CN107498176B - 一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法 - Google Patents

一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107498176B
CN107498176B CN201710652088.9A CN201710652088A CN107498176B CN 107498176 B CN107498176 B CN 107498176B CN 201710652088 A CN201710652088 A CN 201710652088A CN 107498176 B CN107498176 B CN 107498176B
Authority
CN
China
Prior art keywords
porous ceramics
polishing
excimer laser
reference line
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710652088.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107498176A (zh
Inventor
郭馨
王宇
丁金滨
刘斌
张立佳
周翊
赵江山
齐威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing RSlaser Opto Electronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Academy of Opto Electronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Academy of Opto Electronics of CAS filed Critical Academy of Opto Electronics of CAS
Priority to CN201710652088.9A priority Critical patent/CN107498176B/zh
Publication of CN107498176A publication Critical patent/CN107498176A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107498176B publication Critical patent/CN107498176B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/3568—Modifying rugosity
    • B23K26/3576—Diminishing rugosity, e.g. grinding; Polishing; Smoothing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators

Abstract

本发明公开了一种多孔陶瓷的准分子激光抛光和检测方法，其特征在于，包括以下步骤：利用表面粗糙度分析设备扫描多孔陶瓷待加工面的表面轮廓，使用光束均匀器和聚焦透镜实现准分子激光光束的聚焦和匀化，确定抛光用准分子激光的离焦量，规划表面的扫描路径，调整准分子激光的参数，测定多孔陶瓷的烧蚀阈值Fth，调节准分子激光的输出能量对多孔陶瓷进行抛光，计算抛光前多孔陶瓷的表面凸出粗糙度，计算抛光后多孔陶瓷的表面凸出粗糙度。本发明的方法对多孔陶瓷的热力影响小，不会引起陶瓷材料颗粒剥落、脆断等问题，对抛光材料的尺寸、形状无要求，能够实现薄膜、曲面甚至部分内部结构的抛光，提高了多孔陶瓷抛光效果的辨识度和准确度。

