KR102503252B1 - 진공 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

진공 처리 중에 핫 플레이트 이외로부터 피처리 기판으로의 입열이 있는 경우에도, 피처리 기판을 소정 온도로 제어할 수 있도록 한 진공 처리 장치를 제공한다.
진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버(1)와 진공 챔버 내에서 피처리 기판 (Sw)을 지지하는 스테이지(4)를 구비하고, 스테이지가 선택적으로 냉각되는 베이스 (41)와, 베이스 상에 설치되어 피처리 기판을 정전 흡착하는 척 플레이트(42)와, 베이스와 척 플레이트 사이에 개설된 핫 플레이트(43)를 가지며, 척 플레이트 표면에 정전 흡착된 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도로 제어 가능한 본 발명에서의 진공 처리 장치(SM)는 베이스와 핫 플레이트 사이에 핫 플레이트로부터 베이스로의 열 전달을 억제하는 단열 플레이트(44)을 더욱 구비하고, 베이스와 단열 플레이트 사이에 베이스의 상면보다 높은 방사율을 가진 고 방사율층(45)을 설치한다.

Description

진공 처리 장치
본 발명은 진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버와 진공 챔버 내에서 피처리 기판을 지지하는 스테이지를 갖춘 진공 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는 실리콘 웨이퍼 등의 피처리 기판에 대하여 성막 처리와 에칭 처리와 같은 진공 처리를 하는 공정이 있다. 이와 같이, 진공 처리에 이용되는 진공 처리 장치로서 진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버와 진공 챔버 내에서 피처리 기판을 지지하는 스테이지를 구비하는 것이 예를 들어 특허문헌 1에 알려져 있다. 여기에서는, 진공 처리에 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도 (예를 들어, 300℃)로 제어할 수 있도록 스테이지가 선택적으로 냉각되는 베이스와, 베이스 상에 설치되어 피처리 기판을 정전 흡착하는 척 플레이트와 베이스와 척 플레이트 사이에 개설된 핫 플레이트를 가진다(척 플레이트와 핫 플레이트는 일체로 형성되어 있어도 된다). 또한, 여기에서는 핫 플레이트에 의해 피처리 기판을 효율적으로 가열하기 위해 베이스와 핫 플레이트 사이에 절연 재료제인 단열 플레이트를 더 설치하여 핫 플레이트로부터 베이스로의 열 전달(열 배출)을 억제한다.
그런데, 상기 진공 처리 장치 중에는 예를 들면, 스퍼터링 장치와 같이 진공 챔버내에 플라즈마를 발생시켜 타겟의 스퍼터링에 의해 발생한 스퍼터 입자를 부착, 퇴적시켜 성막 처리를 하는 것이 있다. 그 때, 피처리 기판에는 플라즈마나 피처리 기판에 입사하는 스퍼터 입자가 가진 에너지에 기인한 핫 플레이트 이외로부터 입열이 있다. 그러면, 진공 처리 중에 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도(예를 들어, 300℃)로 제어하고 있어도 이 제어 온도 이상으로 피처리 기판이 가열되는 경우가 있어 이러면 성막되는 박막의 막질 등에 악영향을 줄 우려가 있다.
이 때문에, 제어 온도 이상으로 피처리 기판이 가열되었을 때, 핫 플레이트의 온도를 가급적 신속하게 내리려면 핫 플레이트로의 통전 전류를 정지 또는 저하시킴과 동시에, 핫 플레이트로부터 냉각된 베이스로 열 배출시킬 필요가 있다. 그러나, 상기 종래 예와 같이 핫 플레이트와 베이스 사이에 단열 플레이트가 존재하면 핫 플레이트와 베이스 사이의 열 이동은 방사에 의한 것이 지배적이게 된다. 그 때문에, 핫 플레이트로부터 방출되는 열선(예를 들어, 파장 4μm 이하의 적외선)이 단열 플레이트를 투과하여 베이스 상면에서 반사되고, 반사된 열선이 핫 플레이트로 다시 돌아가게 되어 핫 플레이트로의 통전 전류를 정지 또는 저하시켜도 핫 플레이트의 온도가 조기에 내려가지 않는다는 문제가 있다.
