KR102461902B1 - 작업물 프로세싱을 위한 저 입자 용량 결합 컴포넌트들 - Google Patents
작업물 프로세싱을 위한 저 입자 용량 결합 컴포넌트들 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102461902B1 KR102461902B1 KR1020207020451A KR20207020451A KR102461902B1 KR 102461902 B1 KR102461902 B1 KR 102461902B1 KR 1020207020451 A KR1020207020451 A KR 1020207020451A KR 20207020451 A KR20207020451 A KR 20207020451A KR 102461902 B1 KR102461902 B1 KR 102461902B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- shield
- workpiece
- ion source
- dielectric material
- extraction
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 title abstract description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 82
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 72
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/026—Shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0815—Methods of ionisation
- H01J2237/0817—Microwaves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/202—Movement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31705—Impurity or contaminant control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31732—Depositing thin layers on selected microareas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
입자들의 생성을 최소화하면서 작업물 내로 이온들을 주입하기 위한 시스템이 개시된다. 시스템은 추출 개구를 갖는 추출 플레이트를 갖는 이온 소스를 포함한다. 추출 플레이트는 전기적으로 바이어싱되며, 또한 유전체 재료로 코팅될 수 있다. 작업물이 플래튼 상에 배치되고 전기적으로 바이어싱된 실드에 의해 둘러싸인다. 실드가 또한 유전체 재료로 코팅될 수 있다. 동작 시에, 펄스화된 DC 전압이 실드 및 플래튼에 인가되며, 이온들은 이러한 펄스 동안 이온 소스로부터 끌어당겨진다. 펄스화된 전압이 사용되기 때문에, 얇은 유전체 코팅의 임피던스가 감소되어 시스템이 적절하게 기능하는 것을 가능하게 한다.
Description
본 개시의 실시예들은 저 입자 컴포넌트들을 포함하는 웨이퍼 프로세싱을 위한 시스템들에 관한 것으로서, 보다 더 구체적으로는, 유전체 코팅을 갖는 전기적으로 바이어싱된 컴포넌트들을 포함하는 시스템들에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조는 복수의 개별적이고 복잡한 프로세스들을 수반한다. 하나의 이러한 프로세스는, 이온 소스로부터 추출될 수 있는 이온 빔을 사용할 수 있다. 이온 소스에서, 공급 가스가 이온들을 형성하도록 활성화된다. 그런 다음, 이러한 이온들이 추출 플레이트 상에 배치된 추출 개구를 통해 이온 소스로부터 추출된다. 이온들은, 추출 개구에 대하여 스캔되는 작업물로 끌어당겨진다. 이러한 이온들은 작업물 내에 도펀트를 주입하기 위하여, 작업물을 에칭하기 위하여, 작업물 상에 코팅을 증착하기 위하여 또는 작업물을 비정질화(amorphize)하기 위하여 사용될 수 있다.
이온들을 끌어당기기 위하여, 추출 플레이트 및 작업물은 상이한 전압들로 바이어싱될 수 있다. 예를 들어, 작업물이 추출 플레이트보다 더 네거티브하게 바이어싱되는 경우, 이온 소스로부터의 포지티브 이온들이 작업물로 끌어당겨질 것이다.
다수의 실시예들에 있어서, 추출 플레이트는 금속과 같은 전기 전도성 재료로 형성된다. 유사하게, 작업물은 일반적으로 플래튼으로 지칭되는 제 2 전기 전도성 재료 상에 배치된다. 일반적으로 실드 또는 할로(halo)로서 지칭되는 다른 전기 전도성 엘리먼트는, 입자들 및 금속들이 작업물 상에 증착되는 것과 같은 이온 빔 충돌들의 부정적인 영향들로부터 이웃 영역을 보호하기 위하여 다른 전기 전도성 엘리먼트가 작업물을 둘러싸도록 구성될 수 있다. 실드 또는 할로는, 작업물이 균일하게 프로세싱될 수 있도록, 작업물과 매우 유사한 전기 전위 표면 및 전류 경로를 제공한다.
이러한 구성과 연관된 하나의 이슈는 입자들, 특히, 최종적으로 작업물 상에 증착되게 되는 입자들의 생성이다. 특히, 이온들이 이온 소스를 빠져나올 때, 이온들의 에너지는 입자들이 추출 플레이트에 의해 방출되게끔 할 수 있다. 추가적으로, 실드에 충돌하는 이온들이 또한 입자들이 실드에 의해 방출되게끔 할 수 있다. 이러한 입자들이 작업물 상에 증착되게 될 수 있으며, 작업물의 성능을 열화시킬 수 있다.
