JP2021508143A - ワークピース処理用の低粒子容量結合成分 - Google Patents
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Abstract
Description
を有し、前記イオン源からのイオンを引き寄せるようパルス状DC電圧を前記シールドに印加し、及び前記シールド及び前記抽出プレートを導電材料で構成し、また前記シールド及び前記抽出プレートのうち少なくとも一方を誘電材料でコーティングする、該ワークピースホルダーと、を備える。若干の実施形態において、前記シールド及び前記抽出プレートの双方を誘電材料でコーティングする。若干の実施形態において、前記誘電材料は希土類酸化物を有し、この希土類酸化物はイットリアからなるものとすることができる。幾つかの実施形態において、前記誘電材料でコーティングされる導電材料の熱膨張係数(CTE)は、前記誘電材料のCTEの30%以内である。若干の実施形態において、前記導電材料はタンタル又はモリブデンを有する。若干の実施形態において、前記DC電圧は、5〜50kHzの間における周波数でパルス化される。
を有し、前記イオン源の内部からのイオンを、前記ブロッカーによって規定される角度で前記プラテンに向けて引き寄せるようにし、及び前記シールド及び前記抽出プレートを導電材料で構成し、また前記シールド及び前記抽出プレートのうち少なくとも一方を誘電材料によりコーティングする、該ワークピースホルダーと、を備える。若干の実施形態において、パルス状DC電圧を前記シールド及び前記プラテンに印加し、また前記DC電圧は5〜50kHzの間における周波数でパルス化することができる。
2 イオン源
10 ワークピース
100 イオン源チャンバ
101 チャンバ壁
102 第1誘電壁
110 RFアンテナ
120 RF電源
130 ガス入口
140 抽出プレート
141 抽出電圧電源
142 コーティング
143 コーティング
145 抽出開孔
150 ブロッカー
155 ワークピースホルダー
160 プラテン
165 シールド
166 開口
167 コーティング
170 走査モータ
180 ワークピースバイアス電源
190 第1ビームレット
191 第2ビームレット
を有し、前記イオン源からのイオンを引き寄せるようパルス状DC電圧を前記シールドに印加し、及び前記シールド及び前記抽出プレートを導電材料で構成し、また前記シールド及び前記抽出プレートのうち少なくとも一方を誘電材料でコーティングする、該ワークピースホルダーと、を備える。若干の実施形態において、前記シールド及び前記抽出プレートの双方を誘電材料でコーティングする。若干の実施形態において、前記誘電材料は希土類酸化物を有し、この希土類酸化物はイットリアからなるものとすることができる。幾つかの実施形態において、前記誘電材料でコーティングされる導電材料の熱膨張係数(CTE)は、前記誘電材料のCTEの30%以内である。若干の実施形態において、前記導電材料はチタン又はモリブデンを有する。若干の実施形態において、前記DC電圧は、5〜50kHzの間における周波数でパルス化される。
Claims (15)
- ワークピース処理システムにおいて、
複数のチャンバ壁、及び抽出開孔付きの抽出プレートを有するイオン源と、並びに
前記抽出開孔の近傍に配置したワークピースホルダーであって、
ワークピースを保持するプラテン、及び
前記ワークピースを包囲するシールド
を有し、
前記イオン源からのイオンを引き寄せるようパルス状DC電圧を前記シールドに印加し、及び
前記シールド及び前記抽出プレートを導電材料で構成し、また前記シールド及び前記抽出プレートのうち少なくとも一方を誘電材料でコーティングする、
該ワークピースホルダーと、
を備える、ワークピース処理システム。 - 請求項1記載のワークピース処理システムにおいて、前記シールド及び前記抽出プレートの双方を誘電材料でコーティングする、ワークピース処理システム。
- 請求項1記載のワークピース処理システムにおいて、前記誘電材料は希土類酸化物を有する、ワークピース処理システム。
- 請求項3記載のワークピース処理システムにおいて、前記誘電材料はイットリアを有する、ワークピース処理システム。
- 請求項1記載のワークピース処理システムにおいて、前記誘電材料でコーティングされる導電材料の熱膨張係数(CTE)は、前記誘電材料のCTEの30%以内である、ワークピース処理システム。
- 請求項5記載のワークピース処理システムにおいて、コーティングされる前記導電材料はタンタル又はモリブデンを有する、ワークピース処理システム。
- 請求項1記載のワークピース処理システムにおいて、前記DC電圧は、5〜50kHzの間における周波数でパルス化される、ワークピース処理システム。
- ワークピース処理システムにおいて、
イオン源であって、
複数のチャンバ壁、
抽出開孔付きの抽出プレート、及び
前記イオン源内で前記抽出開孔の近傍に配置したブロッカー
を有する、該イオン源と、並びに
前記抽出開孔の近傍に配置したワークピースホルダーであって、
ワークピースを保持するプラテン、及び
前記ワークピースを包囲するシールド
を有し、
前記イオン源の内部からのイオンを、前記ブロッカーによって規定される角度で前記プラテンに向けて引き寄せるようにし、及び
前記シールド及び前記抽出プレートを導電材料で構成し、また前記シールド及び前記抽出プレートのうち少なくとも一方を誘電材料でコーティングする、
該ワークピースホルダーと、
を備える、ワークピース処理システム。 - 請求項8記載のワークピース処理システムにおいて、パルス状DC電圧を前記シールド及び前記プラテンに印加し、また前記DC電圧は、5〜50kHzの間における周波数でパルス化される、ワークピース処理システム。
- 請求項8記載のワークピース処理システムにおいて、前記誘電材料でコーティングされる導電材料の熱膨張係数(CTE)は、前記誘電材料のCTEの30%以内である、ワークピース処理システム。
- 請求項10記載のワークピース処理システムにおいて、コーティングされる前記導電材料はタンタル又はモリブデンを有する、ワークピース処理システム。
- ワークピース処理システムにおいて、
複数のチャンバ壁、抽出開孔付きの抽出プレートを有するイオン源と、並びに
前記抽出開孔の近傍に配置したワークピースホルダーであって、
ワークピースを保持するプラテン、及び
前記ワークピースを包囲するシールド
を有し、
前記シールド及び前記抽出プレートを導電材料で構成し、及びそれら各々を誘電材料でコーティングし、前記導電材料の熱膨張係数(CTE)は、前記誘電材料のCTEの30%以内である、
該ワークピースホルダーと、
を備える、ワークピース処理システム。 - 請求項12記載のワークピース処理システムにおいて、パルス状DC電圧を前記シールド及び前記プラテンに印加する、ワークピース処理システム。
- 請求項13記載のワークピース処理システムにおいて、前記DC電圧は、5〜50kHzの間における周波数でパルス化される、ワークピース処理システム。
- 請求項14記載のワークピース処理システムにおいて、前記誘電材料はイットリウムを有し、また前記導電材料はタンタル又はモリブデンを有する、ワークピース処理システム。
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