Description

一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法
技术领域
本发明涉及激光加工领域，具体涉及多孔陶瓷的抛光。
背景技术
多孔陶瓷具有透过性好、密度低、硬度高、耐磨性好、热导率低等特点，可实现减重、隔热、吸声、过滤、催化等作用，在航空航天、机械、化工、光电、能源、生物等诸多领域应用广泛。陶瓷材料硬度高、脆性大的特点使其加工困难，但是，多孔陶瓷的表面粗糙度影响着多孔陶瓷零件的表面附着性、透过性、振动和噪声等性能，尤其对于多孔陶瓷轴承与轴套、电子发射器件等，直接影响转动噪声、膜层结合能力等重要参数。
目前常用的陶瓷抛光方法包括机械法、化学法、激光抛光等。由于多孔陶瓷材料孔隙间的结合相比致密陶瓷更为薄弱，机械法等接触法在加工过程中更容易造成颗粒剥落、局部脆断，容易造成表面缺陷或划痕等，剥落的颗粒还可能进入孔隙形成杂质物。化学法等反应抛光的方式不仅会腐蚀陶瓷表面突出结构，还会腐蚀孔隙，影响孔隙结构，难以实现多孔陶瓷表面的抛光。相比之下，激光抛光对多孔陶瓷具有显著的优势，其中CO2、YAG等激光抛光方式会在材料表面生产大量的热量，引起材料的熔化与烧结，使少量尖峰材料熔化填入到波谷使表面变得光滑，虽能达到抛光的效果，但热影响区大，反应产物可能阻塞材料原本的孔隙，会影响多孔陶瓷材料的性能，而准分子激光具有输出能量更高、波长更短、激光单光子能量更大的优势，容易通过破坏材料表面的化学键实现对材料的冷抛光，是进行多孔陶瓷抛光的理想光源之一。
同时，目前对材料粗糙度表征的方式虽然包括了轮廓算术平均偏差Ra、轮廓最大高度Rz、轮廓单元平均宽度Rsm等，但这些参数均根据材料表面轮廓的峰值与谷值计算。受多孔陶瓷材料表面大量分布的孔隙影响，其计算结果对陶瓷表面凸起部分的检测程度是有限的，降低了多孔陶瓷表面孔隙外部分平整程度检测的辨识度。
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种多孔陶瓷抛光和检测的方法。
发明内容
为了实现多孔陶瓷的有效抛光和检测，减少对孔隙的影响及孔隙存在对粗糙度检测的影响，本发明提出了一种利用准分子激光抛光多孔陶瓷的方法及其检测方式。通过检测多孔陶瓷的表面轮廓，分析其孔隙尺寸、间距等信息，对准分子激光光束进行匀化和聚焦处理，根据孔隙尺寸、间距和扫描光斑的尺寸确定多孔陶瓷抛光的扫描路径，通过实验测定实验条件下多孔陶瓷的烧蚀阈值，调节准分子激光的离焦量、能量密度、入射角度，利用略高于陶瓷烧蚀阈值的能量对激光进行抛光，使陶瓷表面的尖峰位于准分子激光烧蚀的区域内通过汽化去除，而尽力降低对波谷的影响；通过分析抛光前陶瓷的表面轮廓确定陶瓷表面的基准线，利用该基准线上方的尖峰面积计算抛光前后陶瓷的表面粗糙度。由于准分子激光烧蚀热影响区很小，通过合理调整入射角度、扫描路径，该方法可实现多孔陶瓷材料的抛光，并计算抛光前后多孔陶瓷的表面粗糙度，尽力降低对孔隙结构和孔隙对粗糙度表征的影响。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
一种多孔陶瓷的准分子激光抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：
①利用表面粗糙度分析设备扫描多孔陶瓷待加工面的表面轮廓，作基准线将一定长度的轮廓分成两部分，使上、下两部分轮廓线与基准线之间所包含的面积相等，定义上部分为峰值，下部分为谷值，确定孔隙的平均尺寸和间距；
②使用光束均匀器和聚焦透镜实现准分子激光光束的聚焦和匀化，得到均匀光束，根据多孔陶瓷的孔隙尺寸和孔隙间距确定抛光用准分子激光的离焦量；若孔隙尺寸大于聚焦光斑的长度且孔隙平均间距大于聚焦光斑的长度，则调整离焦量使扫描光斑长度不大于孔隙间距，规划多孔陶瓷表面扫描路径，使光斑不扫描孔隙；其他情况下，规划表面的完整扫描路径；
③调整准分子激光的参数，测定多孔陶瓷的烧蚀阈值Fth；
④调节准分子激光的输出能量对多孔陶瓷进行抛光，使陶瓷基准线所处平面的激光能量密度为1～1.5倍Fth，陶瓷表面的尖峰位于准分子激光烧蚀区域内通过汽化去除，降低激光能量对孔隙的影响。
优选地，准分子激光的波长为涵盖陶瓷材料能够吸收的波段。
优选地，准分子激光的波长193nm，248nm或308nm，激光能量0.1～100mJ，重复频率1～100Hz，入射角度为0-60°。
一种多孔陶瓷抛光前后的粗糙度检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1分析多孔陶瓷抛光前的表面轮廓，以基准线为x轴，垂直于基准线为y轴建立直角坐标系，记录基准线与谷值的平均距离y0，计算抛光前多孔陶瓷的表面凸出粗糙度其中l为取样长度，y为基准线上方的轮廓距基准线的距离；