따라서, 생성되는 입자들의 양을 감소시키는 작업물 내로 이온들을 주입하기 위한 시스템이 존재하는 경우 유익할 것이다. 추가로, 시스템의 동작 파라미터들이 부정적으로 영향을 받지 않는 경우 유익할 것이다.
입자들의 생성을 최소화하면서 작업물 내로 이온들을 주입하기 위한 시스템이 개시된다. 시스템은 추출 개구를 갖는 추출 플레이트를 갖는 이온 소스를 포함한다. 추출 플레이트는 전기적으로 바이어싱되며, 또한 유전체 재료로 코팅될 수 있다. 작업물은 플래튼 상에 배치되며, 전기적으로 바이어싱된 실드에 의해 둘러싸인다. 실드가 또한 유전체 재료로 코팅될 수 있다. 동작 시에, 펄스화된 DC 전압이 실드 및 플래튼에 인가되며, 이온들은 이러한 펄스 동안 이온 소스로부터 끌어당겨진다. 펄스화된 전압이 사용되기 때문에, 얇은 유전체 코팅의 임피던스가 감소되어 시스템이 적절하게 기능하는 것을 가능하게 한다.
제 1 실시예에 따르면, 작업물 프로세싱 시스템이 개시된다. 작업물 프로세싱 시스템은, 복수의 챔버 벽들 및 추출 개구를 갖는 추출 플레이트를 포함하는 이온 소스; 및 추출 개구에 근접하여 배치되는 작업물 홀더를 포함하며, 작업물 홀더는: 작업물을 홀딩하기 위한 플래튼, 및 작업물을 둘러싸는 실드를 포함하고; 여기에서 펄스화된 DC 전압이 이온 소스로부터 이온들을 끌어당기기 위해 인가되며, 여기에서 실드 및 추출 플레이트는 전도성 재료들로 구성되고, 실드 및 추출 플레이트 중 적어도 하나는 유전체 재료로 코팅된다. 특정 실시예들에 있어서, 실드 및 추출 플레이트 둘 모두가 유전체 재료로 코팅된다. 특정 실시예들에 있어서, 유전체 재료는, 이트리어(yttria)를 포함할 수 있는 희토류 산화물을 포함한다. 일부 실시예들에 있어서, 유전체 재료로 코팅된 전도성 재료의 열 팽창 계수(coefficient of thermal expansion; CTE)는 유전체 재료의 CTE의 30% 이내이다. 특정 실시예들에 있어서, 전도성 재료는 티타늄 또는 몰리브데넘을 포함한다. 특정 실시예들에 있어서, DC 전압은 5 내지 50 kHz 사이의 주파수로 펄싱된다.
다른 실시예에 있어서, 작업물 프로세싱 시스템이 개시된다. 작업물 프로세싱 시스템은, 복수의 챔버 벽들; 추출 개구를 갖는 추출 플레이트; 및 추출 개구에 근접하여 이온 소스 내에 배치되는 차단기(blocker)를 포함하는 이온 소스; 및 추출 개구에 근접하여 배치되는 이동가능 작업물 홀더를 포함하며, 이동가능 작업물 홀더는 작업물을 홀딩하기 위한 플래튼, 및 작업물을 둘러싸는 실드를 포함하고; 이온 소스의 내부로부터의 이온들은 차단기에 의해 정의되는 각도로 플래튼을 향해 끌어당겨지며, 실드 및 추출 플레이트는 전도성 재료들로 구성되고, 실드 및 추출 플레이트 중 적어도 하나는 유전체 재료로 코팅된다. 특정 실시예들에 있어서, 펄스화된 DC 전압이 실드 및 플래튼에 인가되며, 이는 5 내지 50 kHz 사이일 수 있다.
다른 실시예에 따르면, 작업물 프로세싱 시스템이 개시된다. 작업물 프로세싱 시스템은, 복수의 챔버 벽들 및 추출 개구를 갖는 추출 플레이트를 포함하는 이온 소스; 및 추출 개구에 근접하여 배치되는 이동가능 작업물 홀더를 포함하며, 이동가능 작업물 홀더는, 작업물을 홀딩하기 위한 플래튼, 및 작업물을 둘러싸는 실드를 포함하고; 여기에서 실드 및 추출 플레이트는 전도성 재료들로 구성되고 각기 유전체 재료로 코팅되며, 전도성 재료들의 열 팽창 계수(CTE)는 유전체 재료의 CTE의 30% 이내이다. 특정 실시예들에 있어서, 유전체 재료는 이트륨을 포함하며, 전도성 재료는 티타늄 또는 몰리브데넘을 포함한다.