특허문헌 1: 특표 2018-518833호 공보
본 발명은 이상의 점이 감안된 것으로, 진공 처리중에 핫 플레이트 이외로부터 피처리 기판으로의 입열이 있는 경우에도 피처리 기판을 소정 온도로 제어할 수 있도록 한 진공 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버와 진공 챔버 내에서 피처리 기판을 지지하는 스테이지를 구비하고, 스테이지가 선택적으로 냉각되는 베이스와, 베이스 상에 설치되어 피처리 기판을 정전 흡착하는 척 플레이트와, 베이스와 척 플레이트 사이에 개설된 핫 플레이트를 가지며, 척 플레이트 표면에 정전 흡착된 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도로 제어 가능한 본 발명에서의 진공 처리 장치는 베이스와 핫 플레이트 사이에 핫 플레이트로부터 베이스로의 열 전달을 억제하는 단열 플레이트를 더욱 구비하고, 베이스와 단열 플레이트 사이에 베이스의 상면보다 높은 방사율을 가진 고 방사율층을 설치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 베이스와 단열 플레이트 사이에 고 방사율층을 설치하였기 때문에 핫 플레이트로부터 방출되는 열선이 고 방사율층에 의해 흡수되어 베이스로 전달된다. 그 때문에, 핫 플레이트로의 통전 전류를 정지 또는 저하시키면 핫 플레이트의 온도를 조기에 낮출 수 있다. 따라서, 진공 처리중에 핫 플레이트 이외로부터 피처리 기판으로의 입열이 있는 경우에도 피처리 기판을 소정 온도로 제어할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 고 방사율층이 예를 들어, 파장 4μm 이하인 열선(적외선)에 대한 방사율이 0.49 이상인 것이 더 바람직하다. 이 범위를 벗어나면 피처리 기판에서 방출되는 열선을 효율적으로 흡수할 수 없다는 결함이 있다. 이 경우, 상기 고 방사율층을 AlｘTi１-ｘN 막(0.1≤x≤0.95)으로 구성함으로써 상기 고 방사율층의 방사율을 확실하게 0.49 이상으로 할 수 있다.
그런데, 핫 플레이트의 중앙부로부터의 열선 방출량보다 외주부로부터의 열선 방출량이 더 많은 것으로 알려져 있으며, 베이스 상면의 전면을 덮도록 고 방사율층을 형성하면 핫 플레이트의 중앙부보다 외주부의 온도가 낮아져 핫 플레이트의 중앙부와 외주부 사이에서 온도차가 생기기 쉬워진다. 따라서, 본 발명에 있어서는 상기 고 방사율층을 상기 베이스 상면의 외주부를 제외한 부분을 덮도록 형성함으로써 핫 플레이트의 중앙부와 외주부 사이에서 생기는 온도차를 억제할 수 있어 유리하다.
도 1은 본 발명의 실시 형태의 스퍼터링 장치를 나타내는 모식 단면도.
도 2는 도 1의 일부를 확대해 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 변형 예를 나타내는 단면도.
이하, 도면을 참조하여 진공 처리 장치를 마그네트론 방식의 스퍼터링 장치, 피처리 기판을 실리콘 웨이퍼(이하, ‘기판(Sw)’이라 한다)라 하고, 기판(Sw) 표면에 소정의 박막을 성막하는 경우를 예로 하여 본 발명의 진공 처리 장치의 실시 형태를 설명한다. 이하에 있어서, ‘위’ ‘아래’와 같은 방향을 나타내는 용어는 도 1에 나타낸 진공 처리 장치로서의 스퍼터링 장치의 설치 자세를 기준으로 한다.
도 1을 참조하여 (SM)은 본 실시 형태의 스퍼터링 장치이다. 스퍼터링 장치 (SM)는 진공 분위기 형성이 가능한 진공 챔버(1)를 구비한다. 진공 챔버(1)의 상면 개구에는 캐소드 유닛(2)이 착탈 가능하게 장착되어 있다. 캐소드 유닛(2)은 타겟(21)과 이 타겟(21)의 상방에 배치되는 자석 유닛(22)으로 구성되어 있다. 타겟(21)으로는 기판(Sw) 표면에 성막 하고자 하는 박막에 따라 알루미늄, 구리, 티타늄이나 알루미나 등 공지된 것이 이용된다. 그리고, 타겟(21)은 백킹 플레이트 (21a)에 접합한 상태에서 스퍼터 면(21b)을 하방으로 한 자세로 진공 챔버(1)의 상벽에 설치된 절연체(11)를 통하여 진공 챔버(1)의 상부에 장착된다.
