위치된다. 하부 전극 (408) 은 웨이퍼 (466) 를 홀딩하기 위해 적합한 기판 척킹 메커니즘 (예를 들어, 정전, 기계적 클램핑, 등) 을 포함한다. 반응기 상단부 (428) 는 하부 전극 (408) 에 바로 반대되게 배치된 상부 전극 (404) 을 포함한다. 상부 전극 (404), 하부 전극 (408), 및 한정 링들 (402) 은 한정된 플라즈마 볼륨 (440) 을 규정한다.
가스는 가스 소스 (410) 에 의해 가스 유입부 (443) 를 통해 한정된 플라즈마 볼륨 (440) 에 공급되고, 한정된 플라즈마 볼륨 (440) 으로부터 한정 링들 (402) 및 배기 포트를 통해 배기 펌프 (420) 에 의해 배기된다. 가스를 배기하는 것을 돕는 것 외에, 배기 펌프 (420) 는 압력을 조절하는 것을 돕는다. RF 소스 (448) 는 하부 전극 (408) 에 전기적으로 연결된다.
챔버 벽들 (452) 은 라이너 (462), 한정 링들 (402), 상부 전극 (404), 및 하부 전극 (408) 을 둘러싼다. 라이너 (462) 는 가스 또는 플라즈마가 콘택트하는 챔버 벽들 (452) 로부터 한정 링들 (402) 을 통과하는 것을 방지하는 것을 돕는다. RF 전력을 전극에 연결하는 상이한 조합들이 가능하다. 바람직한 실시예에서, 27 ㎒, 60 ㎒ 및 2 ㎒ 전력 소스들은 RF 전력 소스 (448) 가 하부 전극 (408) 에 연결되게 하고, 상부 전극 (404) 은 접지된다. 제어기 (435) 는 RF 소스 (448), 배기 펌프 (420), 및 가스 소스 (410) 에 제어가능하게 연결된다. 프로세스 챔버 (400) 는 CCP (capacitive coupled plasma) 반응기 또는 ICP (inductive coupled plasma) 반응기 또는 표면파, 마이크로파, 또는 ECR (electron cyclotron resonance) 과 같은 다른 소스들일 수도 있다.
이어서 기판은 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서 사용된다 (단계 128). 사용 시, 웨이퍼 (466) 는 하부 전극 (408) 상에 놓인다. 에칭 가스들 또는 증착 가스들과 같은 플라즈마 프로세싱 가스들은 가스 소스 (410) 로부터 플라즈마 프로세싱 챔버 (400) 내로 흐른다. 이 예에서, 플라즈마 프로세싱 가스는 수소 및 할로겐들을 포함하는 컴포넌트들을 갖는다. 플라즈마 프로세싱 가스는 플라즈마 프로세싱을 위해 플라즈마로 형성된다. 일부 할로겐 및 수소 함유 컴포넌트들은 라이너 (462) 상에 증착된다. 챔버가 개방될 때, 수소 및 할로겐 컴포넌트들은 수증기와 함께 산을 형성한다. 고 다공성을 갖는, 세라믹층은 기판을 산에 노출시키고, 이는 기판이 부식되게 한다. 가열 처리는 다공성을 감소시키고, 세라믹층에 의한 산으로부터 기판의 보호를 개선한다.
바람직하게, 세라믹층의 다공성은 처리 전에 5 ％보다 크고, 처리 후에 1 ％보다 작다. 또 다른 실시예에서, 세라믹층의 다공성은 처리 전에 1 ％보다 크고 처리 후에 0.5 ％보다 작다. 두 경우들에서, 다공성은 적어도 50 ％ 정도 감소된다. 바람직하게, 국부화된 가열은 100 ㎛ 미만의 용융 깊이를 갖는다. 이러한 낮은 용융 깊이는 용융되는 세라믹으로 하여금 기판을 용융하거나 대미지를 주지 않고 세라믹을 리플로우 (reflow) 하게 한다. 일부 실시예들에서, 세라믹층 내의 재료는 처음 용융된다. 다른 실시예들에서, 세라믹층 내의 재료는 재용융된다. 다른 실시예들에서, 다른 재료가 재용융되는 동안 일부 재료는 처음 용융된다. 일부 실시예들에서, 기판은 Al, 양극산화된 Al 또는 알루미나이고, 국부적으로 가열된 영역은 적어도 1800 ℃의 온도로 세라믹층을 가열한다. 바람직하게, 전자 빔이 사용될 때, 용융되는 국부화된 영역들은 100 ㎛ 미만의 직경을 갖는다. 레이저 빔이 사용될 때, 용융되는 국부화된 영역들은 5 ㎝ 미만의 직경을 갖는다.
바람직한 실시예에서, 전자 빔은 연속적인 스캐닝를 허용하고, 세라믹층의 보다 고른 용융을 제공하기 위해, 펄싱되기 보다 연속적이다. 일 실시예에서, 세라믹층은 95 ％ 초과의 순도로 규정되는, 고순도 이트리아로 구성된다. 이러한 실시예에서, 레이저는 국부화된 가열을 제공하도록 사용될 수도 있다.