본 개시의 더 양호한 이해를 위하여, 본원에 참조로서 포함되는 첨부된 도면들에 대한 참조가 이루어진다.
도 1은 일 실시예에 따른 이온 소스의 도면이다.
도 2는 도 1의 추출 플레이트의 정면도이다.
도 3은 도 1의 실드의 정면도이다.
도 4는 수동 세정 프로세스 다음의 다수의 에칭들에 걸친 입자들의 감소를 예시하는 그래프이다.
도 5는 빔 각도의 함수로서 이온 소스로부터 방출되는 이온 빔들의 전류를 예시하는 그래프이다.
도 1은 일 실시예에 따른 이온 소스의 도면이다.
도 2는 도 1의 추출 플레이트의 정면도이다.
도 3은 도 1의 실드의 정면도이다.
도 4는 수동 세정 프로세스 다음의 다수의 에칭들에 걸친 입자들의 감소를 예시하는 그래프이다.
도 5는 빔 각도의 함수로서 이온 소스로부터 방출되는 이온 빔들의 전류를 예시하는 그래프이다.
이상에서 설명된 바와 같이, 이온들이 이온 소스로부터 추출되는 동안, 활성 이온들이 다양한 컴포넌트들에 충돌하여 금속 컴포넌트들에 의해 입자들의 방출되어 작업물 상에 증착되게끔 할 수 있다. 도 1은 이러한 이슈를 극복하는 시스템의 일 실시예를 도시한다.
시스템(1)은 이온 소스(2)를 포함한다. 이온 소스(2)는 복수의 챔버 벽들(101)로 구성된 이온 소스 챔버(100)를 포함한다. 특정 실시예들에 있어서, 이러한 챔버 벽들(101) 중 하나 이상은 석영과 같은 유전체 재료로 구성될 수 있다. RF 안테나(110)는 제 1 유전체 벽(102)의 외부 표면 상에 배치될 수 있다. RF 안테나(110)는 RF 전원 공급장치(120)에 의해 전력이 공급될 수 있다. RF 안테나(110)로 전달되는 에너지는, 가스 주입구(130)를 통해 도입되는 공급 가스를 이온화하기 위하여 이온 소스 챔버(100) 내에서 방사된다.
추출 플레이트(140)로 지칭되는 하나의 챔버 벽은, 이온들이 이를 통해 이온 소스 챔버(100)를 빠져나갈 수 있는 추출 개구(145)를 포함한다. 추출 플레이트(140)는 티타늄, 탄탈럼 또는 다른 금속과 같은 전기 전도성 재료로 구성될 수 있다. 추출 플레이트(140)의 정면도가 도 2에 예시된다. 추출 플레이트(140)는 폭이 300 밀리미터를 초과할 수 있다. 추가로, 추출 플레이트(145)는 작업물(10)의 직경보다 더 넓을 수 있다. 추출 플레이트(140)는, 예컨대 추출 전원 공급장치(141)를 사용함으로써 추출 전압으로 바이어싱될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 추출 플레이트(140)는 접지될 수 있다.
이온 소스 챔버(100) 내에 차단기(150)가 배치될 수 있다. 차단기(150)는, 추출 개구(145) 근방에서 플라즈마 쉬스에 영향을 주기 위해 사용되는 유전체 재료일 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예들에 있어서, 차단기(150)는, 이온들이 작업물(10)에 수직이 아닌 추출 각도로 추출 개구(145)를 빠져나오도록 배치된다. 특정 실시예들에 있어서, 이온들은, 도 1에 도시된 바와 같이 2개의 상이한 추출 각도들로 추출될 수 있다. 이러한 실시예에 있어서, 제 1 빔렛(beamlet)(190) 및 제 2 빔렛(191)이 작업물(10)을 향해 보내진다. 다른 실시예들에 있어서, 이온들은 단일 추출 각도로 추출된다. 추출 개구(145)에 대한 이온 소스 챔버(100) 내에서의 차단기(150)의 배치는, 이온들이 작업물(10)에 충돌하는 각도를 정의한다.
