KR20180103909A - 중공 캐소드 이온 소스 및 이온의 추출 및 가속 방법 - Google Patents
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims abstract description 423
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 claims 1
- 239000011797 cavity material Substances 0.000 description 134
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 206010067484 Adverse reaction Diseases 0.000 description 1
- 101100117236 Drosophila melanogaster speck gene Proteins 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000006838 adverse reaction Effects 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
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- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
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- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/54—Plasma accelerators
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32596—Hollow cathodes
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/48—Generating plasma using an arc
- H05H1/481—Hollow cathodes
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0815—Methods of ionisation
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0822—Multiple sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/40—Surface treatments
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
이온 소스 및 이온을 추출 및 가속하기 위한 방법이 제공된다. 이온 소스는 챔버를 포함한다. 이온 소스는 제1 중공 캐소드 캐비티 및 제1 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드 캐비티 및 제2 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제2 중공 캐소드를 더 포함한다. 제1 및 제2 중공 캐소드는 챔버 내에서 인접하게 배치된다. 이온 소스는 제1 플라즈마 출구 오리피스와 챔버 사이에서, 그리고 제1 플라즈마 출구 오리피스 및 챔버와 소통하는 제1 이온 가속기를 더 포함한다. 제1 이온 가속기는 제1 이온 가속 캐비티를 형성한다. 이온 소스는 제2 플라즈마 출구 오리피스와 챔버 사이에서, 그리고 제2 플라즈마 출구 오리피스 및 챔버와 소통하는 제2 이온 가속기를 더 포함한다. 제2 이온 가속기는 제2 이온 가속 캐비티를 형성한다. 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드는 플라즈마를 생성하기 위해 전극과 카운터-전극으로서 교대로 기능하도록 구성된다.
Description
이온 소스는 통상적으로 가열, 세정, 표면 에칭 및 화학적 표면 개질 형태의 기판 처리를 포함하는 다양한 애플리케이션에 사용된다. 이온 소스는 산화물, 다이아몬드형 탄소 및 다른 유용한 코팅을 증착시키는데 사용될 수 있다. 이온 소스는 진공 증착 공정을 서포트하고 박막 성장을 수정하는데 사용될 수 있다. 예를 들면, 이온 소스는 증착 원자와 화학적으로 반응하거나, 치밀화, 또는 결정화하는데 사용될 수 있다. 거의 모든 이온 소스는 진공 챔버의 감압에서 동작하도록 설계되어 있다. 일부 이온 소스는 우주선 가속을 위한 저-추진력, 장기-구동 엔진으로서 사용될 수 있다.
가장 기본적인 형태에서, 이온 소스는 일반적으로 그 플라즈마로부터 이온을 추출하고 가속하기 위한 추가 컴포넌트를 갖는 플라즈마-형성 컴포넌트로 구성된다. 이들 추가 컴포넌트는 전형적으로 플라즈마-형성 컴포넌트에 의해 생성되는 필드 이외에 플라즈마 가스 내에서 전기장 또는 자기장을 생성한다. 이들 추가 필드는 이온에 인력 또는 반발력을 가하여, 이온을 가속시킨다. 추가 컴포넌트는 또한 전반적인 이온 소스에 복잡성을 부가한다.
플라즈마 내의 대부분의 이온들은 양으로 대전된다. 즉, 그들은 이온화된 원자 또는 분자로서, 일반적으로 하나 또는 두 개의 전자가 없다. 이들 이온이 플라즈마로부터 가속될 때, 생성된 이온 빔은 보통 음의 입자(예를 들면, 전자)보다 훨씬 많은 수의 양으로 대전된 입자를 운반한다. 이러한 전기적 불균형은 진공 하드웨어 또는 프로세스에 문제를 일으킬 수 있다. 이러한 상황을 바로 잡기 위해, 종종 고온 필라멘트 열이온 전자 방출기 또는 중공 캐소드 전자 소스와 같은 부가적인 전자 소스 장치가 추가되어 전하의 균형을 맞추는 전자를 이온 빔에 주입한다. 이러한 전자 소스는 통상적으로 뉴트럴라이저(neutralizer)라고 한다. 다른 추가 컴포넌트와 마찬가지로, 뉴트럴라이저의 사용은 전반적인 이온 소스에 복잡성을 부가한다.
이온 소스에 사용되는 플라즈마-형성 컴포넌트의 하나의 예시는 중공 캐소드이다. 중공 캐소드는 선형 중공 캐소드와 점형 중공 캐소드를 포함한다. 선형 중공 캐소드는 이온 소스에서 일반적으로 사용되지는 않는다; 점형 중공 캐소드는 (예를 들면, 우주선 가속에 사용되는) 스러스터로서 사용되는 이온 소스에 간혹 사용되지만, 그러한 점형 플라즈마 소스는 (예를 들면, PECVD 코팅 공정과 같은) 기판을 코팅하는데 일반적으로 사용되지는 않는다. 중공 캐소드가 사용되는 경우, 대부분의 이온 소스와 마찬가지로, 중공 캐소드 플라즈마로부터 이온을 추출하려면 별도로 전원이 공급되는 전극과 자석과 같은 추가 컴포넌트를 부착해야 한다. 이러한 컴포넌트는 종종 상당한 정도로 기계적 및 공정 복잡성을 이온 소스에 부가한다. 또한, 중공 캐소드를 플라즈마-형성 컴포넌트로 사용하는 경우, 공지된 이온 소스는 전용의 애노드 구조 또는 별도의 애노딕 오리피스(orifice)에 의존하며, 더 큰 복잡성을 가져온다.
이온 소스의 다른 문제점은 유전체 증착 공정에서, 유전체 코팅이 애노드 구조물 상에 형성될 수 있다는 것이다. 또한, 이온 소스가 플라즈마-강화 화학 진공 증착(PECVD) 공정에 사용되는 경우, PECVD 공정은 캐소드 또는 애노드 표면을 포함하는 근처의 진공 챔버 하드웨어를 오염시키는 것으로 알려져 있다(예를 들면, 오염은 캐소드 또는 애노드 표면과 반응하는 이들 공정에서 사용되는 전구체 가스로부터 발생할 수 있다).
따라서, 공지된 이온 소스의 이러한 단점 및 다른 단점을 극복하는 이온 소스가 필요하다.
다음의 공통-양도된 출원은 본 발명의 실시예들에서 사용될 수 있는 것과 같은, 다양한 중공 캐소드 플라즈마 소스를 기술한다: 미국 출원 제12/535,447호, 현재 미국 특허 제8,652,586호; 미국 출원 제14/148,612호; 미국 출원 제14/148,606호; 미국 출원 제14/486,726호; 미국 출원 제14/486,779호; PCT/US14/068919; 및 PCT/US14/68858. 이들 출원 각각은 그 전체가 본 명세서에 참조로서 포함된다.
또한, 공통-양도된, 2015년 11월 16일자로 출원된 "다중-위상 교류 또는 펄스 전류에 의해 구동되는 플라즈마 장치"라는 명칭의 미국 출원 제14/942,737호와 2015년 11월 16일자로 출원된 "다중-위상 교류 또는 펄스 전류에 의한 플라즈마 생성 방법"이라는 명칭의 미국 출원 제14/942,673호 모두 그 전체가 본 명세서에 참조로서 포함된다.
본 발명의 실시예들은 놀랍도록 단순한 중공-캐소드-기반 이온 소스를 포함한다. 본 발명의 실시예들은 이온을 추출 및 가속하기 위한 임의의 추가 전극, 가속 그리드, 자기장, 뉴트럴라이저, 또는 다른 추가 컴포넌트를 필요로 하지 않으면서 고에너지의 이온 빔을 생성할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 또한 캐소드와 애노드 표면을 오염으로부터 보호할 수 있다.
본 발명의 제1 양상에 따르면, 이온 소스가 제공된다. 이온 소스는 챔버를 포함한다. 이온 소스는 제1 중공 캐소드 캐비티 및 제1 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드 캐비티 및 제2 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제2 중공 캐소드를 추가로 포함한다. 제1 및 제2 중공 캐소드는 챔버 내에서 인접하여 배치된다. 이온 소스는 제1 플라즈마 출구 오리피스 및 챔버 사이에서, 이들과 소통하는 제1 이온 가속기를 추가로 포함한다. 제1 이온 가속기는 제1 이온 가속 캐비티를 형성한다. 이온 소스는 제2 플라즈마 출구 오리피스 및 챔버 사이에서, 이들과 소통하는 제2 이온 가속기를 추가로 포함한다. 제2 이온 가속기는 제2 이온 가속 캐비티를 형성한다. 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드는 플라즈마를 생성하기 위해 전극 및 카운터-전극으로서 교대로 기능하도록 구성된다. 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티 각각은 이온의 추출 및 가속을 가능하게 하는데 충분하다.
본 발명의 제2 양상에 따르면, 이온을 추출하고 가속하는 방법이 제공된다. 상기 방법은, 예를 들면, 본 발명의 제1 양상에 따른 이온 소스와 같은 이온 소스를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드를 사용하여 플라즈마를 생성하는 단계를 추가로 포함한다. 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드는 전극 및 카운터-전극으로서 교대로 기능하도록 구성된다. 상기 방법은 이온을 추출 및 가속하는 단계를 추가로 포함한다. 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티 각각은 이온의 추출 및 가속을 가능하게 하는데 충분하다.
(본 발명의 임의의 양상에 따른) 일부 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나로부터 추출 및 가속된 이온은 다음 중 하나를 형성한다: 단일 협폭(narrow) 빔, 단일 대-영역 빔, 단일 빔의 어레이 및 연속 선형 빔 커튼. 일부 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나로부터 추출 및 가속된 이온은 콜리메이트(collimated) 이온 빔을 형성한다.