일부 실시예들에서, 용융된 세라믹층은 화학적 저항 및 플라즈마 저항을 개선하기 위해 개선된 균일도, 밀도, 순도, 및 표면 마감을 갖는다. 재용융은 PVD 프로세스의 원주형 입자 경계들을 시일링하도록 사용될 수도 있다. 재용융은 또한 코팅 피츠들 (coating pits) 및 저밀도 영역 에어로졸 증착을 감소시키고, 코팅 경도 및 파괴 인성 (fracture toughness) 을 증가시킬 수 있다. 일부 실시예들에서, 세라믹층은 약 660 ℃의 용융점을 갖는 아래에 놓인 알루미늄 또는 훨씬 보다 높은 용융 온도를 갖는 알루미나 기판에 대미지를 주지 않고, 2200 ℃ 이상의 온도로 가열된다.
일부 실시예들에서, 국부화된 가열 디바이스의 다양한 제어가 제어가능한 가열 깊이를 제공하도록 사용될 수도 있다. 예를 들어, 이온 빔의 바이어스 전압은 세라믹이 용융하는 깊이를 제어하는, 가열 깊이를 증가 또는 감소시키도록 사용될 수도 있다. 바람직하게, 용융 깊이는 100 ㎛ 미만이다. 보다 바람직하게, 용융 깊이는 50 ㎛ 미만이다. 가장 바람직하게, 용융 깊이는 20 ㎛ 미만이다.
본 발명은 몇몇 바람직한 실시예들로 기술되었지만, 본 발명의 범위 내에 있는, 이들의 대안들, 대체들, 수정들 및 다양한 대체 등가물들이 있다. 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하는 많은 대안적인 방식들이 있다는 것을 또한 주의해야 한다. 따라서, 이하의 첨부된 청구항들은 본 발명의 진정한 정신 및 범위 내에 있는 모든 이러한 대안들, 대체들, 및 다양한 대체 등가물들을 포함하는 것으로 해석되도록 의도된다.

Claims (18)

  1. 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법에 있어서,
    다공성을 갖는 세라믹층을 상기 기판 위에 증착하는 단계;
    상기 기판에 대미지를 주지 않고 상기 세라믹층이 용융하게 하는 온도로 상기 세라믹층의 영역의 국부화된 가열을 제공하는 단계로서, 상기 세라믹층의 용융은 상기 다공성을 감소시키거나 균열들 (fissures) 또는 원주형 입자 경계들을 시일링하는, 상기 국부화된 가열을 제공하는 단계; 및
    상기 세라믹층 위에서 상기 국부화된 가열에 의해 가열된 상기 세라믹층의 영역을 스캐닝하는 단계를 포함하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 국부화된 가열을 제공하는 단계는, 전자기 에너지 빔을 제공하는 단계를 포함하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전자기 에너지의 빔은 전자 빔인, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 용융 깊이는 100 ㎛ 미만인, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 증착된 세라믹층의 상기 다공성은, 상기 국부화된 가열이 제공되기 전에 5 ％보다 크고, 상기 국부화된 가열이 제공된 후에 1 ％보다 작은, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 세라믹층 위에서 상기 국부화된 가열에 의해 가열된 상기 세라믹층의 영역을 스캐닝하는 단계는 적어도 2회 상기 세라믹층 위를 스캐닝하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 세라믹층의 영역의 상기 국부화된 가열을 제공하는 단계는 상기 세라믹층의 일부를 재용융하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판을 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 위치시키는 단계를 더 포함하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판은 알루미늄 함유 재료이고, 상기 국부화된 가열은 적어도 1800 ℃의 온도로 상기 세라믹층을 가열하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판은 Al 또는 알루미나를 포함하고, 상기 국부화된 가열은 적어도 1800 ℃의 온도로 상기 세라믹층을 가열하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 세라믹층을 증착하는 단계는 열적 스프레이 코팅을 제공하는 단계를 포함하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 세라믹층은 알루미나 (Al2O3), AlFx, CeO2, 이트리아 (Y2O3), Y, 이트리아 안정화 지르코니아 (YSZ), YFx, 또는 YOF 중 적어도 하나를 포함하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  13. 제 2 항에 있어서,
    상기 전자기 에너지 빔은 레이저 빔인, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 용융 깊이는 100 ㎛ 미만인, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 증착된 세라믹층의 상기 다공성은 상기 국부화된 가열을 제공하기 전에 2 ％보다 크고, 상기 국부화된 가열을 제공한 후에 1 ％보다 작은, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹층 위에서 상기 국부화된 가열에 의해 가열된 상기 세라믹층의 상기 영역을 스캐닝하는 단계는 적어도 2회 상기 세라믹층 위를 스캐닝하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 위치시키는 단계를 더 포함하는, 기판 위에 보호층을 제공하기 위한 방법.
  18. 플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트를 형성하기 위한 방법에 있어서,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트 위에 다공성을 갖는 세라믹층을 열적으로 스프레이하는 단계;
    상기 컴포넌트에 대미지를 주지 않고 상기 세라믹층이 용융하게 하는 온도로 상기 세라믹층의 영역의 국부화된 가열을 제공하는 단계로서, 상기 세라믹층의 용융은 상기 다공성을 감소시키거나 균열들 또는 원주형 입자 경계들을 시일링하는, 상기 국부화된 가열을 제공하는 단계;
    상기 세라믹층 위에서 상기 국부화된 가열에 의해 가열된 상기 세라믹층의 영역을 스캐닝하는 단계; 및
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 상기 컴포넌트를 장착하는 단계를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트를 형성하기 위한 방법.
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