타겟(21)에는 타겟 종류에 따라 직류 전원이나 교류 전원 등으로 구성된 스퍼터 전원(21c)으로부터의 출력(21d)이 접속되며, 타겟 종류에 따라 예를 들어, 마이너스 전위를 갖는 소정 전력이나 소정 주파수의 고주파 전력을 투입할 수 있게 되어 있다. 자석 유닛(22)은 타겟(21)의 스퍼터 면(21b)의 하방 공간에 자기장을 발생시키고, 스퍼터링 시에 스퍼터 면(21b)의 하방에서 전리된 전자 등을 포착해 타겟(21)으로부터 비산한 스퍼터 입자를 효율적으로 이온화하는 공지의 폐쇄 자기장 또는 커스프 자기장 구조를 가진 것으로 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
진공 챔버(1)의 하부에는, 타겟(21)에 대향시켜 스테이지(4)가 배치되어 있다. 스테이지(4)는 진공 챔버(1)의 하부에 설치된 절연체(32)를 통해 설치되는 통 형상의 윤곽을 가진 금속제(예를 들어, SUS제)의 베이스(41)와, 이 베이스(41) 상에 설치되는 척 플레이트(42)를 가진다. 베이스(41)에는 도면 외의 칠러 유닛으로부터 공급되는 냉매를 순환시키는 냉매 순환로(41a)가 형성되어 있으며, 선택적으로 냉각할 수 있도록 되어 있다. 척 플레이트(42)는 베이스(41)의 상면보다 약간 작은 외경을 가지며, 정전척용 전극이 매설되어 있다. 이 전극에 도면 외의 척 전원으로부터 전압을 인가하면 척 플레이트(42) 상면에 기판(Sw)이 정전 흡착되도록 되어 있다. 또한, 베이스(41)과 척 플레이트(42) 사이에는 예를 들어, 질화 알루미늄제 핫 플레이트(43)가 개설되어 있다. 핫 플레이트(43)에는 예를 들어, 히터 등의 가열 수단(43a)이 통합되어 있다.　이 가열 수단(43a)에 전원(43b)으로부터 통전함으로써 통전 전류에 따른 소정 온도(예를 들어, 300℃ ~ 500℃)로 핫 플레이트(43)를 가열할 수 있게 된다. 그리고, 핫 플레이트(43)에 의한 가열과 냉매 순환에 의한 베이스(41)의 냉각에 의해 기판(Sw)을 실온 이상의 소정 온도(예를 들어, 350℃)로 제어할 수 있도록 한다. 여기에서, 가열되는 핫 플레이트(43)에서 냉각되는 베이스(41)로의 열 전달을 억제하기 위해 베이스(41)와 핫 플레이트(43) 사이에는 핫 플레이트(43)의 상면의 윤곽에 일치시킨 예를 들어, 석영이나 사파이어 등의 절연 재료제 단열 플레이트(44)가 설치되어 있다.
진공 챔버(1)의 측벽에는 스퍼터 가스를 도입하는 가스관(5)이 접속되어 가스관(5)이 질량 유량 제어기(mass flow controller)(51)를 통해 도시 생략의 가스원에 연결되어 있다. 스퍼터 가스에는 진공 챔버 내에 플라즈마를 형성할 때 도입되는 아르곤 가스 등의 희가스 뿐만 아니라 산소 가스나 질소 가스 등의 반응 가스가 포함된다. 진공 챔버(1)의 하벽에는 터보 분자 펌프나 로터리 펌프 등으로 구성된 진공 펌프(61)에 통하는 배기관(62)이 접속되어 진공 챔버(1) 내를 진공 배기하고, 스퍼터링 시에는 스퍼터 가스를 도입한 상태에서 진공 챔버(1)를 소정의 압력으로 유지할 수 있도록 하고 있다.