일부 실시예에서, 제1 중공 캐소드와 제1 이온 가속기는 제1 동일 전위차를 가지고, 제2 중공 캐소드와 제2 이온 가속기는 제2 동일 전위차를 가진다. 일부 실시예에서, 제1 중공 캐소드와 제1 이온 가속기는 플라즈마의 전위에 대해 제1 동일 극성을 가지며, 제2 중공 캐소드와 제2 이온 가속기는 플라즈마의 전위에 대해 제2 동일 극성을 갖는다.
일부 실시예에서, 제1 이온 가속기는 제1 중공 캐소드의 일부를 포함하고, 그리고/또는 제2 이온 가속기는 제2 중공 캐소드의 일부를 포함한다. 일부 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티는 제1 이온 가속기 내의 슬롯을 포함하고, 그리고/또는 제2 이온 가속 캐비티는 제2 이온 가속기 내의 슬롯을 포함한다. 일부 실시예에서, 제1 이온 가속기와 제1 중공 캐소드는 서로 전기적으로 절연되고, 그리고/또는 제2 이온 가속기와 제2 중공 캐소드는 서로 전기적으로 절연된다. 일부 실시예에서, 제1 이온 가속기의 전위 및 제2 이온 가속기의 전위 중 적어도 하나는 플라즈마의 전위에 대해 음과 양의 값 사이에서 소정의 주파수로 스위칭 된다. 일부 실시예에서, 제1 이온 가속기는 제1 중공 캐소드의 외부에 전기적으로 연결되고, 그리고/또는 제2 이온 가속기는 제2 중공 캐소드의 외부에 전기적으로 연결된다. 일부 실시예에서, 제1 이온 가속기는 제1 중공 캐소드의 외부에 전기적으로 연결되고, 그리고/또는 제2 이온 가속기는 제2 중공 캐소드의 외부에 전기적으로 연결된다.
일부 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티 및 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 카운터보어(counterbore), 직사각형 슬롯, 반원, 원추형, 역원추형 및 종 모양 중 하나의 형태이다.
일부 실시예에서, 제1 이온 가속기와 제2 이온 가속기의 적어도 하나의 내부 표면은 전자-방출성 및 전자-수용성이다. 일부 실시예에서, 제1 중공 캐소드, 제1 이온 가속기, 제2 중공 캐소드 및 제2 이온 가속기 중 적어도 하나의 외부 표면은 전기적으로 절연되어 있다. 일부 실시예에서, 외부 표면은 폴리머 및 비전도성 세라믹 중 적어도 하나에 의해 전기적으로 절연된다. 일부 실시예에서, 외부 표면은 다크 스페이스 실드(dark space shield)에 의해 전기적으로 절연된다.
일부 실시예에서, 챔버는 진공 챔버를 포함한다. 일부 실시예에서, 제1 플라즈마 출구 오리피스는 제1 중공 캐소드와 챔버 사이의 가스 흐름을 제한하고, 그리고/또는 제2 플라즈마 출구 오리피스는 제2 중공 캐소드와 챔버 사이의 가스 흐름을 제한한다. 일부 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 연장된 캐비티를 포함한다. 일부 실시예에서, 제1 플라즈마 출구 오리피스와 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 플라즈마 출구 노즐을 포함한다. 일부 실시예에서, 제1 플라즈마 출구 오리피스와 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 복수의 플라즈마 출구 노즐을 포함한다. 일부 실시예에서, 제1 플라즈마 출구 오리피스와 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 선형 슬롯을 포함한다.
일부 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티는 제1 플라즈마 출구 오리피스로부터 나오는 가스를 부분적으로 수용(enclose)하고, 그리고/또는 제2 이온 가속 캐비티는 제2 플라즈마 출구 오리피스로부터 나오는 가스를 부분적으로 수용한다. 일부 실시예에서, 추출 및 가속된 이온의 평균 에너지는 100eV 보다 작다. 일부 실시예에서, 추출 및 가속된 이온의 평균 에너지는 100eV 보다 크다.
일부 실시예에서, 이온 소스는 제1 중공 캐소드, 제1 이온 가속기, 제2 중공 캐소드 및 제2 이온 가속기 중 적어도 하나에 전원을 공급하도록 구성되는 전원을 추가로 포함한다.
일부 실시예에서, 전원은 200V와 1000V 사이의 실효(root-mean-square, RMS) AC 전압에서 동작한다. 일부 실시예에서, 전원은 20V와 200V 사이의 실효 AC 전압에서 동작한다.
일부 실시예에서, 제1 및 제2 중공 캐소드는, 양극으로 작용하는 중공 캐소드가 챔버의 벽보다 더 양으로 바이어스 되도록 구성된다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 이온 가속기는 각각의 이온 가속기 및 중공 캐소드에 대한 사이클의 양의 부분 동안 제1 및 제2 이온 가속기가 대응하는 제1 및 제2 중공 캐소드보다 더 양으로 바이어스 되도록 구성된다. 일부 실시예에서, 제1 및 제2 이온 가속기는 각각의 이온 가속기 및 중공 캐소드에 대한 사이클의 양의 부분 동안 제1 및 제2 중공 캐소드보다 덜 양으로 바이어스 되도록 구성된다. 일부 실시예에서, 유일한 전기적 활성 표면은 본질적으로 제1 및 제2 중공 캐소드 각각의 내벽과 제1 및 제2 이온 가속기 각각의 내벽으로 구성된다. 일부 실시예에서, 제1 중공 캐소드 및 제2 중공 캐소드가 전극과 카운터-전극 사이에서 변환되는 주파수는 약 1kHz에서 약 1MHz까지이다.
일부 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 이온 충격을 공통 라인에 분배하도록 경사진다. 일부 실시예에서, 플라즈마는 자기-중화(self-neutralizing) 된다. 일부 실시예에서, 이온 소스는 어떠한 홀(Hall) 전류도 없다. 일부 실시예에서, 이온 소스는 어떠한 가속 그리드도 없다. 일부 실시예에서, 이온 소스는 길이가 약 0.1m 내지 약 4m이며, 이온 소스의 길이에 걸쳐 균일한 플라즈마와 이온 방출을 갖는다.
일부 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티는 그 플라즈마로부터 이온을 추출 및 가속하기 위한 추가 컴포넌트의 사용 없이 이온의 추출 및 가속을 가능하게 하는데 충분하다.
본 명세서에 참조로서 인용되고 명세서의 일부를 형성하는 첨부 도면은 본 개시의 다양한 실시예를 나타내며, 추가로, 발명의 설명과 함께, 본 개시의 원리를 설명하고, 관련 분야의 통상의 기술자가 본 명세서에 개시된 실시예를 제작하고 사용할 수 있게 한다. 도면에서, 동일한 참조 번호는 동일하거나 기능적으로 유사한 요소를 나타낸다.
도 1a는 플라즈마 출구 영역으로서 노즐 어레이를 갖는 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스를 나타낸다.
도 1b는 플라즈마 출구 영역으로서 선형 슬롯을 갖는 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스를 나타낸다.
도 1c는 플라즈마 출구 영역으로서 단일 홀을 갖는 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스를 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 플라즈마 출구 영역으로서 노즐 어레이를 갖는 중공 캐소드 이온 소스를 나타낸다.
도 2b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 플라즈마 출구 영역으로서 선형 슬롯을 갖는 중공 캐소드 이온 소스를 나타낸다.
도 2c는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 플라즈마 출구 영역으로서 단일 홀을 갖는 중공 캐소드 이온 소스를 나타낸다.
도 3a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다.
도 3b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다.
도 3c는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다.
도 3d는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다.
도 4a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 중공 캐소드 본체에 형성된 이온 가속 캐비티를 갖는 이온 가속 유닛을 나타낸다.
도 4b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 중공 캐소드 본체로부터 전기적으로 분리된 이온 가속 캐비티를 갖는 이온 가속 유닛을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 이온을 추출 및 가속하는 방법을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 코팅-기판 조합을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 24시간 런타임 이후의 이온 소스를 나타내는 사진이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유리 기판 상의 이온 에칭 패턴을 나타내는 사진이다.
도 9a는 플라즈마가 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스에 의해 형성된 것을 나타내는 사진이다.
도 9b는 플라즈마가 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 이온 소스에 의해 형성된 것을 나타내는 사진이다.
도 1a는 플라즈마 출구 영역으로서 노즐 어레이를 갖는 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스를 나타낸다.
도 1b는 플라즈마 출구 영역으로서 선형 슬롯을 갖는 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스를 나타낸다.
도 1c는 플라즈마 출구 영역으로서 단일 홀을 갖는 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스를 나타낸다.
도 2a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 플라즈마 출구 영역으로서 노즐 어레이를 갖는 중공 캐소드 이온 소스를 나타낸다.
도 2b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 플라즈마 출구 영역으로서 선형 슬롯을 갖는 중공 캐소드 이온 소스를 나타낸다.
도 2c는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 플라즈마 출구 영역으로서 단일 홀을 갖는 중공 캐소드 이온 소스를 나타낸다.
도 3a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다.
도 3b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다.
도 3c는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다.
도 3d는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다.
도 4a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 중공 캐소드 본체에 형성된 이온 가속 캐비티를 갖는 이온 가속 유닛을 나타낸다.
도 4b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 중공 캐소드 본체로부터 전기적으로 분리된 이온 가속 캐비티를 갖는 이온 가속 유닛을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 이온을 추출 및 가속하는 방법을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 코팅-기판 조합을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 24시간 런타임 이후의 이온 소스를 나타내는 사진이다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유리 기판 상의 이온 에칭 패턴을 나타내는 사진이다.