이동가능 작업물 홀더(155)가 추출 개구(145)에 근접하여 배치된다. 이동가능 작업물 홀더(155)는, 그 위에 작업물(10)이 배치되는 플래튼(160)을 포함한다. 플래튼(160)은, 플래튼(160)을 방향(171)으로 움직이는 스캔 모터(170)를 사용하여 스캔된다. 다른 실시예들에 있어서, 작업물 홀더는 이동가능하지 않을 수 있다. 예를 들어, 작업물 홀더는 고정식일 수 있으며 반면 이온 소스 챔버(100)가 이동된다. 다른 실시예에 있어서, 작업물 홀더 및 이온 소스 챔버(100) 둘 모두가 고정식일 수 있다.
실드(165)가 작업물(10)을 둘러싸며, 이는 또한 할로로서 지칭될 수도 있다. 실드(165)의 정면도가 도 3에 도시된다. 실드(165)는 작업물(10)을 둘러싸며 그 중심에 개구부(166)를 가지고, 이는 작업물(10)의 위치에 대응한다. 실드(165)는 금속과 같은 전기 전도성 재료로 구성된다.
실드(165) 및 플래튼(160)은 작업물 바이어싱 전원 공급장치(180)를 사용하여 바이어싱될 수 있다. 특정 실시예들에 있어서, 작업물 바이어스 전원 공급장치(180)로부터의 출력은, 5kHz 내지 50kHz 사이의 주파수 및 100 내지 5,000 볼트의 진폭을 갖는 펄스화된 DC 전압이다.
이상의 개시가 펄스화된 DC 전압으로서 작업물 바이어스 전원 공급장치(180)로부터의 출력을 설명하지만, 작업물 바이어스 전원 공급장치(180)가 일정할 수 있으며 반면 추출 전압 전원 공급장치(141)가 펄스화된 DC 출력을 제공할 수 있다는 것이 이해될 것이다.
펄싱될 때, 플래튼(160) 및 실드(165)에 인가되는 전압은 추출 플레이트(140)에 인가되는 전압보다 더 네거티브하다. 다시 말해서, 추출 플레이트(140)가 접지되는 경우, 작업물 바이어스 전원 공급장치(180)는 네거티브 펄스들을 생성한다. 이러한 네거티브 펄스들 동안, 포지티브 이온들이 이온 소스 챔버(100)의 내부로부터 작업물(10)로 끌어당겨진다. 추출 플레이트(140)가 포지티브하게 바이어싱되는 경우, 작업물 바이어스 전원 공급장치(180)는 덜 포지티브하거나 또는 네거티브한 펄스들을 생성하며, 그 결과 이러한 펄스들 동안 포지티브 이온들이 이온 소스 챔버(100)의 내부로부터 작업물(10)로 끌어당겨진다.
추출 플레이트(140) 및 실드(165) 중 적어도 하나는 유전체 재료로 코팅된다. 이온 빔 충돌을 겪는 영역들이 바람직하게는 코팅될 수 있지만, 다른 표면들이 또한 화학 반응을 방지하기 위해 코팅될 수 있다. 유전체 재료는 이트리어(Y2O3)와 같은 희토류 산화물일 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 유전체 재료는 알루미나(Al2O3), 지르코니아(ZrO2), 실리콘 탄화물(SiC), 또는 다른 재료들 및 재료들의 조합들, 예컨대, 이트리어-안정화 지르코니아(yttria-stabilized zirconia)를 포함하여, 이상에서 열거된 희토류 산화물들 및 다른 재료들의 조합들일 수 있다. 모든 실시예들에 있어서, 재료는, 불소 및 염소의 조합들과 같은 반응성 가스와 같은 화학적 에칭뿐만 아니라 "물리적 에칭" 또는 활성 이온들 둘 모두에 대하여 에칭 저항성이다.
도 1은 실드(165)의 전방 표면 상에 배치되는 코팅(167)을 도시한다. 도 1은 또한, 추출 플레이트(140)의 외부 표면 상에 배치되는 코팅(142) 및 추출 플레이트(140)의 내부 표면 상에 배치되는 코팅(143)을 도시한다. 추출 플레이트(140)의 내부 표면은, 이온 소스 챔버(100) 내에 존재하는 표면으로서 정의된다. 이러한 코팅들의 두께는 약 100 나노미터 내지 약 1 밀리미터 이상일 수 있다. 이러한 코팅들 중 하나 이상이 특정 실시예에 있어서 존재할 수 있다. 예를 들어, 특정 실시예들에 있어서, 코팅들(142 및 167)이 적용된다. 다른 실시예에 있어서, 코팅(142, 143 및 167)이 적용된다.