진공 챔버(1) 내에서 스테이지(4)의 주위에는 핫 플레이트(43) 상면의 외주 부분(43c)을 덮음으로써, 타겟(21)의 스퍼터링에 의해 발생하는 스퍼터 입자의 해당 부분(43c)으로의 부착을 방지하는 방착판으로 기능하는 플래튼 링(platen ring)(7)이 간격을 두고 설치되어 있다. 플래튼 링(7)은 알루미나, 스테인레스 등의 공지된 재료제이며, 베이스(41) 상면의 외주 부분에 절연체(33)를 통해 설치되어 있다. 또한, 진공 챔버(1) 내에는 스퍼터 입자의 진공 챔버(1) 내벽면으로의 부착을 방지하는 방착판(8)이 설치되어 있다. 방착판(8)은 각각이 알루미나, 스테인레스 등 공지된 재료제인 상 방착판(81)과 하 방착판(82)으로 구성되어 있다. 상 방착판(81)은 통 형상의 윤곽을 가지고, 진공 챔버(1)의 상부에 설치된 계지부(11)를 통해 매달아 설치되어 있다. 하 방착판(82) 또한 통 형상의 윤곽을 가지며, 그 직경 방향 외측 자유단에는 상방을 향해 기립된 기립 벽부(82a)가 형성되어 있다. 하 방착판(82)에는 진공 챔버(1)의 하벽을 관통해서 연장되는 모터나 에어 실린더 등 구동 수단(83)으로부터의 구동축(83a)이 연결되어 있다. 구동 수단(83)에 따라 하 방착판(82)은 스퍼터링에 의한 성막이 실시되는 성막 위치와 성막 위치보다 높고, 도면 외의 진공로봇에 의한 스테이지(4)로의 기판(Sw)의 전달이 실시되는 반송 위치 사이에서 상하동된다. 하 방착판(82)의 성막 위치에서는 상 방착판(81)의 하단부와 기립 벽부 (82a)의 상단부가 서로 상하 방향으로 오버랩되도록 설계되었다.
상하 방향과 직교하여 연장되는 하 방착판(82)의 평탄부(82b)는 그 직경 방향의 내방부가 플래튼 링(7)과 대향하도록 크기가 정해진다. 평탄부(82b) 하면의 소정 위치에는 예를 들어, 1개의 환 형상의 돌기(82c)가 형성되어 있다. 각 돌기(82c)에 대응하여 플래튼 링(7)의 상면에는 환 형상의 오목 홈(71)이 형성되어 있다. 그리고, 성막 위치에서는 평탄부(82b)의 돌기(82c)와 플래튼 링(7)의 오목 홈(71)에 의해 소위 라비린스 씰(labyrinth seal)이 형성되어, 기판(Sw)의 주위에서 하 방착판(82)의 하방에 위치하는 진공 챔버(1)내의 공간으로 스퍼터 입자의 회전 유입(wrap-around)을 방지할 수 있도록 하고 있다. 또한, 스퍼터링 장치(SM)는 마이크로컴퓨터, 기억 소자나 시퀀서 등을 구비한 공지된 구조의 제어 수단(도시 생략)을 구비하여, 이 제어 수단이 스퍼터 전원(21c), 전원(43b), 질량 유량 제어기(51)이나 진공펌프 (61) 등의 스퍼터링 시의 각 부품 제어 등을 통괄하고 있다. 또한, 제어 수단은 핫 플레이트(43)의 온도를 낮출 경우, 전원(43b)으로부터 가열 수단(43a)으로 통전 전류를 정지 또는 저하시키는 제어를 한다. 이하에 타겟(21)을 알루미늄으로 하여 상기 스퍼터링 장치(SM)에 의해 기판(Sw) 표면에 알루미늄막을 성막하는 경우를 예로 하여 성막 방법을 설명한다.