도 9a는 플라즈마가 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스에 의해 형성된 것을 나타내는 사진이다.
도 9b는 플라즈마가 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 이온 소스에 의해 형성된 것을 나타내는 사진이다.
도 1a, 1b 및 1c는 공지의 중공 캐소드 플라즈마 소스(100A, 100B, 100C)를 나타낸다. 도 1a에 나타낸 바와 같이, 중공 캐소드 플라즈마 소스(100A)는 각각 전원(116)에 연결된 제1 선형 중공 캐소드(102)와 제2 선형 중공 캐소드(104)를 포함한다. 각각의 선형 중공 캐소드(102, 104)는 내부 중공 캐소드 캐비티(112)와 가스 주입구(114)를 포함하여 플라즈마-형성 가스가 중공 캐소드 캐비티(112)로 들어갈 수 있게 한다. 또한, 중공 캐소드(102, 104)는 플라즈마 출구 영역을 포함한다. 도 1a에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 출구 영역은 중공 캐소드 캐비티(112)로부터 중공 캐소드를 수용하는 프로세스 챔버에 이르는 노즐(110A) 또는 홀의 어레이로 구성된다. 도 1b에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 출구 영역은 중공 캐소드 본체의 단일 슬롯(110B)으로 구성된다. 도 1c는 선형 중공 캐소드 플라즈마 소스에 있어서 도 1a 및 1b의 캐비티와 가스 주입구와 유사한, 각각이 중공 캐소드 캐비티(112c)와 가스 주입구(114c)를 갖는 튜브형 중공 캐소드(102C, 104C)를 포함하는, 튜브형 또는 원통형 포인트 중공 캐소드 플라즈마 소스를 나타낸다. 도 1c에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 출구 영역은 단일 홀(110C)을 포함한다. 도 1c에 나타낸 플라즈마 소스는 플라즈마의 약 0-차원 "포인트"를 야기하는 포인트 소스이지만, 도 1a 및 1b의 선형 플라즈마 소스는 플라즈마의 약 1-차원 "라인"을 야기한다. 통상의 기술자는 야기된 플라즈마가 수학적으로 0-차원 또는 1-차원이 아니며, 이들 용어가 플라즈마 소스에 의해 생성된 플라즈마를 나타내는 근사치에 불과하다는 것을 인식할 것이다.
전원(116)은 각각의 중공 캐소드에 전기적으로 연결되며, 교류 전원을 포함한다. 전원(116)은 2개의 중공 캐소드가 서로에 대해 반대 극성을 갖도록 한다. 이 극성이 스위칭되므로, 각각의 중공 캐소드는 캐소드와 애노드로서 교번적으로 작용할 것이다. 본 기술 분야에 잘 알려지고, (예를 들면, 상기 참조로서 인용된 출원과 같은) 본 발명자에 의해 이전 출원에서 개시된 바와 같이, 양극성(bipolar) 전원 장치는 초기에 제1 전자 방출면을 음의 전압으로 구동하여, 플라즈마 형성을 가능하게 하고, 제2 전자 방출면은 전압 인가 회로의 애노드로 동작하기 위해 양의 전압으로 구동된다. 이는 제1 전자 방출면을 양의 전압으로 구동하고 캐소드와 애노드의 역할을 반전시킨다. 전자 방출면 중 하나가 음으로 구동됨에 따라, 대응하는 캐비티 내에 방전이 형성된다. 그리고, 다른 캐소드가 애노드를 형성하여, 전자류(electron current)가 음극의 중공 캐소드에서 양극의 중공 캐소드로 흐르도록 한다.
도면에서, 중공 캐소드 캐비티는 단지 설명의 목적을 위해, 폐쇄되지 않거나, 개방된 것으로 나타나 있음을 주목하라. 실제로는, 중공 캐소드 캐비티는 중공 캐소드 본체에 의해 둘러싸여 있고, 유일한 개구는 가스 주입구와 플라즈마 출구 영역이다.
도 1a 및 1b에 나타낸 선형 중공 캐소드 플라즈마 소스(100A, 100B)는 각각 이온 소스에 일반적으로 사용되지 않는다. 도 1c에 나타낸 포인트 중공 캐소드 플라즈마 소스는 간혹 (예를 들면, 우주선의 가속을 위한) 스러스터로 사용되는 이온 소스에 사용되지만, 그러한 포인트 플라즈마 소스는 일반적으로 (예를 들면, PECVD 코팅 프로세스와 같은) 기판 코팅에 사용되지 않는다.
도 2a, 2b 및 2c는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른, 중공 캐소드 이온 소스(200A, 200B, 200C)를 각각 나타낸다. 도 2a에 나타낸 바와 같이, 중공 캐소드 이온 소스(200A)는 각각 전원(116)에 연결된, 제1 이온 가속 유닛(202)과 제2 이온 가속 유닛(204)을 포함한다. 각각의 이온 가속 유닛(202, 204)은 중공 캐소드 본체(212), 내부 중공 캐소드 캐비티(112) 및 가스 주입구(114)를 포함하여, 플라즈마-형성 가스가 중공 캐소드 캐비티(112)에 들어갈 수 있도록 한다. 또한, 이온 가속 유닛(202, 204)은 플라즈마 출구 영역을 포함한다. 도 2a에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 출구 영역은 중공 캐소드 캐비티(112)로부터 이어지는 홀 (또는 노즐)의 어레이(110A)로 구성된다. 중공 캐소드 플라즈마 소스(100A)에서, 플라즈마 출구 영역은 중공 캐소드 캐비티로부터 중공 캐소드를 수용하는 프로세스 챔버에 이르는 반면; 이온 소스(200A)에서는, 홀의 어레이(110A)로 구성되는 플라즈마 출구 영역은 중공 캐소드 캐비티(112)로부터 이온 가속 캐비티(220)로 이어진다. 도 2b에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 출구 영역은 이온 가속 캐비티(220)로 이어지는 중공 캐소드 본체의 단일 슬롯(110B)으로 구성된다. 도 2c는 각각 튜브형 중공 캐소드 본체(212C), 중공 캐소드 캐비티(112C) 및 가스 주입구(114C)를 갖는 이온 가속 유닛(202C, 204C)을 나타낸다. 도 2c에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 출구 영역은 이온 가속 캐비티(220C)로 이어지는 단일 홀(110C)로 구성된다.
이제 도 2a를 참조하면, 중공 캐소드 이온 소스(200A)는 이온 가속 유닛(202, 204)을 수용하는 챔버(210)를 포함한다. 일부 실시예에서, 챔버(210)는 진공 챔버이다.
중공 캐소드의 전압 또는 극성이 플라즈마 전위에 대해, 변화하기 때문에, 이는 이온을 가속시키는 전기적 반발력을 생성한다. 양의 펄스 동안, 양이온이 캐비티로부터 반발되고 가속된다. 음의 펄스 동안, 음이온이 가속된다. 플라즈마 활성 산소는 음이온을 생성하는 것으로 알려져 있으며, 이는 이러한 이온 소스의 실시예에 있어서 애노드와 캐소드로서 각각의 중공 캐소드가 교번하는 기능으로 인해 불활성 또는 산소 반응성 가스의 이온 빔을 가속시키는데 유용하게 한다. 추가 컴포넌트와 별도의 전기장 또는 자기장을 필요로 하지 않고, 중공 캐소드 플라즈마 소스는 자체적으로, 이온 가속 캐비티와 함께, 이온을 추출 및 가속하는데 필요한 반발력을 생성한다. 또한, 기존의 이온 소스의 컴포넌트는 산소와 불리한 반응을 일으킬 수 있기 때문에, 기존의 이온 소스 대부분은 산소와 잘 작용하지 않는다.
플라즈마는 기체상 물질이지만, 전기 전도성이 높다. 이러한 전도성으로 인해, 플라즈마는 전하 또는 전기 전압 바이어스를 전달할 수 있다. 본 발명의 실시예들의 중공 캐소드에 의해 형성된 플라즈마는 일반적으로 접지 전위에서 (일반적으로, 30V를 넘지 않는) 양의 수십 볼트로 전하를 전달하는 비-평형, 비-열성(non-thermal) 플라즈마이다.
중공 캐소드 본체와 이온 가속 캐비티는 또한 기능적으로 플라즈마 전위에 대하여 동일한 전위 또는 적어도 동일한 극성을 가져야 한다. 따라서, 제1 이온 가속 유닛의 중공 캐소드 본체와 대응하는 이온 가속 캐비티는 제1 동일 전위 또는 극성을 가져야 하며, 제2 이온 가속 유닛의 중공 캐소드 본체와 대응하는 이온 가속 캐비티는 제2 동일 전위 또는 극성을 가져야 한다. 본 발명의 실시예들의 단순성의 일부분은 이온을 가속하는데 추가 전원 장치 또는 서로 다른 극성의 전극이 필요하지 않다는 것이다. 일부 실시예에서, 중공 캐소드 캐비티 벽과 이온 가속 캐비티 벽 모두는 하나의 전원 장치에 전기적으로 연결된다.
중공 캐소드 본체와 이온 가속 캐비티가 음의 극성에서 양의 극성으로 교번함에 따라, 그들은 전자 방출원(emmiter)과 전자 수집원(collector)으로서 작용하는 것 사이에서 번갈아 전환한다. 전자류는 중공 캐소드 사이에 형성된다. 전자 방출면 및 수집면을 장치의 특정 영역으로 제한하는 것이 유리하다. 불가피한 것은 아니지만, 개시된 실시예들의 이온 소스는 전자 방출 및 수집이 중공 캐소드 플라즈마 캐비티 벽, 이온 가속 캐비티 벽 및 플라즈마 출구 오리피스 벽 상에서 발생하고, 오리피스가 전도성인 경우에 최적으로 기능한다.