S2分析抛光后多孔陶瓷的表面轮廓，作一条基准线，使其与谷值的平均距离为y0+y’，其中y’为抛光前后孔隙深度的变化值；根据多孔陶瓷表面轮廓位于基准线上方的峰面积和取样长度计算抛光后多孔陶瓷的表面凸出粗糙度r。
优选地，y’在入射角度较大的情况下近似为0。
采用本专利提出的方案，实现对多孔陶瓷的抛光与检测，具有如下优势：
一、准分子激光输出能量高、波长短、激光单光子能量大，容易通过破坏材料表面的化学键实现对材料的冷抛光，热影响区小，基本不存在材料熔融的情况，减少了材料熔融阻塞孔隙、影响材料性能的情况。
二、通过调整准分子激光的参数和扫描路径，可最大限度内降低抛光过程对孔隙结构、尺寸的影响，提高抛光的质量。
三、本发明的方法对多孔陶瓷的热力影响小，不会引起陶瓷材料颗粒剥落、脆断等问题，对抛光材料的尺寸、形状无要求，能够实现薄膜、曲面甚至部分内部结构的抛光。
四、通过分析抛光前陶瓷的表面轮廓确定陶瓷表面的基准线，利用该基准线上方的尖峰面积计算抛光前后陶瓷的表面粗糙度，降低了表面孔隙对多孔陶瓷粗糙度检测的影响，提高了多孔陶瓷抛光效果的辨识度和准确度。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为多孔陶瓷表面轮廓及粗糙度示意图；
图2为准分子激光抛光多孔陶瓷的示意图；
图3为抛光后多孔陶瓷表面轮廓及粗糙度示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施方式。虽然附图中显示了本发明的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本发明旨在提出一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法，以实现多孔陶瓷的有效抛光和检测，减少抛光对孔隙的影响及孔隙存在对粗糙度检测的影响。以ArF准分子激光抛光多孔SiC陶瓷为例，结合附图及具体实施例，对本发明作进一步的详细描述。
实施例一
一种多孔陶瓷的准分子激光抛光方法，包括如下步骤：
①如图1所示，利用Zygo表面粗糙度分析设备扫描SiC多孔陶瓷待加工面的轮廓，作基准线(1)将一定长度的轮廓分成两部分，使基准线上、下两部分轮廓线与基准线之间所包含的面积相等，定义上部分为峰值(2)，下部分为谷值(3)，测量得到多孔陶瓷表面的孔隙平均尺寸(4)约15μm，孔隙间距(5)约50μm。
②如图2所示，使ArF准分子激光器光束依次通过光束均匀器(6)和聚焦透镜(7)实现激光束的聚焦和匀化，得到均匀光束(8)，根据多孔陶瓷的孔隙尺寸(4)和孔隙间距(5)调整准分子激光的离焦量(9)。若孔隙尺寸大于聚焦光斑的长度且孔隙平均间距大于聚焦光斑的长度，则调整离焦量使扫描光斑长度不大于孔隙间距，规划多孔陶瓷表面扫描路径，使光斑不扫描孔隙；其他情况下，规划表面的完整扫描路径。实验中取光斑长度450μm，宽度70μm，由于孔隙尺寸(4)小于聚焦光斑的长度，规划表面的完整扫描路径。
③调整ArF准分子激光的参数，采用形貌观察法测定多孔SiC陶瓷的烧蚀阈值Fth，约0.3J/cm2。
④调节ArF准分子激光的输出能量对SiC多孔陶瓷进行抛光，使陶瓷基准线所处平面的激光能量密度在0.3～0.45J/cm2之间，使陶瓷表面的峰值(2)位于准分子激光烧蚀的区域内通过汽化去除，而尽力降低激光能量对孔隙(3)的影响。所述准分子激光的波长为193nm，激光输出能量0.6～1.0mJ，重复频率20Hz，入射角度为0°。
实施例二
在上述实施例一的基础上，还公开了一种多孔陶瓷的准分子激光抛光前后的粗糙度检测方法，包括实施例一中的步骤①-④，此外还包括如下步骤：
⑤分析步骤①中扫描得到的多孔SiC陶瓷待加工面的轮廓，记录基准线(1)与谷值(3)的平均距离，利用公式计算得到抛光前多孔SiC陶瓷的表面凸出粗糙度r＝ra＝0.96μm。
⑥利用Zygo表面粗糙度分析设备扫描抛光后多孔SiC陶瓷的表面轮廓，如图3所示，作基准线(1)使其与谷值(12)的平均距离为抛光前平均距离，实验中近似为0.96μm。根据表面轮廓位于基准线上方的峰(13)面积计算抛光后多孔SiC陶瓷的突出粗糙度r＝0.84μm，而ra为0.914μm。即实现了多孔陶瓷的准分子激光抛光检测。
实施例三
一种多孔陶瓷抛光前后的粗糙度检测方法，包括以下步骤：
S1分析多孔陶瓷抛光前的表面轮廓，以基准线为x轴，垂直于基准线为y轴建立直角坐标系，记录基准线与谷值的平均距离y0，计算抛光前多孔陶瓷的表面凸出粗糙度其中l为取样长度，y为基准线上方的轮廓距基准线的距离；
S2分析抛光后多孔陶瓷的表面轮廓，作一条基准线，使其与谷值的平均距离为y0+y’，其中y’为抛光前后孔隙深度的变化值，y’在入射角度较大的情况下近似为0；根据多孔陶瓷表面轮廓位于基准线上方的峰面积和取样长度计算抛光后多孔陶瓷的表面凸出粗糙度r。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (2)