추가로, 정상 동작 동안, 추출 플레이트(140) 및 실드(165)가 활성 이온들에 의해 가열될 수 있으며, 결과적으로 열 팽창을 경험할 수 있다. 예를 들어, 정상 동작 동안, 추출 플레이트(140) 및 실드(165)의 온도는 섭씨 수백 도 상승할 수 있다. 추가로, 실드(165)가 정상 동작 동안 이동하기 때문에, 실드(165)를 물 또는 액체로 냉각하는 것이 비싸고 어렵다.
따라서, 이러한 컴포넌트들을 구성하기 위해 사용되는 금속이 유전체 코팅과 동일하거나 또는 유사한 열 팽창 계수(coefficient of thermal expansion; CTE)를 갖는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들어, 이트리어 및 알루미나 둘 모두가 약 7 μm/m의 열 팽창 계수를 갖는다. 티타늄은 약 9 μm/m의 CTE를 가지며, 이는 유전체 코팅의 CTE의 30% 이내이다. 이에 비하여, 알루미늄은 23 μm/m가 넘는 CTE를 가지며, 이는 유전체 코팅의 CTE보다 300% 더 크다. 따라서, 특정 실시예들에 있어서, 유전체 재료로 코팅되는 컴포넌트는 티타늄 또는 몰리브데넘으로 구성된다. 물론, 컴포넌트는, 유전체 코팅의 CTE의 50% 이내인 CTE를 갖는 임의의 금속 또는 금속 합금으로부터 구성될 수도 있다.
예상외로, 실드(165)가 추출 플레이트(140)의 전압과는 상이한 전압으로 펄싱될 때, 아크가 발생하지 않는다. 이러한 컴포넌트들 중 적어도 하나가 유전체 재료로 코팅된다는 사실에도 불구하고, 이러하다. 실제로, 실드(165)와 추출 플레이트(140) 사이의 전압 차이가 5kV였던 테스트들에서, 어떠한 아크도 관찰되지 않았다.
특정 이론에 구애되지 않고, 이러한 코팅된 컴포넌트들이 용량 결합되는 것으로 여겨진다. 특히, 실드(165)에 인가되는 펄스화된 DC 전압은 일련의 증가하는 주파수의 사인파들의 합이다. 다시 말해서, 펄스화된 DC 전압은 실제로 복수의 상이한 주파수들을 갖는 AC 전압이다. 유전체 재료가 커패시터들로서 거동하며, 따라서 이러한 유전체 재료들의 임피던스는 주파수가 증가함에 따라 감소한다는 것이 알려져 있다. 결과적으로, 유전체 코팅의 임피던스가 더 높은 주파수들에서 상대적으로 낮기 때문에 아크가 발생하지 않는 것으로 여겨진다. 따라서, 펄스화된 DC 전압의 AC 성질 때문에, 실드(165) 및 추출 플레이트(140)는 용량 결합된다.
추가로, 테스트는 또한, 추출 개구(145)를 빠져나오는 이온들의 추출 각도가 유전체 코팅에 의해 부정적으로 영향을 받지 않음을 보여주었다.
시스템(1)은 반응성 이온 에칭기(reactive ion etcher; RIE)일 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 시스템(1)은 증착, 주입 또는 비정질화를 위해 사용될 수 있다.
본원에서 설명된 시스템 및 방법은 다수의 장점들을 가질 수 있다. 먼저, 추출 플레이트(140) 및 실드(165)가 유전체 재료로 코팅될 때, 동작 동안 생성되는 입자들의 수가 상당히 감소된다. 도 4는 수행되었던 실제 테스트를 도시한다. 속이 찬 점들은 45 나노미터보다 더 큰 직경을 갖는 입자들을 나타낸다. 속이 빈 점들은 30 나노미터보다 더 큰 직경을 갖는 입자들을 나타낸다. 생성되는 입자들의 수가 에칭 사이클들의 수가 증가함에 따라 감소한다는 것이 보일 수 있다. 90번의 에칭 프로세스들 이후에, 생성되는 입자들의 수는 50보다 더 작다. 실제로, 생성되는 입자들의 평균 수는 70번째 에칭 사이클 이후에 약 33이다. 대조적으로, 전통적인 에칭 기계들은, 흔히 훨씬 더 큰 직경의 수백 내지 수천의 입자들을 생성한다.