일부 실시예에 따르면, 추출 및 가속된 이온의 평균 에너지, 또는 대안적으로 중간(median) 에너지는 100eV 보다 크다. 다른 실시예에서, 평균 또는 중간 에너지는 100eV 보다 작다. 예를 들면, "냉(cold)" 중공 캐소드 플라즈마 소스를 사용하면, 약 500V에서 동작하며, 이온 소스는 100eV를 초과하고, 1500eV 만큼 높은 이온 에너지를 나타내는 에칭이 가능하다. "열(hot)" 중공 캐소드 플라즈마 소스를 사용하면, 이온 빔은 에칭하기에 충분한 에너지를 갖지 못하며, 이온 에너지는 100eV 보다 작고, 10eV 정도의 에너지를 나타낸다. 광범위하게 변화하는 이온 에너지를 생성하는 이러한 능력은 유리하다. 특히, 10eV 정도의 에너지를 갖는 이온 소스는 종래의 이온 소스 기술을 사용하여 설계하기가 어렵다. 이는 선형 이온 소스와 관련하여 특히 그렇다.
이온 가속 유닛(202, 202C, 204, 204C)은 이온을 추출 및 가속시킴으로써, 이온 빔을 형성할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 따라서, 일부 실시예에서, 이온 소스로부터 형성된 적어도 2개의 별개의 이온 빔이 있을 것이다.
본 개시에 의해 통상의 기술자가 이해할 수 있는 바와 같이, 전원(116)은 종래의 양극성(2상) 전원일 수 있다. 전원(116)은 또한 다상 전원일 수 있으며, 두 개 이상의 이온 가속 유닛에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 미국 출원 제14/942,737호 및 제14/942,673호에 설명된 바와 같이, 이온 소스(200A, 200B, 200C) (또는 본 개시에 의해 가능하게 되는 임의의 다른 이온 소스)는 적어도 3개의 위상-오프셋 파에 의해 전기적으로 전력이 공급되는 중공 캐소드 본체를 각각 포함하는 적어도 3개의 이온 가속 유닛을 포함할 수 있다.
본 명세서에 개시된 예시적인 실시예들에 따른 중공 캐소드는 전자류가 반대 극성의 중공 캐소드들 사이에서 흐를 수 있도록 서로 충분하게 근접해야 한다. 일부 실시예에서, 이러한 근접 거리는 약 5mm 내지 500mm일 수 있다. 도 2a, 2b 및 2c에 나타낸 바와 같이, 중공 캐소드 본체(212, 212C)는 신장된(elongated) 디자인이다. 일부 실시예에서, 이들 중공 캐소드의 길이는 약 50mm 내지 약 10m일 수 있고, 일부 실시예에서는 길이가 10m 보다 훨씬 클 수 있다. 일부 실시예에서, 중공 캐소드 본체는 직선형이지만, 중공 캐소드 본체는 또한 원형 또는 나선(convoluted) 형상일 수 있다. 예를 들면, 일부 실시예에서, 중공 캐소드 본체의 원형 및 동심원 배치는 단일의 대 영역(large area) 이온 빔을 초래할 수 있다.
통상의 기술자는 또한 이온 가속 유닛(202, 202C, 204, 204C)이 직사각형 또는 튜브형으로 나타나 있지만, 본 발명의 실시예들에 따른, 중공 캐소드 캐비티와 같은, 이들 이온 가속 유닛 내에 형성된 이온 가속 유닛 및 캐비티가 다른 형상을 포함할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 중공 캐소드 캐비티의 폭 (또는 직경)은 (예를 들면) 약 8mm 내지 약 100mm일 수 있다. 특정 실시예에서, 챔버 내부의 동작 압력은 약 0.1 밀리토르(0.013 파스칼) 내지 100 밀리토르(13 파스칼), 또는 보다 통상적으로 약 1.0 밀리토르(0.13 파스칼) 내지 약 50 밀리토르(6.7 파스칼)일 수 있다. 일반적인 챔버 압력은 통상적으로 중공 캐소드 캐비티 내부의 압력보다 작다. 이해되는 바와 같이, 캐비티 내부의 플라즈마 가스 압력은 캐비티의 폭 (또는 직경)이 캐비티 내부의 플라즈마 가스 압력에 반비례하도록 제어될 수 있다.
캐비티 벽을 포함하는, 중공 캐소드 본체에 대한 구조 물질은 전자가 캐비티 벽 표면으로부터 방출될 수 있고, 벽이 방전을 유지하기 위해 필요한 전류를 전달할 수 있도록 충분히 전기적 전도성이 있어야 한다. 캐비티 벽 구조 물질의 예시들은 금속, 금속 합금, 금속 화합물, 탄소, 탄소 화합물, 전도성 세라믹 및/또는 반도체를 포함한다. 일반적으로 사용되는 물질은 금속, 금속 합금 및/또는 흑연 형태의 탄소이다. 어떤 경우에는 캐비티 벽 물질은 원하는 전자 방출 특성에 대해 선택될 수 있다. 캐비티 벽은 낮은 동작 전압 및 증가된 전자류를 허용하는 낮은 일함수 또는 높은 2차 전자 방출 계수를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 어떤 경우에는 이러한 특수 재료들은 금속 또는 탄소 베이스 상의 내부 캐비티 벽 코팅(예를 들면, 스퍼터링을 감소시키기 위한 텅스텐-카바이드 코팅)을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예들은 매우 다양한 캐비티 벽 물질에 대해 효과적이다.
일부 실시예에서, 중공 캐소드 캐비티는 폭 또는 직경이 약 8mm 내지 약 100mm이다. 플라즈마 출구 영역은 폭 또는 직경이, 약 1mm 내지 약 20mm, 또는 약 2mm 내지 약 15mm일 수 있다. 이온 가속 캐비티는, 일부 실시예에서, 플라즈마 출구 영역보다 넓다(또는 직경이 더 크다). 일부 실시예에서, 이온 가속 캐비티는 약 2mm 내지 25mm, 또는 약 3mm 내지 20mm의 폭 또는 직경을 갖는다. 일부 실시예에서, 이온 가속 캐비티는 (예를 들면, 도 2a 및 2b에 나타낸 바와 같이) 직사각형 슬롯 또는 (예를 들면, 도 2c에 나타낸 바와 같이) 원형 슬롯일 수 있다. 그러나, 이해되는 바와 같이, 다른 형상도 가능하다. 예를 들면, 도 3a 내지 3d는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 대안적인 이온 가속 캐비티 형상을 나타낸다. 도 3a 내지 3d에 나타낸 바와 같이, 이온 가속 유닛(300)은 이온 가속 캐비티(302, 304, 306, 308)를 포함한다. 이온 가속 캐비티는 (도 3a에 나타낸) 원통형 캐비티(302), (도 3b에 나타낸) 종 모양 이온 가속 캐비티(304), 또는 (도 3c에 나타낸) 넓어지는(306) 또는 (도 3d에 나타낸) 좁아지는(308) 원추형 이온 가속 캐비티를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 이온 가속 캐비티는 카운터보어, 직사각형 슬롯, 반원, 원추, 역원추 및 종 모양의 형태일 수 있다. 이해되는 바와 같이, 이온 가속 캐비티의 형상 및 구성은 이온 가속 유닛으로부터 야기된 이온 빔에 영향을 줄 것이다.
도 4a는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 이온 가속 유닛(400A)을 나타낸다. 이온 가속 유닛(400A)은, 예를 들면, 이온 소스(200A, 200B, 200C)와 같은, 이온 소스의 일부로서 사용될 수 있다. 이온 가속 유닛(400A)은 중공 캐소드 본체(422), 가스 주입구(114), 중공 캐소드 캐비티(112), 플라즈마 출구 영역(110A) 및 이온 가속 캐비티(220)를 포함한다. 이온 가속 유닛(400A)은 모든 외부 전기 전도성 부분을 덮는 전기 절연 쉘(shell)(402)을 추가로 포함한다. 일부 실시예에서, 플라즈마에 노출된 유일한 전도성 표면은 중공 캐소드 캐비티의 내부, 플라즈마 출구 오리피스 및 이온 가속 캐비티이다. 절연 쉘(402)은, 일부 실시예에서, 세라믹, 폴리머 또는 다른 유전체 물질과 같은, 비 전도성 물질의 커버를 포함할 수 있다. 절연 쉘(402)은 또한 다크 스페이스 실드를 포함할 수 있다. 도 4a에 나타낸 바와 같이, 이온 가속기(420)는 이온 가속 캐비티(220)를 형성하며, 이는 중공 캐소드 본체(422)의 일부이다.