1.一种多孔陶瓷的准分子激光抛光检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
①利用表面粗糙度分析设备扫描多孔陶瓷待加工面的表面轮廓，作基准线将一定长度的轮廓分成两部分，使上、下两部分轮廓线与基准线之间所包含的面积相等，定义上部分为峰值，下部分为谷值，确定孔隙的平均尺寸和间距；
②使用光束均匀器和聚焦透镜实现准分子激光光束的聚焦和匀化，得到均匀光束，根据多孔陶瓷的孔隙尺寸和孔隙间距确定抛光用准分子激光的离焦量；若孔隙尺寸大于聚焦光斑的长度且孔隙平均间距大于聚焦光斑的长度，则调整离焦量使扫描光斑长度不大于孔隙间距，规划多孔陶瓷表面扫描路径，使光斑不扫描孔隙；其他情况下，规划表面的完整扫描路径；
③调整准分子激光的参数，测定多孔陶瓷的烧蚀阈值Fth；
④包括调节准分子激光的输出能量对多孔陶瓷进行抛光，使陶瓷基准线所处平面的激光能量密度为1～1.5倍Fth，陶瓷表面的尖峰位于准分子激光烧蚀区域内通过汽化去除，降低激光能量对孔隙的影响；
⑤分析多孔陶瓷抛光前的表面轮廓，以基准线为x轴，垂直于基准线为y轴建立直角坐标系，记录基准线与谷值的平均距离y0，计算抛光前多孔陶瓷的表面凸出粗糙度其中l为取样长度，y为基准线上方的轮廓距基准线的距离；
⑥分析抛光后多孔陶瓷的表面轮廓，作一条基准线，使其与谷值的平均距离为y0+y’，其中y’为抛光前后孔隙深度的变化值；根据多孔陶瓷表面轮廓位于基准线上方的峰面积和取样长度计算抛光后多孔陶瓷的表面凸出粗糙度r。
2.如权利要求1所述的方法，其中，准分子激光的波长193nm、248nm或308nm，激光能量0.1～100mJ，重复频率1～100Hz，入射角度为0-60°。
CN201710652088.9A 2017-08-02 2017-08-02 一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法 Active CN107498176B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710652088.9A CN107498176B (zh) 2017-08-02 2017-08-02 一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710652088.9A CN107498176B (zh) 2017-08-02 2017-08-02 一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107498176A CN107498176A (zh) 2017-12-22
CN107498176B true CN107498176B (zh) 2019-05-14