이에 더하여, 실드(165) 및/또는 추출 플레이트(140)에 유전체 코팅을 적용함으로써 입자들의 수가 상당히 감소되지만, 반면 시스템의 성능은 훼손되지 않는다. 예를 들어, 추출 각도 평균 값 및 확산이 유전체 코팅의 통합에 의해 상대적으로 영향을 받지 않는다. 도 5는 도 1의 시스템에 대한 빔 전류와 빔 각도 사이의 관계를 예시하는 그래프를 도시한다. 라인(500)은 추출 개구(145)로부터 추출되는 제 1 빔렛(190)과 연관된 전류를 도시하며, 반면 라인(510)은 제 2 빔렛(191)과 연관된 전류를 도시한다. 라인(520)은 이러한 전류들의 합을 도시한다. 보일 수 있는 바와 같이, 각각의 빔렛의 전류는 약 22°에서 피크를 갖는다. 추가로, 2개의 빔렛들의 전류 프로파일은, 거울 이미지이지만 거의 동일하다. 제 1 빔렛(190) 및 제 2 빔렛(191)은 각기 약 19°의 평균 빔 각도, 및 약 13.5°의 빔 각도 확산을 갖는다. 이는 전통적인 시스템들을 가지고 달성되는 그래프들에 비할 만하다.
본 개시는 본원에서 설명된 특정 실시예에 의해 범위가 제한되지 않는다. 오히려, 본원에서 설명된 실시예들에 더하여, 본 개시의 다른 다양한 실시예들 및 이에 대한 수정예들이 이상의 설명 및 첨부된 도면들로부터 당업자들에게 자명해질 것이다. 따라서, 이러한 다른 실시예들 및 수정예들이 본 개시의 범위 내에 속하도록 의도된다. 추가로, 본 개시가 본원에서 특정 목적을 위한 특정 환경에서의 특정 구현예의 맥락에서 설명되었지만, 당업자들은 이의 유용함이 이에 한정되지 않으며, 본 개시가 임의의 수의 목적들을 위한 임의의 수의 환경들에서 유익하게 구현될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 따라서, 이하에서 기술되는 청구항들은 본원에서 설명된 바와 같은 본 개시의 완전한 폭과 사상의 관점에서 해석되어야만 한다.
Claims (15)
- 작업물 프로세싱 시스템으로서,
추출 개구를 갖는 추출 플레이트 및 복수의 챔버 벽들을 포함하는 이온 소스; 및
상기 추출 개구에 근접하여 상기 이온 소스 외부에 배치되는 작업물 홀더를 포함하며, 상기 작업물 홀더는,
작업물을 홀딩하기 위한 플래튼; 및
상기 작업물을 둘러싸는 실드를 포함하고,
상기 이온 소스로부터 이온들을 끌어당기기 위하여 펄스화된 DC 전압이 상기 실드에 인가되며,
상기 실드 및 상기 추출 플레이트는 전도성 재료들로 구성되고, 상기 실드 및 상기 추출 플레이트 중 적어도 하나는 유전체 재료로 코팅되는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 실드 및 상기 추출 플레이트 둘 모두가 유전체 재료로 코팅되는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 유전체 재료는 희토류 산화물을 포함하는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 3에 있어서,
상기 유전체 재료는 이트리어를 포함하는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 유전체 재료로 코팅되는 상기 전도성 재료의 열 팽창 계수(coefficient of thermal expansion; CTE)는 상기 유전체 재료의 CTE의 30% 이내인, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 5에 있어서,
코팅되는 상기 전도성 재료는 티타늄 또는 몰리브데넘을 포함하는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 1에 있어서,
상기 DC 전압은 5 kHz 내지 50 kHz 사이의 주파수로 펄싱되는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 작업물 프로세싱 시스템으로서,
이온 소스로서,
복수의 챔버 벽들;
추출 개구를 갖는 추출 플레이트; 및
상기 추출 개구에 근접하여 상기 이온 소스 내에 배치되는 차단기를 포함하는, 상기 이온 소스; 및
상기 추출 개구에 근접하여 상기 이온 소스 외부에 배치되는 이동가능 작업물 홀더를 포함하며, 상기 이동가능 작업물 홀더는,
작업물을 홀딩하기 위한 플래튼; 및
상기 작업물을 둘러싸는 실드를 포함하고,
상기 이온 소스로부터 이온들을 끌어당기기 위하여 펄스화된 DC 전압이 상기 실드 및 상기 플래튼에 인가되며,
상기 이온 소스의 내부로부터의 이온들은 상기 차단기에 의해 정의되는 각도로 상기 플래튼을 향해 끌어당겨지며,
상기 실드 및 상기 추출 플레이트는 전도성 재료들로 구성되고, 상기 실드 및 상기 추출 플레이트 중 적어도 하나는 유전체 재료로 코팅되는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 8에 있어서,
상기 DC 전압은 5 kHz 내지 50 kHz 사이의 주파수로 펄싱되는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 8에 있어서,
상기 유전체 재료로 코팅되는 상기 전도성 재료의 열 팽창 계수(coefficient of thermal expansion; CTE)는 상기 유전체 재료의 CTE의 30% 이내인, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 10에 있어서,
코팅되는 상기 전도성 재료는 티타늄 또는 몰리브데넘을 포함하는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 작업물 프로세싱 시스템으로서,
추출 개구를 갖는 추출 플레이트 및 복수의 챔버 벽들을 포함하는 이온 소스; 및
상기 추출 개구에 근접하여 배치되는 이동가능 작업물 홀더를 포함하며, 상기 이동가능 작업물 홀더는,
작업물을 홀딩하기 위한 플래튼; 및
상기 작업물을 둘러싸는 실드를 포함하고,
상기 실드 및 상기 추출 플레이트는 전도성 재료들로 구성되고 각기 유전체 재료로 코팅되며, 상기 전도성 재료들의 열 팽창 계수(coefficient of thermal expansion; CTE)는 상기 유전체 재료의 CTE의 30% 이내인, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 12에 있어서,
펄스화된 DC 전압이 상기 실드 및 상기 플래튼에 인가되는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 13에 있어서,
상기 DC 전압은 5 kHz 내지 50 kHz 사이의 주파수로 펄싱되는, 작업물 프로세싱 시스템.
- 청구항 14에 있어서,
상기 유전체 재료는 이트리어를 포함하며, 상기 전도성 재료들은 티타늄 또는 몰리브데넘을 포함하는, 작업물 프로세싱 시스템.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/848,939 US10276340B1 (en) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | Low particle capacitively coupled components for workpiece processing |
| US15/848,939 | 2017-12-20 | ||