도 4b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 이온 가속 유닛(400B)을 나타낸다. 이온 가속 유닛(400B)은, 예를 들면, 이온 소스(200A, 200B, 200C)와 같은, 이온 소스의 일부로서 사용될 수 있다. 이러한 이온 소스에서, 이온 가속 유닛(400B)은 추가 이온 가속 유닛(400B), 이온 가속 유닛(400A), 또는 본 발명의 실시예에 따른 다른 이온 가속 유닛과 함께 사용될 수 있다. 이온 가속 유닛(400B)은 중공 캐소드 본체(422), 가스 주입구(미도시), 캐비티(112), 플라즈마 출구 영역(416) 및 이온 가속 캐비티(220)를 포함한다. 도 4b에 나타낸 설계에서, 중공 캐소드 본체와 이온 가속 본체는 별개의 컴포넌트이다. 절연 벽(410, 412)이 이온 가속 본체를 둘러싸면서, 절연 벽(418)이 중공 캐소드 본체를 둘러싸고 있다. 절연 벽(412)은 이온 가속 본체와 중공 캐소드 본체 사이에 있고, 플라즈마 출구 영역이 이온 가속 캐비티와 소통하게 하는 개구(414)를 포함한다. 절연 벽(410, 412, 418)은, 일부 실시예에서, 세라믹, 폴리머, 또는 다른 유전체 물질과 같은, 비 전도성 물질의 커버를 포함할 수 있다. 절연 물질(410, 412, 418)은 또한 다크 스페이스 실드를 포함할 수 있다. 도 4b에 나타낸 바와 같이, 이온 가속기(420)는 이온 가속 캐비티(220)를 형성하며, 절연 쉘(412)에 의해 중공 캐소드 본체(422)와 분리되어 있다.
기술 분야에 알려진 바와 같이, 다크 스페이스 실드는 낮은 압력에서 플라즈마가 형성되는 것이 물리적으로 불가능한 (5mm 이하 정도의) 좁은 공간을 갖는 플라즈마 소스 주변 영역을 지칭한다. 기술 분야에서 알려진 바와 같이, 다크 스페이스 실드는 가스 조성, 압력 및 전압에 의존한다.
이제 도 4a 및 4b를 참조하면, 본 발명의 일부 실시예에서, 이온 가속 캐비티는 중공 캐소드 본체의 통합 부분이거나, 중공 캐소드 본체와 별개의 컴포넌트일 수 있다. 예를 들면, 도 4a에서, 이온 가속 캐비티는 슬롯으로서 중공 캐소드 본체 물질 내로 절단될 수 있다. 이는 효과적으로 이온 가속 본체와 중공 캐소드 본체가 동일한 전위와 극성을 갖도록 강제할 것이다. 도 4b에 나타낸 바와 같이, 이온 가속 캐비티는 메인 중공 캐소드 본체로부터 전기적으로 절연될 수 있다. 예를 들면, 도 4b에서, 이온 가속기는 메인 중공 캐소드 본체와 다른 물질로 이루어질 수 있다. 이러한 배치에서, 본 발명의 일부 실시예에 따르면, 중공 캐소드 캐비티 벽과 이온 가속 캐비티 벽 사이의 전기적 극성 관계를 유지할 필요가 있다.
일부 실시예에서, 제1 및 제2 이온 가속기는 각각의 이온 가속기와 중공 캐소드 본체에 대한 사이클의 양의 부분 동안 대응하는 제1 및 제2 중공 캐소드 본체보다 제1 및 제2 이온 가속기가 더욱 양으로 (또는 덜 양으로) 바이어스 되도록 구성된다. 특히, (예를 들면, 도 4b에 나타낸 바와 같이) 이온 가속기(420)와 중공 캐소드 본체(422)가 전기적으로 절연되어 있는 경우, 각각의 이온 가속기는 대응하는 중공 캐소드 본체가 애노드로서 기능하는 동안 (즉, 사이클의 양의 부분 동안) 대응하는 중공 캐소드 본체보다 더욱 양으로 (또는 덜 양으로) 바이어스 되도록 구성될 수 있다. 이는 중공 캐소드 본체와 이온 가속기 사이에 필요한 전기적 극성 관계를 계속 유지하면서 수행될 수 있다. 이러한 방식으로 이온 가속기와 중공 캐소드 본체 사이의 상대적인 전압을 관리함으로써, 이온의 결과적인 가속도가 제어될 수 있다.
도 5는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 방법을 나타낸다. 방법(500)은, 예를 들면 이온 소스(200A)와 같은 이온 소스를 제공하는 단계(단계 502)를 포함한다. 이온 소스(200A)는 챔버(210)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 챔버(210)는 진공 챔버이다. 이온 소스(200A)는 제1 중공 캐소드 본체(212), 제1 중공 캐소드 캐비티(112) 및 제1 플라즈마 출구 오리피스(110A)를 갖는 제1 이온 가속 유닛(202)과 제2 중공 캐소드 본체(212), 제2 중공 캐소드 캐비티(112) 및 제2 플라즈마 출구 오리피스(110A)를 갖는 제2 이온 가속 유닛(204)을 추가로 포함하며, 제1 및 제2 중공 캐소드 본체는 챔버(210) 내에서 인접하게 배치된다. 이온 소스(200A)는 제1 플라즈마 출구 오리피스(110A) 및 챔버(210) 사이에 있고, 이들과 소통하는 (도 4에서의 엘리먼트(420)와 같은) 제1 이온 가속기를 추가로 포함한다. 제1 이온 가속기(420)는 제1 이온 가속 캐비티(220)를 형성한다. 이온 소스(200A)는 제2 플라즈마 출구 오리피스(110A)와 챔버(210) 사이에 있고, 이들과 소통하는 (도 4의 엘리먼트(420)와 같은) 제2 이온 가속기를 추가로 포함한다. 제2 이온 가속기(420)는 제2 이온 가속 캐비티(220)를 형성한다. 제1 중공 캐소드 본체와 제2 중공 캐소드 본체는 플라즈마를 생성하기 위해 전극과 카운터-전극으로서 교대로 기능한다(예를 들면, 캐소드와 애노드로서 교대로 기능함). 제1 신장된 이온 가속 캐비티와 제2 신장된 이온 가속 캐비티 각각은 임의의 추가 전극, 가속 그리드, 자기장, 뉴트럴라이저, 또는 다른 추가 컴포넌트 필요 없이도 이온의 추출 및 가속을 가능하게 하는데 충분하다. 방법(500)은 제1 중공 캐소드 본체와 제2 중공 캐소드 본체를 사용하여 플라즈마를 생성하는 단계(단계 504)를 추가로 포함한다. 방법(500)은 이온을 추출 및 가속하는 단계(단계 506)를 추가로 포함한다. 선택적으로, 방법(500)은 기판을 제공하는 단계(단계 508)를 포함할 수 있고, 추출 및 가속된 이온을 사용하여 기판 상에 코팅을 증착시키는 단계(단계 510) 또는 추출 및 가속된 이온을 사용하여 기판을 처리하는 단계(단계 512)를 포함할 수 있다. 이해되는 바와 같이, 일부 실시예에서, 추출 및 가속된 이온은 이온 가속 캐비티로부터 추출되고 가속된다. 일부 실시예에서, 추출 및 가속된 이온은 추가로 추출되어 기판을 향하여 가속된다.
도 6은 코팅(602)과 기판(604)을 포함하는, 코팅-기판 조합(600)을 나타낸다. 본 발명의 실시예에 따른 이온 소스는 기판(604) 상에 코팅(602)을 증착시키거나, 대안적으로, 이미-증착된 코팅(602)을 처리하는데 사용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명의 실시예에 따른 이온 소스는 유리 기판을 처리 또는 에칭하거나, 코팅을 증착하거나, 또는 코팅을 치밀화하는데 사용될 수 있다.
전자류에 영향을 주는 하나의 요인은 중공 캐소드 캐비티 벽의 온도이다. 약 1000℃ 이하의 캐비티 벽 온도를 갖는 중공 캐소드 셋업에서, 전자 방출은 2차 전자 방출에 의해 지배된다. 열이온 방출이 약 750℃ 이상의 온도에서 나타날 수 있지만, 2차 전자 방출은 여전히 약 1000℃까지 지배적이다. 캐비티 벽이 이온에 의해 충돌되면, 충돌하는 이온 운동 에너지는 음의 전압 포텐셜에 따라 벽 표면으로부터 전자가 방출되도록 유도한다. 통상적으로, 이러한 "냉" 중공 캐소드는 약 50℃ 내지 약 500℃의 캐비티 벽 온도로 동작한다. 일반적으로, 이러한 온도에서 중공 캐소드 구조를 유지하기 위해, 냉각 방법이 적용된다. 종종, 수냉 채널이 중공 캐소드 구조에 내장된다. 냉 중공 캐소드 방전을 위한 동작 전압은 일반적으로 약 300볼트 내지 약 1000볼트이다.
대안적으로, 중공 캐소드는 열이온 모드로 동작할 수 있다. 열이온 전자 방출이 발생하기 위해서는, 중공 캐소드 캐비티 벽 온도가 보통 약 750℃ 내지 약 2000℃까지이다. 열 이온 중공 캐소드는 온도 상승을 돕기 위해 캐비티 벽 주변 히터를 통합하거나, 더욱 간단하게, 캐비티 벽을 가열하기 위해 플라즈마 에너지 전달에 의존할 수 있다. 일반적으로, 열 캐비티는 전도성 또는 방사성 열 손실을 감소시키기 위해 열적으로 절연되어 있다. 열이온 중공 캐소드 방전에 대한 동작 전압은 통상적으로 약 10볼트 내지 약 300볼트이며, 보다 일반적으로는 약 10볼트 내지 약 100볼트이다.
대부분의 종래의 이온 소스와는 달리, 개시된 실시예의 이온 소스는 온도 범위 또는 임의의 전자 방출 모드와 양립할 수 있다.