Family

ID=60689822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710652088.9A Active CN107498176B (zh) 2017-08-02 2017-08-02 一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107498176B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111902917A (zh) * 2018-03-22 2020-11-06 应用材料公司 对用于半导体器件制造的处理部件的陶瓷表面进行激光抛光
WO2020026393A1 (ja) * 2018-08-01 2020-02-06 国立大学法人九州大学 ダイヤモンド平滑化方法
CN109514076B (zh) * 2018-12-18 2020-04-14 北京工业大学 一种皮秒-纳秒激光复合异步抛光陶瓷的工艺方法
CN110614440B (zh) * 2019-08-29 2021-04-23 南京理工大学 一种光学元件co2激光重熔与气化复合抛光方法
CN111368243A (zh) * 2020-02-14 2020-07-03 天津大学 一种确定飞秒激光抛光光学元件过程中激光离焦量的方法
CN112548344A (zh) * 2020-11-18 2021-03-26 南京理工大学 一种应用于碳化硅陶瓷的高效洁净减薄方法
CN112589263A (zh) * 2020-12-11 2021-04-02 浙江工业大学 一种金属表面先削峰后填谷的蒸发-熔凝复合激光抛光方法
CN113172342B (zh) * 2021-05-14 2023-08-18 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种用于金刚石表面平坦化加工的激光加工装置及方法
CN113414889B (zh) * 2021-06-29 2022-08-30 华中科技大学 激光辅助金刚石切削与激光抛光原位复合的方法及装置
CN113500711B (zh) * 2021-06-29 2022-09-13 华中科技大学 一种高精度复合能场辅助切削及光整设备及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101198433A (zh) * 2005-04-22 2008-06-11 柏林联合研究院 使用激光对热敏介电材料进行精抛光/精密结构化的方法
CN101905381A (zh) * 2010-07-05 2010-12-08 大连理工大学 陶瓷材料密封环微构型准分子激光分层加工方法及装置
CN103056729A (zh) * 2011-10-24 2013-04-24 苏州市信德威激光科技有限公司 利用激光抛光光纤端面及玻璃表面的装置及其工艺方法
CN103188877A (zh) * 2013-03-05 2013-07-03 深圳光韵达光电科技股份有限公司 一种陶瓷线路板快速高柔性制作的方法
CN104880171A (zh) * 2015-06-04 2015-09-02 深圳市商德先进陶瓷有限公司 多孔陶瓷表面粗糙度的检测系统、方法及装置
CN105181616A (zh) * 2015-09-22 2015-12-23 江苏大学 一种激光烧蚀过程中等离子体吸收率的测量方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101198433A (zh) * 2005-04-22 2008-06-11 柏林联合研究院 使用激光对热敏介电材料进行精抛光/精密结构化的方法
CN101905381A (zh) * 2010-07-05 2010-12-08 大连理工大学 陶瓷材料密封环微构型准分子激光分层加工方法及装置
CN103056729A (zh) * 2011-10-24 2013-04-24 苏州市信德威激光科技有限公司 利用激光抛光光纤端面及玻璃表面的装置及其工艺方法
CN103188877A (zh) * 2013-03-05 2013-07-03 深圳光韵达光电科技股份有限公司 一种陶瓷线路板快速高柔性制作的方法
CN104880171A (zh) * 2015-06-04 2015-09-02 深圳市商德先进陶瓷有限公司 多孔陶瓷表面粗糙度的检测系统、方法及装置
CN105181616A (zh) * 2015-09-22 2015-12-23 江苏大学 一种激光烧蚀过程中等离子体吸收率的测量方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
表面粗糙度及表面形状的测量与描述;杨芊;《中国计量》;19980715;47-48 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN107498176A (zh) 2017-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107498176B (zh) 一种多孔陶瓷的准分子激光抛光及检测方法
US10074565B2 (en) Method of laser processing for substrate cleaving or dicing through forming “spike-like” shaped damage structures
TWI587959B (zh) Lamination method of substrate and processing device
JP2006114627A5 (zh)
TW200603440A (en) Laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device using the same
JP6605278B2 (ja) レーザ加工方法
DE502005009464D1 (de) Vorrichtung zur bearbeitung eines objektes mittels laser-strahlung
JP4640174B2 (ja) レーザーダイシング装置
TW200307322A (en) Semiconductor substrate, semiconductor chip and production method for a semiconductor device
JPH11138896A (ja) レーザを用いたマーキング方法、マーキング装置、及びマークの観察方法、観察装置
CN110461514A (zh) 切削工具的制造方法
CN104955605A (zh) 激光加工装置、激光加工方法
JP2006520734A (ja) ガラス板切断装置
TW200419660A (en) Obverse/reverse discriminative rectangular nitride semiconductor wafer
TW201002460A (en) Chamfering apparatus
CN106891098B (zh) 一种蓝宝石亚微米级切面的激光高精加工方法
CN105181616A (zh) 一种激光烧蚀过程中等离子体吸收率的测量方法
US9290008B1 (en) Laser marking method and system
CN110064840B (zh) 激光切片装置及激光切片方法
Sokolov et al. Experimental investigation of the influence of edge morphology in high power fiber laser welding
JP6752232B2 (ja) 加工対象物切断方法
KR20120108752A (ko) 미세 요철부를 형성하기 위한 레이저 가공 방법
JP2017069307A (ja) レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2014161908A (ja) 内部加工層形成方法、内部加工層形成部材、および、表面３次元構造部材
Schneider et al. Study of hole properties in percussion regime with a new analysis method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200806

Address after: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3

Patentee after: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Address before: 100190, No. 19 West Fourth Ring Road, Beijing, Haidian District

Patentee before: Research Institute of aerospace information innovation, Chinese Academy of Sciences

Effective date of registration: 20200806

Address after: 100190, No. 19 West Fourth Ring Road, Beijing, Haidian District

Patentee after: Research Institute of aerospace information innovation, Chinese Academy of Sciences

Address before: 100094, No. 9 Deng Zhuang Road, Haidian District, Beijing, Haidian District

Patentee before: Academy of Opto-Electronics, Chinese Academy of Sciences

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210312

Address after: 100176 building 10, 156 Jinghai 4th Road, Daxing Economic and Technological Development Zone, Beijing

Patentee after: BEIJING RSLASER OPTO-ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3

Patentee before: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

TR01 Transfer of patent right