진공 펌프(61)를 작동시켜 진공 챔버(1) 내를 진공 배기한 후, 하 방착판(82)의 반송 위치에서 도면 외의 진공 반송 로봇에 의해 스테이지(4) 상으로 기판(Sw)을 반송하고, 스테이지(4)의 척 플레이트(42) 상면에 기판(Sw)을 배치한다. 진공 반송로봇이 퇴피하면 하 방착판(82)을 성막 위치로 이동함과 동시에, 척 플레이트(42)의 전극에 도면 외의 전원으로부터 소정 전압을 인가하여 척 플레이트(42) 상면에 기판(Sw)을 정전 흡착한다. 이와 함께, 핫 플레이트(43)의 히터(43a)로 전원(43b)으로부터의 통전에 의해 핫 플레이트(43)를 가열하는 동시에, 냉매 순환로(41a)으로의 냉매 순환에 의해 베이스(41)를 냉각한다. 기판 (Sw)의 온도가 실온 이상의 소정 온도(예를 들어, 350℃)에 이르면, 스퍼터 가스로서의 아르곤 가스를 소정의 유량으로 도입하고 (이때의 진공 챔버(1)내의 압력이 0.5Pa), 이와 함께, 타겟(21)에 스퍼터 전원(21c)으로부터 마이너스 전위를 갖는 소정 전력(예를 들어, 3Kw ~ 50kW)을 투입한다. 이로 인해, 진공 챔버(1)내에 플라즈마가 형성되고 플라즈마의 아르곤 가스의 이온으로 타겟(21)인 스퍼터 면(21b)이 스퍼터링 되어 타겟(21)으로부터의 스퍼터 입자가 기판(Sw)에 부착, 퇴적되어 알루미늄막이 성막된다.
여기에서, 상기와 같이 기판(Sw)에는 플라즈마나 기판(Sw)에 입사하는 스퍼터 입자가 가진 에너지에 기인한 핫 플레이트(43) 이외로부터의 입열이 있으며, 성막 중에 기판(Sw)을 소정 온도(예를 들어, 350℃)로 제어해도 이 제어 온도 이상(예를 들어, 390℃)으로 기판(Sw)이 가열되는 경우가 있다. 이 경우, 전원 (43b)에서 핫 플레이트(43)으로의 통전 전류를 정지 또는 저하시킴과 동시에, 핫 플레이트(43)에서 베이스(41)로 열 배출 시킬 필요가 있지만, 단열 플레이트(44)가 존재하므로 핫 플레이트(43)와 베이스(41) 사이의 열 이동은 방사에 의한 것이 지배적이 되어 핫 플레이트(43)의 온도가 조기에 내려가지 않는다.
따라서, 본 실시 형태에서는 도 2도 참조하여 베이스(41)와 단열 플레이트(44) 사이에 베이스(41)의 상면보다 높은 방사율을 갖는 고 방사율층(45)을 설치하여 핫 플레이트 (43)의 방사 냉각 효과를 높이도록 하였다. 이 고 방사율층(45)은 예를 들어, 파장 4μm이하의 열선(적외선)에 대해 0.49 이상의 방사율을 갖도록 예를 들어, AlｘTi１-ｘN 막 (0.1≤x≤0.95)으로 구성되어 있다. AlｘTi１-ｘN 막은 열선을 흡수했을 때의 방출 가스가 적기 때문에 고 방사율층(45)으로 적절하게 이용할 수 있다. 또한, 고 방사율층(45)을 AlｘTi１-ｘN 막 (0.8≤x≤0.95)으로 구성하면 고 방사율층(45)의 방사율을 0.6 이상으로 할 수 있어 더욱 바람직하다. 고 방사율층(45)은 베이스(41) 상면 또는 단열 플레이트(44) 하면에 형성하면 좋지만, 단열 플레이트(44) 하면 보다 베이스(41) 상면에 형성하는 편이 고 방사율층(45)에서 흡수한 열선을 더 효율적으로 베이스(41)에 전달할 수 있다. 고 방사율층(45)의 형성 방법으로는 스퍼터링법이나 진공 증착법 등 공지된 방법을 이용할 수 있기 때문에 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
이상의 실시 형태에 따르면, 베이스(41)와 단열 플레이트(44) 사이에 고 방사율층(45)을 설치하였으므로, 핫 플레이트(43)에서 방출되는 열선을 고 방사율층(45)에서 흡수하고 흡수한 열을 베이스(41)로 전달할 수 있다. 즉, 고 방사율층(45)에 의해 핫 플레이트(43)의 방사 냉각 효과를 높여 핫 플레이트(43)에서 베이스(41)로 열 배출 시킬수 있다. 이 때문에, 전원(43b)으로부터 핫 플레이트(43)으로의 통전 전류를 정지 또는 저하시키면, 핫 플레이트(43)의 온도를 조기에 낮출 수 있다. 따라서, 성막 중에 핫 플레이트(43) 이외로부터의 입열이 있는 경우에도 기판(Sw)을 소정 온도로 제어할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태의 것에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 다항한 변형이 가능하다. 예를 들어, 상기 실시 형태에서는 진공 처리 장치를 스퍼터링 장치 (SM)이라고 했을 경우를 예로 설명했는데, 핫 플레이트(43)와 베이스(41) 사이에 단열 플레이트(44)를 가진 스테이지(4)가 진공 챔버(1)내에 설치되는 진공 처리 장치라면 이에 한정되는 것이 아니라, 예를 들어, 드라이 에칭 장치, CVD 장치나 열처리 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는 척 플레이트(42)와 핫 플레이트(43)가 별개로 구성되지만 척 플레이트(42)에 가열 수단을 내장하여 척 플레이트(42)와 핫 플레이트가 일체로 구성되어 있어도 된다.