| PCT/US2018/057315 WO2019125598A1 (en) | 2017-12-20 | 2018-10-24 | Low particle capacitively coupled components for workpiece processing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200092404A KR20200092404A (ko) | 2020-08-03 |
| KR102461902B1 true KR102461902B1 (ko) | 2022-11-01 |
Family
ID=66248199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020207020451A KR102461902B1 (ko) | 2017-12-20 | 2018-10-24 | 작업물 프로세싱을 위한 저 입자 용량 결합 컴포넌트들 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10276340B1 (ko) |
| JP (1) | JP6995999B2 (ko) |
| KR (1) | KR102461902B1 (ko) |
| CN (1) | CN111433882B (ko) |
| TW (1) | TWI718435B (ko) |
| WO (1) | WO2019125598A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11495430B2 (en) * | 2020-07-15 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Tunable extraction assembly for wide angle ion beam |
| US11361935B2 (en) * | 2020-11-07 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and system including high angle extraction optics |
| US11881378B2 (en) | 2022-05-13 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Angle control for neutral reactive species generated in a plasma |
| US20230369022A1 (en) * | 2022-05-13 | 2023-11-16 | Applied Materials, Inc. | Recombination channels for angle control of neutral reactive species |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160293378A1 (en) * | 2013-09-27 | 2016-10-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | SiC Coating In an Ion Implanter |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09259779A (ja) * | 1996-03-15 | 1997-10-03 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源およびそれを用いたイオン注入装置 |
| JPH11354462A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Nissin Electric Co Ltd | パルスバイアス酸素負イオン注入方法及び注入装置 |
| JP2000340166A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Sony Corp | 成膜方法及び成膜物 |
| JP2001011622A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-16 | Sony Corp | 絶縁物の表面処理方法、プリンタヘッド及び記録媒体用基材 |
| JP2004531880A (ja) * | 2001-03-13 | 2004-10-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 二重電極を有する基板の支持体 |
| US6837966B2 (en) | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| JP2005303099A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US7547899B2 (en) * | 2005-06-03 | 2009-06-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Charged beam dump and particle attractor |
| JP4936276B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-05-23 | 株式会社デンソー | 窒化処理装置 |
| JP5252613B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2013-07-31 | 国立大学法人東北大学 | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
| US20080160170A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Varian Semiconductor Equipment Assoicates, Inc. | Technique for using an improved shield ring in plasma-based ion implantation |
| US7863582B2 (en) * | 2008-01-25 | 2011-01-04 | Valery Godyak | Ion-beam source |
| SG162642A1 (en) * | 2009-01-06 | 2010-07-29 | Frontken Singapore Pte Ltd | Techniques for maintaining a substrate processing system |
| JP5227264B2 (ja) * | 2009-06-02 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置，プラズマ処理方法，プログラム |
| US8461030B2 (en) * | 2009-11-17 | 2013-06-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus and method for controllably implanting workpieces |
| US8987678B2 (en) * | 2009-12-30 | 2015-03-24 | Fei Company | Encapsulation of electrodes in solid media |
| US20120000421A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Varian Semicondutor Equipment Associates, Inc. | Control apparatus for plasma immersion ion implantation of a dielectric substrate |