중공 캐소드의 내부에서 플라즈마 생성을 용이하게 하기 위해, 플라즈마 형성 가스가 중공 캐소드 캐비티 내부에 도입된다. 이러한 가스는 중공 캐소드 캐비티 내에서 자유, 진동 전자와 충돌을 통해 이온화된다. 통상적으로, 밀폐된 중공 캐소드 캐비티에서, 가스 주입구 튜브 또는 오리피스를 통해 플라즈마 가스가 캐비티 공간으로 도입된다. 거의 모든 기체상 물질이 플라즈마 형성 가스로서 사용될 수 있다. 플라즈마 형성 가스로서 사용되는 가장 일반적인 가스는 He, Ne, Ar, Kr, Xe, O2, N2, 및 H2를 포함한다. 불활성 가스로 제한되는 많은 이온 소스와는 달리, 일반적으로, 개시된 실시예의 이온 소스는 불활성 또는 비-불활성 가스를 포함하는, 임의의 이온화된 가스로부터의 이온 빔을 형성할 것이다. 고온의 중공 캐소드 캐비티 물질에서 일부 가스 제한이 발생할 수 있다. 예를 들면, 1000℃가 넘는 중공 캐소드 캐비티 벽 물질은 산소와 같은 일부 이온화된 가스와 화학적으로 반응할 수 있다. 이러한 반응으로 인해 캐비티 벽에 전기적 절연 코팅이 성장하면, 전자 방출이 억제될 수 있다. 가스 또는 물질 선택에 대한 또 다른 고려 사항은 중공 캐소드 캐비티의 침식(erosion) 또는 연소이다.
본 명세서에 개시된 포인트 소스 실시예에 대한 통상적인 플라즈마 형성 가스 흐름은 약 1 표준 입방 센티미터 / 분 (또는 sccm) 내지 100sccm일 수 있다. 본 명세서에 개시된 선형 실시예에서, 일부 실시예의 플라즈마 형성 가스 흐름은 캐비티 길이의 선형 mm 당 약 0.5sccm 내지 약 10sccm일 수 있다. 더욱 일반적인 선형 가스 흐름은 약 1sccm 내지 약 5 sccm/mm일 수 있다. 이러한 값은 챔버 내의 각 이온 가속 유닛을 통해 합산된, 전체 가스 흐름을 지칭한다. 이해되는 바와 같이, 전체 가스 흐름은 챔버 내의 압력을 유지하는데 사용되는 진공 펌프의 능력에 의해 제한될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예에서, 플라즈마 출구 오리피스는 금속 또는 탄소와 같은, 중공 캐소드 본체 또는 캐비티 벽과 동일한 전도성 물질을 포함할 수 있다. 플라즈마 출구 오리피스는 또한 텅스텐 카바이드와 같은 다른 경질 또는 내열성 물질을 포함할 수 있다. 이러한 플라즈마 출구 오리피스는 반드시 전기 전도성일 필요는 없으며, 세라믹 인서트(insert)와 같은 세라믹 유전체 물질을 포함할 수 있다.
일반적인 플라즈마 출구 홀의 직경 또는 플라즈마 출구 슬롯의 폭은 약 0.5mm 내지 약 8mm일 수 있다. 가장 자주 사용되는 크기는 약 1mm 내지 약 6mm이다. 플라즈마 출구 홀의 경우, 중심으로부터 중심까지의 거리 간격은 약 1.5mm 내지 약 50mm의 중심 거리까지 넓게 변할 수 있다. 인접한 홀들 사이의 간격은, 본 발명의 실시예에 따라, 균일하거나 불규칙할 수 있다. 비한정적인 예시로서, 균일한 이온 빔 커튼은 약 5mm 내지 약 30mm의 플라즈마 출구 홀 사이의 간격을 갖는 예시적인 이온 소스로부터 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나에 의해 형성되는 이온 빔은 단일 협폭 빔, 단일 대 영역 빔, 단일 빔의 어레이, 또는 연속적인 선형 빔 커튼으로 구성될 수 있다. 일부 실시예에서, 이온 빔은 적어도 부분적으로 콜리메이트(collimated)될 수 있다. 예를 들면, 이온 가속 캐비티의 디자인은 생성된 이온 빔의 유형에 영향을 줄 것이다. 이해되는 바와 같이, 제1 이온 가속 캐비티와 제2 이온 가속 캐비티 각각은 이온 빔을 형성할 수 있으며, 각각의 이온 가속 캐비티에 의해 형성된 이온 빔은 다른 이온 가속 캐비티에 의해 형성된 이온 빔과 동일하거나 상이하도록 구성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 종래의 이온 소스가 PECVD 코팅 공정과 관련하여 사용되는 경우, 이러한 공정은 캐소드 또는 애노드 표면을 포함하는 거의 모든 진공 챔버 하드웨어를 오염시키고 코팅하는 것으로 알려져 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서, 중공 캐소드 캐비티 벽과 이온 가속 캐비티 벽은 이러한 오염 문제로부터 보호된다. 예를 들면, 이러한 2개의 표면은 모두 중공 캐소드 외부의 가스로부터 적어도 부분적으로 둘러싸이고 격리되어 있다. 이러한 2개의 표면 모두는 또한 이들을 가로지르는 플라즈마 형성 가스의 흐름에 의해 청결하고 전기적 전도성을 갖는 경향이 있다. 즉, 플라즈마 가스는 PECVD 공정에 사용되는 전구체와 같은 잠재적으로 오염시킬 수 있는 가스를 없애는 경향이 있다.
도 7은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 24시간 런타임 이후의 이온 소스를 나타내는 사진(700)이다. 특히, 이온 소스는 플라즈마 출구 영역(704) 및 이온 가속 캐비티(706)로서 노즐의 어레이를 갖는 중공 캐소드(702)를 포함한다. 도 7의 백색 영역은 이온 가속 캐비티의 벽 상에 전기적으로 비전도성인 이산화 티타늄(TiO2)이 축적된 것이다. 이러한 오염은 이온 소스에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. 도시된 바와 같이, 도 7의 이온 소스는 플라즈마 출구 영역으로서 노즐의 어레이를 포함한다. 절연 쉘로서 기능하는 다크 스페이스 실드는 중공 캐소드의 면 상에 존재한다.
도 8은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 유리 기판(792) 상의 이온 에칭 패턴을 나타내는 사진(800)이다. 컬러 얼룩은 유리 기판 상에 약 0.3μm 두께의 산화 티타늄 코팅이다. 에칭된 영역은 유리 기판(802) 내로 약 250μm의 깊이이다. 기판 상의 플라즈마 및 이온 빔 노출 시간은 약 24시간이었다. 에칭 공정 동안, 기판 또는 플라즈마 생성 하드 웨어의 전기 충전은 발생하지 않았다.
도 9a는 공지된 중공 캐소드 플라즈마 소스에 의해 형성된 플라즈마(902)를 나타내는 사진이다. 중공 캐소드 플라즈마 소스는 플라즈마 출구 영역으로서 6개의 노즐을 포함하고 이온 가속 캐비티를 포함하지 않았다. 도 9a에 나타낸 플라즈마 소스는 도 1a에 의해 나타낸 것과 유사하다.
도 9b는 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 이온 소스에 의해 형성된 플라즈마(904)를 나타내는 사진이다. 여기서 양극성 중공 캐소드 이온 소스는 플라즈마 출구 영역으로서 12개의 노즐과 10mm 깊이와 4.8mm의 폭을 갖는 이온 가속 캐비티를 포함했다. 볼 수 있는 바와 같이, 플라즈마의 더 밝은 줄무늬는 소스로부터 기판으로 가속되는 이온의 빔을 나타낸다.
통상의 기술자가 본 개시로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 중공 캐소드와 다상 전력 입력의 많은 다른 조합이 특정 애플리케이션에 적합하게 설계된 특정 배열로 가능하다.
이상에서 다양한 실시예들이 설명되었지만, 이들은 단지 예시로서 제시된 것이지, 제한하고자 하는 것이 아님이 이해되어야 한다. 따라서, 본 개시의 폭과 범위는 이상에서 설명된 예시적인 실시예들 중 임의의 것으로 한정되어서는 안된다. 또한, 본 명세서에서 달리 지시되지 않는 한, 또는 문맥에 의해 명확하게 모순되지 않는 한, 모든 가능한 변형에서 이상에서 설명된 요소의 임의의 조합이 본 개시에 포함된다.
또한, 이상에서 설명되고 도면에 나타낸 공정이 일련의 단계로 도시되어 있지만, 이는 단지 예시를 위해서 행해진 것이다. 따라서, 일부 단계가 추가될 수 있고, 일부 단계가 생략될 수 있으며, 단계의 순서가 재배열될 수 있고, 일부 단계가 병렬로 수행될 수 있다는 것이 고려된다.
Claims (81)
- 이온 소스로서,
챔버;
제1 중공 캐소드 캐비티 및 제1 플라즈마 출구 오리피스(orifice)를 갖는 제1 중공 캐소드와 제2 중공 캐소드 캐비티 및 제2 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제2 중공 캐소드 -상기 제1 및 제2 중공 캐소드는 상기 챔버 내에 인접하여 배치됨-;
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스 및 상기 챔버 사이에서, 상기 제1 플라즈마 출구 오리피스 및 상기 챔버와 소통하는 제1 이온 가속기 -상기 제1 이온 가속기는 제1 이온 가속 캐비티를 형성함-; 및
상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 및 상기 챔버 사이에서, 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 및 상기 챔버와 소통하는 제2 이온 가속기 -상기 제2 이온 가속기는 제2 이온 가속 캐비티를 형성함-를 포함하며,
상기 제1 중공 캐소드와 상기 제2 중공 캐소드는 플라즈마를 생성하기 위해 전극 및 카운터-전극으로서 교대로 기능하도록 구성되고, 그리고
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 각각은 이온의 추출 및 가속을 가능하게 하는데 충분한 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나로부터 상기 추출 및 가속된 이온은 단일 협폭(narrow) 빔, 단일 대-영역(large-area) 빔, 단일 빔의 어레이 및 연속 선형 빔 커튼 중 하나를 형성하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나로부터 상기 추출 및 가속된 이온은 콜리메이트(collimated) 이온 빔을 형성하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드와 상기 제1 이온 가속기는 제1 동일 전위차를 갖고, 상기 제2 중공 캐소드와 상기 제2 이온 가속기는 제2 동일 전위차를 갖는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드와 상기 제1 이온 가속기는 상기 플라즈마의 전위에 대하여 제1 동일 극성을 갖고, 상기 제2 중공 캐소드와 상기 제2 이온 가속기는 상기 플라즈마의 전위차에 대하여 제2 동일 극성을 갖는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속기는 상기 제1 중공 캐소드의 일부를 포함하고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속기는 상기 중공 캐소드의 일부를 포함하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티는 상기 제1 이온 가속기 내의 슬롯을 포함하며, 상기 제2 이온 가속기는 상기 제2 이온 가속기 내의 슬롯을 포함하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속기와 상기 제1 중공 캐소드는 서로 전기적으로 절연되어 있고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속기와 상기 제2 중공 캐소드는 서로 전기적으로 절연되어 있는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속기의 전위와 상기 제2 이온 가속기의 전위 중 적어도 하나는 상기 플라즈마의 전위에 대하여 음(negative)과 양(positive) 사이에서 소정의 주파수로 스위칭하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속기는 상기 제1 중공 캐소드의 외부에 전기적으로 연결되고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속기는 상기 제2 중공 캐소드의 외부에 전기적으로 연결되는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속기는 상기 제1 중공 캐소드의 내부에 전기적으로 연결되고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속기는 상기 제2 중공 캐소드의 내부에 전기적으로 연결되는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 카운터보어(counterbore), 직사각형 슬롯, 반원, 원추형, 역원추형 및 종(bell) 모양 중 하나의 형태인 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속기와 상기 제2 이온 가속기 중 적어도 하나의 내부 표면은 전자-방출성(electron-emitting) 및 전자-수용성(electron-accepting)인 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드, 상기 제1 이온 가속기, 상기 제2 중공 캐소드 및 상기 제2 이온 가속기 중 적어도 하나의 외부 표면은 전기적으로 절연되어 있는 이온 소스. - 청구항 14에 있어서,
상기 외부 표면은 폴리머와 비전도성 세라믹 중 적어도 하나에 의해 전기적으로 절연되어 있는 이온 소스. - 청구항 14에 있어서,
상기 외부 표면은 다크 스페이스 실드(dark space shield)에 의해 전기적으로 절연되어 있는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 챔버는 진공 챔버를 포함하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스는 상기 제1 중공 캐소드와 상기 챔버 사이의 가스 흐름을 제한하고, 그리고/또는 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스는 상기 제2 중공 캐소드와 상기 챔버 사이의 가스 흐름을 제한하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 신장된(elongated) 캐비티를 포함하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스와 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 플라즈마 출구 노즐을 포함하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스와 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 복수의 플라즈마 출구 노즐을 포함하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스와 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 선형 슬롯을 포함하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티는 상기 제1 플라즈마 출구 오리피스로부터 나오는 가스를 부분적으로 둘러싸고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속 캐비티는 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스로부터 나오는 가스를 부분적으로 둘러싸는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 추출 및 가속된 이온의 평균 에너지는 100eV 보다 작은 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 추출 및 가속된 이온의 평균 에너지는 100eV 보다 큰 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드, 상기 제1 이온 가속기, 상기 제2 중공 캐소드 및 상기 제2 이온 가속기 중 적어도 하나에 전력을 공급하도록 구성된 전원를 더 포함하는 이온 소스. - 청구항 26에 있어서,
상기 전원는 200V 내지 1000V의 실효(root-mean-square) AC 전압에서 동작하는 이온 소스. - 청구항 26에 있어서,
상기 전원는 20V 내지 200V의 실효 AC 전압에서 동작하는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 중공 캐소드는, 양극으로서 동작하는 상기 중공 캐소드가 상기 챔버의 벽보다 더 양으로 바이어스 되도록(biased) 구성되는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 이온 가속기는, 각각의 상기 이온 가속기와 상기 중공 캐소드의 사이클의 양의 부분 동안 상기 제1 및 제2 이온 가속기가 대응하는 제1 및 제2 중공 캐소드보다 더 양으로 바이어스 되도록 구성되는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 이온 가속기는, 각각의 상기 이온 가속기와 상기 중공 캐소드의 사이클의 양의 부분 동안 상기 제1 및 제2 이온 가속기가 대응하는 제1 및 제2 중공 캐소드보다 덜 양으로 바이어스 되도록 구성되는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
유일하게 전기적으로 활성인 표면은 필수적으로 상기 제1 및 제2 중공 캐소드 각각의 내부 벽과 상기 제1 및 제2 이온 가속기 각각의 내부 벽으로 구성되는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드와 상기 제2 중공 캐소드가 전극과 카운터-전극 사이에서 교번하는 주파수는 1kHz 내지 1MHz인 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 공통 라인에 이온 충격을 분배하도록 경사지는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 플라즈마는 자기-중화(self-neutralizing)되는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 이온 소스는 홀(Hall) 전류가 전혀 존재하지 않는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 이온 소스는 가속 그리드(grid)가 전혀 존재하지 않는 이온 소스. - 청구항 1에 있어서,
상기 이온 소스는 길이가 약 0.1m 내지 약 4m이고, 이온 소스의 길이에 걸쳐 균일한 플라즈마와 이온 방출을 갖는 이온 소스. - 이온을 추출 및 가속하는 방법으로서,
(i) 이온 소스를 제공하는 단계 -상기 이온 소스는,
챔버;
제1 중공 캐소드 캐비티와 제1 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제1 중공 캐소드 및 제2 중공 캐소드 캐비티와 제2 플라즈마 출구 오리피스를 갖는 제2 중공 캐소드 -상기 제1 및 제2 중공 캐소드는 상기 챔버 내에 인접하여 배치됨-;
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스 및 상기 챔버 사이에서, 상기 제1 플라즈마 출구 오리피스 및 상기 챔버와 소통하는 제1 이온 가속기 -상기 제1 이온 가속기는 제1 이온 가속 캐비티를 형성함-; 및
상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 및 상기 챔버 사이에서, 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 및 상기 챔버와 소통하는 제2 이온 가속기 -상기 제2 이온 가속기는 제2 이온 가속 캐비티를 형성함-를 포함함-;
(ii) 상기 제1 중공 캐소드와 상기 제2 중공 캐소드를 사용하여 플라즈마를 생성하는 단계 -상기 제1 중공 캐소드와 상기 제2 중공 캐소드는 전극 및 카운터-전극으로서 교대로 기능하도록 구성됨-; 및
(iii) 이온을 추출 및 가속하는 단계를 포함하며, 상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 각각은 이온의 상기 추출 및 가속을 가능하게 하는데 충분한 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나로부터 추출 및 가속된 이온은 단일 협폭 빔, 단일 대-영역 빔, 단일 빔의 어레이 및 연속 선형 빔 커튼 중 하나를 형성하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나로부터 추출 및 가속된 이온은 콜리메이트 이온 빔을 형성하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드와 상기 제1 이온 가속기는 제1 동일 전위차를 갖고, 상기 제2 중공 캐소드와 상기 제2 이온 가속기는 제2 동일 전위차를 갖는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드와 상기 제1 이온 가속기는 상기 플라즈마의 전위에 대하여 제1 동일 극성을 갖고, 상기 제2 중공 캐소드와 상기 제2 이온 가속기는 상기 플라즈마의 전위차에 대하여 제2 동일 극성을 갖는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속기는 상기 제1 중공 캐소드의 일부를 포함하고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속기는 상기 중공 캐소드의 일부를 포함하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티는 상기 제1 이온 가속기 내의 슬롯을 포함하며, 상기 제2 이온 가속기는 상기 제2 이온 가속기 내의 슬롯을 포함하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속기와 상기 제1 중공 캐소드는 서로 전기적으로 절연되어 있고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속기와 상기 제2 중공 캐소드는 서로 전기적으로 절연되어 있는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속기의 전위와 상기 제2 이온 가속기의 전위 중 적어도 하나는 상기 플라즈마의 전위에 대하여 음과 양 사이에서 소정의 주파수로 스위칭하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속기는 상기 제1 중공 캐소드의 외부에 전기적으로 연결되어 있고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속기는 상기 제2 중공 캐소드의 외부에 전기적으로 연결되는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속기는 상기 제1 중공 캐소드의 내부에 전기적으로 연결되고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속기는 상기 제2 중공 캐소드의 내부에 전기적으로 연결되는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 카운터보어, 직사각형 슬롯, 반원, 원추형, 역원추형 및 종 모양 중 하나의 형태인 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속기와 상기 제2 이온 가속기 중 적어도 하나의 내부 표면은 전자-방출성 및 전자-수용성인 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드, 상기 제1 이온 가속기, 상기 제2 중공 캐소드 및 상기 제2 이온 가속기 중 적어도 하나의 외부 표면은 전기적으로 절연되어 있는 방법. - 청구항 52에 있어서,
상기 외부 표면은 폴리머와 비전도성 세라믹 중 적어도 하나에 의해 전기적으로 절연되어 있는 방법. - 청구항 52에 있어서,
상기 외부 표면은 다크 스페이스 실드에 의해 전기적으로 절연되어 있는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 챔버는 진공 챔버를 포함하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스는 상기 제1 중공 캐소드와 상기 챔버 사이의 가스 흐름을 제한하고, 그리고/또는 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스는 상기 제2 중공 캐소드와 상기 챔버 사이의 가스 흐름을 제한하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 신장된 캐비티를 포함하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스와 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 플라즈마 출구 노즐을 포함하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스와 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 복수의 플라즈마 출구 노즐을 포함하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 플라즈마 출구 오리피스와 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스 중 적어도 하나는 선형 슬롯을 포함하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티는 상기 제1 플라즈마 출구 오리피스로부터 나오는 가스를 부분적으로 둘러싸고, 그리고/또는 상기 제2 이온 가속 캐비티는 상기 제2 플라즈마 출구 오리피스로부터 나오는 가스를 부분적으로 둘러싸는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 추출 및 가속된 이온의 평균 에너지는 100eV 보다 작은 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 추출 및 가속된 이온의 평균 에너지는 100eV 보다 큰 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드, 상기 제1 이온 가속기, 상기 제2 중공 캐소드 및 상기 제2 이온 가속기 중 적어도 하나에 전력을 공급하도록 구성된 전원를 더 포함하는 방법. - 청구항 64에 있어서,
상기 전원는 200V 내지 1000V의 실효 AC 전압에서 동작하는 방법. - 청구항 64에 있어서,
상기 전원는 20V 내지 200V의 실효 AC 전압에서 동작하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 및 제2 중공 캐소드는, 양극으로서 동작하는 상기 중공 캐소드가 상기 챔버의 벽보다 더 양으로 바이어스 되도록 구성되는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 및 제2 이온 가속기는, 각각의 상기 이온 가속기와 상기 중공 캐소드의 사이클의 양의 부분 동안 상기 제1 및 제2 이온 가속기가 대응하는 제1 및 제2 중공 캐소드보다 더 양으로 바이어스 되도록 구성되는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 및 제2 이온 가속기는, 각각의 상기 이온 가속기와 상기 중공 캐소드의 사이클의 양의 부분 동안 상기 제1 및 제2 이온 가속기가 대응하는 제1 및 제2 중공 캐소드보다 덜 양으로 바이어스 되도록 구성되는 방법. - 청구항 39에 있어서,
유일하게 전기적으로 활성인 표면은 필수적으로 상기 제1 및 제2 중공 캐소드 각각의 내부 벽과 상기 제1 및 제2 이온 가속기 각각의 내부 벽으로 구성되는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드와 상기 제2 중공 캐소드가 전극과 카운터-전극 사이에서 교번하는 주파수는 1kHz 내지 1MHz인 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 이온 가속 캐비티와 상기 제2 이온 가속 캐비티 중 적어도 하나는 공통 라인에 이온 충격을 분배하도록 경사지는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 플라즈마는 자기-중화되는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 이온 소스는 홀 전류가 전혀 존재하지 않는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 이온 소스는 가속 그리드가 전혀 존재하지 않는 이온 소스. - 청구항 39에 있어서,
상기 이온 소스는 길이가 약 0.1m 내지 약 4m이고, 이온 소스의 길이에 걸쳐 균일한 플라즈마와 이온 방출을 갖는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 제1 중공 캐소드 캐비티와 상기 제2 중공 캐소드 캐비티 중 적어도 하나에 플라즈마-형성 가스를 도입하는 단계를 포함하고, 플라즈마-형성 가스가 도입되는 상기 중공 캐소드 각각에 대해, 압력 구배가 상기 중공 캐소드 캐비티, 상기 플라즈마 출구 영역, 상기 이온 가속 캐비티 및 상기 챔버 사이에 압력 구배가 감소하는 순서로 형성되는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 추출 및 가속 이온을 사용하여 코팅을 증착시키는 단계를 더 포함하는 방법. - 청구항 78에 있어서,
상기 증착은 더 조밀한(denser) 코팅을 초래하는 방법. - 청구항 39에 있어서,
상기 추출 및 가속된 이온을 사용하여 기판을 처리하는 단계를 더 포함하는 방법. - 청구항 80에 있어서,
상기 기판을 처리하는 단계는 가열, 세정, 표면 에칭 및 화학적 표면 개질 중 적어도 하나를 포함하는 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/975,286 | 2015-12-18 | ||
| US14/975,415 US10573499B2 (en) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | Method of extracting and accelerating ions |
| US14/975,286 US10242846B2 (en) | 2015-12-18 | 2015-12-18 | Hollow cathode ion source |
| US14/975,415 | 2015-12-18 | ||
| PCT/US2016/060979 WO2017105673A1 (en) | 2015-12-18 | 2016-11-08 | Hollow cathode ion source and method of extracting and accelerating ions |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180103909A true KR20180103909A (ko) | 2018-09-19 |
Family
ID=59057823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187020592A KR20180103909A (ko) | 2015-12-18 | 2016-11-08 | 중공 캐소드 이온 소스 및 이온의 추출 및 가속 방법 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3390688B1 (ko) |
| JP (1) | JP2019501496A (ko) |
| KR (1) | KR20180103909A (ko) |
| CN (1) | CN108699691B (ko) |
| BR (1) | BR112018012413A2 (ko) |
| EA (1) | EA201891455A1 (ko) |
| MX (1) | MX2018007547A (ko) |
| PH (1) | PH12018501300A1 (ko) |
| SG (1) | SG11201805171YA (ko) |
| WO (1) | WO2017105673A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114189974A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-03-15 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种驻波边耦合加速管及加速器 |
| CN115681062B (zh) * | 2023-01-03 | 2023-06-02 | 国科大杭州高等研究院 | 混合工作模式霍尔推进系统及具有其的航天器 |
| JP7455439B1 (ja) | 2023-05-31 | 2024-03-26 | Ｍｕｓｃａｔスペース・エンジニアリング株式会社 | 人工物体の制御方法、人工物体の制御装置およびこれを備えた人工物体 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2920235A (en) * | 1958-07-24 | 1960-01-05 | Persa R Bell | Method and apparatus for producing intense energetic gas discharges |
| US4419203A (en) * | 1982-03-05 | 1983-12-06 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for neutralizing ion beams |
| JPS59228338A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | ホロ−カソ−ド |
| US5286534A (en) * | 1991-12-23 | 1994-02-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for plasma deposition of a carbon rich coating |
| FR2693770B1 (fr) * | 1992-07-15 | 1994-10-14 | Europ Propulsion | Moteur à plasma à dérive fermée d'électrons. |
| US6174450B1 (en) * | 1997-04-16 | 2001-01-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling ion energy and plasma density in a plasma processing system |
| JP3069700B1 (ja) * | 1999-07-22 | 2000-07-24 | 静岡大学長 | 放電容器及びその放電容器を備えたプラズマラジカル生成装置 |
| US7411352B2 (en) * | 2002-09-19 | 2008-08-12 | Applied Process Technologies, Inc. | Dual plasma beam sources and method |
| KR100599037B1 (ko) * | 2004-08-04 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 이온 소스 및 이를 갖는 이온 주입 장치 |
| GB0703044D0 (en) * | 2007-02-16 | 2007-03-28 | Nordiko Technical Services Ltd | Apparatus |
| EP1993329A1 (en) * | 2007-05-15 | 2008-11-19 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Plasma source |
| BRPI0916880B1 (pt) * | 2008-08-04 | 2019-12-10 | Agc Flat Glass Na Inc | fonte de plasma e método de formar revestimento que utiliza deposição química a vapor melhorada de plasma e revestimento |
| WO2010077659A2 (en) * | 2008-12-08 | 2010-07-08 | General Plasma, Inc. | Closed drift magnetic field ion source apparatus containing self-cleaning anode and a process for substrate modification therewith |
| BE1019991A3 (fr) * | 2011-05-25 | 2013-03-05 | Agc Glass Europe | Procede de depot de couches sur un substrat verrier par pecvd a faible pression. |
| US9443703B2 (en) | 2011-12-19 | 2016-09-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Apparatus for generating a hollow cathode arc discharge plasma |
| US9257285B2 (en) * | 2012-08-22 | 2016-02-09 | Infineon Technologies Ag | Ion source devices and methods |
| JP2018028109A (ja) * | 2014-12-22 | 2018-02-22 | 旭硝子株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
-
2016
- 2016-11-08 KR KR1020187020592A patent/KR20180103909A/ko unknown
- 2016-11-08 EP EP16876262.3A patent/EP3390688B1/en active Active
- 2016-11-08 MX MX2018007547A patent/MX2018007547A/es unknown
- 2016-11-08 CN CN201680081988.6A patent/CN108699691B/zh active Active
- 2016-11-08 EA EA201891455A patent/EA201891455A1/ru unknown
- 2016-11-08 BR BR112018012413A patent/BR112018012413A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2016-11-08 JP JP2018532069A patent/JP2019501496A/ja active Pending
- 2016-11-08 WO PCT/US2016/060979 patent/WO2017105673A1/en active Application Filing
- 2016-11-08 SG SG11201805171YA patent/SG11201805171YA/en unknown
-
2018
- 2018-06-18 PH PH12018501300A patent/PH12018501300A1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3390688A1 (en) | 2018-10-24 |
| EA201891455A1 (ru) | 2019-01-31 |
| EP3390688B1 (en) | 2023-01-04 |
| EP3390688A4 (en) | 2019-08-21 |
| PH12018501300A1 (en) | 2019-02-11 |
| BR112018012413A2 (pt) | 2018-12-18 |
| CN108699691A (zh) | 2018-10-23 |
| SG11201805171YA (en) | 2018-07-30 |
| MX2018007547A (es) | 2019-05-09 |
| JP2019501496A (ja) | 2019-01-17 |
| WO2017105673A1 (en) | 2017-06-22 |
| CN108699691B (zh) | 2021-09-03 |
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