그런데, 핫 플레이트(43)의 중앙부로부터의 열선 방출량보다 외주부로부터의 열선 방출량이 많은 것으로 알려져 있으며, 베이스(41) 상면의 전면을 덮도록 고 방사율층(45)을 형성하면 핫 플레이트(43)의 중앙부보다 외주부의 온도가 낮아져 핫 플레이트(43)의 중앙부와 외주부 사이에 온도차가 생기기 쉬워지고, 이러면 기판(Sw) 표면의 전면에 걸쳐 균일하게 진공 처리를 하지 못할 우려가 있다. 따라서, 도 3과 같이 고 방사율층(45)을 베이스(41) 상면의 외주 부분(41b)을 제외한 부분을 덮도록 형성함으로써 핫 플레이트(43)의 중앙부와 외주부 사이에서 발생하는 온도차를 억제할 수 있어 유리하다.
또한, 상기 실시 형태에서는 예를 들어, 고 방사율층(45)으로 AlｘTi１-ｘN 막 (0.1≤x≤0.95)을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것이 아니라, 베이스(41) 상면 또는 단열 플레이트(44) 하면에 대하여 용사(thermal spraying)나 성막 등의 표면처리를 함으로써 Al２O３ 등의 비금속막이나 Ti 용사막으로 구성된 고방사율 층을 형성해도 된다.
SM…스퍼터링 장치(진공 처리 장치), 1…진공 챔버, 4…스테이지, 41 …베이스(base), 42 …척 플레이트, 43 …핫 플레이트, 44 …단열 플레이트, 45 …고 방사율층, AlｘTi１-ｘN 막

Claims (4)

  1. 진공 분위기의 형성이 가능한 진공 챔버와, 진공 챔버 내에서 피처리 기판을 지지하는 스테이지(stage)를 구비하고, 스테이지가 선택적으로 냉각되는 베이스(base)와, 베이스 상에 설치되어 피처리 기판을 정전 흡착하는 척 플레이트(chuck plate)와, 베이스와 척 플레이트 사이에 개설된 핫 플레이트(hot plate)를 가지며, 척 플레이트 표면에 정전 흡착된 피처리 기판을 실온 이상의 소정 온도로 제어 가능한 진공 처리 장치이며,
    베이스와 핫 플레이트 사이에 핫 플레이트로부터 베이스로의 열 전달을 억제하는 단열 플레이트를 더욱 구비하는 것에 있어서,
    베이스와 단열 플레이트와의 사이에 베이스의 상면보다 높은 방사율을 가지는 고 방사율층(high-emissivity layer)을 설치하고,
    상기 고 방사율층이 AlｘTi１-ｘN 막 (0.1≤x≤0.95)으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 고 방사율층의 방사율이 0.49 이상인 것을 특징으로 하는, 진공 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 진공 처리 장치에 있어서,
    상기 고 방사율층은, 베이스 상면의 외주부를 제외한 부분을 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 장치.
  4. 삭제
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