| US20130015053A1 (en) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding |
| US8592783B2 (en) * | 2011-09-26 | 2013-11-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Titanium diboride coating for plasma processing apparatus |
| US9017526B2 (en) * | 2013-07-08 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Ion beam etching system |
| EP2849204B1 (de) * | 2013-09-12 | 2017-11-29 | Meyer Burger (Germany) AG | Plasmaerzeugungsvorrichtung |
| US9293301B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-03-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In situ control of ion angular distribution in a processing apparatus |
| US9514912B2 (en) * | 2014-09-10 | 2016-12-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Control of ion angular distribution of ion beams with hidden deflection electrode |
| US9514918B2 (en) | 2014-09-30 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Guard aperture to control ion angular distribution in plasma processing |
| US9478399B2 (en) | 2015-03-27 | 2016-10-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Multi-aperture extraction system for angled ion beam |
| US10573499B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-02-25 | Agc Flat Glass North America, Inc. | Method of extracting and accelerating ions |
-
2017
- 2017-12-20 US US15/848,939 patent/US10276340B1/en active Active
-
2018
- 2018-10-24 KR KR1020207020451A patent/KR102461902B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-24 WO PCT/US2018/057315 patent/WO2019125598A1/en active Application Filing
- 2018-10-24 JP JP2020532968A patent/JP6995999B2/ja active Active
- 2018-10-24 CN CN201880077979.9A patent/CN111433882B/zh active Active
- 2018-11-09 TW TW107139902A patent/TWI718435B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160293378A1 (en) * | 2013-09-27 | 2016-10-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | SiC Coating In an Ion Implanter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021508143A (ja) | 2021-02-25 |
| TW201929054A (zh) | 2019-07-16 |
| TWI718435B (zh) | 2021-02-11 |
| KR20200092404A (ko) | 2020-08-03 |
| US10276340B1 (en) | 2019-04-30 |
| CN111433882A (zh) | 2020-07-17 |
| WO2019125598A1 (en) | 2019-06-27 |
| JP6995999B2 (ja) | 2022-01-17 |
| CN111433882B (zh) | 2023-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102461902B1 (ko) | 작업물 프로세싱을 위한 저 입자 용량 결합 컴포넌트들 | |
| KR100855002B1 (ko) | 플라즈마 이온 주입시스템 | |
| EP1313128B1 (en) | Toroidal low-field reactive gas source | |
| Lee et al. | Ion energy distribution control in single and dual frequency capacitive plasma sources | |
| CN112534545A (zh) | 用于等离子体加工的方法和装置 | |
| TWI753478B (zh) | 離子束處理設備、系統及產生離子束的方法 | |
| US10923306B2 (en) | Ion source with biased extraction plate | |
| KR102565876B1 (ko) | 반도체 프로세싱 시스템, 및 작업물 내로 이온들을 주입하는 방법, 작업물을 프로세싱하는 방법, 작업물을 에칭하는 방법, 및 작업물 상에 재료를 증착하는 방법 | |
| JP2009038030A (ja) | ハイブリッドイオン源／マルチモードイオン源 | |
| KR102268345B1 (ko) | 전하 중성화 이온 빔에 대한 라디오 주파수 추출 시스템 | |
| JP4773096B2 (ja) | 基板帯電ダメージを抑制するための方法 | |
| US20090166555A1 (en) | RF electron source for ionizing gas clusters | |
| JPH05102083A (ja) | ドライエツチング方法及びそのための装置 | |
| US11600473B2 (en) | Ion source with biased extraction plate | |
| Le Coeur et al. | Distributed electron cyclotron resonance plasma immersion for large area ion implantation | |
| JPH03153885A (ja) | ウェーハの粒子汚染を減少する方法及び装置 | |
| KR101071246B1 (ko) | 등가전기장이 발생되는 정전척 및 이를 포함하는 플라즈마 이온 주입장치 | |
| CN110797245B (zh) | 一种半导体加工设备 | |
| CN115917697A (zh) | 用于广角度离子束的可调谐提取组合件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |